有色金属行业砷化镓深度研究报告推荐

有色金属行业砷化镓深度
研究报告
目录
一、砷化镓行业概况 (3)
1.1、砷化镓材料简介 (3)
1.2、砷化镓单晶片生产流程 (3)
1.3、砷化镓材料的应用领域 (7)
1.4、砷化镓产业链概况 (8)
二砷化镓行业市场规模测算 (11)
2.1、砷化镓衬底材料市场规模测算 (13)
2.2、砷化镓衬底应用领域2—光电子器件 (15)
2.3、砷化镓衬底需求测算3—LED 器件 (17)
三、砷化镓行业竞争格局 (19)
3.1、砷化镓产业链各环节呈寡头垄断格局 (19)
3.2、国内砷化镓衬底生产商盈利能力低于国外 (22)
四、投资建议 (23)
4.1、首次覆盖给予“强于大市”评级 (23)
4.2、投资策略 (23)
五、重点公司推荐 (25)
一、砷化镓行业概况
1.1、砷化镓材料简介
砷化镓属于第二代半导体，具有远优于第一代硅半导体的频率、功率和耐压性能。

半导体材料是制作半导体元件的核心，是芯片和电子设备制造工业的基础。

砷化镓属于III-V族化合物半导体，是第二代半导体材料的代表，其物理性能远优于第一代硅材料。

砷化镓的禁带宽度大于硅，可以耐受更高电压；砷化镓的电子迁移率更是硅的6~7 倍，因此高频性能十分优异。

1.2、砷化镓单晶片生产流程
衬底材料是砷化镓芯片产业链中最基础的环节，衬底质量直接决定下游芯片产品的性能。

砷化镓半导体材料的物理性质是芯片能够实
现功率放大、开关、发光等功能的基础，所以衬底材料的单晶度、各向一致性、缺陷和位错密度等都会极大地影响最终芯片产品的性能表现。

尤其是在高端的射频芯片领域，衬底材料的质量更是芯片制造的重中之重。

1）砷化镓多晶合成。

自然界中不存在砷化镓晶体，需要通过人工合成制备。

将单质砷和单质镓按一定比例装入PBN 坩埚中，在高温高压环境下合成砷化镓多晶。

2）砷化镓单晶棒生长，方法主要有HB 法、LED 法、VGF 法等。

由于砷化镓比硅热导率低，热膨胀系数比硅大，造成砷化镓晶体形成比硅困难，同时砷化镓生长过程中控制位错密度的难度也比硅大。

目前主流的生产砷化镓衬底材料的工艺有水平布里奇曼法（HB）、液封切克劳斯基法（LEC）、垂直梯度冷凝法（VGF）等。

其中HB 法制作简单、成本低，但是不易生长半绝缘型砷化镓；LEC 法适合生长大尺寸单晶，也能生长半绝缘型，但是成本较高，维护不便；VGF 法也能生产半绝缘型材料，而且位错密度低，成本较低，适合规模生产，但是生产中容易出现双晶、花晶等现象。

3）晶棒经过定向、滚圆、切割、倒角、磨片、清洗等初加工流程，制备成晶片。

晶棒需要被打磨成圆形，然后在钢丝锯和SiC 切割液的帮助下被切成薄片。

薄片的边缘还需要被切成斜角，再经过初步打磨和清洗后被制成晶片。

4）晶片需要经过抛光、清洗等精加工过程。

初加工后的晶片需要进一步抛光、清洗，确保表面的平整度和洁净度非常高。

5）精加工后晶片被真空封装送入成品库。

精加工后砷化镓晶体表面极易氧化，需要真空封装后入库。

砷化镓单晶片向大直径化发展。

砷化镓最早见报于1929 年，由一名叫高的斯密特（Goldschmid）的科学家合成出来。

直到1952 年，德国科学家威尔克（Welker）才发现GaAs 材料具有半导体的电学性质。

1962 年，中国研制出了我国第一个GaAs 单晶样品。

2001 年，北京有色金属研究总院成功研制出国内第一根直径4 英寸VCZ 半绝缘砷化镓单晶。

砷化镓单晶片经历了直径从2 寸到4 寸（100mm）到6 寸（150mm）再到8 寸（200mm）的发展历程，总的发展趋势是晶体大直径化。

保证质量前提下，生产更大尺寸的衬底是降低芯片制造成本的重要前提条件。

假设晶粒尺寸是1.2 mm，晶粒间距是0.2 mm，晶圆边缘5 mm 为无效带。

计算得到3 寸的衬底可以生产有效晶粒约1662 个，而6 寸衬底的晶粒数量大幅上升至7682 个。

6 寸衬底是3寸面积的4 倍，但晶粒数量是4.6 倍，从单位衬底面积来说大尺寸衬底产量更大；另一方面，单片衬底制造的晶粒越多，加工环节的生产效率就越高，加工生产成本也会下降。

