16秋西南交《现代电力电子技术》在线作业一
现代电力电子技术作业
三相桥式SPWM逆变电路仿真一、设计的技术指标：直流母线电压输入：650V；输出三相交流相电压：220V；调制方式：SPWM；频率调制比：N=5；幅值调制比为：0.8；二、工作原理三相桥式逆变电路如图所示，图中应用V1-V6作为逆变开关，也可用其它全控型器件构成逆变器，若用晶闸管时，还应有强迫换流电路。
从电路结构上看，如果把三相负载看成三相整流变压器的三个绕组，那么三相桥式逆变电路犹如三相桥式可控整流电路与三相二极管整流电路的反并联，其中可控电路用来实现直流到交流的逆变，不可控电路为感性负载电流提供续流回路，完成无功能量的续流和反馈，因此VD1～VD6称为续流二极管或反馈二极管。
在三相桥式逆变电路中，各管的导通次序同整流电路一样，也是T1、T2、T3……T6、T1……各管的触发信号依次互差60︒。
根据各管的导通时间可以分为180︒导通型和120︒导通型两种工作方式，在180︒导通型的逆变电路中，任意瞬间都有三只管子导通，各管导通时间为180︒，同一桥臂中上下两只管子轮流导通，称为互补管。
在120︒导通型逆变电路中，各管导通120︒，任意瞬间只有不同相的两只管子导通，同一桥臂中的两只管子不是瞬时互补导通，而是有60︒的间隙时间，当某相中没有逆变管导通时，其感性电流经该相中的二极管流通。
上图中的uao`、ubo`与uco`是逆变器输出端a、b、c分别与直流电源中点o`之间的电压，o`点与负载的零点o并不一定是等电位的，uao`等并不代表负载上的相电压。
令负载零点o与直流电源中点o`之间的电压为uoo`，则负载各相的相电压分别为(3-1)将式(3-1)中各式相加并整理后得一般负载三相对称，则uao+ubo+uco=0，故有(3-2)由此可求得a相负载电压为(3-3)在图3.3中绘出了相应的负载a相电压波形，ubo和uco波形与此相似。
三、仿真电路图四、仿真结果图1 一相正弦信号及其采样信号（svpwm）图2 IGBT两相输出间波形图3 三相未滤波波形图4 滤波后三相输出电压（250Hz采样率）图5 滤波后三相输出电压（1kHz采样率）图6 滤波后三相输出电压（5kHz采样率）五、仿真结果分析通过对图4、图5、图6的比较可以发现当采样率越高时逆变输出电压谐波越少。
现代电力电子技术参考答案
现代电力电子技术参考答案（仅供参考）一、解：1、因为该电路为带阻感负载，且所以30=αVU U d 82445302203423422.cos .cos .=⨯⨯== α2、AA R U I d d 582441082445..===所以流过晶闸管的电流的有效值为：A I I d VT742531.≈=3、整理变压器副边相电流的有效值为：A I I d L 43632.==4、晶闸管承受的最大电压为：VU U M 89538220662.≈⨯==5、负载的有用功率P 为：kwR I Pd 87619105824422..=⨯==6、整流电路的功率因数为：82702.cos ==απλ7、负载电压的波形8、绘制晶闸管电压u VT1的波形9、绘制晶闸管电流i VT1的波形10、绘制变压器副边a 相电流i a 的波形ER+-+-VDu DEi Li D i u L+-oI C+-Ci o U u CTG解：设该电路是降压斩波电路1、由题意可得输入电压%1027±=V E 输出电压：VU 150=当V E 32410127.%)(=-⨯=时，占空比620324150..≈==E U D 当VE72910127.%)(=+⨯=时，占空比50729150..≈==E U D 所以占空比D 的变化范围为0.5-0.622、要保证电感电流不断续，应使最小负载电流大于临界负载电流因V U W P 151000==,max且保持不变，所以A U p I 6761510000.max max ≈==因VU W P mxin15100==,所以A U p I o 67015100.min min≈==而临界负载电流)(sD Lf U I oB-=120，其中D 的最小值，即0.5，sf =20KHZ所以mH D I f U L o s 28067010202501151230..).()(min =⨯⨯⨯-⨯=-∙=所以只要电感L 大于mH 280.，即可保证整个工作范围内电感电流连续。
现代电力电子技术作业
第一次作业1、电压型和电流型开关器件的工作原理(1)电压型(MOSFETIGBT):通过在控制端与公共端之间施加一定的电压信号即可实现器件的导通或关断的控制。
实际上是该电压信号在器件的两个主电路端子之间产生可控的电场，进而来改变流过器件的电流大小和通断状态。
MOSFE X作原理：导通条件：漏源电压为正，栅源电压大于开启电压。
关断条件: 漏源极电压为正，栅源极电压小于开启电压。
IGBT X作原理：导通条件：集射极电压为正，栅射极电压大于开启电压；关断条件：栅射极电压小于开启电压。
(2)电流型(SCR GTO GTR :通过在控制端注入或抽出一定的电流实现器件的导通或关断的控制。
