IC的分类1解析

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IC制程简介课程-1

IC的晶圆制造环境简介IC的晶圆制造环境简介-洁净室的晶圆制造环境简介
由于半导体工业所制作的集成电路组件之之尺寸愈来愈小，在一块小小的芯片上，集成了许许多多的组件；因此在制作的过程中就必须防止外界杂质污染芯片，造成性能的劣化及产品良率和可靠度的降低。这些污染源包括了尘埃、重金属、有机物及制程技术人员的体液分泌等。所以制作集成电路必须在很干净的环境下进行，尽量将污染源和芯片隔离，这环境我们即称之为洁净室。
IC基本模块制程技术IC基本模块制程技术-清洗技术基本模块制程技术
由于IC内各组件及联机相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成芯片内电路功能的损坏，导致IC电路的失效；我们除了要排除外界的污染源外，许多的IC制造步骤前后均需要进行湿式清洗工作。湿式清洗工作乃是在不破坏晶圆表面特性的前提下，有效的使用化学溶液清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。
护层沉积
离子植入/ 离子植入/扩散光阻去除 WAT测试 WAT测试
封装
打线
切割
芯片针测 IC测试
IC测试厂 IC测试厂
Burn in
IC封装厂 IC封装厂
客户
IC 制造之流程图
芯片Wafer
薄膜形成 Thin Film Deposition
杂质渗入 Dopant Diffusion/ Implantation
IC晶圆制造八大原材料简介 IC晶圆制造八大原材料简介
Quartz (石英材料) (石英材料) 石英材料 Thermocouple…. Tube, Boat, Thermocouple . (设备零配件设备零配件) Parts (设备零配件) (消耗材料消耗材料) Consumer (消耗材料) 衣物材料:头罩,发罩,口罩,无尘衣,无尘鞋…. 衣物材料:头罩,发罩,口罩,无尘衣,无尘鞋 . 计算机用材料:软盘,磁带,碳粉夹…. 计算机用材料:软盘,磁带,碳粉夹 . 清洁用材料:擦拭布,擦拭纸…. 清洁用材料:擦拭布,擦拭纸 . 传送用材料: Box…. 传送用材料:Wafer Carrier Cassette, Wafer Box . 安全用材料:安全帽,防毒口罩,防酸手套…. 安全用材料:安全帽,防毒口罩,防酸手套 . 其他耗材

模拟IC设计知识分享(1)

模拟IC设计知识分享(1)最近刚好要考AAIC了，于是就想着怎么把考试的知识点总结起来分成章节。

本来想画成思维导图，但一是很多公式很多图，二是知识点间相互都有联系，也着实不太好具象化。

模拟电路就是折中的艺术，硬要画成放射状也是有点难为我了。

不如就写成文章，不仅能帮助我learning by teaching，说不定也能造福点后人。

MOS管作为模拟IC的基础组成部分，掌握MOS的各项特性是重中之重。

但由于MOS管其实是一个特性非常复杂，且无法用一个简单模型做出概括的非线性器件，我们也有必要对其进行一定的简化。

我们首先介绍MOS的基本结构和简化模型。

一、MOS管三维结构MOS管符号[1]典型的NMOS拥有四个端口，分别是栅极(gate)，源极(source)，漏极(drain)和衬底(body/bulk)。

MOS管是一种将电压转化为电流的器件，可以简单理解为一个压控电流源，以栅极和源极间的电压控制流过漏极和源极的电流。

根据各个端口间电压的不同，MOS管还可以分为三个工作区域，分别为截止区(cut-off region)，线性区/三极管区(triode region)和饱和区(saturation region)。

我们可能已经了解MOS管可以用作开关，也可以对信号进行放大。

当MOS管用作开关时，它就工作在线性区；而当用作放大器时，它需要工作在饱和区。

在进一步分析每个工作区域的特性和条件之前，我们首先把这个抽象模型和实际世界的MOS管这一半导体器件对应起来。

NMOS管三维结构[2]上图所示是一个NMOS的结构图。

器件制作在p型衬底(substrate)上，两个n离子掺杂区形成源极和漏极，并通过金属引出。

早期MOS管的栅极由金属层制成(如图，这也是MOSFET名字中第一个M-Metal的由来)，但现今大部分的MOS 管采用多晶硅(poly)来制作栅极，而名字却没有随之修改。

