cell简单不良分类及原因介绍PPT
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可以通过观察 Scratch处的像素 BM是否可见来判断
scratch
이물(异物)
亮的线形，无规则形 状。跟Scratch的区 别在于无方向性，很 多见
成因 多由成盒或者
POL贴附时候的PT 造成
Zaratsuki
Align Miss型 CF BM窄的原因而发
生
SPACER 密集，细小的色点 成因 Spacer受到挤压，
引起的
흑백점(黑白
点)
黑点: 在L31～L63中，
看起来黑色形态小点状污渍
白点: 在L0～L31中，
看起题：
SPACER CLUSTER，PI 膜污染
•
修理
Pi受损，因为异物引起的白点是不能
repair的
取向异常引起的白点，叫domain白点，
SHOT&BOX
GGS：两条水平的白线
DGS：水平的暗线和一条 竖直亮线??
成因：
金属Remain
导电particle
DGS中可以根据导
电颗粒的
处
位置来确定短路
DDS
SCRATCH在DATA PAD上发生
Particle DATA PAD FAN-OUT 部因异物而发
生 SHORT
Line Defect
XY线看起来为亮线或灭线的 现象
C≒M
Array 공정 2nd ITO CD 편차 기인. ->“C”, “D” Panel에서
발생.)
C>M
P-Sheet 유무차이
Model Mura명
L1 공 통
(TN Mode)
흰빗살 Mura
Mura History (L1.L2-5)
현상
발생원인
시인성변 화(C<-
>M)
Remark
Array 공정 S/D 공정 진행중 IPA
D-O：
X线中间断掉的
状态
成因
Chemical attack（AT）
Particle
Array DGS(->DO)
Invisible
Particle
Data Open defect的一些照片
Cst Open（有公用线的话才会发生）
一段亮线，向一侧逐渐变浅
成因：
若 STORAGE LINE在中途断掉，则信号发生 DELAY，在 OPEN POINT处变亮，然后逐渐趋于正常.
PXL消失（ BM消失 ）
B/L的光线直接透过C/F, 有白色的划痕
原因： C/F损伤 跟cell异物或者Scratch
的区别
Spect 很严格， 0.2mm内
异物0.5以内。 Size:（长轴+短轴）/2
看起来很亮的线形，
带有方向性
成因
Cell内 /POL/Panel表面的 划伤
17”
手按panel,亮点消失，由 于导电particle使C/F的 ITO和像素ITO连接，形 成亮点，手按后， particle碎了。
手按panel,出现亮点，松开 手，变正常。(盒厚5um)
一般情况下算T级，不需要Repair
SHORT
发生在2个Line以上或X和 Y发生Cross的现象
DDS：两条竖直的亮线
L1.L2.L Zaratsuk
3공통
i
Cell 공정 Stage 이물에 의한 국 부적인 눌림. -> 2nd
Scr., Pol, Ass’y,….
C≒M
L1.L2.L 3공통
백점
Cell 공정 1. PI Coating 불량 기
인
2. Spacer 기인 백점
C≒M C << M
Aging Effect
Array 공정 Passiviation Dep.전 Delay Time 변경시 미
발생.
C >> M
P-Sheet 유무차이
Model Mura명
Mura History (L1.L2-2)
현상
발생원인
시인성변 화(C<-
>M)
Remark
L1 18”
흰사선 MuraⅡ
Array 공정 원인 불명
바둑판(棋盘) Mura 액자 (像框)Mura 검은 띠(黑带) Mura 흰 빗살(白 梳子) Mura 흰반원형(辉半圆)Mura Rain Mura 하늘 Mura
Model Mura명
L1.L2.L 조개 3공통 Mura
L1.L2.L 3공통
빛샘
Mura History (공통-1)
简单不良分类及原因介绍 Cell部分
PIXEL 不良
亮点，灭点 个数, 间距, 连续
成因： Active remain, S/D remain, Gate remain, P/T Invisible(不可见) 区分方法: 显微镜下看，哪
层的remain，根据
지압(指压)pixel
Mura 成因
주입 구(注入 口)Mura
注入口部分出现 白或黑色现象 ， 色斑的形态很多
成因 因注入口部分
污染等原因发生
有的cell中看不到， 模块aging以后发生
색Mura
色Mura： 在特定颜色 的pattern下容易发现， 颜色比周围颜色深
形态很多：圆形，扇 形等
成因 C/F的原材料不正常
BcMo变nta色ct：不外良部BM 变C成lea褐n色ing repair
成因：CF材料不 良
MURA
Mura在cell test中非常常见，分类也非常之多， 大体上分为Gap性Mura和非Gap性Mura，另外 有一些未确认的Mura需单独分析处理
Gap性Mura显白色或黑色，用手按屏有动态的 Ripple现
A Mura
在Array 工序中产生的MURA,影响 了TFT器件。
在进行Abnormal Test时，现象变 严重或变弱
包括： 바둑판(棋盘) Mura 조개（贝壳）MURA
사선（斜线）MURA
상자Mura
바둑판(棋盘) Mura
조개（贝壳）MURA
曝光时，有Particle,造成对焦没 对好
시간 경과 후 사라짐.
