PECVD手动操作
PECVD操作指导书
1.目的确保管式PECVD 处于良好的运行状态。
2.使用范围适用于所有Centrotherm 管式PECVD 。
3.生产操作 3.1开机3.1.1开总电源。
用手扳住电柜外部的红色按钮，旋转90度。
从“OFF ”位置拔向“ON ”位置，机器上指示灯亮VAT 控制器灯亮，可确定总电源已开启。
注意，当机器出现故障，按下急停键后，首先松开急停键，然后将开关逆时针转到Reset 的位置，然后再顺时针转到“ON ”的位置。
机器上指示灯亮VAT 控制器灯亮，可确定总电源已开启。
3.1.2开真空泵。
（1） 合上真空泵电源，按下reset 按钮，start 按钮亮，然后按下start 按钮，pre run 按钮亮，此时真空泵启动，当真空泵运行到正常转速时，vacuum mode 灯亮，此时真空泵完全启动。
3.1.3 检查外围条件。
N2的压力>2.5Kg/2cm ，SiH4的压力约为1.5 Kg/2cm ，NH3的压力约为1.5Kg/2cm ，CDA 的压力为5～7 Kg/2cm 。
炉门处的冷却水流量计>4SLM ，设备炉体区顶部的冷却水流量计>4SLM ，主冷却器>8SLM ，设备尾部的冷却水流量计>4SLM ，射频电源的总冷却水流量计>18SLM.3.2界面操作（1） 启动CMI 程序。
开总电源后计算机自动启动。
输入密码“6065”后自动进入Windows 桌面。
用鼠标左键双击“CMI ”图标，启动CMI 。
（2） 进入CMI 画面，检查设备状态：SLS=UP （舟处于上位） ，DOOR=CLOSED （门处于关紧状态） ，PLC=OK ，LIFT=READY （机械壁必须在零位） ，TUBE=READY （炉管处于准备好状态）SET/ACT POSITION=0（桨处于原点位） ，PROCFLAG=OK （程序标志位OK 状态）3.2.1选择工艺程序，生产。
（1） 插片。
用小车承载石墨舟，在插片房中插满硅片。
48所PECVD操作规程
PECVD（48所）操作规程1.打开各路气体阀门。
包括氮气，CDA以及反应特气。
注意：打开反应特气（硅烷、氨气）时候须小心。
2.打开冷却水管的开关。
先打开出水管，后打开进水管。
即先打开上面4条水管，后打开下面4条水管。
切记顺序不能反，并且注意真空泵组以及设备有无水报警，检查水压。
3.打开电源总开关（在扩散车间），PECVD三相电源指示灯亮。
4.按下控制柜电源“上电”按纽，开启电脑。
5.手动设置工艺温度，然后按下加热“上电”开关，开始加热。
6.戴上工艺要求的手套开始将准备好的硅片放在石墨舟上，然后调整，使片子紧贴石墨舟。
7.待温度升至工艺要求的温度后，把石墨舟放在悬臂杆上.8.进入“PECVD设备计算机工艺自动控制系统V3.0”程序，在“手动”模式下，将悬臂杆降至“下位”归零，然后上升至“上位”单击“工艺编辑”，然后在“工艺编辑”窗口中选择工艺程序文件，将工艺程序各步参数下载到工艺运行缓冲区中。
9.在主窗口中单击“系统图”图标，进入“系统图”窗口。
单击“系统图”窗口工具栏中的“启动”图标，计算机会给出一些提示，逐条检查每一条提示，然后“确定”，即开始工艺运行。
10. 单击“系统图”窗口工具栏中的“自循环”图标。
保证工艺运行到最后一步时间耗尽时，会自动跳转到第1步继续执行，而不会中止工艺运行。
11. 在悬臂杆将石墨舟推入石英管的过程中，密切注意悬臂杆与石墨舟是否会撞到石英管。
并从炉尾处的小窗口观察，高频电源电极和石墨舟电极是否接触良好；悬臂杆后退时候，从炉口观察，是否会把石墨舟带出。
12. 工艺运行中…….，操作员工可准备其它石墨舟的上片工作。
13. 工艺运行至“取片”步，悬臂杆将石墨舟退出来以后，整个工艺运行完毕，计算机会给出一个提示。
将其它上好片子的石墨舟放在悬臂杆上后，单击“确定”即进入下一个工艺循环。
14. 生产结束后，在“手动”模式下关掉炉门，关闭罗茨泵。
按下加热“关”，退出PECVD设备计算机工艺自动控制系统V3.0，关闭电脑，但是不要断掉控制柜的电源。
PECVD工艺原理及操作
烘烤基片
将清洗后的基片进行烘烤 ，去除表面的水分和溶剂 ，使基片表面更加干燥和 清洁。
放置电极
在基片上放置电极，以便 在PECVD工艺中进行电场 驱动和监控。
薄膜制备工艺参数设置
真空度
温度
在一定范围内，提高真空度可以改善薄膜 质量，因为高真空度可以减少气体分子对 薄膜形成过程的干扰。
射频功率
温度对薄膜形成速度和质量有很大影响， 温度过低会导致薄膜不均匀，温度过高则 可能导致薄膜性能下降。
不稳定，影响薄膜质量；微波功率过低则会导致反应速度慢，影响生产
效率。因此，需要选择合适的微波功率。
设备改进方案及实施计划
