一种多孔GaN的制备方法[发明专利]
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专利名称：一种多孔GaN的制备方法专利类型：发明专利
发明人：黄俊,徐科,王建峰,周桃飞申请号：CN201310169136.0
申请日：20130509
公开号：CN103332661A
公开日：
20131002
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种多孔GaN材料的制备方法，该方法包括以下步骤：步骤S1、将KSO溶解于去离子水或纯净水中，配制浓度为0.0001mol/L-2mol/L的KSO溶液；步骤S2、在KSO溶液中加入NaOH或KOH，配制pH值大于7的混合溶液；步骤S3、将GaN材料置于混合溶液中，用紫外光源照射GaN材料，获得多孔GaN材料。
本发明利用极其廉价的光化学技术在GaN材料表面上产生纳米级孔洞，通过锁相放大器等微小电信号测试设备可以将GaN材料电阻率的微小变化检测出来，从而发展高灵敏度的气敏传感器。
申请人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
国籍：CN
代理机构：深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：宋鹰武
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