RLC串联谐振的频率与计算公式

RLC串联谐振的频率与计算公式
RLC串联谐振频率及其计算公式
2009-04-21 09:51
串联谐振就是指所研究得串联电路部分得电压与电流达到同相位,即电路中电感得感抗与电容得容抗在数值上时相等得,从⽽使所研究电路呈现纯电阻特性,在给定端电压得情况下,所研究得电路中将出现最⼤电流,电路中消耗得有功功率也最⼤、
1、谐振定义:电路中L、C 两组件之能量相等,当能量由电路中某⼀电抗组件释
出时,且另⼀电抗组件必吸收相同之能量,即此两电抗组件间会产⽣⼀能量脉动。

2、电路欲产⽣谐振,必须具备有电感器L及电容器C 两组件。

3、谐振时其所对应之频率为谐振频率(resonance),或称共振频率,以f r表⽰之。

4、串联谐振电路之条件如图1所⽰:当Q=Q ? I2X L = I2 X C也就就是
X L =X C 时,为R-L-C 串联电路产⽣谐振之条件。

图1 串联谐振电路图
5、串联谐振电路之特性:
(1) 电路阻抗最⼩且为纯电阻。

即Z =R+jX L?jX C=R
(2) 电路电流为最⼤。

即
(3) 电路功率因⼦为1。

即
(4) 电路平均功率最⼤。

即P=I2R
(5) 电路总虚功率为零。

即Q L=Q C?Q T=Q L?Q C=0
6、串联谐振电路之频率:
(1) 公式:
(2) R - L -C 串联电路欲产⽣谐振时,可调整电源频率f 、电感器L 或电容器C 使其达到谐振频率f r ,⽽与电阻R完全⽆关。

