100公斤级蓝宝石加工成LED晶棒对照表
2015年深圳宝晶工艺各产品规格表
）
资源浪费。
特别声明做各异形大韩水晶时，请勿裁大头相，人像距四周边缘最好空出1-2寸（3-5CM)空间，以免制作成品时裁切人物图像。
蝴蝶冰雕
大韩组合水晶，及照片墙系列裁片尺寸表---对应公司画册名称 （旁边注释）。
特别声明做各异形大韩水勿裁大头相，人像距四周边出1-2寸（3-5CM)空间，以免时裁切人物图像。
蝴蝶冰雕
画册名称 （旁边注释）
宝晶工艺 最新相 相册专用QQ：228350183
注：设计人或字尽量不靠边，留一英寸，如四周留白边的情
水晶
工艺 最新相册尺寸表
单位：厘米
边的情况下各留1.5寸。
像素200像素/英寸 请各位裁切后发片我司义务裁片调色，请直接发片即可。
LED蓝宝石晶棒加工流程
建议定做得设备：带 标尺得激光器移动
架；回转台 籽晶的 C 面是已经确 定的，可以以籽晶的 C 面为参考找到晶锭的
C面
切面宽度：中心点 50mm 宽
精度：±3°
角度精度：0.05°
晶棒内如有镶嵌，根 据实际镶嵌程度判定 如何处理该晶棒。 先使用内圆切割机操 作，带锯切割机，线
锯切割机试用。
角度精度：0.05° 2 寸：50.9±0.05mm
实测长度
画图标注有效长度的
有效长度：标注不
具体内容
合格位置，长度，
及内容（画示意图）
贴标签，注明每根
晶棒的详细内容
尺
椭圆度 千分尺或游标卡
尺
圆锥度 千分尺或游标卡
标准
备注
计算开裂%（定等 级） 定色
开裂的部分切掉
只要有颜色就为不合 格品，为重大缺陷， 反馈到品质，工艺。
部分镶嵌：标位置， 用应力仪先找出 C 面，
判定%，定级别全部
再进行检测
镶嵌：不合格
标记散射，气泡位 置，并画出正视图
和俯视图 粗定晶锭 C 面
led蓝宝石晶棒加工流程流程工序设备标准备注晶锭检验开裂目视计算开裂定等开裂的部分切掉颜色目视只要有颜色就为不合格品为重大缺陷反馈到品质工艺
LED 蓝宝石晶棒加工流程
流程 晶锭检验
粗切 面
标出掏棒 位置 粘胶
晶棒切两 端
定 C 面， 磨C面 检测 C 面 滚圆
工序 开裂
颜色
设备 目视
目视
镶嵌（多晶）
应力仪
散射，气泡 绿激光器，强光 灯
粗测晶锭 C 目测+参照籽晶
面
面+应力仪
粗切 C 面
LED蓝宝石晶体加工设备＜世界最简化的批量生产线＞
Coring equipment 【Model：SCO-150】
设备基本规格
供给加工品规格 加工品名 形状 蓝宝石晶体 配合顾客晶体形状 设备结构规格 Z轴移动量 X 轴移动量 Y 轴移动量 电力 用电 电压 频率 用气 用水 外形尺寸 重量 压力 流量 700mm 400mm 600mm 使用环境 20kVA 200V 50Hz/60Hz 0.5Mpa 100L/min 研削液 W1600mm×D2700mm×H3000mm(参考值) 5000kg(参考值)
Copyright 2010-2011 JCM Co,. Ltd.
THANK YOU
JCM Co.,Ltd. 海外业务担当 吴伟梁 E-Mail : leong@e-jcm.co.jp Skype ID : gohweileong(JCM・GOH) URL : http://www.e-jcm.co.jp/ TEL : +81254-44-2300 FAX : +81254-44-2305 **************************************************************
Copyright 2010-2011 JCM Co,. Ltd.