SCR工作原理：导通条件：正向阳极电压，正向门极电压；关断条件：必须使阳极电流降低到某一数值之下 (约几十毫安)。
两种强迫关断方式：电流换流和电压换流。
GTC X作原理：与普通晶闸管相同。
开关速度高于普通晶闸管，di/dt承受能力大于晶闸管。
GTF X作原理：导通条件：集射极加正向电压，基极加正向电流；关断条件：基极加负脉冲。
2、二极管的反向击穿机理反向击穿：PN结具有一定的反向耐压能力，但当反向电压过大，超过一定限度，反向电流就会急剧增大，破坏PN结反向偏置为截止的工作状态。
反向击穿按照机理不同分为雪崩击穿、齐纳击穿两种形式。
雪崩击穿：反向电压增大，空间电荷区的电场强度增大，使从中性区漂移进入空间电荷区的载流子被加速获取很高动能，这些高能量、高速载流子撞击晶体点阵原子使其电离(碰撞电离) ，产生新的电子空穴对，新产生的电子与空穴被加速获取能量，产生新的碰撞电离，使载流子迅速成倍增加，即雪崩倍增效应，导致载流子浓度迅速增加，反向电流急剧增大，最终PN结反向击穿。
齐纳击穿：重掺杂浓度的PN结，一般空间电荷区很窄，空间电荷区中的电场因其狭窄而很强，反偏又使空间电荷区中的电场强度增加，空间电荷区中的晶体点阵原子直接被电场电离，使价电子脱离共价键束缚，产生电子空穴对，使反向电流急剧增加。
16秋西南交《电力电子技术基础》在线作业一
B. 正确
正确答案：
10. 相控交交变频电路的负载只能是阻性负载。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
11. 相控交交变频电路换流失败时，会造成交流电源的短路。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
12. 三相逆变电路由3个带无功反馈二极管的全控开关构成。
A. 错误
B. 正确
A. 错误
B. 正确
正确答案：
27. 三相半波可控整流电路又称为三相零式可控整流电路。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
28. 相控整流电路在控制角较大时，功率因素较高，网侧电流谐波含量较小。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
29. 带阻性负载的单相桥式全控整流电路中，触发角为0时，功率因数也为0。
B. 交直变频
C. 交值交变频
D. 直交变频
正确答案：
9. 相控整流电路实现有源逆变的条件有（）
A. 负载侧存在直流电势
B. 直流电势的绝对值大于整流输出电压的绝对值
C. 晶闸管触发角大于90度
D. 晶闸管触发角小于90度
正确答案：
10. 晶闸管触发脉冲的参数有（）
A. 脉冲幅值
正确答案：
13. 从外形进行区分，螺栓式晶闸管的粗辫子线为门极G。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
14. 整流二极管的反向恢复时间很多，小于1微秒。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
15. 单相半桥逆变电路需要1个直流电源。
A. 错误
B. 正确
现代电力电子技术第1次作业
一、单项选择题(只有一个选项正确，共10道小题)1. 在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( )(A) 干扰信号(B) 触发电压信号(C) 触发电流信号(D) 干扰信号和触发信号正确答案：A解答参考：2. 当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )(A) 导通状态(B) 关断状态(C) 饱和状态(D) 不定正确答案：B解答参考：3. 晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（）(A) 阳极电流(B) 门极电流(C) 阳极电流与门极电流之差(D) 阳极电流与门极电流之和正确答案：A解答参考：4. 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )(A) 90°(B) 120°(C) 150°(D) 180°你选择的答案： D [正确]正确答案：D解答参考：5. 单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( )(A) U2(B) U2(C) 2U2(D) U2你选择的答案： B [正确]正确答案：B解答参考：6. 单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( )(A) U2(B) 2U2(C) U2(D) U2你选择的答案： C [正确]正确答案：C解答参考：7. 