第八章可编程逻辑器件

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21
A11
A10 R/W
A0
2 4 Y3
译 码 器
Y0
A9
A9 A0 R/W CS
2114 (1)
D3 D2 D1 D0
D3 D2 D1 D0
A9 A0 R/W CS
2114 (2)
D3 D2 D1 D0
A9 A0 R/W CS
2114 (3)
D3 D2 D1 D0
A9 A0 R/W CS
2114 (4)
.
19
RAM容量的扩展
1. 位数的扩展:把各片对应的地址线连接在一 起,数据线并列使用即可。接线如下图:
CS
R/W
A... 0
A9
A9...A0 R/W CS A9...A0 R/W CS
2114 (1)
2114 (2)
D3 D2 D1 D0
D3 D2 D1 D0
D7 D6 D5 D4
D3 D2 D1 D0
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23
PROM的可编程器件
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24
PROM的可编程器件
• 简化表示
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25
ROM应用举例
1、用ROM实现组合逻辑函数
逻辑表达式 1
Y1 A B C Y2 AB AC BC Y3 ABD BCD BCD Y4 AC BC BD ABC
.
15
ROM的简化画法
与门阵列(地址译码器) D3 D 2 D 1 D 0

W0

W1

W2

W3

A1 A1 A0 A0
或门阵列(存储矩
阵)
地址译码器产
存储体实现
生了输入变量

可编程逻辑器件与VHDL语言

可编程逻辑器件与VHDL语言
• EDA工具主要包括模拟(仿真)软件和综合软件。行为描 述文件和输入信号激励作为模拟(仿真)软件的输入,待 模拟(仿真)软件处理后,得到输出信号的波形图。行为 描述文件和约束条件文件作为综合软件的输入,待综合软 件处理后,得到网表和报告文件。
• (一)成为IEEE标准的两种HDL
– 1.VHDL – 2.Verilog-HDL
– 4.支持大规模设计的分解和已有设计的再利用。
– 5.VHDL已成为标准,得到众多EDA公司的支持,可 适用于多种工作平台。而其它输入方式与特定环境有 关,不能重复使用。
• (四)学习VHDL语言应注意的几个问题
– 1.了解VHDL语言模拟器是如何模拟代码的过程有助于弄清一些VHDL 语句的语义,而对语义有一个清楚地理解可使你能够精练准确地进行 VHDL代码编写。目前常用的VHDL模拟软件有Active HDL和Modelsim。
二、8线—3线优先编码器的VHDL描 述

LIBRARY IEEE;

USE IEEE.Std_logic_1164.ALL;

ENTITY priority_encoder IS

PORT ( input: IN Std_logic_vector (0 TO 7);

output: OUT Std_logic_vector (0 TO 2) -- (2 DOWNTO 0) 也可以。
– 6.将VHDL和CPLD、FPGA的学习结合起来。 – 7.应基本熟悉CPLD、FPGA器件的逻辑资源。
二、基本的VHDL模型
第五节 基本硬件电路模块的VHDL 模型
• 一、二输入与门的VHDL描述 • ENTITY and2_gate IS • PORT ( a, b : IN Bit; y : OUT Bit ); • END and2_gate; • ARCHITECTURE basic OF and2_gate IS • BEGIN • PROCESS(a,b) • BEGIN • y <= a AND b ; • END PROCESS and2_behavior; • END basic;

课后习题答案第8章_存储器和可编程逻辑器件

课后习题答案第8章_存储器和可编程逻辑器件

第8章半导体存储器和可编程逻辑器件8-1存储器按读写功能以及信息的可保存性分别分为哪几类?并简述各自的特点。

解答:存储器按读写功能可分为只读存储器(ROM)和随机存储器(RAM)。

随机存取存储器在工作过程中,既可从其任意单元读出信息,又可以把外部信息写入任意单元。

因此,它具有读、写方便的优点,但由于具有易失性,所以不利于数据的长期保存。

只读存储器在正常工作时其存储的数据固定不变,只能读出,不能随时写入。

ROM为非易失性器件,当器件断电时,所存储的数据不会丢失。

存储器按信息的可保存性可分为易失性存储器和非易失性存储器。

易失性存储器在系统关闭时会失去存储的信息,它需要持续的电源供应以维持数据。

非易失存储器在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据信息。

8-2什么是SRAM?什么是DRAM?它们在工作原理、电路结构和读/写操作上有何特点?解答:SRAM(Static Random Access Memory)为静态随机存储器,其存储单元是在静态触发器的基础上附加控制电路构成的。