D轴旋转范围 E轴 Z2轴移动量 200mm 270mm
Cylindrical / O.F. grinder equipment 【Model：SCY-150】
设备概要
➠晶棒的滚圆及磨平边（orientation flat ）之设备。 ➠设备采用2个研磨单元，晶棒调芯单元，XRD单元为一体实现设备自动化。 ➠自动检测晶棒的A轴据进行演算进行磨平边（orientation flat ）加工， 简化及缩短操作员的工作时间。
蓝宝石晶体
蓝宝石晶体微提拉旋转泡生法制备蓝宝石晶体及LED衬底材料研究报告(2010-11-01 11：26：30)转载标签：美国蓝宝石晶体热交换器碳化硅十年陈股香股票分类：潜龙出水钬斺敌股池微提拉旋转泡生法制备蓝宝石晶体及LED衬底材料研究报告一、行业背景：未来高亮度照明LED的市场将非常广阔LED是发光二极管的简称(Light-Emitting-Diode)，是由化合物半导体材料制成的发光器件。
其发光的基本原理是利用LED内原天职离两真个电子和空*，在外加正向电压后相互结合时将电能转化成光能，能量以光的形式开释出来。
LED是一种节能环保、寿命长和多用途的环保光源，其能耗仅为白炽灯的10%，荧光灯的50%。
LED作为一种照明光源的普及将能能够明显降低电力消耗，减少二氧化碳排放。
中国事世界上光电子技术研究发展速度最快的国家之一，随着中国"国家半导体照明工程"的启动实施，目前中国的一些研究机构和企业大大加快了产业化的步伐，美国、欧洲和日本等发达国家都积极支持LED产业的发展，出台产业支持政策。
从"十一五"计划开始，我国政府将把半导体照明工程作为一个重大工程进行推动。
国内企业大多数从事LED下游的封装和应用，所需芯片、关键设备和技术大部分得从境外进口。
手机背光源的普及推动全球LED产业快速发展；从2008年起，笔记本电脑屏幕和电视屏幕采用LED逐渐普及，是全球LED产业新的发展动力；未来高亮度照明LED的市场非常广阔其中景观照明是最大的细分市场，背光源和显示屏次之。
通过发光方式的转变，LED将电能直接转化为光能，能量转化效率大大高于白炽灯和荧光灯。
中国绿色照明工程促进项目办公室的专项调查显示，我国照明用电每年在3000亿度以上，如由LED取代，可节省1/3的照明用电，相当于总投资规模超过2000亿元的三峡工程的全年发电量。
LED作为一种照明光源的普及将能能够明显降低电力消耗，减少二氧化碳排放。
中国第一颗100公斤级LED商用蓝宝石晶体在合肥问世
因 应 低 成 本 、 容 量 和 高 效 能 的 系 统 需 求 。虽 然 高 成 长 趋 势 不 变 ， 封 ０ 业 面 临 的挑 战 增 加 ， 括 但 ｎ ， ０ 包 平 均 单 价 下 滑 、 料 成 本 高 升 等 。上 述 趋 势 带 动 材 高 效 能 Ｉ 封 装 技 术 如 带 动 铜 柱 、 层 叠 封 装 和 Ｃ
Ｐｉ ｒ ｒ ｍａｋ认为 ，在 Ｉ ｓ Ｃ要求 降低 成 本和 容量 增 加下 ，
带动覆 晶和 晶圆级封 装 需求 攀升 。
拓 朴 日前也 预估 ，台湾封 测产 业第 ３ ４季 的产 、 值 ， 分 别 达 ４ ２亿 美元 、４１亿美 元 ， 增 率 分别 将 ＝ ４． 季
—
级封 装等 高阶 的封装 技术 ， 将成 为 ２ １ 封 装、 ‘ ０２ Ｉ 的获 利关键 。
ｌ４ ， ０亿颗 ， 测 ２ １ ４ 预 ０ ４年将 成 为 ２１０亿颗 ， ， ０ 成长 率 为 ４ ％，其 中覆 晶封 装 和 晶圆 级封 装 占比从 ２ ０ ５ ０９
耗 电 、 成本 等要求 ， 品 认为 ， 已带 动铜 梓 、 叠 低 矽 这
封装 和 Ｔ Ｖ ＤＩ Ｓ ３ Ｃ必起 。 ＤＩ ３ Ｃ将 足后 Ｐ ’ Ｃ叫 代 流 ，
讯Ｉ Ｃ封 装 ，打 线 封装 比重将 自 ２ １ ０ ０年底 的 ８ ％， ０ 下滑 到 ２ １ 底 的 ３ ％，覆 晶和 晶圆 级封 装 同期 ０ ２年 ０
比重 也 分 别 从 １ ％和 ５ ， 上 升 到 ４ ％和 ２ ％ 。 ５ ％ ５ ５