升级反应室材料
目前使用的反应室材料存在一些问题，如耐高温性能不足、抗腐蚀性能差等。因此，建议 升级反应室材料，以提高其性能和稳定性。具体实施计划包括选择合适的材料、进行材料 加工和装配等。
增加冷却系统
为了降低设备运行温度和减少故障率，建议增加冷却系统。具体实施计划包括设计冷却系 统、选择合适的冷却液等。
改进进样系统
目前使用的进样系统存在一些问题，如进样速度慢、进样精度低等。因此，建议改进进样 系统，以提高其性能和稳定性。具体实施计划包括设计新的进样系统、进行设备调试等。
工艺材料改进方案及实施计划
控。
基片材质
基片材质对PECVD工艺中的化学 反应和薄膜附着力有重要影响。选 择合适的基片材质可以提高薄膜质 量和附着力。
工艺参数稳定性
工艺参数稳定性对薄膜质量有很大 影响。保持工艺参数稳定可以减少 薄膜缺陷和提高薄膜质量。
04
PECVD工艺优化及改进
工艺参数优化建议
01
优化反应温度
降低反应温度可以减少薄膜中的缺陷和杂质，提高薄膜质量。同时，适
PECVD真空泵参数设置操作
ADS602真空泵主要参数设置1）长按control 键，当显示屏上出现*时，说明手持控制器可控制真空泵。
2）按enter键，使系统初始化，按START开泵，确定泵的正反转。
3）按enter键，确认密码，出厂值为0。
4）按set键，进入菜单，按+键直到滚到setting栏按enter键确认。
Date/time时间设置。
Purge warning 氮气吹扫报警值，设为40，按+键进入ADP temperature泵的工作温度，设为100。
其它参数不用改。
按set键，再按+键，选definition(定义菜单) Language 语言选择选english system select 泵的型号选ADS602。
5）干泵加油：上面是罗茨泵，2处加油：打开上面板的网格，罗茨泵齿轮箱加油（0.45L）侧面是电机端加油(0.25L) 原装一桶是0.4L下面是干泵(ADP) 侧面是电机端加油(0.35L)6)泵的4个关键参数:A)ADP的功率少于2000WB)排气压力大于1200---1300mbarC)ADP 工作温度: 90℃—100℃D)N2流量报警值:50SLM7)对冷却水和N2吹扫的要求:A)水压2 bar---6bar (kg) 进水与出水压差是2kgB)冷却水温度10-25℃C)N2压力要达到3bar—7bar8)出差信息:W09/D09a)电源电压不配b)变压器TR1和M4之间的接线问题c)变压器TR1的故障.W03/D03 (motor power)a)电机转向不正确b)瓦特计W1故障.c)电控箱M4故障d)内部接线问题e)功率报警值设置不正确f)干泵机械故障g)排气管堵塞.W08 ( wator Flow )a)冷却水不够W13/D13 (N2 Flow)a)氮气供应不足b)氮气报警值设置不正确W15/D15a) 干泵温度过高.(冷确水流量不足) W01/D01a)排气管道堵塞b)氮气流量设置不正确(太大)W32 /W31/W30/W29 ADP提示:要做保养了.。
^PECVD设备操作规程^
^PECVD设备操作规程^PECVD设备操作规程1(开机1.1 打开主氮气阀门(4-6bar)、主压缩空气阀门(5-7bar)、冷却水(2-4bar)、打开特气并确认。
1.2 确认六个红色急停按钮在正常位置状态。
1.3 打开主控制柜上的电源开关,打开电脑,此时电脑进入WINDOW操作界面。
1.4 自动进入软件程序。
1.5 作业员登录,输入名字和口令。
1.6 再次检查上式1.1项正常后,按F9。
1.7 在所有的门和盖子都关闭的情况下,在“system(系统)”状态下按“pu mps(真空泵)”按钮，先按中间的“evacuate(抽真空)”按钮，再按另外两个“evacuate”此时真空泵打开。
1.8 按“process chamber(工艺腔)”按钮，点“parameters(参数)”对加热“2”和加热“3”进行温度设定，设定“400”度，按“save”保存。
1.9 等待加热“2”和加热“3”达到设定的温度。
1.10 当加热“2”和加热“3”的温度达到设定的温度时进行工艺运行。
按“control(控制)”选择要加载的工艺名后(目前使用的预热工艺方案是“process prheating”),按“load(加载)”再按“start(开始)”，此时传输系统打开。
生产前，每次载板预热2次，载板预热结束后，点击停止，停止预热方案。
Test 01-25-07 low gas flow), 按“load1.11 选择生产工艺方案:点击工艺腔，选择工艺方案 ((加载)”再按“start(开始)”，待显示，工艺正在运行时，在传输台上放上预热过的载板。