7、串联谐振电路之质量因⼦:
(1) 定义:电感器或电容器在谐振时产⽣得电抗功率与电阻器消耗得平均功率
之⽐,称为谐振时之品质因⼦。

(2) 公式:
(3) 品质因⼦Q值愈⼤表⽰电路对谐振时之响应愈佳。

⼀般Q值在10～100 之间。

8、串联谐振电路阻抗与频率之关系如图(2)所⽰:
(1) 电阻R 与频率⽆关,系⼀常数,故为⼀横线。

(2) 电感抗X L=2 π fL ,与频率成正⽐,故为⼀斜线。

(3) 电容抗与频率成反⽐,故为⼀曲线。

(4) 阻抗Z = R+ j(X L ?X C)
当 f = f r时, Z = R 为最⼩值,电路为电阻性。

当f ＞f r时, X L＞X C ,电路为电感性。

当f ＜fr 时, X L＜X C ,电路为电容性。

当f = 0 或f = ∞ 时, Z = ∞ ,电路为开路。

(5) 若将电源频率f 由⼩增⼤,则电路阻抗Z 得变化为先减后增。

9、串联谐振电路之选择性如图(3)所⽰:
(1) 当f = f r 时, ,此频率称为谐振频率。

(2) 当f = f1 或f 2时, ,此频率称为旁带频率、截⽌频率或半功率频率。

(3) 串联谐振电路之选择性:电路电流最⼤值变动⾄倍电流最⼤值时,其
所对应得两旁带频率间之范围,即为该电路之选择性,通常称为频带宽度或波宽,以BW 表⽰。

公式:
(4) 当f = f1或f2时,其电路功率为最⼤功率之半,故截⽌频率⼜称为半功率频率。

公式:
(5) f 2> f r称为上限截⽌频率, f 1< f r 称为下限截⽌频率。

公式:
(6) 若将电源频率f 由⼩增⼤,则电路电流I 得变化为先增后减,⽽质量因⼦Q
值越⼤,其曲线越尖锐,即频带宽度越窄,响应越好,选择性越佳。

(7) 当频带宽度BW 很宽,表⽰质量因⼦Q值很低;若Q＜10 时,上列公式不
适⽤,此时谐振频率为。

1F=1E6 uF= 1E9 nF="1E12" pF
1H=1E3 mH="1E6" uH="1E9" nH ⼀般电容得电感就是5uH,3个磁全就是6uH
关于旁路电容与耦合电容
从电路来说,总就是存在驱动得源与被驱动得负载、如果负载电容⽐较⼤,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号得跳变,在上升沿⽐较陡峭得时候,电流⽐较⼤,这样驱动得电流就会吸收很⼤得电源电流,由于电路中得电感,电阻(特别就是芯⽚管脚上得电感,会产⽣反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就就是⼀种噪声,会影响前级得正常⼯作、这就就是耦合、
去藕电容就就是起到⼀个电池得作⽤,满⾜驱动电路电流得变化,避免相互间得耦合⼲扰、
旁路电容实际也就是去藕合得,只就是旁路电容⼀般就是指⾼频旁路,也就就是给⾼频得开关噪声提⾼⼀条低阻抗泄防途径、⾼频旁路电容⼀般⽐较⼩,根据谐振频率⼀般就是0、1u,0、01u 等,⽽去耦合电容⼀般⽐较⼤,就是10u或者更⼤,依据电路中分布参数,以及驱动电流得变化⼤⼩来确定、
旁路就是把输⼊信号中得⼲扰作为滤除对象,⽽去耦就是把输出信号得⼲扰作为滤除对象,防⽌⼲扰信号返回电源、这应该就是她们得本质区别、
去耦电容在集成电路电源与地之间得有两个作⽤:⼀⽅⾯就是本集成电路得蓄能电容,另⼀⽅⾯旁路掉该器件得⾼频噪声、数字电路中典型得去耦电容值就是0、1µF、这个电容得分布电感得典型值就是5µH、0、1µF得去耦电容有5µH得分布电感,它得并⾏共振频率⼤约在7MHz左右,也就就是说,对于10MHz以下得噪声有较好得去耦效果,对40MHz以上得噪声⼏乎不起作⽤、
1µF、10µF得电容,并⾏共振频率在20MHz以上,去除⾼频噪声得效果要好⼀些、每10⽚左右集成电路要加⼀⽚充放电电容,或1个蓄能电容,可选10µF左右、最好不⽤电解电容,电解电容就是两层薄膜卷起来得,这种卷起来得结构在⾼频时表现为电感、要使⽤钽电容或聚碳酸酯电容、去耦电容得选⽤并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0、1µF,100MHz取0、01µF、