据指 出 ， 来 要 达 剑异 质 Ｉ 、 的水准 ， 会 未 Ｃ圭 装 Ｊ 将 以多 晶片封装 （ Ｐ ＭＣ ）技术 为 ｔ ， 叮应 川 Ｊ微 机 电 （ ＭＳ 、 像 感ｉ ｃ ｓ等产 品上 。另外 ， 括 ＭＥ ）影 ￣？ Ｉ） 包
LED用蓝宝石基板衬底详细介绍加工制程与技术参数
晶棒
蓝宝石基片制造工艺流程
机械加工
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基片
定向:在切片机上准确定位蓝宝石晶棒的位置,以便于精准切片加工 切片:将蓝宝石晶棒切成薄薄的晶片 研磨:去除切片时造成的晶片切割损伤层及改善晶片的平坦度 倒角:将晶片边缘修整成圆弧状,改善薄片边缘的机械强度,避免应力集中造成缺陷 抛光:改善晶片粗糙度,使其表面达到外延片磊晶级的精度 清洗:清除晶片表面的污染物(如:微尘颗粒,金属,有机玷污物等) 品检:以高精密检测仪器检验晶片品质(平坦度,表面微尘颗粒等),以合乎客户要求
On the evening of July 24, 2021
1:C-Plane蓝宝石基板
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C-Plane蓝宝石基板是普遍使用的蓝宝石基板.1993年日本的赤崎勇教授 与当时在日亚化学的中村修二博士等人，突破了InGaN 与蓝宝石基板 晶格不匹配（缓冲层）、p 型材料活化等等问题后，终于在1993 年 底日亚化学得以首先开发出蓝光LED.以后的几年里日亚化学以蓝宝石 为基板,使用InGaN材料,通过MOCVD 技术并不断加以改进蓝宝石基板 与磊晶技术,提高蓝光的发光效率,同时1997年开发出紫外LED，1999 年蓝紫色LED样品开始出货，2001年开始提供白光LED。从而奠定了日 亚化学在LED领域的先头地位.
LED用蓝宝石基板衬底详细介绍加工制程与 技术参数
It is applicable to work report, lecture and teaching
LED蓝宝石基板介绍
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1:蓝宝石详细介绍
LED 用图形化蓝宝石衬底的干法刻蚀工艺
Ｌｉｕ Ｊｉａｎｚｈｅ１，２，Ｙａｎｇ Ｘｉｎｐｅｎｇ２，Ｐｅｎｇ Ｙａｎｌｉａｎｇ２，Ｚｅｎｇ Ｊｉａｎｆｅｉ ２， Ｐａｎ Ａｎｌｉａｎ１，Ｊｉｎ Ｌｉａｎｇｒｏｎｇ２
（１．Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ ａｎｄ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｈｕｎａｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈａｎｇｓｈａ４１００８２，Ｃｈｉｎａ； ２．Ｚｈｅｊｉａｎｇ Ｄｏｎｇｊｉｎｇ Ｂｒｉｇｈｔ Ｏｐｔｏ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．，Ｊｉｎｈｕａ３２１０１７，Ｃｈｉｎａ）
０ 引 言
近年来，ＧａＮ 基 高 亮 度 发 光 二 极 管 （ＨＢ－ ＬＥＤ）由 于 体 积 小 、 重 量 轻 和 寿 命 长 等 特 点 被 广 泛 用于固态照明、交通信号灯、汽车前向照明、短程 光学通信 和 生 物 传 感 器 等 ［１－４］ 领 域。 由 于 大 尺 寸、 高质量的 ＧａＮ 同质 衬 底 难 以 制 备， 通 常 采 用 蓝 宝 石、Ｓｉ和 ＳｉＣ 等 作 为 衬 底 材 料， 用 于 外 延 生 长 ＧａＮ 薄膜。蓝宝石 （Ａｌ２Ｏ３） 因具有 化 学 和 物 理 性 质稳定、透光性好以及成 本 合 适 等 优 点 被 ［５－７］ 广 泛 用作 ＧａＮ 基发光二 极 管 的 外 延 衬 底； 但 由 于 ＧａＮ 外延薄膜与蓝宝石衬底的晶格常数失配 （１６％） 和 热膨胀系 数 失 配 （３４％） 较 大， 线 位 错 密 度 高 达 １０９～１０１２ ｃｍ－２［８］，严 重 影 响 了 外 延 薄 膜 的 光 学 和 电学特性，使器件的内量子效率 （ＩＱＥ） 降 低。 