경시적 변 화
가로줄, L1 10.4” 세로줄
Mura
Cell 공정 Rubbing 기인. (Rayon
포 사용으로 개선)
C≒M
Model Mura명
검은 가 L1 10.4” 로줄
Mura
PS 불량 L1 10.4” (PS 사용
Model)
L1 10.4”
가로 Block Mura
Mura
在photo工序中产生
Shot Mura是由于采用 step曝光方式而产生的 Mura，只在L1&2中出 现，而L3采用scanner 曝光方式所以不会出现 这种不良。
Block
X向，Y向的一个 Block中变灰或者 变暗
成因
Pad不良 Short ring 没有
完全切除(Edge grinding miss)
Dry시 발생.
C >> M
P-Sheet 유무차이
L1 14”
삼각주변 Mura
Array 공정 원인 불명
C >> M
P-Sheet 유무차이
L1 14”
우상 Mura
Array 공정 S/D 공정 진행시 발생
추정.
C >> M
P-Sheet 유무차이
Model Mura명
17”
액자 Mura
Rubbing
分为A，B，E 三种模式
有划过的痕 迹，界线较模 糊，不像 Scratch那样清 晰
在摩擦取向的 时候由于辊子 上的P/T引起的, 使某些部分无
E-Mode
A-Mode
B-Mode
Touch
有被触摸的样子,level 低的时候是白色的， 高的时候会显黑色， 跟观察的视角也有关 系
因 Vcom 信号发生 DELAY ，所以从两侧施加，但随着 OPEN POINT不同，发生状态也不同. (若在正中央发生 OPEN，则不发生亮线)
ESD
契形的亮斑, 有的伴有 Line Defect
ESD可以造成诸多不 良，很多PXL，L－D 都是由于ESD造成
成因：受ESD影响， TFT发生劣化或损坏
사선（斜线）MURA
상자Mura
Array中旋转cleaning,离心力
水垢MURA
成因： Cluster,TFT器件不好，Ioff不好，
미확은 (未确认) 种类很多，现象
很多，上百种
Spec 根据限度样品比
较来定级。
尚未见不良
Flicker X talk BNU&DNU 조전Mura 격자(交叉)Mura 세로줄 (竖线)Mura 가로줄 (横线)Mura 사선（斜线）Mura
成因: PI coating 的时候
被用手摸到
흰반원형(辉半圆)MURA
흰 줄（辉线） mura
흰 타원현Mura (辉椭圆形Mura )
물결(水纹)Mura C/F的原因
가로흰타원현Mura (横的椭圆形的Mura )
흰 얼룩Mura (白斑点Mura)
成因：？
成因：Pre cure工序中panel 受热不均产生的
象，由盒厚不均匀引起
非Gap性Mura多为白色或黑色污渍，指压时 不发生 Ripple，界限较明显，多为PI膜毁坏， 污染等与取向相关的不良
Gap Mura
在L31下，圆形或其 它形态的外围界限不 分明的白色或黑色不 良，用手按屏有动态 的Ripple现象
若Gap Mura成片地 连续出现则为连续
현상
발생원인
Array 공정 노광시 Particle에 의
한 Defocus 기인
시인성변 화(C<>M)
C≒M (L1/L2)
C<M (L3)
Remark
Back Light 휘도에 따 라 차이 발
생.
Cell 공정 1. Ass’y Misalign 기인
2. Cell 휨 기인
C<M
Pol 보호
이상 기인.
C≒M
L2 15X31
& 15X15
회오리 Mura
L3 17”
L2 15X15
가로줄 Mura &
사선
Mura
Cell 공정 PI Precure 진행시 Hot Plate에 Panel이 닿아 발생. -> Precure Lift
Pin 높이 조정.
