结终端采用JTE保护技术的4H-SiC PiN二极管模拟和研制(英文)

结终端采用JTE保护技术的4H-SiC PiN二极管模拟和研制
(英文)
张发生;张玉明
【期刊名称】《计算物理》
【年(卷),期】2011(28)2
【摘要】利用二维器件模拟软件ISE-TCAD 10.0,对结终端采用结扩展保护技术的4H-SiC PiN二极管平面器件进行反向耐压特性的模拟,并获得许多有价值的模拟数据.依据所得的模拟数据进行此种二极管器件的研制.实验测试表明,此二极管的模拟优化数据与实验测试的结果一致性较好,4H-SiC PiN二极管所测得到的反向电压达1 600 V,该反向耐压数值达到理想平面结的击穿耐压90%以上.
【总页数】7页(P306-312)
【关键词】4H-SiC;PiN二极管;结终端扩展;仿真;工艺;击穿电压
【作者】张发生;张玉明
【作者单位】中南林业科技大学计算机与信息工程学院;西安电子科技大学微电子学院
【正文语种】中文
【中图分类】TN302
【相关文献】
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