单相半控桥式整流大电感负载电路中，为了避免出现一个晶闸管一直导通，另两个整流二极管交替换相导通的失控现象发生，采取的措施是在负载两端并联一个（）(A) 电容(B) 电感(C) 电阻(D) 二极管你选择的答案： D [正确]正确答案：D解答参考：8. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是( )(A) 0°～90°(B) 0°～180°(C) 90°～180°(D) 180°～360°正确答案：A解答参考：9. 单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ=( )(A) π-α(B) π+α(C) π-δ-α(D) π+δ-α正确答案：C解答参考：10. 三相半波可控整流电阻性负载电路的控制角α为何值时，输出电流波形会出现零点。
西南交《现代电力电子技术》在线作业一【满分答案】
西南交《现代电力电子技术》在线作业一---------------------------单选题1.当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( )A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D. 不定正确答案:B2.三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30度D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后30度正确答案:B3.对于电力MOSFET，栅极不加电压时，电流（）A.一定导通B.可能导通C.不能导通D.不确定正确答案:C4.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）A.一次击穿B.二次击穿C.临界饱和D.反向截止正确答案:B5.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是（）A.功率晶体管B. IGBTC.功率MOSFETD.晶闸管正确答案:D6.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角的最大移相范围是（）A. 90oB. 120oD. 180o正确答案:D7.三相半波带电阻性负载时，α为（）度时，可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态A. 0B. 60C. 30D. 120正确答案:C8.一般可逆电路中的βmin选（）合理A.30o-35oB.10o-25oC.0o-10oD. 0o正确答案:A9.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )A. 电容B. 电感D.电动机正确答案:B10.采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为( )A.减小输出幅值B.增大输出幅值C.减小输出谐波D.减小输出功率正确答案:C---------------------------多选题1.变频电路可分为（）A.交交变频B.交直变频C.交值交变频D.直交变频正确答案:A2.相控整流电路实现有源逆变的条件有（）A.负载侧存在直流电势B.直流电势的绝对值大于整流输出电压的绝对值C.晶闸管触发角大于90度D.晶闸管触发角小于90度正确答案:A3.IGBT具有以下哪三种极性？（）A. 门极KB. 栅极GC.集电极CD.发射极E正确答案:B4.相控整流电路的负载大致可以分为（）A.电阻性负载B.电感性负载C.电容性负载D.反电势负载正确答案:A5.电力变换的类型有（）A.交流变直流B.直流变交流C.直流变直流D.交流变交流正确答案:A6.下列元器件中，半控型有（）A.普通晶闸管B.整流二极管C.逆导晶闸管D.双向晶闸管正确答案:A7.开关管的驱动电路采用的隔离技术有（）A.磁隔离B.电容隔离C.电感隔离D.光耦隔离正确答案:A8.无源逆变电路可以输出（）A.三角波B. 斜波C.矩形波D.脉宽调制波正确答案:C9.电压逆变电路的特点（）A.直流侧接大电感B.交流侧电流接正弦波C.直流侧电压无脉动D.直流侧电流无脉动正确答案:B10.按照开关控制能力，电力电子器件可分为（）A.不可控器件B.半空型器件C.电压控制型器件D.全控型器件正确答案:A---------------------------判断题1.单极性SPWM调制波比双极性SPWM调制波的谐波分量要大些A. 错误B. 正确2.三相半波可控整流电路与三相桥式整流电路相比，要输出相同的Ud，晶闸管承受的正、反向峰值电压较低A. 错误B. 正确正确答案:A3.换相压降消耗有功功率A. 错误B. 正确正确答案:A4.在三相交流调压电路中，至少有一相正向晶闸管与另一相反向晶闸管同时导通A. 错误B. 正确正确答案:B5.变频调速装置属于无源逆变的范畴A. 错误B. 正确6.直流斩波器属于隔离型直直变换器A. 错误B. 正确正确答案:A7.脉宽调制逆变电路存在开关频率高的缺点A. 错误B. 正确正确答案:B8.带阻性负载的单相桥式全控整流电路中，触发角为0时，功率因数也为0A. 错误B. 正确正确答案:A9.恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是减小存储时间。
