耐高温低压降大功率整流器的设计与研究
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管 的正 向功 耗 ，如 图 １ 所示 。其 中Ｖ Ｖ Ｖ 分别 是Ｐ－－ ＿ 一 ＋ 、 Ｎ结和 区 的电压 降。 Ｎ
Ｖ Ｖ ＋ Ｖ 一十 Ｆ＝ Ｐ＋ Ｍ Ｖ
３抗 高温 低压大 功率 整流 器设计 方 案 ． ３ １降低 正 向压 降设计 ．
区的宽度 做到 最小 ，降低 了耐压 区的压 降。 蔽 作用 ，因而Ｐ 结表 面 不会形 成 电场集 中 ， Ｎ ② 提 高 晶片 表 面 掺 杂浓 度 ，根 据 公 式 避 免 了表 面 击穿 ，提高 了抗 高温 能力 。 电阻率和 掺杂 浓度 成反 比的关系 ，提 ３ ３ 设计 指标 ： ． １ 反 向 电压 ：６ ０ ＠ ０ Ａ ） ０ Ｖ １ｕ 高表 面掺 杂浓 度则 可 以降低 电阻率 ，从 而降
的增加 ，ｘ 逐渐 增大 。两步 法扩 散之 后 ，杂 ｊ 质剖 面呈 高斯 分布 ，根 据扩散 理 论可 知 ，
与 成正 比 。 ５２ 推进 时间 ｔ Ｆ ． 与ｖ 的关 系
随 着 扩 散 时 间 的延 长 ，Ｐ 结 深 越 来 越 ＋ 大 ，基区越 来越 窄 ，根 据基 区压 降正 比于 基 区 宽度的平 方 ，扩散 时间越 长 ，正 向压 降越
求 。如何 能够减 少整 流 芯片在 工作 时的 自身 发热 量 ，降低 芯片 工作 时的功 耗 ，并且 有效 提高 整流 芯片 的抗 高温 能力 ，成为 目前 芯片 降 。
的研 究发 展方 向 。 该 项 目，基 于 最 大 限度 的将 功耗 降到 最低 的指 标要 求 。
式 中：Ｊ 电流密度 ，Ｋ 为常数 （ 于 防止 器件 表面 电荷积 累或 离子沾 污 ，这些 电 为 ｏ 取决 温度及掺 杂情况） ａ 由 电流密 度决定 的参 荷 能在靠 近硅衬 底表 面处 感生 出相 反极性 的 ， 为 数， 电荷 ，从 而改变 表面 电导 率 ；另 外载 流子注 Ｄ为 大注 入 下双 极扩 散 系数 ， 为 大注 入 到绝缘 膜 中能长期 停 留形成存 储 ，也会 使 入载流 子寿命 器件 表面 电导率发 生改变 ，这 些都 会导致 Ｐ Ｎ 从 公 式 来 看 ，减 薄 基 区宽 度 、 提 高 并 结反 向击 穿 电压 降低 ，在 高温 时材料 失效 。 保 持 少数 载 流 子 的寿 命 有 助 于 减 小 正 向压 为提 高 抗 高 温 能 力 ，采 用 半 绝 缘 多 晶
一
２ 正 向压 降 ：０ ９ ＠ ２ ５ ） ．Ｖ １．Ａ ４抗 高温 低压大 功率 整流 器工 艺实现 ． （ ） ２ 低 正 向 压 降整 流 芯 片 的 工 艺 ｉ图 是