DRAM(Dynamic Random Access Memory)为动态随机存储器,常利用MOS管栅极电容的电荷存储效应来组成动态存储器,为了避免存储信息的丢失,必须定时地对电路进行动态刷新。

SRAM的数据由触发器记忆,只要不断电,数据就能保存,但其存储单元所用的管子数目多,因此功耗大,集成度受到限制。

DRAM一般采用MOS管的栅极电容来存储信息,由于电荷保存时间有限,为避免存储数据的丢失,必须由刷新电路定期刷新,但其存储单元所用的管子数目少,因此功耗小,集成度高。

SRAM速度非常快,但其价格较贵;DRAM的速度比SRAM慢,不过它比ROM 快。

8-3若RAM的存储矩阵为256字⨯4位,试问其地址线和数据线各为多少条?解答:存储矩阵为256字⨯4位的RAM地址线为8根,数据线为4根。

8-4某仪器的存储器有16位地址线,8位数据线,试计算其最大存储容量是多少?解答:最大存储容量为216⨯8=524288=512k bit(位)8-5用多少片256⨯4位的RAM可以组成一片2K⨯8位的RAM?试画出其逻辑图。

数字电子技术第8章可编程逻辑器件

数字电子技术第8章可编程逻辑器件
(8-12)
前面介绍的FPLA的电路结构不含触发器,因此这 种FPLA只能用于设计组合逻辑电路,故称为组合型 FPLA。
为便于设计时序逻辑电路,在有些FPLA芯片内部 增加了若干触发器组成的寄存器。这种内部含有寄 存器的FPLA称为时序逻辑型FPLA,也称做可编程 逻辑时序器PLS(Programmable Logic Sequeneer)。
Q0n+1=Q3 Q2 Q1+Q3 Q2 Q1+Q3 Q2 Q1+ Q3 Q2 Q1
从上式即可写出每个触发器的驱动方程,即D端 的逻辑函数式。同时,考虑到要求具有置零功能, 故应在驱动方程中加入一项R。当置零输入信号 R=1时,在时钟信号到达后所有触发器置1,反相后 的输出得到Y3 Y2 Y1 Y0=0000。于是得到驱动方程为
图8.3.9 产生16种算术、逻辑运算的编程情况
(8-22)
十进 8.3.3PAL的应用举例
制数
二 进制 数
Y0 Y1 Y2
例8.3.1 用PAL器件设计一个数值判别电路.要求判断4位 D C B A 二进制数DCBA的大小属于0~5、6~10、11~15三个区间的 0 0 0 0 0 1 0 0 哪一个之内。 1 0 0 0 1 1 0 0
FPLA由可编程的与逻辑阵列和可编程的或逻 辑阵列以及输出缓冲器组成,如图所示。
(8-8)
PLA结构 逻辑功能可 变化的硬件 结构。
可编程
将FPLA和ROM 比较可发现,它们 的电路结构极为相 似,都是由一个与 逻辑阵列、一个或 逻辑阵列和输出缓 冲器组成。两者所 不同的是,FPLA的 与阵列可编程,而 ROM的与阵列(译 码器)是固定的。
第八章 可编程逻辑器件(PLD)