现代电力电子技术第1次作业
现代电力电子技术第1次作业1.电力电子器件一般工作在（）。
通断状态（开关状态）(正确答案)放大状态截止状态常开状态2.二极管属于（）。
半控型器件全控型器件不可控器件(正确答案)GTR3.按受控方式分，普通晶闸管属于（）。
全控型器件半控型器件(正确答案)不可控器件不确定4.交流电变直流电的过程可用文字符号表示为（）。
AC-DC(正确答案)AC-ACDC-DCDC-AC5.晶闸管的三个电极分别是（）。
阴极、阳极、控制极(正确答案)发射极、集电极、基极阳极、基极、集电极一级、二级、三级6.晶闸管具有3个PN结。
对(正确答案)错7.晶闸管的电极分别为发射极、集电极和控制极。
对错(正确答案)8.晶闸管的三个电极分别用阳极A、阴极K、控制极G表示。
对(正确答案)错9.从公用电网直接得到的是交流电。
对(正确答案)错10.从蓄电池和干电池得到的是直流电。
对(正确答案)错11.整流电路按输出波形分可分为单相整流和三相整流。
对错(正确答案)12.把交流电变为大小可调的直流电叫整流。
对(正确答案)错13.交流调压是把交流变交流，把一种交流电变成输出值适合需要的交流电。
对(正确答案)错14.逆变是把直流电变为交流电。
对(正确答案)错15.触发脉冲丢失会导致逆变失败。
对(正确答案)错16.电力中的电源有()和()两种。
交流(正确答案)直流(正确答案)单相三相17.电力电子器件按受控方式分为()、()和()。
不可控器件(正确答案)半可控器件(正确答案)全控器件(正确答案)电力电子器件18.该图形符号是什么器件的？_________________________________(答案：晶闸管)19.HL指的是现实生活中的什么物件？_________________________________(答案：灯泡)20.观察日常生活中的调光灯会发现，其输入是交流多少的电压？_________________________________(答案：220V)21.工频交流电或直流电变换成频率可调的交流电供给负载是什么电路？_________________________________(答案：变频电路)22.该图形符号是什么器件的？_________________________________(答案：双向晶闸管)23.如图所示的交流调压电路，此交流调压电路中使用的控制元件是什么？_________________________________(答案：单向晶闸管)。
现代电力电子技术作业
5、说明电力MOSFET栅极电压U GS控制漏极电流iD的基本原理。
答：当UGS<UGSth时,功率MOSFET处于截止区III。
此时若UDS超过击穿电压Ubr时，期间将被击穿，使iD急剧增大而进入雪崩击穿。
而当UGS >UGSth时输出特性在线性导电区，由于UDS它对导电沟道宽度和一点的漏-源电阻RDS，则iD=UDS/RDS将随UDS而线性增大；这就形成了线性到点去I（可调电阻区）。
对于一定的UGS，当UDS较大时，尽管UDS增大，但因iD已经达到饱和值，不能再增大多少，此时恒流饱和区II，这相当于漏源电阻RDS随UDS而加大，iD保持不变。
6.说明电力MOSFET的分类及其结构分类：N沟道增强型，P沟道增强型，N沟道耗尽型，P沟道耗尽型结构：N沟道增强型7.作为开关使用时电力MOSFET器件主要的优缺点是什么？优点：①开关速度高，②开关时间短，③工作频率高。
缺点：①电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
②由于存在极间电容，使得输入栅极电压信号和漏极电流的波形上升和下降都应该呈指数曲线规律。
9.对于电力MOSFET来说，试说明N沟道、P沟道、增强型及耗尽型等名词术语的含义。
答：场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，是仅由一种载流子参与的半导体器件。
从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。
增强型：V GS=0时，漏源之间没有导电沟道，在V DS作用下无i D。
耗尽型：V GS=0时，漏源之间有导电沟道，在V DS作用下有i D。
10. 电力MOSFET输出特性曲线可分为哪几个区？各有什么特点？作为开关使用时MOSFET一般工作在什么区？可分为线性导电区、饱和恒流区和截止区三个区域。
当u GS < u GSth（开启电压）时，功率MOSFET处于截止区。
此时若u DS超过击穿转折电压u BR时，器件将被击穿，使i D急剧增大而进入雪崩击穿。
16年秋西交《电工电子技术》在线作业