的三 次光 刻技术 ，切 割沟道 中留 出切 割道 ， 经过 玻璃 熔融和 金属 化后 形成低 正 向压 降芯 片。 （） ２ 以下将 低 正 向压 降整 流芯 片 的工 艺
【 关键词 】嵌入 式；Ｄ Ｐ Ｓ ；ＭＰ Ｇ ４ Ｅ 一
１ 引言 ．
随着 通 信和 网 络技 术 的飞速 发 展 ，多 媒体 及 其视 频应 用 越来 越广 泛 ，Ｍ Ｅ 一标 准 适时 ＰＧ４ 地 解 决 了多媒 体 压缩 存 储和 传 输 的 问题 。 目前 多数 播放 器 都是 在Ｐ 机 上 ，研 究和 开 发 嵌入 ｃ 式 的Ｍ Ｅ 解码 系 统终端 既有 重要 的现实 意义 和使 用价 值 。 ＰＧ ４ ２视 频解 码器 的硬 件设 计 ． 硬件 平 台包 括 视频 流输 入 端模 块 、视 频 流解 码模 块 、解 码后 视 频流 输 出 显示端 电路模 块 。系 统硬 件 总体框 架如 图１ 所示 。 视 频 解 码 电路 采 用 Ｂ ５ ３ 核 心 处 理 器 ，Ｂ ５ ３ 理 器 内核 包 含 ２ １ 位 乘 法 器 ，２ Ｆ３为 Ｆ３ 处 个 ６ 个 ４ 位 的 累加 器 ，２ ４ 位 的 Ａ Ｕ 个 视 频 Ａ Ｕ １ ４ 位 移 位 器 。运 算单 元处 理 来 自寄 Ｏ 个 ０ Ｌ ，４ Ｌ和 个 ０
图６低正向压降整流器的击 穿电压 分布 １ ０ 屯 子 世 界 ／ １． ／ 一 １ ２ ２８ ０ ０
小如 图４ 示 。 所 ５ ３ 成 品测试 结果 ．
一
…
…
…
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…
…
…
一
竣 应 一 盥Ｊ
基 于嵌 入 式 和 ＤＳ 的ＭＰ Ｇ一 视 频 解码 器 的设 计 Ｐ Ｅ ４
湖 南涉外经济学 院信 息科学与工程学院 欧 阳娣 杨 灿
＝
，
低 欧姆接 触 电阻 。 ③采 用 三 次光 刻 ，将 切 割道 部分 的玻
图１Ｐ 结型硅半导体Ｖ 的各组成示意图 Ｎ Ｆ
璃 去除 ，保 证 了划 片可 以直 接切割 硅 ，防止 由于切 割玻 璃造成 管芯 失效 。 流程 ，选 用 ｐ ２ － ０ ・ ｍ ＝ ０ ３ ｃ ，厚度 为２ ０ ｍ Ｑ ８ ｕ 的 ３２ 提高 抗高温 方案 ． 硅片 ，使用 ｆ ｌ ｔ ｏ ｉ ｓ ｉ ｍ ｒ ｎ ｃ 的纸源 进 行长 时 间 般 台面 二极 管 芯 片 通 常 采 用绝 缘 性 高温 扩散 ，形成 表面平 整 的Ｐ结 ，采 用先进 Ｎ
【 摘要 】本文介 绍 了一种基于嵌入 式 ＭＰ Ｇ ４ Ｅ 一视频解码器 ，系统基ｆ Ａ Ｉ Ｆ ３ ￣软解码 的方 式实现将 输入 ＩＭＰ Ｇ ４ ｆ Ｄ ５３ － Ｂ ￣ Ｅ 一码流转换成Ｐ Ｌ ＮＴ Ｃ ］ Ａ ／ Ｓ ￣ 式的电视信 号输 出，并
针 对 Ｂ ５ ３ 了代 码 上 的优 化 。 Ｆ ３做
１ 引 言 ．
Ｖ＋Ｖ＋Ｋ＋Ⅱｋ ／ × ｌＪ ｐ Ｎ ０ ＋ ＝ Ｔ ｅ ｎ