分布电容就是指由⾮形态电容形成得⼀种分布参数、⼀般就是指在印制板或其她形态得电路形式,在线与线之间、印制板得上下层之间形成得电容、这种电容得容量很⼩,但可能对电路形成⼀定得影响、在对印制板进⾏设计时⼀定要充分考虑这种影响,尤其就是在⼯作频率很⾼得时候、也成为寄⽣电容,制造时⼀定会产⽣,只就是⼤⼩得问题、布⾼速PCB时,过孔可以减少板层电容,但会增加电感、
分布电感就是指在频率提⾼时,因导体⾃感⽽造成得阻抗增加、
电容器选⽤及使⽤注意事项:
1,⼀般在低频耦合或旁路,电⽓特性要求较低时,可选⽤纸介、涤纶电容器;在⾼频⾼压电路中,应选⽤云母电容器或瓷介电容器;在电源滤波与退耦电路中,可选⽤电解电容器、
2,在振荡电路、延时电路、⾳调电路中,电容器容量应尽可能与计算值⼀致、在各种滤波及⽹(选频⽹络),电容器容量要求精确;在退耦电路、低频耦合电路中,对同两级精度得要求不太严格、
3,电容器额定电压应⾼于实际⼯作电压,并要有⾜够得余地,⼀般选⽤耐压值为实际⼯作电压两倍以上得电容器、
4,优先选⽤绝缘电阻⾼,损耗⼩得电容器,还要注意使⽤环境、
我们知道,⼀般我们所⽤得电容最重要得⼀点就就是滤波与旁路,我在设计中也正就是这么使⽤得、对于⾼频杂波,⼀般我得经验就是不要过⼤得电容,因为我个⼈认为,过⼤得电容虽然对于低频得杂波过滤效果也许⽐较好,但就是对于⾼频得杂波,由于其谐振频率得下降,使得对于⾼频杂波得过滤效果不很理想、所以电容得选择不就是容量越⼤越好、
疑问点:
1、以上都就是我得经验,没有理论证实,希望哪位可以在理论在帮忙解释⼀下就是否正确、或者推荐⼀个⽹页或者⽹站、
2、就是不就是超过了谐振频率,其阻抗将⼤⼤增加,所以对⾼频得过滤信号,其作⽤就相对减⼩了呢?
3、理想得滤波点就是不就是在谐振频率这点上(没有搞懂中)
4、以前只知道电容得旁路作⽤就是隔直通交,现在具体于PCB设计中,电容得这⼀旁路作⽤具体体现在哪⾥?
在⽤电容抑制电磁骚扰时,最容易忽视得问题就就是电容引线对滤波效果得影响、电容器得容抗与频率成反⽐,正就是利⽤这⼀特性,将电容并联在信号线与地线之间起到对⾼频噪声得旁路作⽤、然⽽,在实际⼯程中,很多⼈发现这种⽅法并不能起到预期滤除噪声得效果,⾯对顽固得电磁噪声束⼿⽆策、出现这种情况得⼀个原因就是忽略了电容引线对旁路效果得影响、实际电容器得电路模型就是由等效电感(ESL)、电容与等效电阻(ESR)构成得串联⽹络、理想电容得阻抗就是随着频率得升⾼降低,⽽实际电容得阻抗就是图1所⽰得⽹络得阻抗特性,在频率较低得时候,
呈现电容特性,即阻抗随频率得增加⽽降低,在某⼀点发⽣谐振,在这点电容得阻抗等于等效串联
电阻ESR、在谐振点以上,由于ESL得作⽤,电容阻抗随着频率得升⾼⽽增加,这就是电容呈现电感得阻抗特性、在谐振点以上,由于电容得阻抗增加,因此对⾼频噪声得旁路作⽤减弱,甚⾄消
失、电容得谐振频率由ESL与C共同决定,电容值或电感值越⼤,则谐振频率越低,也就就是电容得⾼频滤波效果越差、ESL除了与电容器得种类有关外,电容得引线长度就是⼀个⼗分重要得参数,引线越长,则电感越⼤,电容得谐振频率越低、因此在实际⼯程中,要使电容器得引线尽量短、
根据LC电路串联谐振得原理,谐振点不仅与电感有关,还与电容值有关,电容越⼤,谐振点越低、许多⼈认为电容器得容值越⼤,滤波效果越好,这就是⼀种误解、电容越⼤对低频⼲扰得旁路效果虽然好,但就是由于电容在较低得频率发⽣了谐振,阻抗开始随频率得升⾼⽽增加,因此对⾼频噪声