(备注:开始工艺时，Test 01-25-07 low gas flow 下显示为:“等待温度达到设定值”------ “打开特气”------“打开微波源”------“工艺正在运行” )1.12 当硅片全部放入石墨框里的时候，同时按下传送台上的黑色按钮，石墨筐进入腔里进行镀膜。
PECVD工艺原理及操作
PECVD工艺原理及操作PECVD（Plasma enhanced chemical vapor deposition）是一种常用的化学气相沉积（CVD）技术。
其原理是在气相条件下，将所需的材料沉积到基板上，通过离子处理气体形成低能量等离子体，从而促进材料的沉积。
1.气体混合：将沉积材料的前体气体和携带离子的气体混合在一起。
前体气体会分解形成可沉积材料，携带离子的气体则会通过离子助推器产生等离子体。
2.等离子体生成：混合气体进入到反应室，通过加热和放电等方法，激发气体产生等离子体。
等离子体可以通过碰撞和电场加速等作用，激活、分解和重新组合气体分子，形成可沉积的材料。
3.材料沉积：等离子体中的活性物种与基板表面发生反应，沉积成薄膜。
反应过程通常涉及的反应类型有：氧化、硝化、碳化、氮化以及聚合等反应。
4.控制沉积速率：PECVD工艺中可以通过控制沉积材料的浓度、气体流量、反应温度和反应时间等参数，来调节薄膜的厚度和生长速率。
1.准备基板：选择适当材料制备基板，并进行必要的清洗和表面处理，以提供更好的薄膜附着性能。
2.载入基板：将基板放置在PECVD反应室中，并确保其与反应室壁保持一定的距离，以避免基板受到过多的电子轰击或损坏。
3.气体进料：根据所需的薄膜材料，选择合适的前体气体，并将其与携带离子的气体混合。
通过控制进气流量和组分比例，使气体在反应室中均匀混合。
4.产生等离子体：通过加热、放电或高频电源等方式激发混合气体产生等离子体。
通过调节参数，如加热功率、电压、频率等来控制等离子体的大小和活性。
5.材料沉积：等离子体中的活性物种与基板表面反应，形成薄膜。
通过调节反应参数的时间，控制沉积速率和薄膜厚度。
6.完成沉积：反应时间到达后，停止进料，并将反应室中的气体排出。
等离子体消失后，取出沉积好的基板。
1.温度低：PECVD工艺可以在相对较低的温度下进行，避免了对基板的热应力和退火效应。
2.厚度均匀：PECVD工艺可以在大面积基板上实现均匀的材料沉积，产生薄膜的厚度均匀性较好。
PECVD操作流程
1.打开水箱和氩气：开水箱时，依次打开open，开关1，开关2。
开氩气（起保护作用）时，先旋转逆时针打开主阀，观察压力表检查瓶中是否有气。
注意顺时针打开打开减压阀，气流指示针为0.5.2.开PECVD和磁控电源开关。
3.清洗腔体并装入样本若有真空保护，需要打开空气进气阀使腔体的压强恢复到正常大气压105Pa。
若没有，则打开腔体，然后用纱布擦拭，并用吸尘器吸净。
样本需要先清洗、压平，然后才能放入腔体中。
若样本太轻，需要黏住。
如铜，要粗糙面向上，容易附着，便于薄膜生长。
然后封闭腔体。
4.打开机械泵：先打开机械泵开关和蝶阀开关。
然后先缓慢打开角阀V5，待压强显示数不变时，继续拧角阀V5..直到示数为200Pa 左右。
打开罗茨泵，调节角阀，是腔体内压强为10Pa左右，对腔体起清洗保护作用。
5.打开流量计和射频源开关：射频源提前打开是为了进行预热。
开流量计和气路模拟开关。
6.打开气路阀：抽净管道和流量计。
逐步对各个部分抽气。
7.打开硅烷SiH4，操作和开氩气流程一样，但硅烷主阀开5～20S即够我们实验用的量，随后关闭主阀，并使气流指示针显示到0.2.8.调节流量计，使硅烷和氩气的比例为1:10左右。
实验过程中要使这个比例数尽量保持不变。
调节射频匹配器，起辉。
使板压粗调和微调为 5.记录初始反应压强和时间。
时间约为10分钟。
9.先关硅烷和射频源电源，再通氩气3min，然后打开角阀，抽气5min。
关角阀，蝶阀，罗茨泵，机械泵。
10.缓慢放入空气，使得腔体达到大气压强，拿出实验样本。
打开机械泵，调节角阀，使腔体的压强为200Pa左右，为真空保护。
11.关闭角阀，蝶阀，机械泵。
先关PECVD电源开关，然后关磁控溅射开关。
关闭水箱和氩气。
管式PECVD操作规程
管式PECVD操作规程
一、开机
1、打开冷却水（先开出水阀，再开进水阀）、压缩空气、N
2、特气（SiH4、NH3）开关。
将冷却水压力计调至5～6公斤；N2压力计调为2～3bar；特气压力计调为1～2bar；
2、打开设备侧面红色旋转式电源开关，打开位于真空泵正上方的黑色旋钮电源开关，绿色指示灯为开关已打开；
3、打开电脑电源，正常显示为“on line”的状态。
启动触摸屏。
打开相对应的加热开关，和24V电源控制开关；