所以总体来说，制造更大的砷化镓衬底是芯片成本下降的重要前提条件。

1.3、砷化镓材料的应用领域
砷化镓单晶片可以分为半导体型和半绝缘型，广泛应用于射频通信、LED、红外探测器、激光等领域。

根据电阻的不同，砷化镓材料可以分为半导体型和半绝缘型。

其中半导体型砷化镓主要用来制作LED 衬底，属于相对低端的应用。

半绝缘型砷化镓电阻比半导体型高10 个数量级左右，主要用于高速、高频器件，是射频通信领域的核心材料。

半绝缘型砷化镓衬底由于电阻率较高、高频性能好，主要用来制作手
机中的PA 元件，作用是将手机的通信信号放大，再通过天线发射出去。

一般4G 手机中会使用5 个左右PA元件。

半导体型砷化镓的应用主要是在LED，因为砷化镓发红光，所以是制备红色LED的衬底材料。

另一个更为高端的半导体型衬底应用是在垂直共振腔表面发射激光器（VCSEL），主要用在通信系统和3D 成像，比如手机中的3D 人脸识别模块。

1.4、砷化镓产业链概况
砷化镓半导体芯片制备全流程：1）镓和砷原料先被制成砷化镓多晶，再经过HB/LEC/VGF 等方法制成砷化镓单晶棒；2）单晶棒经过切、磨、抛过程制成单晶片；3）根据芯片功能需要在砷化镓单晶片衬底上外延生长不同的材料层，主要为掺杂了其他元素的砷化镓
层；4）芯片设计公司根据需要设计不同的芯片电路；5）经过外延的砷化镓片（晶圆）经过蚀刻、沉积电路等流程，被制成数量庞大的晶粒（晶圆上面的小方格）；6）每个晶粒被封装保护起来，再经过测试合格后成为最终芯片产品。

砷化镓半导体芯片产业主要分为整合元件制造商（IDM）和设计+代工两种商业模式。

砷化镓产业链上主要有衬底制造、外延加工、芯片设计、晶圆代工、封装测试几大类公司。

传统的国际设计厂商比如Skyworks 和Qorvo，采用IDM 模式，从芯片设计到生产都自己完成。

对于设计+代工模式，芯片设计公司自身不配备芯片制造产线，被称为fabless 公司，代表性公司是海思半导体，这类公司设计芯片后，将晶圆代工和封装都交给下游专业工厂配合进行。

晶圆代工厂被称为foundry，代表性公司是台湾的稳懋。

二砷化镓行业市场规模测算
预计2023 年全球砷化镓元件市场规模突破千亿元预计2023 年全球砷化镓元件市场规模达到157 亿美元，5 年CAGR 为10%。

根据Yole 数据，2018 年全球砷化镓元件市场总产值达到89 亿美元，较2017 年增长0.45%，2012-2018 年CAGR 为7%。

预计到2023 年，全球砷化镓元件市场规模将达到143 亿美元（折合人民币超过1000 亿元），2019-2024 年CAGR 为10%，增速加快。

预计2023 年国内砷化镓元件市场规模达到90 亿美元，5 年CAGR 为44%。

根据我们测算，2018 年国内砷化镓元件市场总产
值约14 亿美元，未来5G 手机更新换代，预计拉动大量PA 用量，国内砷化镓元件需求量将继续保持高速增长，2023 年砷化镓元件规模有望达90 亿美元，5 年CARG 为44%。

关键假设：3G 手机PA 单机价值为4.5 美元，4G 手机PA 单机价值为7.5 美元,5G 手机PA 单机价值为9 美元；手机VCSEL 器件单价为2 美元，手机用VCSEL 在整体光电子元件中占比逐年上升，2018-2023 年从37%上升至78%；LED 器件的市场规模为LED 衬底市场规模的20 倍。

