IGBT器件讲述

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IGBT关断： UGE<UGE(TH)； 2、IGBT的开关特性
图1.7.2 IGBT的伏安特性和转移特性
对于绝缘栅双极型晶体管的看法
• 我觉得绝缘栅双极型晶体管IGBT，集 MOSFET和GTR的优点于一身，具有输入 阻抗高、开关速度快、驱动电路简单、通 态电压低、能承受高电压大电流等优点的 一种高反压大电流器件，可以广泛适用于 作大功率放大输出，例如电磁炉的功率输 出管，还有它在高铁建设、电力系统、绿 色能源、电动汽车等领域每年创造数十亿 元的产值，是一个十分具有前景的器件。
（三）IGBT的驱动电路
2、IGBT的驱动电路
（三）IGBT的驱动电路
2、IGBT的驱动电路
（四）IGBT的使用注意事项
1、防静电 2、当G-E开路的情况下，不要给C-E加电压 3、在未采取适当的防静电措施下， G-E端不 能开路
图1.9.11 采用脉冲变压器 隔离的栅极驱动电路
图1.9.12 推挽输出的 栅极驱动电路
绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)
侯启亮 13电科一班 201330290505
• 绝缘栅双极型晶体管简介 • 绝缘栅双极型晶体管结构及其工作原理 • 绝缘栅双极型晶体管的特性与主要参数 • 对于绝缘栅双极型晶体管的看法
简介
IGBT：绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor) 。 兼具功率MOSFET高速开关特性和GTR的低导通压降 特性两者优点的一种复合器件。 IGBT于1982年开始研制，1986年投产，是发展最快而 且很有前途的一种混合型器件。 目前IGBT产品已系列化，最大电流容量达1800A，最 高电压等级达4500V，工作频率达50kHZ。 在电机控制、中频电源、各种开关电源以及其它高速 低损耗的中小功率领域，IGBT取代了GTR和一部分 MOSFET的市场。
（3）集电极电流最大值ICM： • IGBT的 IC增大，可至器件发生 •擎住效应，此时为防止 发生擎住 •效应，规定的集电极电流 •最大值ICM。
（三）IGBT的驱动电路
1、IGBT对驱动电路的要求
（1）提供适当的正反向输出电压 一般+12~15V，-5~-10V。 （2）IGBT的开关时间应综合考虑。 （3）IGBT导通后，驱动电路 应提供足够的电压、电流幅值。 （4）RG的作用 （5）驱动电路应具有较强的 抗干扰能力及对IGBT的保护 功能（RGE、V1、V2作用）
导通：UGE＞开启电压UGE(th)时，IGBT导通。
导通压降：电导调制效应使通态压降小。
关断：栅射极间施加反压或不 加信号时，IGBT关断。
（二）IGBT的主要参数
GBT在关断状态时集电极和发射极之间能承受的最高 电压。 （2）通态压降： • 是指IGBT在导通状态时集电极和发射极之间的管压降。
（一）绝缘栅双极型晶体管及其工作原理
• 1、IGBT的结构
由VDMOS驱动的厚基区PNP型GTR;
IGBT有三个电极: 集电极Ｃ、发射极Ｅ和栅极Ｇ;
（一）绝缘栅双极型晶体管及其工作原理
2、IGBT的外形
（一）绝缘栅双极型晶体管及其工作原理
3、IGBT的工作原理
• IGBT属场控器件，是一种由栅极电压 UGE控制集电极电流的栅控自关断器件。
二、 绝缘栅双极型晶体管的特性与主要参数
1、IGBT的伏安特性和转移特性 （1）IGBT的伏安特性 反映在一定的UGE下器件的UCE与电流Ic的关系。 IGBT的 伏安特性分为:截止区、有源放大区、饱和区和击穿区。
（2）IGBT的转移特性曲线 IGBT开通： UGE>UGE(TH)(开启电压,一般为3～6V)