C≒M
하시야각 적용시 잘 보임
Film 유무 차이
L1.L2.L 주입구 3공통 Mura
Cell 공정 주입구 오염 기인 (대부분 흰 주입구M)
C << M
검은 주입구 Mura C ≒ M
Aging Effect
Model Mura명
Mura History (공통-2)
현상
발생원인
시인성변 화(C<-
>M)
Remark
L1.L2.L 3공통
Gap성
Cell 공정 이물에 의한 국부적 Gap 차이 기인, ….
C≒M
일부 경시 변화 존재
Model Mura명
Mura History (L1.L2-1)
현상
발생원인
시인성변 화(C<-
>M)
Remark
L1.L2 All
Model
Shot Mura
Array 공정 Active, S/D의 Overlay
Mura History (L1.L2-4)
현상
발생원인
시인성변 화(C<-
>M)
Remark
Array 공정 2nd ITO CD 이상 (정 상부 대비 큼) -> “A” Panel에서만 발생.
C≒M
Cell 공정 1. 공정 진행시 Panel
눌림 기인.
2. Ass’y 진행시 Misalign 기인.
Spacer 移动
Spacer 破损
빛생(漏光)
L0下，多在panel的 两侧发生漏光区域会 看起来较亮，在某一 视角上看得清楚，可 以用loupe观察是PXL 的哪个区域漏光
成因 CF与TFT极板未完
변색(变色)
PAD变色：很多Y向 薄的浅的灰色line
成因：
*Pad上的外物造 成Pad与pin的
C >> M
P-Sheet 유무차이
L1 18”
검은반달 Mura
L1 18”
검은얼룩 Mura
Array 공정 2nd ITO CD 이상 기인.
C≒M
Array 공정 2nd ITO CD Uniformity 이상 기인
C≒M
Model Mura명
L1 18”
구공 Mura
상단부 L1 18” 빛샘
X완전 휘 선（完全亮线） 跟contact missing的区
别在于它的亮度不均 Y엷은 선(薄线) 浅灰色的亮或者暗线，灰
度不均，有的段很不明显 Gate set->Min 处确认
成因：ESD造成data和 repair line 短接。 clean时 候的pt造成open。
OPEN
Mura History (L1.L2-3)
현상
발생원인
시인성변 화(C<-
>M)
Array 공정
Track EBR Stage
Vacuum Hole Mura. -> 국부적인 2nd ITO CD
차 존재.
C≒M
Remark
Cell 공정 Pol 진행시 ESD에 의 한 일시적인 액정 배
향 이상.
scratch
이물(异物)
亮的线形，无规则形 状。跟Scratch的区 别在于无方向性，很 多见
成因 多由成盒或者
POL贴附时候的PT 造成
Zaratsuki
Align Miss型 CF BM窄的原因而发
生
SPACER 密集，细小的色点 成因 Spacer受到挤压，
引起的
흑백점(黑白
点)
黑点: 在L31～L63中，
看起来黑色形态小点状污渍
白点: 在L0～L31中，
看起题：
SPACER CLUSTER，PI 膜污染
•
修理
Pi受损，因为异物引起的白点是不能
repair的
取向异常引起的白点，叫domain白点，
SHOT&BOX
GGS：两条水平的白线
DGS：水平的暗线和一条 竖直亮线??
成因：
金属Remain
导电particle
DGS中可以根据导
电颗粒的
处
位置来确定短路
DDS
SCRATCH在DATA PAD上发生
Particle DATA PAD FAN-OUT 部因异物而发
生 SHORT
Line Defect
XY线看起来为亮线或灭线的 现象
C≒M
Array 공정 2nd ITO CD 편차 기인. ->“C”, “D” Panel에서
발생.)
C>M
P-Sheet 유무차이
Model Mura명
L1 공 통
(TN Mode)
흰빗살 Mura
Mura History (L1.L2-5)
현상
발생원인
시인성변 화(C<-
>M)
Remark
Array 공정 S/D 공정 진행중 IPA
D-O：
X线中间断掉的
状态
成因
Chemical attack（AT）
Particle
Array DGS(->DO)
Invisible
Particle
Data Open defect的一些照片
Cst Open（有公用线的话才会发生）
一段亮线，向一侧逐渐变浅
成因：
若 STORAGE LINE在中途断掉，则信号发生 DELAY，在 OPEN POINT处变亮，然后逐渐趋于正常.