2.1、砷化镓衬底材料市场规模测算
预计2023 年全球5G 手机出货量达到8.5 亿部，中国5G 手机出货量达2.5 亿部。

2020年为5G 全面商用元年，预计全球5G 手机出货量达到2.5 亿部左右。

到2023 年全球5G手机出货量预计快速上升到8.5 亿部，渗透率达到57%，对应2020-2023 年全球5G 手机出货量CAGR 为50%。

根据5G 手机发展白皮书披露的数据，预计2023 年中国5G 手机出货量将上升至2.5 亿部，超过当年手机整体出货量的一半。

5G 手机出货量快速上升拉动射频芯片砷化镓衬底市场规模增长。

手机射频芯片中有LNA、PA、Switch 等，其中PA 元件主要为砷化镓工艺，其他射频芯片部分使用砷化镓工艺。

我们估算2018 年手
机射频芯片用砷化镓衬底市场规模为2.6 亿美元。

未来随着5G 手机出货量逐渐上升，预计2023 年全球手机PA 用砷化镓衬底市场规模将达到5.1 亿美元，全部手机射频芯片将拉动6.3 亿美元的砷化镓衬底需求，2019-2023 年年CAGR 为19%。

关键假设：3/4G 手机平均每部手机用5 个PA，据Strategy Analytics 预测，5G 手机用16 个PA；每片6 寸砷化镓衬底可以生产10000 个PA；每片6 寸砷化镓衬底价值300美元；手机PA 元件用砷化镓衬底占所有手机射频芯片用衬底的80%。

预计2019 年中国手机射频芯片用砷化镓衬底实现从零到有的突破，2023 市场规模快速增长至1.7 亿美元，4 年CAGR 为159%。

2018 年国产砷化镓衬底还未使用在手机射频芯片中。

在自主可控要求下，我们预计2019 年国产衬底渗透率会实现0 的突破，未来随着国内衬底生长技术逐步提升，预计到2023 年用于手机射频芯片的国产砷化镓衬底市场规模将达到1.7 亿美元，4 年CAGR 为159%。

关键假设：2018-2023 年，手机PA 用国产砷化镓衬底渗
透率从0%上升至90%；手机PA 元件用砷化镓衬底占所有手机射频芯片用衬底的80%。

2.2、砷化镓衬底应用领域2—光电子器件
目前主流智能手机均已配备VCSEL。

VCSEL 芯片的衬底材料为砷化镓半导体，具有功率低、光束质量高、可聚焦性好、封装尺寸小等优势。

目前苹果、三星、华为、OPPO、小米、vivo 等为代表的智能手机厂商已经使用VCSEL 的3D 识别模块。

预计2023 年全球光电器件用砷化镓衬底市场规模为1.43 亿美元，
5年CAGR 为34%。

我们测算，2018 年全球智能手机VCSEL 芯片用 6 寸砷化镓衬底7 万片，预计2023 年全球智能手机中VCSEL 渗透率快速上升，拉动6 寸砷化镓衬底需求量上升至60 万片，对应市场规模为1.2 亿美元。

叠加稳定增长的其他光电器件用砷化镓衬底需求，预计2023 年全球光电器件用砷化镓衬底规模为1.43 亿美元，5 年CAGR 为34%。

关键假设：未来每部手机用2 个VCSEL 芯片；一片6 寸砷化镓衬底可以生产5000个VCSEL 芯片；一片手机VCSEL 用6 寸砷化镓衬底价格为200 美元，其他光电器件用砷化镓衬底价格为150 美元。