脉冲与数字电路第八章 存储器与可编程逻辑器件

脉冲与数字电路第八章 存储器与可编程逻辑器件

阵。
为 了存 取方便 , 给 它们编上号。
32 行 编 号 为 X0 、
X1、…、X31, 32 列 编 号 为 Y0 、
Y1、…、Y31。
这 样每 一个存 储 单 元都有了一个固
定的编号,称为
地址。
2 .地址译码器 —— 将寄存器 地址所对应的二进制数译 成有效的行选信号和列选 信号,从而选中该存储单 元。
8.2 随机存取存储器(RAM)
一. RAM的基本结构
由存储矩阵、地址译码器、读写控制器、输入/输出控制、 片选控制等几部分组成。
地 址 码 输 入 片选 读 /写 控 制 输 入 /输 出 地 址 译 码 器
存 储矩 阵
读 /写 控 制器
1. 存储矩阵
图 中 , 1024 个 字 排 列成 32×32 的矩
1.位扩展
三. RAM的容量扩展
用8片1024(1K)×1位RAM构成的1024×8位RAM系统。
I/O 0 I/O 1024×1R AM A0 A1 A0 A1 A9 R /W CS I/O1 I/O 1024×1R AM A0 A1 I/O7
... A
9
R /WC S
... A
...
I/O 1024×1R AM A0 A 1
tW C
ADD CS
写入单元的地址
R/W
t AS
tW P t
WR
I/O
写入数据
t DW t DH
读出操作过程如下: (1)欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端; (2)加入有效的选片信号CS; (3)将待写入的数据加到数据输入端。 (3)在 线上加低电平,进入写工作状态; (4)让选片信号CS无效,I/O端呈高阻态。

第8章 可编程逻辑器件

第8章 可编程逻辑器件
Y0=C⊙D
Y3 ABCD A B C D Y2 AC BD Y1 A B A B Y0 C D CD
用ROM实现:化成最小项之和形式,用地址译码器实现 ABCD的所有最小项(16个),用或门阵列实现最小项 之和(4个)。 用PLD实现:化成最简与或表达式.
用与门阵列实现所有的乘积项(8个),用或门阵列实现乘 积项之和(4个)
D’2 D’1
FF12
11
大家再见
精 希拼 命
却依 奔 村 抖 丧磨坊
精心 希望 依然 飞舞 拼命 抖动 寻找 磨坊 继续 奔跑 大惊失色 千呼万唤 垂头丧气
10 风筝
我们去放风筝。一个人用手托着, 另一个人牵着线,站在远远的地方,说
10 风筝 声“放”,那线一紧一松,风筝就凌空
飞起,渐渐高过树梢了。牵线人飞快地 跑起来。风筝越飞越高,在空中翩翩飞 舞着,我们快活地喊叫着,在田野里拼 命地奔跑。村里人看见了,说:“放得 这么高!”
XOR0时, Yi Si XOR1时, Yi Si
10
FPLA电路常用于实现组合逻辑电路,如前面所举例子,
例1: F1= AB + CD+ AC + ABCD F2= A+ CD + BC
有4个输入端,7个乘积项,2个输出,为4×7×2结构
D C B A
EN
4×7×2
W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7
布置作业: 1、抄写文中喜欢的句子。 2、继续了解风筝的资料。
从早晨玩到下午,我们还是歇 不下来,牵着风筝在田野里奔跑。
10 风筝 风筝越飞越高,似乎飞到了云彩上。
兴奋 快乐 喜悦 愉快
乐滋滋 美滋滋 乐呵呵
欣喜若狂
兴高采烈
从早晨玩到下午,我们还是歇 不下来,牵着风筝在田野里奔跑。