当然多晶硅和金属制作栅极各有利弊，还请详见半导体物理一书。

ic芯片分类

ic芯片分类IC芯片是Integrated Circuit Chip的简称，也叫做“集成电路芯片”。

它是将许多电子元器件（如晶体管、电阻、电容等）及其连接电路集成在一片半导体晶片上，形成具有特定功能的电子元件。

IC芯片分类通常可以从制作工艺、应用领域等多个维度进行划分。

根据制作工艺的不同，可以将IC芯片分为以下几类：1. SSI（Small Scale Integration）：小规模集成电路。

它是指芯片上集成的元件数量较少，通常在10个左右。

这类芯片主要用于设计简单的逻辑电路，例如与门、或门等。

2. MSI（Medium Scale Integration）：中规模集成电路。

这类芯片具有更多的元件，通常在10个到100个之间。

常见的例子是数字计数器、时钟芯片等。

3. LSI（Large Scale Integration）：大规模集成电路。

它是指集成了数百个到数千个元件的芯片。

这类芯片常用于计算机的中央处理器、内存等大规模的集成电路中。

4. VLSI（Very Large Scale Integration）：超大规模集成电路。

这类芯片集成了数万个元件，具有更高的集成度。

常见的应用有微处理器、图形芯片等。

5. ULSI（Ultra Large Scale Integration）：超超大规模集成电路。

这类芯片集成的元件数量更多，常见于高性能计算机、存储器等领域。

除了制作工艺，IC芯片还可以根据应用领域进行分类：1. 模拟芯片：用于信号的处理、放大、滤波等。

例如放大器芯片、运算放大器等。

2. 数字芯片：用于数字信号的处理和存储。

例如逻辑门芯片、存储器芯片等。

3. 混合芯片：在一个集成电路内同时集成模拟和数字电路。

例如DSP芯片、A/D转换器等。

4. 专用芯片：用于特定的应用领域。

例如音频处理芯片、图像处理芯片等。

5. 通用芯片：没有特定功能，可以通过编程实现各种功能。

例如微处理器、FPGA(Field-Programmable Gate Array)芯片等。

IC卡基础知识介绍

IC卡基础知识一、IC卡概念IC卡又叫智能卡(SmartCard)，一般用于指一张给定大小的塑料卡片，上面封装了集成电路芯片，用于存储和处理数据。

图1 IC卡外形我们常用的智能卡大致分四种：存储卡、加密存储卡、CPU卡，实际上，只有具备了微处理器的IC卡，才是智能卡，但是人们习惯上吧IC卡统称为智能卡。

智能卡包括三个部分：塑料基片（有或没有磁条）、接触面、集成电路1.半导体厂家将大的硅片切成小块，一个六英寸直径的硅片可以造出上千个芯片。

2.对小硅片进行光刻以产生必要的电路，并将她封装在黑色的集成电路模块中。

3.将集成电路的输入输出端连结到大的接触面上，便于今后读写器的操作。

4.最后，把造好的模块嵌入到卡上。

图2构造示意图二、IC卡分类智能卡属于半导体卡。

半导体卡片采用微电子技术进行信息的存储、处理。

按照其组成结构，智能卡可以分为一般存储卡、加密存储卡、CPU卡和超级智能卡：1、存储器卡（MemoryCard）其内嵌芯片相当于普通串行E2PROM存储器，这类卡信息存储方便，使用简单，价格便宜，很多场合可替代磁卡，但由于其本身不具备信息保密功能，因此，只能用于保密性要求不高的应用场合。

2、逻辑加密卡（SecurityCard）加密存储器卡内嵌芯片在存储区外增加了控制逻辑，在访问存储区之前需要核对密码，只有密码正确，才能进行存取操作，这类信息保密性较好，使用与普通存储器卡相类似。

芯片结构如下：图3 带有安全逻辑的IC卡用存储器芯片3、CPU卡（SmartCard）CPU卡内嵌芯片相当于一个特殊类型的单片机，内部除了带有控制器，存储器，时序控制逻辑等外，还带有算法单元和操作系统，由于CPU卡有存储容量大，处理能力强，信息存储安全等特性。

因此，广泛用于信息安全性要求特别高的场合。

芯片结构如下：图4 带有加密运算及安全逻辑的IC卡用微控制器芯片4、超级智能卡在卡上具有MPU和存储器并装有健盘、液晶显示器和电源，有的卡上还具有指纹识别装置等。

LED显示驱动芯片功能解析[1]