4、打开CESAR控制开关，检查每根炉管的状态，将炉管温度设置为450℃；
5、待炉管内的温度高于400℃时，即可以进行正常生产。
二、关机
1、降温，确保每根炉管的温度降至100℃以下，将炉管内的压力设置为最小，打开大氮开关，向炉管内充气，当压力大于1000mbar时，关闭大氮阀门；
2、关闭特气阀门，氮气阀门。
关闭真空泵，关闭CESAR；
3、关闭总电源，真空泵电源，冷却水（先关进水阀，再关出水阀）；
4、清理工作场地。
三、注意
1、机械臂运行时严禁开门。
2、设备运行时禁止打开侧面盖板。
3、设备运行时，不要阻挡所有光电感应器，以防误动作。
4、设备运行时禁止接触电控柜中的元器件，避免电击和烫伤。
5、检修、维修设备时必须关闭总电源，冷却设备，防止烫伤。
PECVED基本操作
进入CMI 画面，检查设备状态：
SLS=UP ，DOOR=CLOSED ，PLC=OK ，LIFT=READY ， TUBE=READY ，TGA FREE=YES SET/ACT POSITION=0 ，PROCFLAG=OK
选择工艺程序，生产。
PECVD关机
检查确认生产已完毕。机器中舟已卸出。 PECVD每个真空管压力设定为10000mToor,等每管实 际压力达到10000mToor。 关闭CMI程序。再关计算机。 关主电源。用手扳住电柜外部的红色按钮，逆时针方向 转90度。 关闭气源。注意：除N2外关闭所有气体。 关闭冷却水。等待二十分钟后关闭冷却水。先关进水， 再关出水。 关闭真空泵。按压真空泵面板“OFF”按钮停泵。等待 20分钟后关闭冷却水和N2阀
设备维护
运行Pump .PRZ工艺文件。 在System中输入工序长的权限后，将温度降到 25度。 在降温的同时，准备：高温手套、吸尘器、石英 钩、石英管、防护眼镜、酒精、抹布等。 待温度降至25度后，把桨的位置设定到10的位置， 管门自动打开。 戴上高温手套、防护眼镜、用石英钩将管内的碎 片钩到管口。
工艺结束（镀 膜结束）
开门退舟（设 备自动运行）
待报警后，按 退车按钮退车
把装有石墨舟的小车推 到冷却房内进行冷却
把放满的承载盒拿到丝 网上料，准备进行印刷
卸片结束后，放入 指定的承载盒内
开始卸片。注意 工艺点的一致性
冷却结束后，把小 车推到插片房内
石英吸笔的做法
取一石英吸笔用锉刀从笔颈的中间的位置锉几下。 手指握住被锉部位的两端，微用力便可以将吸盘和笔 尾分开。 取出6毫米的软管，长约6—8厘米即可 。 以笔尾及吸盘上的孔为参照对象，将笔尾上的孔向上， 吸盘上的孔向下，用软管充分连接。 取出海绵做好的吸笔头粘在吸盘上，完成吸笔的制作。
PECVD操作规程
PECVD操作规程1.目的为规范PECVD操作流程，正确的操作设备、高效的进行生产，特制定本规程。
2.适用范围上海超日太阳能科技发展有限公司辖区内的PECVD淀积车间。
3.职责3.1操作不规范可能引起原材料硅片的损耗，在进行操作之前，务必仔细阅读本规程。
3.2熟练掌握每道操作步骤。
4. 定义4.1PECVD间只负责按规程操作，更改数据需技术部授权。
5. 程序5.1 开启设备抽风系统电源。
5.2 向设备部确认SiH4和NH3的供气系统及SiH4燃烧塔已开启。
5.3 打开分气箱中的SiH4气体的阀门和NH3气体的阀门，开始向设备供气，调节压力控制阀来控制所需压力。
5.3 开启电控柜中PECVD总电源，开始向设备供电。
5.4打开冰水机电源，检查温度控制器的显示温度是否正常，打开制冷开关，打开冷液泵，开始向系统提供冷却水。
5.5 打开真空泵电源开关。
5.5 在各项检查确认无误后整机开始通电，按下“上电开”按钮，按下“加热开”按钮，炉体开始加热，通过温度控制器的设定温度控制所需要的温度，。
在运行过程中报警器鸣叫，可能是停水、超温或断偶其中之一，故障解除后即停止鸣叫。
5.6 待显示温度达到设定温度时即可进行生产，将插满硅片的石墨舟放置在悬臂桨上，双击桌面上的“PECVD计算机工艺自动控制系统”快捷键，在登陆界面密码框中输入“SA”，即进入控制系统。
5.7点击屏幕左上角的“编辑”按钮来选取工艺执行文件。
5.8 点击“启动”→点击“确定”→点击“自循环”→点击“加锁”，系统按程序自动运行。
5.9 在运行过程中，要时刻观察操作界面各运行参数是否正常，出舟后，稍作冷却，然后将石墨舟取下，放上第二只石墨舟点击“确定”，即可进行第二次循环操作。
5.10 操作结束后，先关闭特气供气阀门，将空的石墨舟送入炉体内，炉内抽至真空。
5.11 关机时先按下“加热关”按钮，退出“PECVD计算机工艺自动控制系统”界面，关闭真空泵，等显示温度低于250℃时方可关闭冷却循环水,最后按下“上电关”按钮，切断总电源。
PECVD操作规程