PXL消失（ BM消失 ）
B/L的光线直接透过C/F, 有白色的划痕
原因： C/F损伤 跟cell异物或者Scratch
的区别
Spect 很严格， 0.2mm内
异物0.5以内。 Size:（长轴+短轴）/2
看起来很亮的线形，
带有方向性
成因
Cell内 /POL/Panel表面的 划伤
17”
手按panel,亮点消失，由 于导电particle使C/F的 ITO和像素ITO连接，形 成亮点，手按后， particle碎了。
手按panel,出现亮点，松开 手，变正常。(盒厚5um)
一般情况下算T级，不需要Repair
SHORT
发生在2个Line以上或X和 Y发生Cross的现象
DDS：两条竖直的亮线
L1.L2.L Zaratsuk
3공통
i
Cell 공정 Stage 이물에 의한 국 부적인 눌림. -> 2nd
Scr., Pol, Ass’y,….
C≒M
L1.L2.L 3공통
백점
Cell 공정 1. PI Coating 불량 기
인
2. Spacer 기인 백점
C≒M C << M
Aging Effect
Array 공정 Passiviation Dep.전 Delay Time 변경시 미
발생.
C >> M
P-Sheet 유무차이
Model Mura명
Mura History (L1.L2-2)
현상
발생원인
시인성변 화(C<-
>M)
Remark
L1 18”
흰사선 MuraⅡ
Array 공정 원인 불명
바둑판(棋盘) Mura 액자 (像框)Mura 검은 띠(黑带) Mura 흰 빗살(白 梳子) Mura 흰반원형(辉半圆)Mura Rain Mura 하늘 Mura
Model Mura명
L1.L2.L 조개 3공통 Mura
L1.L2.L 3공통
빛샘
Mura History (공통-1)
简单不良分类及原因介绍 Cell部分
PIXEL 不良
亮点，灭点 个数, 间距, 连续
成因： Active remain, S/D remain, Gate remain, P/T Invisible(不可见) 区分方法: 显微镜下看，哪
层的remain，根据
지압(指压)pixel
Mura 成因
주입 구(注入 口)Mura
注入口部分出现 白或黑色现象 ， 色斑的形态很多
成因 因注入口部分
污染等原因发生
有的cell中看不到， 模块aging以后发生
색Mura
色Mura： 在特定颜色 的pattern下容易发现， 颜色比周围颜色深
形态很多：圆形，扇 形等
成因 C/F的原材料不正常
BcMo变nta色ct：不外良部BM 变C成lea褐n色ing repair
成因：CF材料不 良
MURA
Mura在cell test中非常常见，分类也非常之多， 大体上分为Gap性Mura和非Gap性Mura，另外 有一些未确认的Mura需单独分析处理
Gap性Mura显白色或黑色，用手按屏有动态的 Ripple现
A Mura
在Array 工序中产生的MURA,影响 了TFT器件。
在进行Abnormal Test时，现象变 严重或变弱
包括： 바둑판(棋盘) Mura 조개（贝壳）MURA
사선（斜线）MURA
상자Mura
바둑판(棋盘) Mura
조개（贝壳）MURA
曝光时，有Particle,造成对焦没 对好
시간 경과 후 사라짐.
경시적 변 화
가로줄, L1 10.4” 세로줄
Mura
Cell 공정 Rubbing 기인. (Rayon
포 사용으로 개선)
C≒M
Model Mura명
검은 가 L1 10.4” 로줄
Mura
PS 불량 L1 10.4” (PS 사용
Model)
L1 10.4”
가로 Block Mura
Mura
在photo工序中产生
Shot Mura是由于采用 step曝光方式而产生的 Mura，只在L1&2中出 现，而L3采用scanner 曝光方式所以不会出现 这种不良。
Block
X向，Y向的一个 Block中变灰或者 变暗
成因
Pad不良 Short ring 没有
完全切除(Edge grinding miss)
Dry시 발생.
C >> M
P-Sheet 유무차이
L1 14”
삼각주변 Mura
Array 공정 원인 불명
C >> M
P-Sheet 유무차이
L1 14”
우상 Mura
Array 공정 S/D 공정 진행시 발생
추정.