LED显示驱动芯片功能解析（一）2009-12-24 11:09LED显示屏驱动IC:台湾点晶科技DD311 单信道大功率恒流驱动IC最大1A最高耐压36V线DD312 单信道大功率恒流驱动IC最大1A最高耐压18V线DD313 三信道大功率恒流驱动IC 500mA R/G/B恒流驱动DM114A,DM115A 新版8位驱动IC 主要是用于屏幕及灯饰DM115B 通用8位恒流驱动IC 恒流一致性及稳定性高DM11C 8位驱动IC 具有短断点侦测及温度保护功能，屏DM13C 16位驱动IC 具有短断点侦测及温度保护功能，屏DM134,DM135, DM136 16位驱动IC 主要用于LED屏幕及护栏管聚积科技公司:MBI5024 面对低端客户16位LED屏幕、护栏灯管恒流驱动IC I5025 16位最大45mALED屏幕、护栏灯管恒流驱动ICMBI5026 16位最大90mA LED屏幕、护栏灯管恒流驱动IC广鹏科技公司:AMC7140 5-50V DC&DC 最大500mA电流可调，1颗或多颗LED驱AMC7150 5-24V DC&DC 最大1.5A固定式， 1-3颗LED驱动台晶科技:T6317A MR16-1W 7-24V 350mA 1W多颗驱动ICT6325A MR16-3/5W 7-24V 700mA 多颗LED驱动IC东芝公司:TB62726AN/AF 16位全彩LED大屏幕TB62726ANG/AFG 16位全彩LED大屏幕彩LED大屏幕带断、短路侦测及温度保护IR 国际整流器公司:IRS2540 200V市电直驱1W多颗LED驱动IC，500mA IRS2541美国超科公司 (Supertex):HV9910 高压大功率直驱LED恒流器件HV9931 高压双向检测大功率直驱LED恒流IC，可PWM灰度调节杭州士兰微电子有限公司:SB16726 16位恒流驱动全彩屏幕ICSC16722 可级连、大电流输出的专用LED驱动电路SB42351 350mA低压差白光固定式LED驱动芯片SB42510 PWM控制、1A白光LED恒流芯片QX9910 大功率20MA-2A,2.5V-220V直驱恒流ICQX9920 2.5V-220V可编程LED 驱动电流，编程范围为10mA到1A QX62726 LED大屏幕16位移位恒流驱动SM16126B 16位恒流移位寄存器，应用于LED屏幕及灯饰产品LED屏幕配套部分逻辑IC，飞利浦些列：74HC595D 逻辑8位移位寄存器74HC245D 3态8总线收发器74HC138D 3-8线译码器、多路转换74HC164D 8位移位寄存器（串进并出）74HC04D 逻辑6非门74HC08D 逻辑6非门驱动器74HC244D 8缓冲/线驱动/线接收(3态)LED屏幕配套部分 MOS管：MT4953 台湾茂钿APM4953 台湾茂达GE4953 深圳捷托74HC5951 、描述 74HC595是硅结构的CMOS器件，兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC标准。

电子元器件物料编码分类规则及属性定义 V1

制造商MPN 颜色
制造商MPN 颜色
制造商MPN 颜色
制造商MPN 颜色
电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件
光电显示器件 DLP显示屏
光电显示器件 LCD显示屏
光电显示器件 LED显示屏
光电显示器件触摸屏
其他元器件天线
其他元器件天线组件
PCS PCS PCS PCS PCS
PCS PCS PCS PCS PCS PCS PCS
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正常正常正常正常正常
制造商MPN 制造商MPN
颜色尺寸输入阻抗
封装封装
制造商MPN
制造商MPN
制造商MPN
制造商MPN 制造商MPN 制造商MPN 制造商MPN 制造商MPN 制造商MPN 制造商MPN 阻值阻值阻值阻值阻值阻值阻值测湿范围
阻值阻值制造商MPN 制造商MPN 制造商MPN 制造商MPN 制造商MPN 制造商MPN
PCS
PCS
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正常
正常
制造商MPN 制造商MPN 制造商MPN 型号规格

ic和原子吸收

ic和原子吸收
“IC”应该是指“ICP-AES”，这是一种常用的光谱分析技术，全称为“电感耦合等离子体发射光谱法”。

而“原子吸收”则是指“火焰原子吸收光谱法”，这是另一种广泛使用的光谱分析方法。

这两种技术通常在科研和工业生产中用于分析物质中特定元素的浓度。

1.火焰原子吸收光谱法（FAAS）：这是一种相对成熟且应用广泛的分析方法，
它通过燃烧样品释放出待测元素的原子，然后使用特定的光源（通常是空心阴极灯）激发这些原子，通过测量这些原子吸收特定波长光的能力来测定其浓度。

这种方法具有较高的精度和较低的检测限，尤其适合于痕量元素的分析。

2.电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-AES）：这是一种更先进的分析方法，
通过将样品引入等离子体火炬中，待测元素被激发并辐射出特征光谱。

通过测量这些光谱的强度，可以确定待测元素的浓度。

这种方法具有较高的灵敏度和较宽的线性范围，可以用于分析多种元素，尤其适用于地质、环境、冶金和化工等领域。

在选择使用哪种方法时，需要考虑样品的性质、待测元素的种类以及所需的精度和检测限等因素。

在某些情况下，将这两种方法结合使用可以提供更准确的结果。

Ic的分类有哪些

(一)按功能结构分类集成电路按其功能、结构的不同,可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。

模拟集成电路用来产生、放大和处理各种模拟信号(指幅度随时间边疆变化的信号。

例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等),而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号(指在时间上和幅度上离散取值的信号。