同 时 ＧａＮ 与空气间 存 在 的 全 反 射 现 象 又 大 大 削 弱 了 ＬＥＤ 的外量子效率 （ＥＱＥ），使外延层质量不能达 到理 想 效 果。 研 究 表 明 ， ［９］ 图 形 化 蓝 宝 石 衬 底 （ＰＳＳ） 作 为 一 种 无 掩 膜、 无 生 长 打 断 的 侧 向 合 并 生长技术，在衬底表面形成的规则排布图形可改变 有源层发出光 的 传 播 方 向， 从 而 破 坏 ＧａＮ （折 射 率ｎ＝２．４） 与 空 气 （ｎ＝１） 之 间 因 折 射 率 过 大 而 造成的内部全 反 射， 使 光 可 以 脱 离 ＧａＮ 出 射 到 器 件外部，提高了光的出射概率，从而提升外量子效 率。采用图形化蓝 宝 石 作 为 ＧａＮ 基 发 光 二 极 管 外 延衬底，不仅能 有 效 降 低 ＧａＮ 外 延 薄 膜 的 线 位 错 密度，还 能 提 高 ＬＥＤ 的 光 提 取 效 率 。 ［１０－１１］ 同 时， 图形化蓝宝石衬底上生长氮化物外延薄膜属于单步 生长工艺，不发生任 何 生 长 中 断，具 有 产 量 高 的 特 点，在商业上已被广泛应用。 目前，图形化蓝宝石 衬底已经成 功 用 于 制 备 大 功 率 ＧａＮ 基 发 光 器 件， 成为国内外研究机构的主要研究课题 。 ［１２］
蓝宝石CNC加工参数DOE
7
600#
25000
300
0.1
Max:0.04 Avg:0.03
8
600#
25000
300
0.02
Max:0.035 Avg:0.025
备注
效果如下图 1
效果如下图 2 效果如下图 3 效果如下图 4 效果如下图 5
图1
图2
图3
图4
图5
深圳市大宇精雕科技有限公司
三. 实验结论
实验结果分析： 从各项实验的结果可以基本分析出各项因子对结果的影响力和影响关系。
实验场地：大宇精雕
操作人 ：钟大平(工艺工程师) 实验设备：大宇精雕机（100 主轴） 实验方法：对工艺参数中的砂轮目数、主轴转速、加工进给速度、磨削量进行 4 因子 2 水平设计（表 1）进行加工实验，以加工出来的表面崩边大小作为主要的评分标准。 实验条件：砂轮直径 φ40mm
材料厚度 0.7mm 切削液浓度 0 （因本次条件有限未添加切削液，根据行业经验添加切削液有助于提升加工
深圳市大宇精雕科技有限公司
二）1. 实验结果： 各项实验加工完成后对产品边缘进行 40 倍放大测量砂崩边大小，测试数据(表 3)
表3
序号
砂轮粒度
主轴转速 (r/min)
进给速度 (mm/min)
磨削量(mm)
崩边大小 （mm）
1
300#
15000
300
0.02
Max:0.08 Avg:0.05
2
300#
0.10
0.05
0.00 300
进给速度
磨削量
0.15
0.10
0.05
1000
崩边大小
0.00 15000
常见蓝宝石刻面的大小与重量对应表
平均宽度2×高×4.00×0.0022（直径：长、宽平均值）
正方祖母绿形
直径2×高×4.00×0.0023
长方祖母绿形
直径2×高×4.00×0.0025
方形
平均宽度2×高×4.00×0.0024
水滴形
直径2×高×4.00×0.0018
马眼形
直径2×高×4.00×0.0017
心形
直径2×高×4.00×0.0021
0.35-1.65
6×8
1.60-1.87
6×8
1.80-2.10
7×9
2.37-2.92
7×9
2.90-3.15
蓝宝石重量估算公式
圆形
直径2×高×4.00×0.0018
椭圆形
直径2×高×4.00×0.0020（直径：长、宽平均值）
方形混合形
直径2×高×4.00×0.0018（直径：垂直、水平和对角线平均值）
长形混合形
大小（mm）
重量
5.0
0.53-0.65
3×5
0.34-0.44
5.5
0.71-0.90
4×6
0.65-0.78
6.0
0.93-1.15
4.5×6.5
0.87-1.06
6.5
1.25-1.50
5×7
1.14-1.41
7.0
1.50-1.85
6×8
1.95-2.29
7.5
1.80-2.25
7×9
常见蓝宝石刻面的大小与重量对应表
形
状
圆形
大小（mm）
重量