2019-2023 年其他光电器件用砷化镓衬底年均增速为5%。

预计2023 年中国光电器件用砷化镓衬底市场规模为0.45 亿美元，5年CAGR 为38%。

我们预计未来国产砷化镓衬底在国产手机VCSEL 芯片中使用的渗透率快速上升，2023 年市场规模将达到
3300 万美元。

叠加其他光电器件用砷化镓，2023 年国内全部光电器件用砷化镓衬底规模有望达到4500 万美元，5 年CAGR 为38%。

关键假设：2018-2023 年，手机VCSEL 用国产砷化镓衬底渗透率从0%上升至95%；国内其他光电器件用砷化镓衬底占全球的50%。

2.3、砷化镓衬底需求测算3—LED 器件
Mini/Micro LED 显示效果优于传统LCD 技术，有望成为LED 产业的核心驱动力。

Mini/Micro LED 是小间距LED 的发展产物，具有高密度集成的LED 阵列，芯片尺寸都在微米量级，能够大幅提高显示屏的分辨率。

根据LEDinside 预测，2023 年Mini LED 产值将达到10 亿美元。

预计2023 年全球LED 用砷化镓衬底市场规模为2.7 亿美元，中国为1.4 亿美元。

预计未来Mini/Micro LED 技术的逐步渗透将大幅拉动LED 用砷化镓衬底。

我们估算2018年全球LED 用砷化镓衬底为89 万片，2023 年将上升至225 万片，对应的市场规模为2.7亿美元，5 年CAGR 为20%，2023 年LED 用砷化镓衬底国内市场规模为1.4 亿美元。

关键假设：根据Yole 预计，LED 用砷化镓衬底2017-2023 年均增速为20.4%；一片LED 用6 寸砷化镓衬底为120 美元/片；国内LED 用砷化镓衬底占全球比例为50%。

预计2023 年全球砷化镓衬底市场规模为10.5 亿美元，中国3.5 亿美元综合上述测算，预计2023 年全球砷化镓衬底规模约10.5 亿美元，中国为3.5 亿美元。

2018 年全球/国内为4.1/0.6 亿美元，
预计2023 年全球/国内上升至10.5/3.5 亿美元，全球和国内的5 年CAGR 分别为21%和45%。

全球砷化镓衬底市场结构变化不大，国内方面射频芯片用衬底占比大幅上升。

三、砷化镓行业竞争格局
3.1、砷化镓产业链各环节呈寡头垄断格局
砷化镓上游衬底到下游元件价值量逐级放大。

根据Strategy Analytics 数据显示，2018年，全球砷化镓产业链上衬底、外延片、晶圆代工、元件的市场规模分别为4.6 亿美元、11.0 亿美元、56.7 亿美元、88.7 亿美元。

2018 年数据显示，砷化镓上游衬底到下游元件，市场规模放大约18 倍。

砷化镓产业链各环节均处于寡头垄断的竞争格局。

根据Strategy Analytics 数据，砷化镓产业链上，各环节的CR2 都大于50%，单晶衬底、外延片和晶圆代工环节的CR3 甚至接近90%，整个产业链呈现明显的寡头垄断格局。

与国外相比，我国砷化镓产业链竞争格局仍处于弱势。

现阶段的现状为：原材料开采环节竞争力强；单晶制造环节竞争力一般；外延片中的射频器件竞争力较弱、光电器件有一定竞争力；IDM 中的射频器件竞争力缺失，主要集中在LED 芯片的上下游垂直整合。