例如VCD、DVD重放的音频信号和视频信号)。

基本的模拟集成电路有运算放大器、乘法器、集成稳压器、定时器、信号发生器等。

数字集成电路品种很多,小规模集成电路有多种门电路,即与非门、非门、或门等;中规模集成电路有数据选择器、编码译码器、触发器、计数器、寄存器等。

大规模或超大规模集成电路有PLD(可编程逻辑器件)和ASIC(专用集成电路)。

从PLD和ASIC这个角度来讲,元件、器件、电路、系统之间的区别不再是很严格。

不仅如此,PLD器件本身只是一个硬件载体,载入不同程序就可以实现不同电路功能。

因此,现代的器件已经不是纯硬件了,软件器件和以及相应的软件电子学在现代电子设计中得到了较多的应用,其地位也越来越重要。

电路元器件种类繁多,随着电子技术和工艺水平的不断提高,大量新的器件不断出现,同一种器件也有多种封装形式,例如:贴片元件在现代电子产品中已随处可见。

对于不同的使用环境,同一器件也有不同的工业标准,国内元器件通常有三个标准,即:民用标准、工业标准、军用标准,标准不同,价格也不同。

军用标准器件的价格可能是民用标准的十倍、甚至更多。

工业标准介于二者之间。

(二)按制作工艺分类集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和薄膜集成电路。

膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。

(三)按集成度高低分类集成电路按规模大小分为:小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)、特大规模集成电路(ULSI)。

(四)按导电类型不同分类集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路。

(完整版)1-1集成电路版图设计概述

二、按集成度分类
集成度：每块集成电路芯片中包含的元器件数目
类别
数字集成电路
模拟集成电路
MOS IC
双极IC
SSI
<102
<100
<30
MSI
102103
100500
30100
LSI
103105
5002000
100300
VLSI
105107
>2000
>300
ULSI
107109
GSI
❖ 专用集成电路根据某种电子设备中特定的技术要求而专门设计的集成电路简称ASIC，其特点是集成度较高功能较多，功耗较小，封装形式多样。玩具狗芯片；通信卫星芯片；计算机工作站CPU中存储器与微处理器间的接口芯片
第一章集成电路设计概述
1.3 无生产线集成电路设计技术 Fabless IC Design Technique
IDM与Fabless集成电路实现
• 集成电路发展的前三十年中，设计、制造和封装都是集中在半导体生产厂家内进行的，称之为一体化制造 (IDM，Integrated Device Manufacture)的集成电路实现模式。
• 近十年以来，电路设计、工艺制造和封装开始分立运行，这为发展无生产线（Fabless）集成电路设计提供了条件，为微电子领域发展知识经济提供了条件。
第一章集成电路设计概述
1.1 集成电路（IC）的发展
芯片，现代社会的基石
内存条
PDA：掌上电脑
手机
数码相机
主板
计算机
集成电路
Integrated Circuit ，缩写IC IC是通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容、电感等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的一种器件。

IC简介和基本流程1

BYD BYD IC Process OverviewBYD BYD What is ICIC : Integrated Circuit通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能BYDBYD流程概述设计芯片检测单晶、外延材料掩膜版芯片制造过程封装测试系统需求总的IC 设计流程包括如下几点：线路设计(Circuit Design)晶圆制造(Wafer Fabricate)晶圆点测(Chip Probing, 简称CP)IC 封装(Assembly)成品测试(Final Testing, 简称FT)成品包裝(Packing)•集成电路的内部电路非门集成电路芯片的版图集成电路芯片内部电路的版图非门晶圆（Wafer）的形成过程BYD BYDBYD BYD 成型后晶圆BYD BYD 晶圆点测•晶圆点测的目的在于检测晶圆上晶粒的品质, 筛选出符合设计规格的晶粒PadBYD BYD 点测后的晶圆Good DieBad Die (InkedDie)BYD BYD为了电路保护,便于电力及讯号传输,利于散热，IC要进行封装IC的封装类型很多，下面只是简单的列举几种，按封装外型可分为如图片QFPTSOP BGA PBGACPGA LQFP PCDIP IC Package（IC的封装形式）BYDBYDBuild Your Dreams111.切割(Wafer Sawing)2. 粘晶(Die Attach)3. 焊线(Wire Bonding)4. 模压(Molding)5. 电镀(Plating)6. 剪切(Trimming)7. 印字(Marking)8. 成型(Forming)IC 封装步骤BYDBYDBuild Your Dreamswww .1ppt .comCompany LogoIC 结构图TOP VIEWSIDE VIEWLead Frame 引线框架Gold Wire 金线Die Pad 芯片焊盘Epoxy 银浆MoldCompound 环氧树脂BYDBYDBuild Your Dreams13成品测试成品测试的目的在于检测封装后的IC 品质, 筛选出电性符合规格以及外观良好的IC 成品。