钝化 膜来 钝化Ｐ 结 ，绝缘性 钝化 膜不 能有 效 Ｎ
近 年 来 ， 大 功 率整 流 器 向抗 高 温 能 力 强、稳 定性 强 、低 功耗方 向发 展 ，成为 了制 约整流 管芯 生产 的技 术瓶 颈 。大功 率整流 器 要求在 不 同环境 温度 下 的正常 工作 ， 以充分 满足 可靠 性 、稳 定 性和 耐高温 特性 的技 术要
图２低正向压降整流芯片的工艺流程
流程 描述 如 图２ 。 （ ） 试 ：将 产 出 的 低 正 向压 降 芯 片 ３测 封 装为 Ｇ Ｉ一 Ｓ Ｓ Ｂ ５ 本体 ，采用 冠魁 科 技 生产 的
Ｔ ２ ８ 试 仪对 产 品进 行 电参 数测 试 。正 向 Ｋ６￣ 压 降 的测 试 电流为 １． Ａ ２ ５ ，击 穿 电压 的测 试 电流 １ｕ ０ Ａ。 ５ 结 果与讨论 ．
硅 和二氧 化硅 多层 结构进 行钝化 报 告Ｐ 结， Ｎ
由于半绝 缘 多晶硅本 身具 有 ：电 中性、与硅 接触 在界 面不 存在 高能 势垒 、膜 内有高密 度 ＩＯ 钝 ①为 了减薄基 区宽度，采用ｆ ｌｔｏ ｉｓ 陷阱 。Ｓ Ｐ Ｓ 化 层表 面被 离 子沾 污 后 ，会 ｉｍｒｎｃ ２ 抗 高温 低 正 向压 降 大 功率 整 流 器 设 特殊 的纸源 ，提 高扩 散温度 ，比常规 的扩 散 在 表面 附近感 应 出相 反极 性 的电荷 ，这些 电 ． 计原 理 温度 提高 ２ ℃，为保 证提 高结 的平整 度 ，延 荷 漂移 到钝化 层 内将 和 外表面 电荷 中和 ，或 ５ 正向压 降 （Ｆ 是在 一定 的正 向电流 条件 长扩 散 时 间 ，扩 散后 测 量结 的 平整 度 在３ ｍ 被 钝化层 内的陷 阱捕获 ，从而 形成 一个 空间 ｖ） ｕ 下 降落 于二极 管上 的 电压降 ，它 决定 了二极 之 内，保 证 了整 个 耐压 区宽度 的 同时，将 基 电荷 区，这层 空 间电荷 区对外加 电场具有 屏
Ｉ 一 退 应 …………………………一
耐高温低 压 降大功 率整流器 的设计与研究
海湾电子 （ 山东 ） 限公 司 岳跃忠 董志 强 侯 志刚 有 济 南市半导体元件 实验所 刁翠玲
【 摘要 ｌ文章基 于用户对 大功率整流器件 的抗 高温特性及低 正向压 降的技术要求 ，创新性地采用新型扩散纸源并提 出三次光刻工艺。该专项 着重研 究了扩散 时间对结深 及 正向压 降的影响关系，最终流 片出符合设计要 求的低 正向压 降整流嚣管 芯。笔者最后将本项 目研制 的耐高温、低压降、大功率整流器管 芯组装 成成 品，同常规整流器 组装 成品进行 了比较 ，前者 的正 向压降特性显著地优于后者。 【 关键词 】半导体器件 ；整流器 ；低正 向压降 ；耐高温 ；低功耗
＝ ｖ ）
视频 ｉ
流输 —＋
人 １ １
Ｂ】３ 强墨
图１系统硬件图