用于射频器件的半绝缘型砷化镓生产目前由国际厂商垄断。

半绝缘型砷化镓衬底的主要生产商有日本的住友电工（SEI）、德国的Freiberger、美国的AXT，三家公司几乎垄断了全球90%的市场份额。

住友电工以VB 法生产砷化镓为主，能够量产4 寸和6 寸单晶片，目前是全球半绝缘型砷化镓单晶片水平最高的公司。

德国Freiberger 主要以VGF、LEC法生产2 到6 英寸砷化镓衬底，产品全部用于微电子领域。

美国AXT 的生产基地在中国，产品中一半用于LED，一半用作微电子衬底。

国内厂商技术水平和国外差距较大，主要以生产LED 用半导体型衬底为主，半绝缘型砷化镓材料渗透率仅为1.3%。

国内生产砷化镓衬底的公司主要有云南锗业、大庆佳昌、中科晶电、有研光电、广东先导、中电科46 所、北京通美（AXT 在国内的公司）等。

这些公司主要生产2~6 英寸的导电型砷化镓衬底，用于LED 居多。

云南锗业近两年开始投入生产，目前主要生产用于VCSEL 的半绝缘型砷化镓衬底。

总体来说，LED 用导电型砷化镓衬底市场主要在亚洲，国内各大生产商近几年一直处于低价恶性竞争的环境。

未来国内砷化镓衬底企业亟需研发生产半绝缘型衬底的加工工艺，实现生产6 英寸、低缺陷密度、高表面质量的
砷化镓衬底。

3.2、国内砷化镓衬底生产商盈利能力低于国外
用于LED 的半导体衬底价格低廉，用于微电子的半绝缘衬底价格较高，成本主要由原材料、坩埚、切、磨、抛环节构成。

价格方面，按下游应用分，LED 用衬底价格最低，激光器用衬底价格中等，高频功率器件用价格最高。

按尺寸分，从2 寸到4 寸到6 寸，价格依次升高。

成本方面，主要由原材料、坩埚、切、磨、抛环节构成，其中原材料占成本的比例较高，为60%左右。

理论上不同类型砷化镓单晶片成本相差不大，半绝缘型加工难度大，成品率低，所以成本会相应升高。

国内砷化镓衬底材料生产企业盈利能力远低于国外。

由于当前国内砷化镓材料生产企业以低端LED 产品为主，利润率较低。

对比美国AXT 公司和国内有研新材光电材料毛利率水平，2018 年AXT 公司产品毛利率达到36.2%，有研新材仅为10.6%。

风险因素芯片工艺被替代、砷化镓衬底需求不及预期、芯片国产化进程受阻。

四、投资建议
4.1、首次覆盖给予“强于大市”评级
砷化镓行业收益自主可控趋势，上游衬底和下游元件景气度上升。

我国半导体产业链自主可控趋势下，未来国内砷化镓元件市场规模将快速扩大，其中手机用PA 和光电子器件为需求主要增长驱动力，预计在高毛利率产品拉动下，行业内公司盈利水平有望明显上升；未来上游砷化镓衬底材料市场规模也加速扩大，手机PA 用衬底贡献利润最高。

首次覆盖砷化镓半导体行业，给予“强于大市”评级。

4.2、投资策略
预计未来砷化镓产业链在自主可控趋势下，国内上游衬底和下游
元件的市场规模增速均显著高于全球。

未来高端砷化镓元件和衬底料将成为市场规模扩大的主要驱动力，对应行业的利润水平将得到明显改善。

建议布局当下行业启动初期的投资机遇，下游元件行业选择在砷化镓LED 传统应用方面优势牢固，积极布局砷化镓光通信、射频、功率等高端元件的公司，重点推荐三安光电；下游衬底方面选择拥有技术优势和产能充足的企业，重点推荐云南锗业。

一、推荐传统砷化镓元件地位稳固，布局高端砷化镓元件的公司。

传统LED 砷化镓芯片制备企业在芯片制造方面拥有品牌优势，同时具备相关的基础设备和经验积累。

从国家战略、产业发展等角度考量，培养本土射频、功率电子等高端砷化镓元件企业势在必行。

目前已经开始布局高端砷化镓元件项目的公司有望提前卡位，获得先发优势，抢占市场份额。

推荐三安光电。

二、推荐有砷化镓衬底生产技术优势，产能充足的公司。

高端衬底和低端衬底的生产成本理论上相同，但价格差距明显。

拥有技术优势，能够生产用于高端应用砷化镓衬底的公司预计将获得更高的利润。

未来国内砷化镓衬底需求有望快速上升，下游芯片厂家在考虑供应链上的衬底供应商时非常重视厂家的持续供货能力。

目前拥有充足衬底产能的公司有望提前进入下游芯片厂家供应链。

重点推荐云南锗业。

五、重点公司推荐
云南锗业：受益自主可控，砷化镓衬底业务迎来黄金期公司砷化镓衬底技术领先且产能充足。

公司2013 年成立云南鑫耀半导体公司，开始实施“砷化镓单晶材料产业化项目”建设。

云南鑫耀和中国科学院半导体所设立了院士专家工作站，致力于攻克单晶片生产中的关键技术难题，目前公司已经具备生产6 英寸半绝缘型砷化镓衬底的能力，打破国内此前只能生产半导体型砷化镓衬底的局面。

2018 年年报中，公司披露拥有砷化镓单晶片产能为80 万片/年（折合4 寸）。

公司研发并生产的2-6寸半导体级以及半绝缘级高纯度砷化镓晶体和晶片被广泛应用于半导体集成电路以及LED 通用照明等领域。

光纤用四氯化锗龙头，客户渠道优秀。

子公司武汉云晶飞是专业从事超高纯四氯化锗产品的研发、生产和销售的龙头企业，现拥有每年60 吨超高纯四氯化锗产能。

2018 年市场超过50%，为行业绝对龙头。

公司目前已经培育了稳定的高端客户群体，如长飞光纤、烽火通信、富通集团等。

上游锗战略资源优势明显，支持公司向锗深加工业务转型。

截至目前，公司是国内锗资源储量最大的企业，旗下拥有自有锗矿和含锗褐煤矿在内的6 个锗矿山，累计锗金属储量达到897 吨，占云南省锗资源储量的80%，中国28%，全球11%。