IC芯片命名规则大全

IC芯片命名规则MAXIM 专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀： MAXIM公司产品代号2．产品字母后缀：三字母后缀：C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数四字母后缀：B=指标等级或附带功能； C=温度范围；P=封装类型； I=管脚数3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃ 至70℃（商业级）I =-20℃ 至+85℃（工业级）E =-40℃ 至+85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55?至+125℃（军品级）5．封装形式:A SSOP(缩小外型封装) Q PLCCB CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装 T TO5,TO-99, TO-100E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil）J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚）K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封P 塑料 / W 晶圆6．管脚数量：A:8 J:32 K:5，68 S:4，80B:10，64 L:40 T:6，160C:12，192 M:7，48U:60D:14 N:18 V:8（圆形）E:16 O:42 W:10（圆形）F:22，256 P:20 X:36G:24 Q:2，100 Y:8（圆形）H:44 R:3，84 Z:10（圆形）I:28AD 常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51．前缀：AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A 2．器件型号3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）：I、J、K、L、M 0℃至70℃A、B、C-25℃或-40℃至85℃S、T、U -55℃至125℃5．封装形式：D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装H 密封金属管帽 T TO-92型封装J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插N 料有引线芯片载体Y 单列直插Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61．器件分类： ADC A/D转换器 OP 运算放大器AMP 设备放大器PKD 峰值监测器BUF 缓冲器 PM PMI二次电源产品CMP 比较器 REF 电压比较器DAC D/A转换器 RPT PCM线重复器JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器2．器件型号3．老化选择4．电性等级5．封装形式：H 6腿TO-78 S 微型封装J 8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插K 10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体P 环氧树脂B双列直插V 20腿陶瓷双列直插PC 塑料有引线芯片载体X 18腿陶瓷双列直插Q 16腿陶瓷双列直插 Y 14腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插 Z 8腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体6．军品工艺ALTERA 产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61．前缀： EP 典型器件EPC 组成的EPROM器件EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列EPX 快闪逻辑器件2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装S 塑料微型封装 T 薄型J形引线芯片载体J 陶瓷J形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列4．温度范围： C ℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．腿数6．速度ATMEL 产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：ATMEL公司产品代号2．器件型号3．速度4．封装形式：A TQFP封装 P 塑料双列直插B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路G 陶瓷双列直插，一次可编程U 针阵列J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封M 陶瓷模块 Z 陶瓷多芯片模块N 无引线芯片载体，一次可编程5．温度范围： C 0℃至70℃， I -40℃至85℃， M -55℃至125℃6．工艺：空白标准/883 Mil-Std-883, 完全符合B级B Mil-Std-883，不符合B级BB 产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B4 7 81．前缀：ADC A/D转换器MPY 乘法器ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2．器件型号3．一般说明：A 改进参数性能 L 锁定Z + 12V电源工作 HT 宽温度范围4．温度范围：H、J、K、L 0℃至70℃A、B、C -25℃至85 ℃R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式：L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插M 密封金属管帽 G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体 U 微型封装P 塑封双列直插6．筛选等级： Q 高可靠性 QM 高可靠性，军用7．输入编码：CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8．输出： V 电压输出 I 电流输出CYPRESS 产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀： CY Cypress公司产品， CYM 模块， VIC VME总线2．器件型号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM7C404 FIFO 7C9101 微处理器3．速度：A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列 U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装D 陶瓷双列直插 W 带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装 X 芯片G 针阵列 Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体 PF 塑料扁平单列直插P 塑料 PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插R 带窗口的针阵列 E 自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装 5．温度范围：C 民用（0℃至70℃）I 工业用（-40℃至85℃）M 军谩（-55℃至125℃）6．工艺： B 高可靠性HITACHI 常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41．前缀：HA 模拟电路 HB 存储器模块HD 数字电路 HL 光电器件（激光二极管/LED）HM 存储器（RAM） HR光电器件（光纤）HN 存储器（NVM）PF RF功率放大器HG 专用集成电路2．器件型号3．改进类型4．封装形式：P 塑料双列 PG 针阵列C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插SO 微型封装INTERSIL 产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61．前缀： D 混合驱动器 G 混合多路FETICL 线性电路 ICM 钟表电路IH 混合/模拟门 IM 存储器AD 模拟器件 DG 模拟开关DGM 单片模拟开关 ICH 混合电路MM 高压开关 NE/SE SIC产品2．器件型号3．电性能选择4．温度范围：A -55℃至125℃，B -20℃至85℃，C 0℃至70℃ I -40℃至125℃，M -55℃至125℃5．封装形式：A TO-237型 L 无引线陶瓷芯片载体B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插C TO-220型 S TO-52型D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型E TO-8微型封装 U TO-72、TO-18、TO-71型F 陶瓷扁平封装V TO-39型H TO- 66型 Z TO-92型I 16脚密封双列直插 /W 大圆片J 陶瓷双列直插/D 芯片K T O-3型 Q 2引线金属管帽6．