一、目的规范设备操作保证产品质量，防止错误操作造成人身安全、产品质量和设备安全等不良后果特制定此规程。
二、范围本规程规定了M8Z200-3UM卧式等离子增强化学气相淀积设备。
ADS602H真空泵及高频仪的操作方法、工艺要求及注意事项。
本规程适用于M8Z200-3UM卧式等离子增强化学气相淀积设备。
ADS602H真空泵及高频仪设备的运行和产品判定。
三、工具石墨舟，石英吸笔，石墨舟钩子，万用表，承载盒，海绵垫，硅片托垫，手电筒，石英吸笔吸盘垫片。
四、设备M8Z200-3UM卧式等离子增强化学气相淀积设备五、原辅材料硅片，硅烷、氨气，氮气，酒精，棉布手套，乳胶手套六、操作要求准备工作1、上班时穿好防静电净化服，工作鞋，按要求戴好口罩，棉布手套和乳胶手套。
2、接班时要确认上个班及当前运行工艺、设备状况、片源等有利于当班正常生产的各种信息。
3、准备A.准备拿片（拿放石墨舟和硅片应轻拿轻放，防止碰撞，不能裸手操作以防污染）。
B.将石墨舟工作台将装片工作台拉至平面并用专用钩子提到工作台上，石墨舟脚必须卡到两侧定位硅胶棒外。
C.打开石英吸管所用压缩空气,调至适用压力。
D.检查石英吸管吸盘垫片是否污染,如污染应更换。
E.从传递窗中拿出工艺流程卡核对数目是否相符, 若不相符应与上一道工序协调。
F.边缘一排轻轻往内推一点，拿住装片花蓝边缘，慢慢取出放到手推车上，拿完一批后将空花蓝整齐放入传递窗中关掉传递窗。
取片时应注意防止与相邻花蓝擦刮造成跌落。
G.双手将手推车轻推至装片工作台旁，将装有硅片的花蓝放到准备插片的石墨舟旁。
4、装片A. 装片前用手扶住石墨舟上将装片工作台倾斜至自身装片方向。
B. 插片时注意花蓝开口方向为扩散面，片掉落不清楚时可用万用表欧姆档测试两面电阻，电阻值小的一面为扩散面。
C. 左手轻轻托起花蓝底部，右手拿住石英吸笔用食指或拇指压住吸笔控制孔，吸盘靠住硅片扩散面，将硅片从花蓝中取出，检查表面，有绒面不良的应返工。
PECVD操作规程1
PECVD设备操作作业指导书1.目的确保一次PECVD设备处于良好的运行状态。
2.适用范围PECVD设备操作及保养。
3.参考设备管理程序。
4.责任本规程由设备及工艺工程师负责制定，生产部PECVD员工负责日常的生产操作。
5 内容5.1操作顺序开机前确认水、电、气正常，具体解释为：水：冷却循环水压力（压差）达到0.2~0.4Mpa，电：符合说明书中设备规定的标准；气：包括氮气、硅烷、氨气、压缩空气；开启硅烷瓶阀门，检查压力表低压端压力指示处于0.1~0.2Mpa；开启氨气瓶阀门，检查压力表低压端压力指示处于0.4~0.5Mpa；开启气源柜内硅烷和氨气阀门；对于氮气和压缩空气，由于在设备停机后并不关闭，只要检查压力正常即可，氮气压力为0.2~0.3Mpa，压缩空气为0.5Mpa。
检查正常后可以合上墙上总电源。
注意此时设备部分地方已经带电，请注意安全。
5.2非连续性生产5.2.1按下控制面板的“上电开”按钮，计算机将自动启动；按下“加热开”按钮；5.2.2进入计算机的控制系统，并处于手动模式，将反应管内充氮至常压，打开炉门，检查反应管内有无石墨舟，如果有则必须执行一次“取片”动作，将推舟系统下沉至“升降舟下位”，然后进入自动界面跳转至“取片”步；如果反应管内没有石墨舟，则仍然要对推舟系统进行复位（升降舟中位和上位由旋转编码器定位，无断电保持功能），将推舟系统下沉至“升降舟下位”，在上升至“升降舟上位”，待石墨舟放上推舟杆后进入自动界面，跳转至“送片”，程序将执行正常的工艺步奏。
在运行的过程中应该注意每一步运行是否正常，正常的基本标准是：1慢抽步，主要确认炉门关闭良好，炉口无明显的漏气声音。
慢抽时间约三分钟后压力低于900Pa；主抽步，显示屏上“真空”灯变绿，两分钟后压力低于10Pa；恒温步，同主抽步；恒压步，压力低于300Pa，氨气阀打开，硅烷阀打开，主抽打开；淀积步，高频打开，其它同恒压，注意辉光稳定；抽空步，主抽和慢抽打开；清洗充氮步，充氮阀打开，主抽和满抽打开；充氮步，主抽和慢抽关闭，充氮阀打开，约1.5分钟常压灯亮；取片步，常压灯亮，注意推舟系统全过程，注意石墨舟和石英管的安全性；送片步，常压灯亮，注意推舟系统的全过5.3连续性生产：5.3.1按下控制面板的“上电开”按钮，计算机将自动启动；按下“加热开”按钮；5.3.2保证石英管内无石墨舟，将石墨舟放上后启动自动运行程序，并选择自循环方式，跳转至送片步即可。
pecvd-pecvd
(一) PECVD使用手冊A、事前需知(1)無塵室之逃生門位置及使用方法。
(2)無塵室之呼吸袋及滅火器位置及使用方法。
(3)無塵室內之緊急按鈕。
(4)儀器負責人及保管人: 周勝鴻，葉祐名。
(5)儀器聯絡人員: 葉祐名(6607)，林育德(6623)。
