半导体器件[发明专利]
合集下载
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
专利名称：半导体器件
专利类型：发明专利
发明人：马小龙,殷华湘,许淼,朱慧珑申请号：CN201210293234.0
申请日：20120816
公开号：CN103594506A
公开日：
20140219
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的缓冲层、缓冲层上的反型掺杂隔离层、反型掺杂隔离层上的阻挡层、阻挡层上的沟道层、沟道层上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧的源漏区，其特征在于：缓冲层和/或阻挡层和/或反型掺杂隔离层为SiGe合金或者SiGeSn合金，沟道层为GeSn合金。
依照本发明的半导体器件，采用SiGe/GeSn/SiGe的量子阱结构，限制载流子的输运，并且通过晶格失配引入应力，大大提高了载流子迁移率，从而提高了器件驱动能力以适应高速高频应用。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3#
国籍：CN
代理机构：北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：陈红
更多信息请下载全文后查看。