３ 视频 解 码器 的软件 设计 ． ３ １视 频解 码模 块 的设计 ．
首 先读 入视 频流 文件 ，根 据Ｍ Ｅ一 中的视频 流 的分层 结构 ，先解码 ｖ层 、Ｖ Ｌ 的头 信 ＰＧ ４ ０ Ｏ层 息 ，获 得解 码 视频 流 的重 要参 数 ，开 始 ＶＰ Ｏ 层解 码 ， 直到 所 有 的ＶＰ ０ 解码 完 成 ，视 频流 解 码 过程 完成 。视 频流 解码 模块 流程 图如 图２ 所示 。 ３ ２ ＩＣ 的设计 ． Ｄ Ｔ
Ｉ Ｃ 表 达式 ： ＤＴ
厂， 缶 （） ； 。： （）２ Ｎ “ｃ ｊ ｓ！ ＝ ！ ，。 ｃ ． ｙ Ｆｖｓ ｊ
‘
其 Ｊｆ）ｉ（） 中 ＝ （ Ｃ１。 １ ＝ ０ ｆ
由上述 公 式可 知 ，直接 计 算 ＩＣ ，工作 量特 别 大必 须 对原 始 的ＩＣ 算 法进 行改 进 。 由于 ＩＣ 的变 换 核式 可分 离 的，考 虑 公式 １ ＤＴ ＤＴ 可分 离变 量 的 特 点 ，即 二维变 换 可 以分 解成 两 个一 维ＩＣ 来 变换 ， 以正变 换为 例 ，式 ｌ 以改写成 ： ＤＴ 可
图５ 低正向压 降整流 器和普通整流器ｖ 比较 Ｆ
５ １推 进时 间ｔ ． 与Ｐ 区结深 的关 系 图３ 推进 时 间ｔ 是 和Ｐ结深 的 关系 。实验 条件 如 下 ：晶 片在 １６ 度 下 分 别扩 散３ ｈ ２０ ０， ４ ｈ ０ ，６ ｈ ７ ｈ 由图可见 ．随 着时 间 ０ ，５ ｈ ０ 和 ０ ，
存 器 组 的８ 、 １ 位 或 者 ３ 位 数 据 。本 设 计 中扩 展３ Ｍ Ｄ Ａ ，Ｓ Ｒ Ｍ 的 是 Ｍ Ｃ Ｏ 公司 位 ６ ２ ２ Ｓ Ｒ Ｍ Ｄ Ａ 用 ＩＲ Ｎ Ｍ ４Ｌ １Ｍ ６ ２Ｇ ７芯 片 ，该 芯片 是１Ｍ １，总 共空 间是 有３ Ｍ 间 ，工作 频率 是 １３Ｈ 。 Ｔ ８Ｃ ６ １Ａ Ｔ一 ５ ６＊ ６ ２空 ３Ｍ Ｚ Ｆ ＡＨ Ｌ Ｓ 使用 的是Ｐ Ｄ ２ ６ ６ ，２ 空间 大小 。２ １ Ｂ ￣ ｌ ｓ 里 固化应 用 软件 和 备份 数据 ， Ｓ４ ５ ＧＶ Ｍ 块 Ｍ 大ｄ Ｆ ａ ｈ ３Ｍ Ｄ Ａ 作为 内存 供系 统运 行使 用 ，用来存 储 运行 时 的程序 和数 据 。 ２ ＢＳ ＲＭ Ｂ ５ ３ Ｐ 接 口可 以和Ａ ／ Ａ Ｆ ３ 的Ｐ Ｉ Ｄ Ｄ 转换 器 、视 频编 ／ 码器 以及其 它通 用 外设 直接 相 连 的特 解 点 。Ａ Ｖ １ １ Ｄ 公司 的数字 Ｐ Ｌ Ｎ Ｓ 解码 器 。它支 持 Ｉ Ｕ Ｒ Ｂ ６ １ ６ ６ Ｙ ｒ ｂ 号输入 ， Ｄ ７ ７ 是Ａ Ｉ Ａ／ ＴＣ Ｔ— Ｔ０ ／５ ＣＣ 信 １ｂ ｔＡ 转 换 ，输 出Ｙ 、ｖ 式信 号 。将 Ｐ １接 到Ｄ Ａ ０ ｉＤＣ 、Ｏ 格 Ｐ０ ／ 芯片 ＡＶ １１ Ｄ ７ ７ ，然 后Ａ Ｖ １ １ Ｄ ７ ７ 的输 出 通 过Ｓ ｖ ｄ ｏ — ｉ ｅ 或者 Ｃ Ｂ 等接 Ｅ将 视频 信 号输 到 电视 。 ＶＳ ｌ