形
状
方形
大小（mm）重量2 Nhomakorabea00.04-0.05
蓝宝石加工流程(全制程)
大綱
1. Sapphire Ingot製程應用工具…………………….3
2. Wafer磊晶製程應用工具 …………………………12 3. LED封裝製程應用工具……………………………...17
2
Sapphire Wafer
3
Sapphire Wafer製程
晶體平研 晶體 (Crystal)
晶棒鑽孔 (Drill)
結晶方向平研 (Crystallization orientation)
頭尾切斷 (Crop)
外徑研磨
切片 (Silicing)
倒角磨邊 (Beveling)
定寸研磨 (Lapping)
熱處理 (Diffusion）
4
拋光 (Polishing)
KY晶體平研
工具形式 (1A1)
3sapphirewafersapphirewafer製程crop外徑研磨結晶方向平研crystallizationorientation切片silicing倒角磨邊beveling定寸研磨lappingpolishingky晶體平研工具形式尺寸規格1a1300d5x20t127h晶棒鑽孔drill圓筒外圓磨床無心磨床450d200tsdc200結晶方向平研crystallizationorientation66d8w56lsdc200300d5x20t127hsd150slicingdiamondwire10工具形式尺寸規格0260183040waferbeveling11工具形式尺寸規格1ff6y202d18t30h68g1ff6y102d13t20h68gpadconditioner12工具形式尺寸規格6a22588d189w2699h磊晶工程13resinlappingplates14拋光銅盤修整15lapping16polishingdiamondslurry17工具形式尺寸規格40ctsl20ctsl10ctsl18padconditioner19工具形式尺寸規格2588d189w2699hscriber20封裝工程21packagedicing22
光洁度与粗糙度Ra、Rz数值对照换算表
光洁度与粗糙度Ｒａ、Ｒｚ数值对照换算表(单位：μｍ)另附：表面粗糙度国际标准表面粗糙度的表示法从量测仪器上,我们多可获得工件表面不规则状况的放大结果,而此一结果常被称为"表面轮廓图"(surface profile)。
当仪器的尖笔正沿着工件表面进行扫描时,其垂直方向的运动乃可被放大而被绘制下来,且在同时,我们亦可直接自仪器上读出在该处工件表面上的表面粗度算术平均值究竟为多少。
在1930年以前,这完全是要凭触觉来建立标准。
检验时必须使用一系列具有不同粗度的试片,工厂人员在使用这些试片时,先用他的手指甲划过标准的试片表面,然后再划过他制造出来之工件的表面,当感觉这两个表面具有相同的粗度时,则工件表面便被认为足够光滑了。
在表面密封、滚珠轴承、齿轮、凸轮或轴颈等应用场合,表面光度对于设备的功能能否发挥影响很大,有人发现,设备的性能与对数的表面光度值成线性的变化关系。
也就是说,要使性能提高一倍时,平均的波峰到波谷的粗度值必须减低十倍。
于是乎,对表面粗糙度量化的要求也就产生了。
图 1 表面轮廓包含了粗糙度曲线与波浪起伏的曲线表面轮廓断面曲线中,包含了粗糙度曲线与波浪起伏的曲线(图 1),一般说来波浪起伏的曲线是属于轮廓量测的范围,其值远大于表面粗糙度之值(有关轮廓量测请参阅第六章),但也有将表面轮廓断面两种曲线分开或合并考虑的作法,因此也就有了各种表面粗糙度之定义,如表 1.尽管各种表面粗糙度之定义有那么多,一般表面粗糙度之表示法只有下列三种:Ra(中心线平均粗糙度)、Rymax(最大高度粗糙度)、Rtm (十点平均粗糙度),现分述如下:图 2 中心线平均粗糙度之测量长度L1. Ra :中心线平均粗糙度若从加工面之粗糙曲线上,截取一段测量长度L(图 2) ,并以该长度内粗糙深之中心线为x轴,取中心线之垂直线为y轴,则粗糙曲线可用y = f(x)表之。
以中心线为基准将下方曲线反折。
然后计算中心线上方经反折后之全部曲线所涵盖面积, 再以测量长度除之。