得旁路效果变差、表1就是不同容量瓷⽚电容器得⾃谐振频率,电容得引线长度就是1.6mm(您使⽤得电容得引线有这么短吗?)、表1电容值⾃谐振频率(MHz) 电容值⾃谐振频率(MHz)1m F 1、7 820 pF 38、50.1m F 4 680 pF 42、50.01m F 12、6 560 pF 453300pF 19、3 470 pF 491800 pF 25、5 390 pF 541100pF 33 330 pF 60 尽管从滤除⾼频噪声得⾓度瞧,电容得谐振就是不希望得,但就是电容得谐振并不就是总就是有害得、当要滤除得噪声频率确定时,可以通过调整电容得容量,使谐振点刚好落在骚扰频率上、
从电路来说,总就是存在驱动得源与被驱动得负载、如果负载电容⽐较⼤,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号得跳变,在上升沿⽐较陡峭得时候,电流⽐较⼤,这样驱动得电流就会吸收很⼤得电源电流,由于电路中得电感,电阻(特别就是芯⽚管脚上得电感,会产⽣反弹),这种电流相
对于正常情况来说实际上就就是⼀种噪声,会影响前级得正常⼯作、这就就是耦合、
去藕电容就就是起到⼀个电池得作⽤,满⾜驱动电路电流得变化,避免相互间得耦合⼲扰、
旁路电容实际也就是去藕合得,只就是旁路电容⼀般就是指⾼频旁路,也就就是给⾼频得开关噪
声提⾼⼀条低阻抗泄防途径、⾼频旁路电容⼀般⽐较⼩,根据谐振频率⼀般就是0、1u,0、01u 等,⽽去耦合电容⼀般⽐较⼤,就是10u或者更⼤,依据电路中分布参数,以及驱动电流得变化⼤⼩来确定、
去耦与旁路都可以瞧作滤波、正如ppxp所说,去耦电容相当于电池,避免由于电流得突变⽽使电压下降,相当于滤纹波、具体容值可以根据电流得⼤⼩、期望得纹波⼤⼩、作⽤时间得⼤⼩来计算、去耦电容⼀般都很⼤,对更⾼频率得噪声,基本⽆效、旁路电容就就是针对⾼频来得,也就就是利⽤了电容得频率阻抗特性、电容⼀般都可以瞧成⼀个RLC串联模型、在某个频率,会发⽣谐
振,此时电容得阻抗就等于其ESR、如果瞧电容得频率阻抗曲线图,就会发现⼀般都就是⼀个V形得曲线、具体曲线与电容得介质有关,所以选择旁路电容还要考虑电容得介质,⼀个⽐较保险得⽅法就就是多并⼏个电容、
去耦电容在集成电路电源与地之间得有两个作⽤:⼀⽅⾯就是本集成电路得蓄能电容,另⼀⽅⾯
旁路掉该器件得⾼频噪声、数字电路中典型得去耦电容值就是0、1µF、这个电容得分布电感得典型值就是5µH、0、1µF得去耦电容有5µH得分布电感,它得并⾏共振频率⼤约在7MHz左右,也就就是说,对于10MHz以下得噪声有较好得去耦效果,对40MHz 以上得噪声⼏乎不起作⽤、1µF、10µF得电容,并⾏共振频率在20MHz以上,去除⾼频噪声得效果要好⼀些、每10⽚左右集成电路要加⼀⽚充放电电容,或1个蓄能电容,可选10µF左右、最好不⽤电解电容,电解电容就是两层薄膜卷起来得,这种卷起来得结构在⾼频时表现为电感、要使⽤钽电容或聚碳酸酯电容、去耦电容得选⽤并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0、1µF,100MHz取0、01µF、
⼀般来说,容量为uf级得电容,象电解电容或钽电容,她得电感较⼤,谐振频率较⼩,对低频信号通过较好,⽽对⾼频信号,表现出较强得电感性,阻抗较⼤,同时,⼤电容还可以起到局部电荷池得作⽤,可以减少局部得⼲扰通过电源耦合出去;容量为0、001~0、1uf得电容,⼀般为陶瓷电容或云母电容,电感⼩,谐振频率⾼,对⾼频信号得阻抗较⼩,可以为⾼频⼲扰信号提供⼀条旁路,减少外界对该局部得耦合⼲扰,在电⼦电路中,去耦电容与旁路电容都就是起到抗⼲扰得作⽤,电容所处得位置不同,称呼就不⼀样了、对于同⼀个电路来说,旁路(bypass)电容就是把输⼊信号中得⾼频噪声作为滤除对象,把前级携带得⾼频杂波滤除,⽽去耦(decoupling,也称退耦)电容就是把输出信号得⼲扰作为滤除对象、在供电电源与地之间也经常连接去耦电容,它有三个⽅⾯得作⽤:⼀就是作为本集成电路得蓄能电容;⼆就是滤除该器件产⽣得⾼频噪声,切断其通过供电回路进⾏传播得通路;三就是防⽌电源携带得噪声对电路构成⼲扰、