Ｖ Ｖ ＋ Ｖ 一十 Ｆ＝ Ｐ＋ Ｍ Ｖ
３抗 高温 低压大 功率 整流 器设计 方 案 ． ３ １降低 正 向压 降设计 ．
区的宽度 做到 最小 ，降低 了耐压 区的压 降。 蔽 作用 ，因而Ｐ 结表 面 不会形 成 电场集 中 ， Ｎ ② 提 高 晶片 表 面 掺 杂浓 度 ，根 据 公 式 避 免 了表 面 击穿 ，提高 了抗 高温 能力 。 电阻率和 掺杂 浓度 成反 比的关系 ，提 ３ ３ 设计 指标 ： ． １ 反 向 电压 ：６ ０ ＠ ０ Ａ ） ０ Ｖ １ｕ 高表 面掺 杂浓 度则 可 以降低 电阻率 ，从 而降
的增加 ，ｘ 逐渐 增大 。两步 法扩 散之 后 ，杂 ｊ 质剖 面呈 高斯 分布 ，根 据扩散 理 论可 知 ，
与 成正 比 。 ５２ 推进 时间 ｔ Ｆ ． 与ｖ 的关 系
随 着 扩 散 时 间 的延 长 ，Ｐ 结 深 越 来 越 ＋ 大 ，基区越 来越 窄 ，根 据基 区压 降正 比于 基 区 宽度的平 方 ，扩散 时间越 长 ，正 向压 降越
求 。如何 能够减 少整 流 芯片在 工作 时的 自身 发热 量 ，降低 芯片 工作 时的功 耗 ，并且 有效 提高 整流 芯片 的抗 高温 能力 ，成为 目前 芯片 降 。
的研 究发 展方 向 。 该 项 目，基 于 最 大 限度 的将 功耗 降到 最低 的指 标要 求 。
式 中：Ｊ 电流密度 ，Ｋ 为常数 （ 于 防止 器件 表面 电荷积 累或 离子沾 污 ，这些 电 为 ｏ 取决 温度及掺 杂情况） ａ 由 电流密 度决定 的参 荷 能在靠 近硅衬 底表 面处 感生 出相 反极性 的 ， 为 数， 电荷 ，从 而改变 表面 电导 率 ；另 外载 流子注 Ｄ为 大注 入 下双 极扩 散 系数 ， 为 大注 入 到绝缘 膜 中能长期 停 留形成存 储 ，也会 使 入载流 子寿命 器件 表面 电导率发 生改变 ，这 些都 会导致 Ｐ Ｎ 从 公 式 来 看 ，减 薄 基 区宽 度 、 提 高 并 结反 向击 穿 电压 降低 ，在 高温 时材料 失效 。 保 持 少数 载 流 子 的寿 命 有 助 于 减 小 正 向压 为提 高 抗 高 温 能 力 ，采 用 半 绝 缘 多 晶
一
２ 正 向压 降 ：０ ９ ＠ ２ ５ ） ．Ｖ １．Ａ ４抗 高温 低压大 功率 整流 器工 艺实现 ． （ ） ２ 低 正 向 压 降整 流 芯 片 的 工 艺 ｉ图 是
的三 次光 刻技术 ，切 割沟道 中留 出切 割道 ， 经过 玻璃 熔融和 金属 化后 形成低 正 向压 降芯 片。 （） ２ 以下将 低 正 向压 降整 流芯 片 的工 艺
【 关键词 】嵌入 式；Ｄ Ｐ Ｓ ；ＭＰ Ｇ ４ Ｅ 一