功率密度LED对照表
居住建筑每户照明功率密度值房间或场所传统照明功率密度（W/m2）LED照明功率密度(W/m2) 对应照度值（lx）现行值目标值现行值目标值起居室7 6 3 2 100卧室75餐厅150厨房100卫生间100办公室照明功率密度房间或场所传统照明功率密度（W/m2) LED照明功率密度（W/m2）对应照度值(lx)现行值目标值现行值目标值普通办公室11 9 4。
5 4 300高档办公事、设计室18 15 7。
5 7 500会议室11 9 4.5 4 300营业厅13 11 5.5 5 300文件整理、复印、发行室11 9 4.5 4 300档案室8 7 3.5 3 200房间或场所传统照明功率密度（W/m2）LED照明功率密度(W/m2) 对应照度值（lx)现行值目标值现行值目标值一般商店营业厅12 10 5 4 300高档商店营业厅19 16 8 7 500一般超市营业厅13 11 5.5 5 300高档超市营业厅20 17 8 7 500房间或场所传统照明功率密度(W/m2）LED照明功率密度(W/m2）对应照度值（lx）现行值目标值现行值目标值客厅15 13 6 5 —-————-—中餐厅13 11 5.5 5 200多功能厅18 15 7。
5 7 300客厅层走廊 5 4 2 1 50门厅15 13 6 5 300房间或场所传统照明功率密度(W/m2）LED照明功率密度（W/m2）对应照度值（lx）现行值目标值现行值目标值治疗室11 9 4.5 4 300化验室18 15 7。
5 7 500手术室30 25 12 11 750候诊室、挂号室8 7 3.5 3 200病房 6 5 2。
5 2 100护士站11 9 4.5 4 300药房20 17 8 7 500重症监护室11 9 4。
5 4 300图书馆建筑照明的照度标准值办公楼建筑照明的照度标准值注:有视觉显示屏的作业，屏幕上的垂直面照度不应大于150lx。
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1208mm
(晶锭可以掏2层，每层3根)
钻头壁厚1.63mm，实际掏棒后的孔为2.2inch，按照56mm计算。(计算晶锭大小时，晶锭上下左右各扣除0.5inch，默认此区域无法掏棒)计算理论掏得2inch晶棒的长度(mm)
C轴长晶法
可以掏30根，理论可掏棒的长度为5850mm
C轴长晶法
可以掏23根，理论可掏棒的长度为5773mm
4inch掏棒钻头的壁厚为1.86mm，实际掏棒后的孔按照110mm计算。（计算晶锭大小时，晶锭上下左右各扣除0.5inch，默认此区域无法掏棒）计算理论4inch掏棒的长度(mm)
C轴长晶法，可以掏7根，理论4inch可掏长度为1365mm,还可以掏3根2inch的棒，长度为585mm
4inch掏棒钻头的壁厚为1.86mm，实际掏棒后的孔按照110mm计算。（计算晶锭大小时，晶锭上下左右各扣除0.5inch，默认此区域无法掏棒）计算理论4inch掏棒的长度(mm)
604mm(晶锭可以掏1层，每 Nhomakorabea3根)除了掏1层4inch的之外，还可以掏1层2inch的晶棒，长度为1415mm
916mm
100公斤级蓝宝石加工成LED晶棒长度对照表
晶体重量
100公斤
100公斤
130公斤
坩埚尺寸(inches)
15X15 inches
13.5X18 inches
15X18 inches
坩埚尺寸(mm)
381X381 mm
343X457 mm
381X457 mm
晶体毛坯尺寸
381X220 mm
343X276 mm
C轴长晶法，可掏5根，理论可掏棒的长度为1255mm，还可以掏3根2inch的棒，长度为753mm
381X286 mm
钻头壁厚1.63mm，实际掏棒后的孔为2.2inch，按照56mm计算。(计算晶锭大小时，晶锭上下左右各扣除0.5inch，默认此区域无法掏棒)计算理论掏得2inch晶棒的长度(mm)
4245mm
(晶锭可以掏3层，每层5根)
4612mm
（晶锭可以掏4层，每层掏5根）
5660mm
(晶锭每层可以掏4层，每5根)