数字电子技术基础第8章可编程逻辑器件

数字电子技术基础第8章可编程逻辑器件
8.3 可编程逻辑器件PAL和 通用逻辑阵列GAL
数字电子技术基础第8章可编程逻辑 器件
PLD是70年代发展起来的新型逻辑器件,是一种通用大规模 集成电路,用于LSI和VLSI设计中,采用软件和硬件相结合的方 法设计所需功能的数字系统。相继出现了ROM、PROM、PLA、 PAL、GAL、EPLD和FPGA等,它们组成基本相似。
数字电子技术基础第8章 可编程逻辑器件
2020/11/21
数字电子技术基础第8章可编程逻辑 器件
传统的逻辑系统,当规模增大时 (SSI MSI)
焊点多,可靠性下降 系统规模增加成本升高 功耗增加 占用空间扩大
连接线与点增多 抗干扰下降
数字电子技术基础第8章可编程逻辑 器件
从逻辑器件的功能和使用方法看,最初的逻辑器件全部采用标准通用 片,后来发展到采用用户片和现场片。
通用片的功能是器件厂制造时定死的,用户只能拿来使用而不能改变 其内部功能。
通用片有门、触发器、多路开关、加法器、寄存器、计数器、译码器 等逻辑器件和随机读写存储器件。
用户片是完全按用户要求设计的VLSI器件。它对用户来讲是优化的, 但是设计周期长,设计费用高,通用性低,销售量少。用户片一般称为专 用集成电路(ASIC),但是它也向通用方向发展。
PROM----可编程存储器
P
PLA----可编程逻辑阵列
L
PAL----可编程阵列逻辑
D
GAL----通用可编程阵列逻辑
FPGA----现场可编程门阵列
ispLSI----在系统可编程大规模集成电路
数字电子技术基础第8章可编程逻辑 器件
1.与固定、或编程: 与阵列全固定,即全译码;ROM和PROM
数字电子技术基础第8章可编程逻辑 器件

第八章 可编程逻辑器件

第八章 可编程逻辑器件
等效PLD门, 320个宏单元 Altera: MAX9000系列, 24000个等效PLD门,
1024个宏单元 Altera: FLEX10K250 25万个等效PLD门
XiLinx:两年前推出的FPGA×CV1000可达到 100万个等效PLD门。
5 University of Science and Technology of China
FPGA (现场可编程门阵列):XC4000/5000 系列、FLEX8000系列 FLEX10K、 FLEX20K系列等
4 University of Science and Technology of China
8.1 概述
集成度情况: Lattice:ispLSI 6000系列,集成度达到25000个
8.1 概述
7)或门的PLD表示 详见图8.1.1(c), Y=P1+P3+P4
8)与阵列、或阵列的PLD表示 如图8.2.1所示。
(2)PLD由两种基本的门阵列——与门阵列 和或门阵列以及相关器件组成,如图8.2.1 所示。
9 University of Science and Technology of China
8.1 概述
③ 可编程逻辑器件的逻辑功能由用户对器件编 程来设定,以前用户在计算机上使用编程软 件编写逻辑功能,然后通过编程器下载到器 件上。新一代的在系统可编程器件,编程时 不需要使用专门的编程器,只要将计算机运 行产生的编程数据直接写入PLD就行了。这 样就使普通的用户设计复杂的系统成为现实 (以前是不可能的)。
7 University of Science and Technology of China
8.1 概述
2.PLD的电路表示法

可编程逻辑器件(PLD)