１ 引言 ．
随着 通 信和 网 络技 术 的飞速 发 展 ，多 媒体 及 其视 频应 用 越来 越广 泛 ，Ｍ Ｅ 一标 准 适时 ＰＧ４ 地 解 决 了多媒 体 压缩 存 储和 传 输 的 问题 。 目前 多数 播放 器 都是 在Ｐ 机 上 ，研 究和 开 发 嵌入 ｃ 式 的Ｍ Ｅ 解码 系 统终端 既有 重要 的现实 意义 和使 用价 值 。 ＰＧ ４ ２视 频解 码器 的硬 件设 计 ． 硬件 平 台包 括 视频 流输 入 端模 块 、视 频 流解 码模 块 、解 码后 视 频流 输 出 显示端 电路模 块 。系 统硬 件 总体框 架如 图１ 所示 。 视 频 解 码 电路 采 用 Ｂ ５ ３ 核 心 处 理 器 ，Ｂ ５ ３ 理 器 内核 包 含 ２ １ 位 乘 法 器 ，２ Ｆ３为 Ｆ３ 处 个 ６ 个 ４ 位 的 累加 器 ，２ ４ 位 的 Ａ Ｕ 个 视 频 Ａ Ｕ １ ４ 位 移 位 器 。运 算单 元处 理 来 自寄 Ｏ 个 ０ Ｌ ，４ Ｌ和 个 ０
图６低正向压降整流器的击 穿电压 分布 １ ０ 屯 子 世 界 ／ １． ／ 一 １ ２ ２８ ０ ０
小如 图４ 示 。 所 ５ ３ 成 品测试 结果 ．
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湖 南涉外经济学 院信 息科学与工程学院 欧 阳娣 杨 灿
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图１Ｐ 结型硅半导体Ｖ 的各组成示意图 Ｎ Ｆ
璃 去除 ，保 证 了划 片可 以直 接切割 硅 ，防止 由于切 割玻 璃造成 管芯 失效 。 流程 ，选 用 ｐ ２ － ０ ・ ｍ ＝ ０ ３ ｃ ，厚度 为２ ０ ｍ Ｑ ８ ｕ 的 ３２ 提高 抗高温 方案 ． 硅片 ，使用 ｆ ｌ ｔ ｏ ｉ ｓ ｉ ｍ ｒ ｎ ｃ 的纸源 进 行长 时 间 般 台面 二极 管 芯 片 通 常 采 用绝 缘 性 高温 扩散 ，形成 表面平 整 的Ｐ结 ，采 用先进 Ｎ
【 摘要 】本文介 绍 了一种基于嵌入 式 ＭＰ Ｇ ４ Ｅ 一视频解码器 ，系统基ｆ Ａ Ｉ Ｆ ３ ￣软解码 的方 式实现将 输入 ＩＭＰ Ｇ ４ ｆ Ｄ ５３ － Ｂ ￣ Ｅ 一码流转换成Ｐ Ｌ ＮＴ Ｃ ］ Ａ ／ Ｓ ￣ 式的电视信 号输 出，并
针 对 Ｂ ５ ３ 了代 码 上 的优 化 。 Ｆ ３做
１ 引 言 ．
Ｖ＋Ｖ＋Ｋ＋Ⅱｋ ／ × ｌＪ ｐ Ｎ ０ ＋ ＝ Ｔ ｅ ｎ
钝化 膜来 钝化Ｐ 结 ，绝缘性 钝化 膜不 能有 效 Ｎ
近 年 来 ， 大 功 率整 流 器 向抗 高 温 能 力 强、稳 定性 强 、低 功耗方 向发 展 ，成为 了制 约整流 管芯 生产 的技 术瓶 颈 。大功 率整流 器 要求在 不 同环境 温度 下 的正常 工作 ， 以充分 满足 可靠 性 、稳 定 性和 耐高温 特性 的技 术要