C >> M
P-Sheet 유무차이
Model Mura명
17”
액자 Mura
Rubbing
分为A，B，E 三种模式
有划过的痕 迹，界线较模 糊，不像 Scratch那样清 晰
在摩擦取向的 时候由于辊子 上的P/T引起的, 使某些部分无
E-Mode
A-Mode
B-Mode
Touch
有被触摸的样子,level 低的时候是白色的， 高的时候会显黑色， 跟观察的视角也有关 系
因 Vcom 信号发生 DELAY ，所以从两侧施加，但随着 OPEN POINT不同，发生状态也不同. (若在正中央发生 OPEN，则不发生亮线)
ESD
契形的亮斑, 有的伴有 Line Defect
ESD可以造成诸多不 良，很多PXL，L－D 都是由于ESD造成
成因：受ESD影响， TFT发生劣化或损坏
사선（斜线）MURA
상자Mura
Array中旋转cleaning,离心力
水垢MURA
成因： Cluster,TFT器件不好，Ioff不好，
미확은 (未确认) 种类很多，现象
很多，上百种
Spec 根据限度样品比
较来定级。
尚未见不良
Flicker X talk BNU&DNU 조전Mura 격자(交叉)Mura 세로줄 (竖线)Mura 가로줄 (横线)Mura 사선（斜线）Mura
成因: PI coating 的时候
被用手摸到
흰반원형(辉半圆)MURA
흰 줄（辉线） mura
흰 타원현Mura (辉椭圆形Mura )
물결(水纹)Mura C/F的原因
가로흰타원현Mura (横的椭圆形的Mura )
흰 얼룩Mura (白斑点Mura)
成因：？
成因：Pre cure工序中panel 受热不均产生的
象，由盒厚不均匀引起
非Gap性Mura多为白色或黑色污渍，指压时 不发生 Ripple，界限较明显，多为PI膜毁坏， 污染等与取向相关的不良
Gap Mura
在L31下，圆形或其 它形态的外围界限不 分明的白色或黑色不 良，用手按屏有动态 的Ripple现象
若Gap Mura成片地 连续出现则为连续
현상
발생원인
Array 공정 노광시 Particle에 의
한 Defocus 기인
시인성변 화(C<>M)
C≒M (L1/L2)
C<M (L3)
Remark
Back Light 휘도에 따 라 차이 발
생.
Cell 공정 1. Ass’y Misalign 기인
2. Cell 휨 기인
C<M
Pol 보호
이상 기인.
C≒M
L2 15X31
& 15X15
회오리 Mura
L3 17”
L2 15X15
가로줄 Mura &
사선
Mura
Cell 공정 PI Precure 진행시 Hot Plate에 Panel이 닿아 발생. -> Precure Lift
Pin 높이 조정.
C≒M
하시야각 적용시 잘 보임
Film 유무 차이
L1.L2.L 주입구 3공통 Mura
Cell 공정 주입구 오염 기인 (대부분 흰 주입구M)
C << M
검은 주입구 Mura C ≒ M
Aging Effect
Model Mura명
Mura History (공통-2)
현상
발생원인
시인성변 화(C<-
>M)
Remark
L1.L2.L 3공통
Gap성
Cell 공정 이물에 의한 국부적 Gap 차이 기인, ….
C≒M
일부 경시 변화 존재
Model Mura명
Mura History (L1.L2-1)
현상
발생원인
시인성변 화(C<-
>M)
Remark
L1.L2 All
Model
Shot Mura
Array 공정 Active, S/D의 Overlay
Mura History (L1.L2-4)
현상
발생원인
시인성변 화(C<-
>M)
Remark
Array 공정 2nd ITO CD 이상 (정 상부 대비 큼) -> “A” Panel에서만 발생.
C≒M
Cell 공정 1. 공정 진행시 Panel
눌림 기인.
2. Ass’y 진행시 Misalign 기인.
Spacer 移动
Spacer 破损
빛생(漏光)
L0下，多在panel的 两侧发生漏光区域会 看起来较亮，在某一 视角上看得清楚，可 以用loupe观察是PXL 的哪个区域漏光
成因 CF与TFT极板未完
변색(变色)
PAD变色：很多Y向 薄的浅的灰色line
成因：
*Pad上的外物造 成Pad与pin的
C >> M
P-Sheet 유무차이
L1 18”
검은반달 Mura
L1 18”
검은얼룩 Mura
Array 공정 2nd ITO CD 이상 기인.
C≒M
Array 공정 2nd ITO CD Uniformity 이상 기인
C≒M
Model Mura명
L1 18”
구공 Mura
상단부 L1 18” 빛샘
X완전 휘 선（完全亮线） 跟contact missing的区
别在于它的亮度不均 Y엷은 선(薄线) 浅灰色的亮或者暗线，灰
度不均，有的段很不明显 Gate set->Min 处确认
成因：ESD造成data和 repair line 短接。 clean时 候的pt造成open。
OPEN
Mura History (L1.L2-3)
현상
발생원인
시인성변 화(C<-
>M)
Array 공정
Track EBR Stage
Vacuum Hole Mura. -> 국부적인 2nd ITO CD
차 존재.
C≒M
Remark
Cell 공정 Pol 진행시 ESD에 의 한 일시적인 액정 배
향 이상.