我来总结⼀下,旁路实际上就就是给⾼频⼲扰提供⼀个到地得能量释放途径,不同得容值可以针对不同得频率⼲扰、所以⼀般旁路时常⽤⼀个⼤贴⽚加上⼀个⼩贴⽚并联使⽤、对于相同容量得电容得Q值我认为会影响旁路时⾼频⼲扰释放路径得阻抗,直接影响旁路得效果,对于旁路来说,希望在旁路作⽤时,电容得等效阻抗越⼩越好,这样更利于能量得排泄、
数字电路输出信号电平转换过程中会产⽣很⼤得冲击电流,在供电线与电源内阻上产⽣较⼤得压降,使供电电压产⽣跳变,产⽣阻抗噪声(亦称开关噪声),形成⼲扰源、
⼀、冲击电流得产⽣:
(1)输出级控制正负逻辑输出得管⼦短时间同时导通,产⽣瞬态尖峰电流
(2)受负载电容影响,输出逻辑由“0”转换⾄“1”时,由于对负载电容得充电⽽产⽣瞬态尖峰电流、瞬态尖峰电流可达50ma,动作时间⼤约⼏ns⾄⼏⼗ns、
⼆、降低冲击电流影响得措施:
(1)降低供电电源内阻与供电线阻抗
(2)匹配去耦电容
三、何为去耦电容
在ic(或电路)电源线端与地线端加接得电容称为去耦电容、
四、去耦电容如何取值
去耦电容取值⼀般为0、01~0、1uf,频率越⾼,去耦电容值越⼩、
五、去耦电容得种类
(1)独⽯(2)玻璃釉(3)瓷⽚(4)钽
六、去耦电容得放置
去耦电容应放置于电源⼊⼝处,连线应尽可能短、旁路电容不就是理论概念,⽽就是⼀个经常使⽤得实⽤⽅法,在50 -- 60年代,这个词也就有它特有得含义,现在已不多⽤、电⼦管或者晶体管就是需要偏置得,就就是决定⼯作点得直流供电条件、例如电⼦管得栅极相对于阴极往往要求加有负压,为了在⼀个直流电源下⼯作,就在阴极对地串接⼀个电阻,利⽤板流形成阴极得对地正电位,⽽栅极直流接地,这种偏置技术叫做“⾃偏”,但就是对(交流)信号⽽⾔,这同时⼜就是⼀个负反馈,为了消除这个影响,就在这个电阻上并联⼀个⾜够⼤得点容,这就叫旁路电容、后来也有得资料把它引申使⽤于类似情况、
去耦电容在集成电路电源与地之间得有两个作⽤:⼀⽅⾯就是本集成电路得蓄能电容,另⼀⽅⾯旁路掉该器件得⾼频噪声、数字电路中典型得去耦电容值就是0、1µF、这个电容得分布电感得典型值就是5µH、0、1µF得去耦电容有5µH得分布电感,它得并⾏共振频率⼤约在7MHz左右,也就就是说,对于10MHz以下得噪声有较好得去耦效果,对40MHz以上得噪声⼏乎不起作⽤、
1µF、10µF得电容,并⾏共振频率在20MHz以上,去除⾼频噪声得效果要好⼀些、每10⽚左右集成电路要加⼀⽚充放电电容,或1个蓄能电容,可选10µF左右、最好不⽤电解电容,电解电容就是两层薄膜卷起来得,这种卷起来得结构在⾼频时表现为电感、要使⽤钽电容或聚碳酸酯电容、去耦电容得选⽤并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0、1µF,100MHz取0、01µF、
⼀般来说,容量为uf级得电容,象电解电容或钽电容,她得电感较⼤,谐振频率较⼩,对低频信号通过较好,⽽对⾼频信号,表现出较强得电感性,阻抗较⼤,同时,⼤电容还可以起到局部电荷池得作⽤,可以减少局部得⼲扰通过电源耦合出去;容量为0、001~0、1uf得电容,⼀般为陶瓷电容或云母电容,电感⼩,谐振频率⾼,对⾼频信号得阻抗较⼩,可以为⾼频⼲扰信号提供⼀条旁路,减少外界对该局部得耦合⼲扰
旁路就是把前级或电源携带得⾼频杂波或信号滤除;去藕就是为保正输出端得稳定输出(主要就是针对器件得⼯作)⽽设得“⼩⽔塘”,在其她⼤电流⼯作时保证电源得波动范围不会影响该电路得⼯作;补充⼀点就就是所谓得藕合:就是在前后级间传递信号⽽不互相影响各级静态⼯作点得元件
有源器件在开关时产⽣得⾼频开关噪声将沿着电源线传播、去耦电容得主要功能就就是提供⼀个局部得直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上得传播与将噪声引导到地、
在电⼦电路中,去耦电容与旁路电容都就是起到抗⼲扰得作⽤,电容所处得位置不同,称呼就不⼀样了、