2018 年云南锗业锗总体产量达到50.7 吨，占中国总供给量约68%，占全球42%市场份额，具有上游资源储备和生产规模优势。

公司开拓锗深加工业务，预计未来深加工产品营收占比快速升高。

公司早期业务主要以生产初级锗锭为主，2016 年锗锭营收占比为锗产品总收入
的58%。

随着公司逐渐开始向光纤、红外、光伏等高精尖领域投放产品，放缓初级锗锭的生产销售，我们预计2019-2022年公司锗深加工产品营业收入占所有锗产品营收的比例分别为61%、65%、70%、74%。

风险因素：5G 建设不及预期；材料技术路径被替代；公司产能释放不及预期。

盈利预测及估值：维持公司2019 年-2021 年归属于母公司净利润预测分别为0.15/ 0.40/1.00 亿元，对应EPS 预测分别为0.02/0.06/0.15 元。

公司属于高成长性的新材料企业，受益于砷化镓业务快速增长和锗业务稳定运营，预计2020 年公司业绩将大幅增厚。

给予公司1.6 倍PEG，结合DCF 估值，给予未来一年目标价12 元，对应市值78 亿元，维持“买入”评级。

三安光电：行业出清尚需时日，关注Mini/Micro LED 布局布局LED 全产业链，龙头地位稳固。

公司立足LED 芯片端，积极布局原材料和下游应用。

1）芯片：公司2018 年LED 芯片产能0.43 亿片，全国第一；2）原材料：LED 衬底年产能0.42 亿片，跃居同业第一；3）下游应用：汽车车灯产能达556 万套/年，且客户导入顺
利。

公司全产业链布局，实现芯片与中游封装、下游应用的技术配合，龙头地位强化。

芯片持续跌价叠加存货减值等影响，公司19H1 业绩承压，预计行业出清仍需时日。

行业产能供给侧过剩致使芯片价格持续跌价，公司上半年在销量增长的情况下收入端继续下滑，同比-18.8%至33.9 亿元；利润端来看，公司上半年毛利率下滑13.7pcts 至35.2%，净利率下滑18.3pcts 至26.1%。

上半年存货跌价增加致资产减值1.0 亿元，同比+1847%，减值后期中的账面存货为32.4 亿元，存货周转天数243 天，短期内去库存压力仍在。

展望未来，我们认为行业出清尚需时日，公司报表的抗风险能力仍需时间修复，行业低谷期预计仍将存续一段时间，但公司作为全球龙头有能力度过最困难时期，相对竞争优势仍在。

LED 芯片竞争激烈，公司全面推进Mini/Micro LED 新布局。

公司与湖北省葛店经济技术开发区管理委员会签订项目投资合同，生产Mini/Micro LED 外延与芯片产品，投资总额120 亿元，项目将建成Mini/Micro LED 氮化镓芯片、Mini/ Micro led 砷化镓芯片、4K 显示屏用封装三大产品系列的研发生产基地。

预计氮化镓芯片系列年产161 万片(其中蓝光Mini/Micro LED 各72/9 万片；绿光Mini/Micro LED 各72/8 万片)、砷化镓芯片系列年产75 万片(其中红光Mini/Micro LED 各66/9 万片)、4K 显示屏用封装产品年产84000 台。

此项目代表新型显示产业方向—Mini/Micro LED，公司Mini LED 已投入量产，Micro LED 正在准备。

我们认为Mini/Micro LED 未来有望成为公司新的成长动能。

化合物半导体业务进展顺利。

2017 年12 月公
司投资333 亿元进一步布局化合物半导体业务，涵盖光通信器件、射频半导体和功率半导体三大方向，目前子公司三安集成的GaAs、GaN 业务也取得相当进展，其中GaAs 射频HBT 产品主流工艺已开发完成，产品全方面涵盖2G-5G PA、WiFi 、IoT 等主要市场应用；GaN 射频涵盖5G 领域，产品已阶段性通过电应力可靠性测试，实现小批量供货。

风险因素：行业下滑、存货减值风险、新项目进展不及预期、国际争端加剧等。

盈利预测及估值：考虑行业仍处于供过于求阶段，芯片跌价持续，我们维持公司2019- 2021 年EPS 预测为0.51/0.56/0.63 元，维持公司“增持”评级。