B、準備步驟(1) 確認機台是否運轉中。
(檢查機台狀態告示牌)(2) 檢查pump的狀態。
(檢查螢幕是之pump是否開啟)(3) 檢查Locoal Scrubber是否運作正常。
(燈是否全都是綠色)(4) 檢查二次盤面之氣體是否正常。
C、製程操作(1)開啟PC2000軟體，並登入帳號及密碼。
(帳號及密碼均為user)(2)開啟Load Lock之鈕扣。
(3)點選Load Lock之[Vent]破真空後，置入wafer，所有試片(包含完整6吋晶圓)均需使用承載片。
(4)關上Load Lock，並點選[Evacuate]抽真空。
(待達到真空狀態時，load lock 和pump間之valve會呈關閉狀態，紅色為關，綠色為開)。
(5)點選Process主選單之[Recipe]，先確認左上角之狀態為[Automatic]，若為[manual]或[clean]請聯絡工程師。
(6)在[Recipe]畫面之中間，點選[load]，選擇所需之recipe，若需改recipe內之內容，在recipe內之步驟按左鍵，選擇[Edit]後，進入修改。
只須修改製程所預時間。
(7)Recipe選擇好之後，按[Run]後，即開始製程。
(8)製程結束後，wafer會自動傳回load lock。
(9)打開load lock之鈕扣，點選load lock之[Vent]破真空，拿出wafer。
(10)點選load lock之[Evacuate]抽真空，登出軟體，關螢幕。
注意事項:一、此部PECVD可沈積SiO2,Si3N4,非晶-Si,氮氧化矽。
二、PECVD一般沈積溫度設為300度，此部PECVD最高溫度可達400度。
PECVD手动操作
1：手动设定炉管的压强为大气压MANUAL—VACCUM—TUBE—PRESSURE—MININUM (10000)2:手动充气炉管内没有舟时：MANUAL—GAS—N2NO—OPEN炉管内有舟时：MANUAL—GAS—N2—VOLUME—MAXIMUM (15)3：设定桨的位置MANUAL—BOAT—POSITION—SETPOINT—20(不低于20)4：等炉门打开后MANUAL—GAS—N2NO—CLOSE 或MANUAL—GAS—N2—VOLUME—DEFLAUT(0.5) 5：手动取舟正常情况下手动设定炉管内的压强为大气压MANUAL—VACCUM—TUBE—PRESSURE—MININUM (10000)手动充气MANUAL—GAS—N2—VOLUME—MAXIMUM （15）设定桨的SLS（处于低位才可以进去取舟）没有低于低位时：MANUAL—BOAT—SLS—GODOWN设定桨的位置完全进炉管位置MANUAL—BOAT—POSITION—SETPOINT—MAXIMUM (2082)设定桨的速度MANUAL—BOAT—SPEED—SETPOINT—MAXIMUM (400) （可以设定在0-400之间）设定桨的SLS为UP位置MANUAL—BOAT—SLS—GOUP设定桨的位置为初始位置MANUAL—BOAT—POSITION—SETPOINT—MININUM (0)非常情况下：（如有发现桨在低位时位置设定不了的时候等可以用下面的方法）初始化炉管状态SERVICE—INITDEVS观察设定桨的速度MANUAL—BOAT—SPEED—SETPOINT—MAXIMUM (400 可以设定0-400任何数字) 设定桨的位置使炉门打开MANUAL—BOAT—POSITION—SETPOINT—20设定SLS的位置为低位MANUAL—BOAT—SLS—GODOWN手动推桨至界面显示的实际位置为2082再次初始化炉管状态使SLS为高位SERVICE—INITDEVS设定桨的位置为初始位置MANUAL—BOAT—POSITION—SETPOINT—0观察设定桨的速度MANUAL—BOAT—SPEED—SETPOINT—MAXIMUM (400)升温：MANUAL—T-PADDLE—AULL—SETPINT桨复位：SERVICE—TAB—RECOVERY—HANDLING抽真空：MANUAL—TAB—VACUUM—TUBE—PRESSUVE开泵： --PUMP—SWITCH选工艺：RECIPE—EDIT查看工艺运行情况：POROTOCOL升温速度：MANUAL—T-PADDLE—ALL—RAMP POS。
PECVD-400型等离子辅助化学气相沉积系统操作规程
PECVD-400型等离子辅助化学气相沉积系统操作规程1.首先观察“报警选择”处于报警2.充气：（1）打开普N2瓶上全开总阀，分压阀。
（2）打开浮子流量计。
（3）打开仪器上的普N2充气阀。
有进气声，充满后（进气声停止）同时观察到仪器缝变宽。