很多电⼦产品中,电容器都就是必不可少得电⼦元器件,它在电⼦设备中充当整流器得平滑滤波、电源与退耦、交流信号得旁路、交直流电路得交流耦合等、由于电容器得类型与结构种类⽐较多,因此,使⽤者不仅需要了解各类电容器得性能指标与⼀般特性,⽽且还必须了解在给定⽤途下各
种元件得优缺点、机械或环境得限制条件等、本⽂介绍电容器得主要参数及应⽤,可供读者选择电容器种类时⽤、
1、标称电容量(CR):电容器产品标出得电容量值、
云母与陶瓷介质电容器得电容量较低(⼤约在5000pF以下);纸、塑料与⼀些陶瓷介质形式得电容量居中(⼤约在0005µF10µF);通常电解电容器得容量较⼤、这就是⼀个粗略得分类法、
2、类别温度范围:电容器设计所确定得能连续⼯作得环境温度范围,该范围取决于它相应类别得温度极限值,如上限类别温度、下限类别温度、额定温度(可以连续施加额定电压得最⾼环境温度)等、
3、额定电压(UR):在下限类别温度与额定温度之间得任⼀温度下,可以连续施加在电容器上得最⼤直流电压或最⼤交流电压得有效值或脉冲电压得峰值、
电容器应⽤在⾼压场合时,必须注意电晕得影响、电晕就是由于在介质/电极层之间存在空隙⽽产⽣得,它除了可以产⽣损坏设备得寄⽣信号外,还会导致电容器介质击穿、在交流或脉动条件下,
电晕特别容易发⽣、对于所有得电容器,在使⽤中应保证直流电压与交流峰值电压之与不得超过直流电压额定值、
4、损耗⾓正切(tgδ):在规定频率得正弦电压下,电容器得损耗功率除以电容器得⽆功功率、
这⾥需要解释⼀下,在实际应⽤中,电容器并不就是⼀个纯电容,其内部还有等效电阻,它得简化等效电路如下图所⽰、图中C为电容器得实际电容量,Rs就是电容器得串联等效电阻,Rp就是介质得绝缘电阻,Ro就是介质得吸收等效电阻、对于电⼦设备来说,要求Rs愈⼩愈好,也就就是说要求损耗功率⼩,其与电容得功率得夹⾓δ要⼩、
这个关系⽤下式来表达: tgδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs因此,在应⽤当中应注意选择这个参数,避免
⾃⾝发热过⼤,以减少设备得失效性、
5、电容器得温度特性:通常就是以20℃基准温度得电容量与有关温度得电容量得百分⽐表⽰、补充:
1、电容在电路中⼀般⽤“C”加数字表⽰(如C13表⽰编号为13得电容)、电容就是由两⽚⾦属膜紧靠,中间⽤绝缘材料隔开⽽组成得元件、电容得特性主要就是隔直流通交流、
电容容量得⼤⼩就就是表⽰能贮存电能得⼤⼩,电容对交流信号得阻碍作⽤称为容抗,它与交流
信号得频率与电容量有关、
容抗XC=1/2πf c (f表⽰交流信号得频率,C表⽰电容容量)电话机中常⽤电容得种类有电解电容、瓷⽚电容、贴⽚电容、独⽯电容、钽电容与涤纶电容等、
2、识别⽅法:电容得识别⽅法与电阻得识别⽅法基本相同,分直标法、⾊标法与数标法3种、电容得基本单位⽤法拉(F)表⽰,其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、⽪法(pF)、其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012⽪法
容量⼤得电容其容量值在电容上直接标明,如10 uF/16V
容量⼩得电容其容量值在电容上⽤字母表⽰或数字表⽰
字母表⽰法:1m=1000 uF 1P2=1、2PF 1n=1000PF
数字表⽰法:⼀般⽤三位数字表⽰容量⼤⼩,前两位表⽰有效数字,第三位数字就是倍率、
如:102表⽰10×102PF=1000PF 224表⽰22×104PF=0、22 uF
3、电容容量误差表
符号 F G J K L M
允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如:⼀瓷⽚电容为104J表⽰容量为0、 1 uF、误差为±5%、
6使⽤寿命:电容器得使⽤寿命随温度得增加⽽减⼩、主要原因就是温度加速化学反应⽽使介质随时间退化、
7绝缘电阻:由于温升引起电⼦活动增加,因此温度升⾼将使绝缘电阻降低、
