意法半导体最新的双极功率晶体管媲美 MOSFET的能效
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意法半导体最新的双极功率晶体管媲美 MOSFET的能效佚名
【期刊名称】《微型机与应用》
【年(卷),期】2013(000)020
【总页数】1页(P41-41)
【正文语种】中文
意法半导体最新推出的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率,同时兼具同级MOSFET的能效，为设计人员提供一个节省空间的低成本的电源管理和DC-DC电源转换器(DC-DC converters)转换解决方案。
3STL2540是一个-40 V/-5 A PNP结晶体管，在完全饱和状态时，最大压降是200 mV，基极电流仅为10 mA。
等效导通电阻仅为90 mΩ，接近同等级超级逻辑电平MOSFET的性能。
3STL2540的核心技术是意法半导体的先进的双金属层平面基岛工艺,在0.2～10 V 的宽输出电压下,温度在-30°C～150°C范围内，连续高电流增益 (consistently high current gain，hFE)至少保持在 100，创下业内这类器件最低的导通损耗记录。
高热效率封装PowerFLATTM仅0.6 mm高，封装面积为2 mm×2 mm，在最小的印刷电路板内实现高性能功率电路。