3.“报警选择”打到“断水”打开仪器（左侧柜）“总控制电源”同时观察到电源“A”，“B”，“C”灯亮。
4.“报警选择”打到“断水”打开仪器（右侧柜）“总控制电源”同时观察到报警灯闪烁，电源“A”，“B”，“C”灯亮。
5. 升降电机选择“升”，边升边观察钟罩边缘线等。
6. 放样品。
7. 升降电机选择“降”，降钟罩，看边缘对齐。
8. 手动关普N2气瓶总阀，分压阀，浮子流量计和仪器上的N2充气阀。
9. 按下机械泵“启动”，按下罗兹泵“启动”，按下罗兹泵电磁隔断阀Ⅰ，手动开手动蝶阀（转90度使线水平）10. 开左侧柜真空计11. 接通冷却水电源（墙上），启动冷却水，水温小于20 0C(可调)，将左右柜上的“报警选择”都打到“报警”（上档）。
12. 打开分子泵电源“ON”按下Strat启动分子泵，等分子泵读数稳定为400.13. 观察真空计读数低于5Pa。
14. 关手动蝶阀（转90度使线竖直）。
15. 开左侧柜分子泵电磁阀Ⅱ.16. 开手动闸板阀到底再回来（18圈）17. 按下左侧柜“加热”功率限制4点，设定加热温度，再按STEP和△按校准钮选择温度，再按ENT确定。
18. 等待温度稳定，到真空度为5.4*10-4Pa。
19. 打开左侧柜流量显示仪电源到“通”，质量流量计预热，准备通气。
20. 关手动闸板阀，关分子泵，关右侧柜分子泵电磁隔断阀Ⅱ，开手动蝶阀（90度使线水平）。
21. 如果用射频确认“射频线接到仪器上，开射频电源：开灯丝开关，开板压开关，预热3~5分钟，准备通气。
22. 开复合真空计，开下面薄膜真空计。
23. 清洗气路：气瓶拧紧（1）开手动截止阀（开2圈），（2）再开Dci（i=123…6）。
CENTROTHERM PECVD机械手校准步骤
CT PECVD机械手校准步骤
1 先关掉急停，然后关闭CMI系统。
用一根九孔数据线（两头都是母的）连接机械手变频器(OMRON)和CMI COM1端口(变频器右下)。
2 进入C:\programs\centro\tools\TERMINAL.EXE。
双击TERMINAL.EXE后出现对话框，输入HLP后跳出一系列数据后再输入SRO=77500（要量取机械手竖梁黑色底板到机械手黑色横梁下沿间的距离图1.1），拔掉OMRON变频器电源，等待几秒插上电源。
3 手动将机械臂回到初始点（2#管位置）。
关闭对话框，关闭C：\盘。
启动CMI系统，然后打开急停。
机械手可以运动，看机械手取舟和放舟位置是否准确如不准确在重复上述步骤，先输入HLP后跳出一系列数据后再输入SRO=77500行里重新输入量取的数值。
拔掉九孔数据线，插上CMI COMI端口数据线。
测量高度详见如下附图
图
1.1。
老同事日报--pecvd
Reporter:
日期： 2011、06、14
一、今日工作内容：
1
装片操作的学习
当导电玻璃快脱离传送轴时，作业员夹持导电玻璃电流边，将玻璃的电压边对齐工件架上下夹缝，并保证导电玻璃与铝板平行，玻璃面朝向作业员，缓慢的往夹缝里送导电玻璃。当电压边得到工件架夹缝夹固时，作业员再将夹持导电玻璃上端电流边的手把住玻璃悬空的电压边，另一只手仍旧托住玻璃的底部电流边，用掌心推电压边的导电玻璃缓缓地入工件架，要保证正极边统一朝上。
当装好一炉的玻璃后，要调整导电玻璃在工件架内的深度，使电压边距离电极板两侧边的位置一致，大概为2cm，并确定导电玻璃装的位置正确。
用万用表测试导电玻璃放置是否正确，可以把万用表打到电阻档检测激光一相邻两根线间的电阻，若有阻值，说明导电玻璃放置正确。也可以把万用表打到二极管档，当读数有变化时说明放置正确，因为玻璃面不导电。
二、明日工作计划：
1
继续学习PECVD工序方面的知识
四、今日出现问题及解决对策：
1
为什么要在执行工艺的过程中，手动操作先用Ar气吹扫？
用Ar气吹扫的好处有，一是为了更好的抽本底真空；二是为了试启辉，检查电极的情况，防止在生产过程中因电极问题，而停止生产。
2
为什么要在执行工艺的过程中，手动操作用Ar气吹扫完后要先冲入一定量的气体？
因为程序是写好的，冲入气体使压强达到E+003Pa,让生产从机械泵开始进行抽真空。
1、进入手动操作界面，开启机械泵及预抽阀门
2、预抽到500pa时，开启罗茨泵，当抽到5pa时，关闭预抽管路及机械罗茨泵，开启干泵工作阀。
3、打开Ar气阀门，进行吹扫10分钟左右，进行试启辉，查看电极情况。
4、关闭Ar气阀门，往腔室内充气，到E+003Pa
PECVD-350型操作规程