管脚数：A 8，B 10，C 12，D 14，E 16，F 22，G 24，H 42， I 28， J 32， K 35， L 40， M 48， N 18，P 20， Q 2， R 3， S 4， T 6， U 7，V 8（引线间距0.2""，绝缘外壳）W 10（引线间距0.23""，绝缘外壳）Y 8（引线间距0.2""，4脚接外壳）Z 10（引线间距0.23""，5脚接外壳）NEC 常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41．前缀2．产品类型：A 混合元件 B 双极数字电路，C 双极模拟电路D 单极型数字电路3．器件型号：4．封装形式：A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体C 塑封双列 V 立式的双列直插封装D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插MICROCHIP 产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 5 61. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号（类型）：C CMOS电路 CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROMLV 低电压 F 快闪可编程存储器HC 高速CMOS FR FLEX ROM3．改进类型或选择4．速度标示：-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示：LP 小功率晶体，RC 电阻电容，XT 标季/振荡器HS 高速晶体频率标示：-20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ， -16 16MHZ-20 20MHZ，-25 25MHZ，-33 33MHZ 5．温度范围：空白0℃至70℃，I -45℃至85℃， E -40℃至125℃ 6．封装形式：L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mmSP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST 产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51．产品系列：74AC/ACT 先进CMOSHCF4XXX M74HC 高速CMOS2．序列号3．速度4．封装： BIR，BEY 陶瓷双列直插M，MIR 塑料微型封装5．温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71．系列：ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROM S28 EEPROMTS29 EEPROM2．技术：空白…NMOS C…CMOS L…小功率3．序列号4．封装：C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5．速度6．温度：空白0℃~70℃ E -25℃~70℃V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7．质量等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81．系列：27…EPROM 87…EPROM锁存2．类型：空白…NMOS，C…CMOS，V…小功率3．容量：64…64K位（X8）256…256K位（X8）512…512K位（X8）1001…1M位（X8）101…1M位（X8）低电压1024…1M位（X8）2001…2M位（X8）201…2M位（X8）低电压4001…4M位（X8）401…4M位（X8）低电压4002…4M位（X16）801…4M位（X8）161…16M位（X8/16）可选择160…16M位（X8/16） 4．改进等级5．电压范围：空白 5V +10%Vcc， X 5V +10%Vcc6．速度：55 55n，60 60ns，70 70ns，80 80ns90 90ns，100/10 100 n120/12 120 ns，150/15 150 ns200/20 200 ns，250/25 250 ns7．封装：F 陶瓷双列直插（窗口）L 无引线芯片载体（窗口）B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准）M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体（低电压）8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101．电源2．类型： F 5V +10%， V 3.3V +0.3V3．容量： 1 1M， 2 2M， 3 3M，8 8M，16 16M4．擦除：0 大容量 1 顶部启动逻辑块2 启动逻辑块 4 扇区5．结构：0 ×8/×16可选择， 1 仅×8， 2 仅×166．改型：空白 A7．Vcc：空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns，90 90ns100 100ns，120 120ns，150 150ns，200 200ns 9．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装，双列直插C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插10．温度：1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 71．器件系列： 29 快闪2．类型： F 5V单电源V 3.3单电源3．容量：100T （128K×8.64K×16）顶部块，100B （128K×8.64K×16）底部块200T （256K×8.64K×16）顶部块，200B （256K×8.64K×16）底部块400T （512K×8.64K×16）顶部块，400B （512K×8.64K×16）底部块040 （12K×8）扇区，080 （1M×8）扇区016 （2M×8）扇区4．Vcc：空白 5V+10%Vcc， X +5%Vcc5．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns90 90ns， 120 120ns6．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插 7．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61．器件系列：24 12C ，25 12C（低电压），93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2．类型/工艺：C CMOS（EEPROM） E 扩展I C总线W 写保护士 CS 写保护（微导线）P SPI总线V 低电压（EEPROM）3．容量：01 1K 02 2K，04 4K，08 8K16 16K，32 32K， 64 64K4．改型：空白 A、 B、 C、 D5．封装：B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6．温度：1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61．前缀2．系列： 62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3．版本：空白 ROM T OTP（PROM）R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4．序列号5．封装：B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装 6．温度范围：1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃XICOR 产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪 X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81．前缀2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装F 扁平封装S 微型封装J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装K 针振列 V 薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X 模块M 公∑微型封装 Y 新型卡式4．温度范围：空白标准， B B级（MIL-STD-883），E -20℃至85℃I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．工艺等级：空白标准， B B级（MIL-STD-883）6．存取时间（仅限EEPROM和NOVRAM）：20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至5.5V，-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至5.5V，-1.8 1.8V至5.5V 7．端到末端电阻：Z 1KΩ，Y 2KΩ，W 10KΩ，U 50KΩ，T 100KΩ 8． Vcc限制：空白 1.8V至3.6V，-5 4.5V至5.5VZILOG 产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71．前缀2．器件型号3．速度：空白 2.5MHz， A 4.0MHz， B 6.0MHzH 8.0MHz，L 低功耗的，直接用数字标示4．封装形式：A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插，带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体 5．温度范围：E -40℃至100℃， M -55℃至125℃，S 0℃至70 ℃6．环境试验过程：A 应力密封，B 军品级，C 塑料标准，D 应力塑料，E 密封标准。