图２低正向压降整流芯片的工艺流程
流程 描述 如 图２ 。 （ ） 试 ：将 产 出 的 低 正 向压 降 芯 片 ３测 封 装为 Ｇ Ｉ一 Ｓ Ｓ Ｂ ５ 本体 ，采用 冠魁 科 技 生产 的
Ｔ ２ ８ 试 仪对 产 品进 行 电参 数测 试 。正 向 Ｋ６￣ 压 降 的测 试 电流为 １． Ａ ２ ５ ，击 穿 电压 的测 试 电流 １ｕ ０ Ａ。 ５ 结 果与讨论 ．
硅 和二氧 化硅 多层 结构进 行钝化 报 告Ｐ 结， Ｎ
由于半绝 缘 多晶硅本 身具 有 ：电 中性、与硅 接触 在界 面不 存在 高能 势垒 、膜 内有高密 度 ＩＯ 钝 ①为 了减薄基 区宽度，采用ｆ ｌｔｏ ｉｓ 陷阱 。Ｓ Ｐ Ｓ 化 层表 面被 离 子沾 污 后 ，会 ｉｍｒｎｃ ２ 抗 高温 低 正 向压 降 大 功率 整 流 器 设 特殊 的纸源 ，提 高扩 散温度 ，比常规 的扩 散 在 表面 附近感 应 出相 反极 性 的电荷 ，这些 电 ． 计原 理 温度 提高 ２ ℃，为保 证提 高结 的平整 度 ，延 荷 漂移 到钝化 层 内将 和 外表面 电荷 中和 ，或 ５ 正向压 降 （Ｆ 是在 一定 的正 向电流 条件 长扩 散 时 间 ，扩 散后 测 量结 的 平整 度 在３ ｍ 被 钝化层 内的陷 阱捕获 ，从而 形成 一个 空间 ｖ） ｕ 下 降落 于二极 管上 的 电压降 ，它 决定 了二极 之 内，保 证 了整 个 耐压 区宽度 的 同时，将 基 电荷 区，这层 空 间电荷 区对外加 电场具有 屏
Ｉ 一 退 应 …………………………一
耐高温低 压 降大功 率整流器 的设计与研究
海湾电子 （ 山东 ） 限公 司 岳跃忠 董志 强 侯 志刚 有 济 南市半导体元件 实验所 刁翠玲
【 摘要 ｌ文章基 于用户对 大功率整流器件 的抗 高温特性及低 正向压 降的技术要求 ，创新性地采用新型扩散纸源并提 出三次光刻工艺。该专项 着重研 究了扩散 时间对结深 及 正向压 降的影响关系，最终流 片出符合设计要 求的低 正向压 降整流嚣管 芯。笔者最后将本项 目研制 的耐高温、低压降、大功率整流器管 芯组装 成成 品，同常规整流器 组装 成品进行 了比较 ，前者 的正 向压降特性显著地优于后者。 【 关键词 】半导体器件 ；整流器 ；低正 向压降 ；耐高温 ；低功耗
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图１系统硬件图
３ 视频 解 码器 的软件 设计 ． ３ １视 频解 码模 块 的设计 ．