PECVD-350型操作规程设备调试（1）开冷却水，气源（2）真空系统操作及注意事项（按次序）确认设备各操作开关及旋钮都在“关”和“零”位→通水并确认流量及水温→开总“电源”→稍后人机界面进入初始画面→将手动/自动选择开关切换至相应位置→按启动按钮→人机界面进入手动/自动确认画面→按动人机界面确认按钮→人机界面进入真空手动模式/真空自动模式（3）人机界面进入真空手动模式窗口；将PE真空计、PE流量计、分子泵的电源开关置于“开”的状态（4）人机界面进入真空自动模式窗口按动PE抽气系统启动按钮，系统会自动执行真空获得。
当PE真空计高真空单元压力小于5.0×10-3Pa,抽真空完成。
在此窗口，可以转入镀膜操作窗口、停止窗口。
（5）镀膜操作从真空系统手动模式窗口或真空系统自动模式窗口，按动镀膜操作窗口按钮均可进入镀膜窗口。
在此窗口下，关PE电离规→关节流阀→开PE流量计电源→开截止阀2→将对应流量计单元置于清洗→将充气管道残留空气经真空系统抽走→将PE流量计对应单元置于阀控→观察薄膜压力计1的变化，调节对应流量旋钮需要的流量→逆时针将RF电源的调板压旋钮到最低位置→开RF电源开关→按下电源丝开关→等待并预热5-10分钟→按板压开关启动按钮→缓慢顺时针调节板压旋钮至板压到达500V→反复调节批评电容C1，C2→调节板压带所需功率→按板压开关停止按钮（红色按钮），关板压→按一下按钮（橙色按钮），使弹起，关灯丝→关RF电源开关→将PE流量计对应单元的流量旋转至最小→将对应单元的流量置于关闭→关流量控制器→按PE系统镀膜结束，顺序停止旁路阀（6）真空系统停机从抽空手动模式窗口，抽真空自动模式窗口、镀膜操作窗口均进入停机窗口，在此窗口下，关PE真空计电离规→按系统停止按钮系统将执行自动停机，系统将提醒您，直到机械泵停止后→按动返回初始按钮→返回初始窗口→停止按钮系统将全部停止运行→将所有按钮调至最低，将所有开关置于关→关总电源操作注意事项（1）在设备正常运行的情况下，请不要按动按钮，也不要通过此按钮停止系统（2）在设备正常运行的情况下，请不要随意切换手动/自动选择开关，否则可能造成系统停止运行（3）运行时确保水路畅通，水压正常。
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1：手动设定炉管的压强为大气压MANUAL—VACCUM—TUBE—PRESSURE—MININUM (10000)
2:手动充气
炉管内没有舟时：MANUAL—GAS—N2NO—OPEN
炉管内有舟时：MANUAL—GAS—N2—VOLUME—MAXIMUM (15)
3：设定桨的位置
MANUAL—BOAT—POSITION—SETPOINT—20(不低于20)
4：等炉门打开后
MANUAL—GAS—N2NO—CLOSE 或MANUAL—GAS—N2—VOLUME—DEFLAUT(0.5) 5：手动取舟
正常情况下
手动设定炉管内的压强为大气压MANUAL—VACCUM—TUBE—PRESSURE—MININUM (10000)
手动充气
MANUAL—GAS—N2—VOLUME—MAXIMUM （15）
设定桨的SLS（处于低位才可以进去取舟）
没有低于低位时：MANUAL—BOAT—SLS—GODOWN
设定桨的位置完全进炉管位置MANUAL—BOAT—POSITION—SETPOINT—MAXIMUM (2082)
设定桨的速度MANUAL—BOAT—SPEED—SETPOINT—MAXIMUM (400) （可以设定在0-400之间）设定桨的SLS为UP位置
MANUAL—BOAT—SLS—GOUP
设定桨的位置为初始位置MANUAL—BOAT—POSITION—SETPOINT—MININUM (0)
非常情况下：（如有发现桨在低位时位置设定不了的时候等可以用下面的方法）
初始化炉管状态
SERVICE—INITDEVS
观察设定桨的速度MANUAL—BOAT—SPEED—SETPOINT—MAXIMUM (400 可以设定0-400任何数字) 设定桨的位置使炉门打开MANUAL—BOAT—POSITION—SETPOINT—20
设定SLS的位置为低位
MANUAL—BOAT—SLS—GODOWN
手动推桨至界面显示的实际位置为2082
再次初始化炉管状态使SLS为高位
SERVICE—INITDEVS
设定桨的位置为初始位置MANUAL—BOAT—POSITION—SETPOINT—0
观察设定桨的速度MANUAL—BOAT—SPEED—SETPOINT—MAXIMUM (400)
升温：MANUAL—T-PADDLE—AULL—SETPINT
桨复位：SERVICE—TAB—RECOVERY—HANDLING
抽真空：MANUAL—TAB—VACUUM—TUBE—PRESSUVE
开泵： --PUMP—SWITCH
选工艺：RECIPE—EDIT
查看工艺运行情况：POROTOCOL
升温速度：MANUAL—T-PADDLE—ALL—RAMP POS。