IC，半导体，芯片三者之间有什么区别

IC，半导体，芯片三者之间有什么区别一、什么是芯片芯片，又称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、集成电路（integrated circuit，IC），是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。

芯片（chip）就是半导体元件产品的统称，是集成电路（IC， integrated circuit）的载体，由晶圆分割而成。

硅片是一块很小的硅，内含集成电路，它是计算机或者其他电子设备的一部分。

二、什么是半导体半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。

如二极管就是采用半导体制作的器件。

半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。

无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。

常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等。

我们通常把导电性差的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。

而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。

可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。

半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。

如二极管就是采用半导体制作的器件。

半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。

无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。

常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

IC的名词解释计算机

IC的名词解释计算机计算机是一种用于进行数据处理和存储的设备，具有前所未有的计算能力，对人类社会产生了深远的影响。

而IC（Integrated Circuit，集成电路）则是计算机中不可或缺的重要组成部分之一。

本文将深入探讨IC的概念、作用和发展对计算机领域的影响。

概念IC，即集成电路，是一种微小电子装置的集合，它将多个互相关联的电子元件（比如晶体管、电容和电感等）以及相应的电子电路集成在一个芯片上。

与传统电路相比，IC具有体积小、功耗低、性能高和可靠性强等优势。

作用IC作为计算机的重要组成部件之一，发挥着关键的作用。

它通过集成了大量的电子元件和电子电路，实现了计算机的各种功能。

无论是控制中央处理器(CPU)运行的微处理器，还是存储数据的内存芯片，亦或是执行特定功能的专用芯片，都是基于IC技术实现的。

另外，IC在通信领域也发挥着重要作用。

手机、无线网络、卫星通信等现代通信技术都离不开IC的应用。

IC提供了更高效的信号处理能力和更稳定的通信性能，为通信技术的发展提供了有力支持。

发展IC的发展经历了长时间的积累和演进。

1958年，美国的杰克·基尔比率先提出了IC的概念，标志着IC的诞生。

之后，随着技术的不断进步，IC从最初的简单功能逐渐发展到多功能和高集成度的阶段。

到20世纪60年代，集成度越来越高，IC已经能够承载更多的功能，例如存储芯片、显示控制芯片等。

随着时间的推移，IC在计算机行业的应用越来越广泛。

1985年，英特尔推出了第一款x86架构的微处理器，开创了个人计算机时代。

而在通信领域，IC的进步也极大地推动了移动通信的快速发展。

未来展望随着技术的不断创新和突破，IC仍然在不断发展。

目前，人工智能、物联网、云计算等新兴的技术领域对IC提出了更高的要求。

例如，人工智能芯片要求集成更多的处理单元和更强大的计算能力；物联网芯片要求功耗更低、传输速度更快。

为了满足这些需求，研究人员正积极探索新的IC制造工艺和材料。

IC测试原理解析(1-4)

IC测试原理解析(第一部分)第一章数字集成电路测试的基本原理第一节不同测试目标的考虑•CMOS•NMOS•Others通常的测试项目种类:•功能测试：真值表，算法向量生成。

•直流参数测试：开路/短路测试，输出驱动电流测试，漏电电源测试，电源电流测试，转换电平测试等。

•交流参数测试：传输延迟测试，建立保持时间测试，功能速度测试，存取时间测试，刷新/等待时间测试，上升/下降时间测试。

第二节直流参数测试直流测试是基于欧姆定律的用来确定器件电参数的稳态测试方法。

比如，漏电流测试就是在输入管脚施加电压，这使输入管脚与电源或地之间的电阻上有电流通过，然后测量其该管脚电流的测试。

输出驱动电流测试就是在输出管脚上施加一定电流，然后测量该管脚与地或电源之间的电压差。

通常的DC测试包括:•接触测试（短路-开路）：这项测试保证测试接口与器件正常连接。

接触测试通过测量输入输出管脚上保护二极管的自然压降来确定连接性。

二级管上如果施加一个适当的正向偏置电流，二级管的压降将是0.7V左右，因此接触测试就可以由以下步骤来完成：1.所有管脚设为0V，2.待测管脚上施加正向偏置电流”I”，3.测量由”I”引起的电压，4.如果该电压小于0.1V，说明管脚短路，5.如果电压大于1.0V，说明该管脚开路，6.如果电压在0.1V和1.0V之间，说明该管脚正常连接。