可编程逻辑器件(PLD)
第八章 可编程逻辑器件(PLD)
Chapter 8 Programmable Logic Device
本章主要内容
第一节 PLD概述 第二节 几种PLD的结构及应用举例
§8.2.1 现场可编程逻辑阵列(FPLA) §8.2.2 可编程阵列逻辑(PAL) §8.2.3 通用阵列逻辑(GAL) §8.2.4 复杂可编程逻辑器件(CPLD) §8.2.5 现场可编程阵列(FPGA) §8.2.6 PLD的一般开发过程
专用型集成电路是指按某种专门用途而设计、制造的 集成电路,又称ASIC(Application Specific Integrated Circuit),ASIC器件又可分为全定制和半定制两大类。 ASIC的优点是体积小、功耗低、可靠性高,高度保密; 缺点是在用量不大的情况下,设计和制造这样的专用集 成电路不仅成本很高,而且设计、制造的周期也很长。
由此可见,通用型和专用型集成电路在制造和使用 上存在着一定的矛盾。可编程逻辑器件 (Programmable Logic Device)的研制成功为解决这个 矛盾提供了一条比较理想的途径。
PLD虽然是作为一种通用器件生产的,但它的逻辑 功能是由用户通过对器件编程来设定的。而且有些PLD 的集成度很高,足以满足设计一般数字系统的需要。这 样就可以由设计人员自行编程而把数字系统“集成”在 一片PLD上,而不必制造专用集成电路芯片了。
具体器件举例
如 PAL16L8 如 GAL16V8, GAL20V8 如 GAL39V18 如 Xilinx 公司 的 XC7000 系 列 Altera 公 司 的 MAX9000 系 列、Xilinx 公司 的 XC9500 系 列等 Xilinx 公司的: XC3000 、 XC4000 、 SPARTEN 等
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D3 D2 D1 D0
20
用两片2114 将位数由 4位扩展到 8位
2. 字数的扩展:
信息学院
各片RAM对应的数据线联接在一起; 低位地址线也并联接起来,而高位的地址 线,首先通过译码器译码,然后将其输出 按高低位接至各片的选片控制端。 如用2114接成4096字×4位的存储器时, 需要4个2114组件,共12根地址线。连接 时,将各片中的低位地址A0---A9对应相 连;而高位地址A10、A11经2-4译码,按 高低位控制4片2114的CS端。见下图:
36
ISP逻辑器件
信息学院
• ISP技术是美国Lattice公司于1991年率先推出的,该公司 将ISP技术应用到高密度可编程逻辑器(HDPLD)中,形成了 ispLSI系列高密度在系统可编程逻辑器件。目前,该公司 生产的ispLSI器件有4个系列: ① 基本系列ispLSI1000:适用于高速编码、总线管理 等; ② 高速系列ispLSI2000: 该系列I/O端口数较多,适 用于高速计数、定时等场合,并可用作高速RISC/CISC微 处理器的接口; ③ 高密系列ispLSI3000:该系列是集成密度最高的系 列,能实现非常复杂的逻辑功能,适用于数字信号处理、 图形处理、数据压缩以及数据加密、解密等; ④ 模块化系列ispLSI6000:该系列带有存储器和寄存 器/计数器,适用于数据处理、数据通信等。
入 B1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 B0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 Y7 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 Y6 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 Y5 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1
设x的取值范围为0~15的正整数,则对应的是4 位二进制正整数,用B=B3B2B1B0表示。根据y= x2可算出y的最大值是152=225,可以用8位二进 制数Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0 表示。由此可列出Y= B2即y=x2的真值表。
28
输 B3 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 B2 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1

4
PLD的基本结构
信息学院
• PLD的基本组成部份是一个“与门”阵列 和一个“或门”阵列,电路的每个输出 都是输入的“与-或”函数。
5
PLD的电路表示法 • PLD的基本器件是与门和或门
信息学院
6
信息学院
• PLD缺省描述
7
信息学院
8
PLD分类
信息学院
• 根据与、或阵列是否可编程,将PLD (programmable logic devices)器件分为三种基本类型:
19
RAM容量的扩展
信息学院
1. 位数的扩展:把各片对应的地址线连接在一 起,数据线并列使用即可。接线如下图:
CS R/W A0
. . .
A9
A9...A0 R/W CS 2114 (1) D3 D2 D1 D0 D7 D6 D5 D4
A9.. .A0 R/W CS 2114 (2) D3 D2 D1 D0
26
2
2
与门阵列(地址译码器) m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7 m8 m9 m10 m11 m12 m13 m14 m15 D Y1 Y2 Y3
信息学院
Y4
选 择 R O M, 画 阵 列 图
A
A
B
B
C
C
D
或门阵列(存储矩阵)
27
2、用ROM作函数运算表
信息学院

