The flash EEPROM which uses the electric charge pu
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专利名称：The flash EEPROM which uses the electric charge pumping
发明人：テドロウ,ケリー・ディーン,ラールセン,ロバート・エドワード,ラジグル,チャイタニャ・シュ
リーニウォズ,ガリンド,シーザー,ジャヴァニ
ファード,ジャハンシャー・ジェイ,タウブ,メイ
ス・ジョセフ
申请号：JP特願平7-508756
申请日：19940906
公开号：JP特表平9-502561A
公开日：
19970311
专利内容由知识产权出版社提供专利附图：
摘要： (57)< Abstract > One electric charge pump (32) where 1st big electric current is accompanied suitably you can use because the inside of erasing is impressed in the source terminal of flash EEPROM memory cell, (34) while programming is impressed in the gate terminal of flash EEPROM memory cell generates high tension and, while programming the integrated circuit structure which supplies erasure voltage to the flash EEPROM memory array which includes with another electric charge pump (33) which generates the voltage whose 2nd you can use because it is impressed in the drain terminal of flash EEPROM memory cell is lower.
申请人：インテル・コーポレーション
地址：アメリカ合衆国 95052 カリフォルニア州・サンタクララ・ミッション カレッジ ブーレバード・2200
国籍：US
代理人：山川 政樹 (外5名)
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