•漏电（IIL,IIH,IOZ）：理想条件下，可以认为输入及三态输出管脚和地之间是开路的。

但实际情况，它们之间为高电阻状态。

它们之间的最大的电流就称为漏电流，或分别称为输入漏电流和输出三态漏电流。

漏电流一般是由于器件内部和输入管脚之间的绝缘氧化膜在生产过程中太薄引起的，形成一种类似于短路的情形，导致电流通过。

•三态输出漏电IOZ是当管脚状态为输出高阻状态时，在输出管脚使用VCC（VDD）或GND（VSS）驱动时测量得到的电流。

三态输出漏电流的测试和输入漏电测试类似，不同的是待测器件必须被设置为三态输出状态•转换电平(VIL，VIH)。

ic财务概念

ic财务概念
IC 财务概念，这可不是个能轻易被忽视的东西哟！
你知道吗，IC 财务就像是我们生活中的一场精心策划的旅行。

你得先搞清楚自己有多少“盘缠”，也就是资金，这就好比你出门前得清楚
兜里有多少钱。

然后呢，还得规划好每一笔钱怎么花，是用来买机票，还是住豪华酒店，或者是品尝当地美食。

IC 财务中的成本核算，那可太重要啦！这就像你在菜市场买菜，得清楚每种菜的价格，不然怎么知道自己花得值不值呢？比如说，生产
一个IC 产品，原材料要多少钱，工人工资要多少，设备损耗又是多少。

要是算不清楚，那不就像蒙着眼睛走路，能不摔跤吗？
再说说预算管理，这就好比给自己的未来画个蓝图。

你得提前想好，接下来要做多大的项目，需要多少资金支持。

要是没有预算，那不是
瞎折腾嘛，就像建房子不打地基，能稳当吗？
还有风险管理，这可像是为你的财务之旅准备一把保护伞。

市场变
化无常，万一原材料价格突然飙升，或者产品卖不出去，那可怎么办？这时候就得提前想好应对策略，不然就像在暴风雨中没有遮风挡雨的
地方，不得被淋成落汤鸡呀！
利润分析也是 IC 财务中的关键一环。

你得知道自己赚了多少，是
赚得盆满钵满，还是只能勉强维持生计。

这就像农民秋收的时候，得
看看地里的庄稼收成咋样，是丰收还是歉收。

总之，IC 财务可不是什么简单的事儿，它需要我们精打细算，步步为营。

如果不重视它，那企业就可能像一艘没有方向的船，在茫茫大海中迷失方向。

所以呀，咱们可得把 IC 财务这门学问好好琢磨琢磨，让企业的财务状况健康稳定，一路向前！这难道不是至关重要的吗？。

免疫复合物(Immune Complexes,IC)的检测(1)

免疫复合物(Immune Complexes,IC)的检测（1）免疫复合物在体内存在有两种方式，一是存在于血液中的循环免疫复合物（CIC），一是组织中固定的免疫复合物。

免疫复合物的检测技术可分为抗原特异性方法和非抗原特异性方法。

在大多数情况下，免疫复合物中的抗原性质不太清楚或非常复杂，所以抗原特异性方法并不常用。

一、循环免疫复合物的检测根据免疫复合物的物理学、免疫学和生物学特性，已经设计出很多检测CIC的方法（表1）。

表1 循环免疫复合物的常用检测方法类别原理方法敏感性备注物理法分子大小1、超速离心——适于研究2、分子超滤——适于研究3、凝胶过滤30μg适于研究溶解度1、PEG沉淀20μg粗定量，易推广2、冷沉淀——定性，临床应用补体法固定补体，结合C1q 抗补体试验0.1μg常用，特异性差1、C1q凝胶沉淀试验100μg定性，不易普及2、C1q偏离试验4μg不易普及3、液相法10μg不易普及4、固相法1μg不易普及胶固素胶固素结合试验3μg敏感，稳定抗Ig法结合RF1、RF凝胶沉淀试验100G定性，不敏感2、mRF固相抑制试验1～20μg不易普及3、PRF凝集抑制试验1～10μg不易普及结合Ig抗抗体法2～3μg不易普及细胞法Fc受体1、血小板凝集试验1～4μg需新鲜制备2、ADCC抑制试验5～10μg细胞活性质控难3、Mφ吞噬抑制试验0.03μg细胞活性质控难补体受体1、Raji细胞法6μg需维持细胞株2、花环抑制试验10μg影响因素多（一）物理测定法1、聚乙二醇法聚乙二醇（PEG）是乙二醇聚合而成的无电荷形多糖分子，分子量变化范围较大，常用的分子量是6000。

用3％～4％浓度的P EG可以选择性地将大分子免疫复合物沉淀下来，其作用机制尚不甚清楚。

将PEG溶液与待检血清混合，置4℃冰箱过夜后离心，将沉淀物用P EG溶液充分洗涤，重新溶解于 0.01mol/L的NaOH中，在波长280nm下测量溶液的吸光度；也可利用散射比浊法直接测定PEG沉淀的免疫复合物；以不同浓度的热聚合IgG作为参考标准来计算CIC的含量。