用ROM构成能实现函数y=x2的运算表 电路。
信息学院 注
十进制数 0 1 4 9 16 25 36 49 64 81 100 121 144 169 196 225
29
真 值 表
信息学院
逻 辑 表 达 式
Y7 m(12,13,14,15) Y6 m(8,9,10,11,14,15) Y5 m(6,7,10,11,13,15) Y m(4,5,7,9,11,12) 4 Y3 m(3,5,11,13) Y2 m(2,6,10,14) Y 0 1 Y0 m(1,3,5,7,9,11,13,15)
①与阵列固定,或阵列可编程的PLD。(PROM)
②与、或阵列均可编程的PLD。 (PLA) ③与阵列可编程,或阵列固定的PLD. (PAL/GAL)
9
信息学院
未编程的内部结构
已编程的内部结构
10
半导体存储器及分类
信息学院
• 半导体存储器的种类很多,按存取功能可 以分为随机读写存储器(Random Access Memory,简称RAM)和只读存储器(ReadOnly Memory,简称ROM)两大类。
• 存储容量是指存储器能存放的二进制信息 的位数,通常用N×M位表示。N代表存储单 元数,即芯片的地址数; M代表每个存储 单元所能存储的二进制位数,即每个存储 单元所包含的基本存储单元电路数。
11
ROM的分类
(1) 掩模编程ROM
信息学院
(2) 可编程ROM(Programmable ROM,简称 PROM)
35
通用阵列逻辑GAL
信息学院
• PAL采用的是熔丝工艺,编程之后不能再改写; 再有,PAL的输出结构不够灵活,要满足不同 输出结构需求,就得选用不同型号的PAL器件。 • 通用阵列逻辑GAL(Generic Array Logic)是 1985年美国Lattice公司在PAL的基础上开发的 一种新型PLD器件,它比PAL具有更高的可靠性 和更大的灵活性。 (1)采用E2CMOS工艺 (2)输出结构配置了输出逻辑宏单元 (3)保密性好
F 1 ABCD AC D BCD F 2 AB AB C D C D F 3 ( A B CD )( A B C D) ABC
• 例二:用ROM设计一个3位二进制平方器, 指出实现该平方器需要的ROM容量。
32
ROM应用举例
信息学院
• 例三:用PLA和D触发器设计一个4进制 可逆计数器。当X=1时,实现加1计数; 当X=0时,实现减1计数。当计数中有进 位或借位产生时,电路输出Z为1,否则 Z为0。
信息学院
第八章 可编程逻辑器件
1
8.1 PLD概述
信息学院
• 数字系统中常用的大规模集成电路可分为三大类:
非用户定制电路(Non custom design IC);
全用户定制电路(Full custom design IC); 半用户定制电路(Semicustom design IC). 目前在数字系统设计中广泛使用的可编程逻辑 器件(Programmable Logic Device,简称PLD)属于 LSI中的半用户定制电路。由于PLD具有结构灵活、 性能优越、设计简单等特点,因而在不同应用领域 中受到广泛重视,是构成数字系统的理想器件。
或 阵 列 可 编 程
连接
地址译码器产 生了输入变量 的全部最小项
存储体实现 了有关最小 项的或运算
断开
16
地址译码方式
• 单译码方式 (字结构形式 )
信息学院
17
地址译码方式
• 双译码方式 (位结构形式 )
信息学院
18
存储器的扩展
信息学院
单片RAM不能满足容量时,可以将多片RAM连接在一 起,组成更大容量的RAM。 • 位扩展 芯片级联时,各芯片的片选和地址码并联在一起 由1024字×1位存储器芯片,扩展成1024×8位存储器 • 字扩展 芯片级联时,各芯片低位地址码并联在一起,高位 做片选信号,由1024字×8位存储器扩展成2048×8位 存储器 • 字位同时扩展 由1024字×1位存储器芯片,扩展成2048×8位存储器
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PROM的可编程器件
信息学院
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PROM的可编程器件
• 简化表示
信息学院
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ROM应用举例
1、用ROM实现组合逻辑函数 逻辑表达式
信息学院
Y1 A B C Y AB AC BC 2 Y3 ABD BCD B C D Y A C BC B D AB C 4
输 Y4 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 0 0
出 Y3 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 Y2 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 Y1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 Y0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1
对于给定的地址,相应一条字线输 出高电平,与该字线相连接的或门输出 为 1,未连 m0 A A0 1
W1 m1 A A0 1
W2 m2 A A0 1 W3 m3 A1 A0
存储体


D3 W0 W2 m0 m2 D1 W0 W3 m0 m3
2114 (4)
D 3 D 2 D1 D0
22
信息学院
用2114接成4096字×4位型存储器时,高位 地址和存储单元的关系如下表:
A11 0 0 1 1
A10 选中片序号 对应的存储单元 2114(1) 0000 ~ 1023 0 2114(2) 1024 ~ 2047 1 2114(3) 2048 ~ 3071 0 2114(4) 3072 ~ 4095 1
21
A11
A10 R/W A0 A9
2 4
译 码 器
Y3
信息学院
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