KD107

3.为更好地使用 KD 系列驱动器，请参阅 KD 系列驱动器使用注意事项
工作条件
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
环境温度
Top
-50
80
℃
存储温度
Ts
-60
140
℃
原理框图
外形图 驱动器等效输入电流测试图
应用连接图
1. 滤波电容 C1 可用 22μF 电解电容和 1u 的 Cbb 电容并联。R1＝1－10Ω/0.25W。Rgs=5.1-100KΩ。 Rg=2.2-22Ω，功率一般 1W。 2. 谨防输出短路，短路将损坏内部器件。
北京落木源电子技术有限公司

驱107)
单管 MOSFET 高频驱动器 (TX-KD107) 产品手册
产品特点
单管 IGBT、MOSFET 隔离驱动器 工作频率最高可达 1MHz 自带辅助电源，并将一般 KD 系列前端所需的缓冲级集成到驱动器中，用户使用更加方便 关断时输出为负电平
输入脉冲幅值(1)
Vcc
输入信号电流(2)
Iin
峰值电流
14
15
16
V
20
mA
输出电压
输出电流峰值 最大输出电荷
Voh Vol Iop Qout
Rg=3.3Ω, CL=4.7nF Rg=3.3Ω
14
V
-4
3
A
800
nC
驱动电阻
Rg
用户设置，不可过小
2.2
Ω
工作频率 最小工作脉宽 上升延迟 下降延迟
Fop Ton min Trd Tfd
管脚说明：
1：电源输入端，接控制板的 15V 电源正端。 2：信号输入端。 3：控制地端。 4、5：空脚。 6、7：驱动输出端，接 MOSFET 的源极。 8：保留端。 9、10：驱动输出端，接 MOSFET 的栅极。 11：未连接。
应用
单管驱动器，适用的器件封装大致为 TO-3P、TO-247，电流容量范围为 20－75A，电压容量范围为 400 －1700V，栅源电容 Cgs 范围为 4.7-47nF。
电性能参数(除另有指定外,均为在以下条件时测得：Ta=25℃，Vcc=15V，Fop=100KHz)
参数
符号
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
Fop=1MHz，CL=4.7nF
60
1000
KHz
0.3
μs
50 ns
50
耦合电容
Cps
初次级间的分布电容
20
pF
绝缘电压
注：
Viso
50Hz/1min
2500
Vrms
1. 实际是指 PWM 前级 IC 的工作电压，即后面应用图中的 Vcc。误差大些，仍可工作，但可能对其它参数
有影响。 2. 参见下面的驱动器等效输入电流测试图。