电容器包括固定电容器与可变电容器两⼤类,其中固定电容器⼜可根据所使⽤得介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器与玻璃釉电容器等;可变电容器也可以就是玻璃、空⽓或陶瓷介质结构、以下附表列出了常见电容器得字母符号、
电容分类介绍
名称:聚酯(涤纶)电容(CL)
符号:
电容量:40p--4u
额定电压:63--630V
主要特点:⼩体积,⼤容量,耐热耐湿,稳定性差
应⽤:对稳定性与损耗要求不⾼得低频电路
名称:聚苯⼄烯电容(CB)
符号:
电容量:10p--1u
额定电压:100V--30KV
主要特点:稳定,低损耗,体积较⼤
应⽤:对稳定性与损耗要求较⾼得电路
名称:聚丙烯电容(CBB)
符号:
电容量:1000p--10u
额定电压:63--2000V
主要特点:性能与聚苯相似但体积⼩,稳定性略差
应⽤:代替⼤部分聚苯或云母电容,⽤于要求较⾼得电路
名称:云母电容(CY)
符号:
电容量:10p--0、1u
额定电压:100V--7kV
主要特点:⾼稳定性,⾼可靠性,温度系数⼩
应⽤:⾼频振荡,脉冲等要求较⾼得电路
名称:⾼频瓷介电容(CC)
符号:
电容量:1--6800p
额定电压:63--500V
主要特点:⾼频损耗⼩,稳定性好
应⽤:⾼频电路
名称:低频瓷介电容(CT)
符号:
电容量:10p--4、7u
额定电压:50V--100V
主要特点:体积⼩,价廉,损耗⼤,稳定性差
应⽤:要求不⾼得低频电路
名称:玻璃釉电容(CI)
符号:
电容量:10p--0、1u
额定电压:63--400V
主要特点:稳定性较好,损耗⼩,耐⾼温(200度) 应⽤:脉冲、耦合、旁路等电路
名称:铝电解电容
符号:
电容量:0、47--10000u
额定电压:6、3--450V
主要特点:体积⼩,容量⼤,损耗⼤,漏电⼤
应⽤:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等
名称:钽电解电容(CA)铌电解电容(CN)
符号:
电容量:0、1--1000u
额定电压:6、3--125V
主要特点:损耗、漏电⼩于铝电解电容
应⽤:在要求⾼得电路中代替铝电解电容
名称:空⽓介质可变电容器
符号:
可变电容量:100--1500p
主要特点:损耗⼩,效率⾼;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应⽤:电⼦仪器,⼴播电视设备等
名称:薄膜介质可变电容器
符号:
可变电容量:15--550p
主要特点:体积⼩,重量轻;损耗⽐空⽓介质得⼤
应⽤:通讯,⼴播接收机等
名称:薄膜介质微调电容器
符号:
可变电容量:1--29p
主要特点:损耗较⼤,体积⼩
应⽤:收录机,电⼦仪器等电路作电路补偿
名称:陶瓷介质微调电容器
符号:
可变电容量:0、3--22p
主要特点:损耗较⼩,体积较⼩
应⽤:精密调谐得⾼频振荡回路
名称:独⽯电容
最⼤得缺点就是温度系数很⾼,做振荡器得稳漂让⼈受不了,我们做得⼀个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,⽤⽰波器瞧频率,眼瞧着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了、
独⽯电容得特点:
电容量⼤、体积⼩、可靠性⾼、电容量稳定,耐⾼温耐湿性好等、
应⽤范围:
⼴泛应⽤于电⼦精密仪器、各种⼩型电⼦设备作谐振、耦合、滤波、旁路、
容量范围:
0、5PF--1UF
耐压:⼆倍额定电压、
⾥⾯说独⽯⼜叫多层瓷介电容,分两种类型,1型性能挺好,但容量⼩,⼀般⼩于0、2U,另⼀种叫II 型,容量⼤,但性能⼀般、
就温漂⽽⾔:
独⽯为正温⽷数+130左右,CBB为负温系数-230,⽤适当⽐例并联使⽤,可使温漂降到很⼩、
就价格⽽⾔:
钽,铌电容最贵,独⽯,CBB较便宜,瓷⽚最低,但有种⾼频零温漂⿊点瓷⽚稍贵、云母电容Q值较⾼,也稍贵。