首 先读 入视 频流 文件 ，根 据Ｍ Ｅ一 中的视频 流 的分层 结构 ，先解码 ｖ层 、Ｖ Ｌ 的头 信 ＰＧ ４ ０ Ｏ层 息 ，获 得解 码 视频 流 的重 要参 数 ，开 始 ＶＰ Ｏ 层解 码 ， 直到 所 有 的ＶＰ ０ 解码 完 成 ，视 频流 解 码 过程 完成 。视 频流 解码 模块 流程 图如 图２ 所示 。 ３ ２ ＩＣ 的设计 ． Ｄ Ｔ
Ｉ Ｃ 表 达式 ： ＤＴ
厂， 缶 （） ； 。： （）２ Ｎ “ｃ ｊ ｓ！ ＝ ！ ，。 ｃ ． ｙ Ｆｖｓ ｊ
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其 Ｊｆ）ｉ（） 中 ＝ （ Ｃ１。 １ ＝ ０ ｆ
由上述 公 式可 知 ，直接 计 算 ＩＣ ，工作 量特 别 大必 须 对原 始 的ＩＣ 算 法进 行改 进 。 由于 ＩＣ 的变 换 核式 可分 离 的，考 虑 公式 １ ＤＴ ＤＴ 可分 离变 量 的 特 点 ，即 二维变 换 可 以分 解成 两 个一 维ＩＣ 来 变换 ， 以正变 换为 例 ，式 ｌ 以改写成 ： ＤＴ 可
图５ 低正向压 降整流 器和普通整流器ｖ 比较 Ｆ
５ １推 进时 间ｔ ． 与Ｐ 区结深 的关 系 图３ 推进 时 间ｔ 是 和Ｐ结深 的 关系 。实验 条件 如 下 ：晶 片在 １６ 度 下 分 别扩 散３ ｈ ２０ ０， ４ ｈ ０ ，６ ｈ ７ ｈ 由图可见 ．随 着时 间 ０ ，５ ｈ ０ 和 ０ ，
存 器 组 的８ 、 １ 位 或 者 ３ 位 数 据 。本 设 计 中扩 展３ Ｍ Ｄ Ａ ，Ｓ Ｒ Ｍ 的 是 Ｍ Ｃ Ｏ 公司 位 ６ ２ ２ Ｓ Ｒ Ｍ Ｄ Ａ 用 ＩＲ Ｎ Ｍ ４Ｌ １Ｍ ６ ２Ｇ ７芯 片 ，该 芯片 是１Ｍ １，总 共空 间是 有３ Ｍ 间 ，工作 频率 是 １３Ｈ 。 Ｔ ８Ｃ ６ １Ａ Ｔ一 ５ ６＊ ６ ２空 ３Ｍ Ｚ Ｆ ＡＨ Ｌ Ｓ 使用 的是Ｐ Ｄ ２ ６ ６ ，２ 空间 大小 。２ １ Ｂ ￣ ｌ ｓ 里 固化应 用 软件 和 备份 数据 ， Ｓ４ ５ ＧＶ Ｍ 块 Ｍ 大ｄ Ｆ ａ ｈ ３Ｍ Ｄ Ａ 作为 内存 供系 统运 行使 用 ，用来存 储 运行 时 的程序 和数 据 。 ２ ＢＳ ＲＭ Ｂ ５ ３ Ｐ 接 口可 以和Ａ ／ Ａ Ｆ ３ 的Ｐ Ｉ Ｄ Ｄ 转换 器 、视 频编 ／ 码器 以及其 它通 用 外设 直接 相 连 的特 解 点 。Ａ Ｖ １ １ Ｄ 公司 的数字 Ｐ Ｌ Ｎ Ｓ 解码 器 。它支 持 Ｉ Ｕ Ｒ Ｂ ６ １ ６ ６ Ｙ ｒ ｂ 号输入 ， Ｄ ７ ７ 是Ａ Ｉ Ａ／ ＴＣ Ｔ— Ｔ０ ／５ ＣＣ 信 １ｂ ｔＡ 转 换 ，输 出Ｙ 、ｖ 式信 号 。将 Ｐ １接 到Ｄ Ａ ０ ｉＤＣ 、Ｏ 格 Ｐ０ ／ 芯片 ＡＶ １１ Ｄ ７ ７ ，然 后Ａ Ｖ １ １ Ｄ ７ ７ 的输 出 通 过Ｓ ｖ ｄ ｏ — ｉ ｅ 或者 Ｃ Ｂ 等接 Ｅ将 视频 信 号输 到 电视 。 ＶＳ ｌ