16年秋西交《电工电子技术》在线作业(总10页) -CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1-CAL-本页仅作为文档封面，使用请直接删除16年秋西交《电工电子技术》在线作业一、单选题（共30道试题，共60分。
）1.要使放大电路输入电阻和输出电阻都减小（含其余情况），应引入的负反馈是（B）、A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联满分：2 分得分：22.若i1=10sin(wt+30°)A，i2=20sin(wt-10°)A，则的相位比超前（B)、A. 20°B. -20°C. 40°D. -40°满分：2 分得分：23.把一个额定电压为220V的灯泡分别接到220V的交流电源和直流电源上，灯泡的亮度为（A）、A. 相同B. 接到直流电源上亮C. 接到交流电源上亮D. 不同满分：2 分得分：24.8. 关于一阶动态电路的零输入响应，以下叙述中正确的是（B）、A. RL电路的零输入响应与初始磁场能量成正比B. 零输入响应随着时间增长衰减至零C. 零输入响应的时间常数一般为5tD. 零输入响应中的电磁能量始终不变满分：2 分得分：25.四个逻辑变量的取值组合共有（B ）组。
、A. 8B. 16C. 4D. 15满分：2 分得分：26.下列逻辑器件中，属于时序逻辑电路的有（D)、A. 计数器和全加器B. 寄存器和比较器C. 全加器和比较器D. 计数器和寄存器满分：2 分得分：27.以下电路中可以属于时序逻辑电路的是(B )。
、A. TTL与非门B. JK触发器C. OC门D. 异或门满分：2 分得分：28.对于同一导体而言，R=U/I的物理意义是：（D）、A. 加在导体两端的电压越大，则电阻越B. 导体中的电流越小，则电阻越大C. 导体的电阻与电压成正比，与电流成反比D. 导体的电阻等于导体两端的电压与通过导体的电流的比值满分：2 分得分：29.某放大电路要求Ri大，输出电流稳定，应选（ C）负反馈。
现代电力电子技术大作业
VCCT Q D1C RN1 N2 ip isVO**不为零，与此相反即为电流断续。
如果，在t=T时刻，I smin=0表示导通期间储存的磁场能量刚好释放完毕；也就是临界状态。
，I smin >0表示导通期间储存的磁场能量还没有释放完，电路工作在连续状态；Ismin<0表示导通期间储存的磁场能量还没有到时刻就已经释放完毕，即电路工作在断续状态下。
电流连续下的理论波形：图1-3 理论输出波形3、实验步骤1）根据实验设计指标选择所需器件输入直流电源：Vin 200V；变压器T的参数，L p:10uH, ，L s:5uH,变压器初级线圈匝数：200匝，次级线圈匝数：10匝，变压器励磁电感L m:1m；滤波电容C：110uF,初始电压10V；触发频率：100k,占空比0.8；负载为阻性负载：5Ω。
2）利用所选的元器件，搭建原理图，并按已知参数设置各元件参数，设定仿真控制时间。
保存原理图。
将MOSFET和二极管D1参数选项中的current flag设置为1，这样可以将电流表缺省直接测得电流波形。
3）点击仿真按钮，双击要观察波形的参数值，点击确定，观察仿真波形。
4、仿真电路图电路原理图如下：图1-4 仿真电路图4、仿真结果1）电流连续输出波形按照顺序，图中的I（D1）为变压器次级电流大小，在图中的大致形状是呈线性下降的直线；I（MOS1）是变压器初级电流大小，在图中的大致形状是呈线性增长的直线；图中的Vp1是输出电压，近似为一条平行于时间轴的一条直线，但略有脉动。
图 1-5 电流连续下仿真结果2）电流断续输出波形降低触发电路的占空比，电流将断续，将占空比变为0.5，输出初、次级电流波形如下图1-6所示。
图1-6 电流连续下仿真结果6、仿真结果分析观察图1-5的仿真结果，按照所选参数构建的电路，电流连续时，输出电压40V达到了预期制定指标。
在开关管MOSFET导通的时间段内，变压器初级电流I（MOSFET）线性上升,此时变压器次级电压为下正上负，使得二极管反偏截止，即I（D）为零,此时负载电流由滤波电容提供。
西南交通大学《电子技术》_在线作业一
西南交《电子技术》在线作业一
一个固定偏置放大电路,Rb=150kΩ,RC=2kΩ,VCC=6V,晶体管的β=40。
为了提高放大能力,换上一只β=80的晶体管。
则该放大器( )。
A:电压放大倍数不变
B:电压放大倍数比原来大
C:晶体管进入饱和状态
D:晶体管进入截止状态
参考选项：C
对于固定偏置共射放大电路,当用直流电压表测得UCE≈VCC时,有可能是因为( );当测得UCE≈0时,有可能是因为( )。
A:Rb开路
B:RL短路
C:RC开路
D:Rb过小
参考选项：A
在放大电路中引入负反馈可使其通频带展宽约下列数中值最大的为()。
A:(1+AF)倍
B:1/(1+AF)倍
C:(1-AF)倍
D:AF倍
参考选项：A
在分压偏置电路中,若发射极电容Ce击穿短路,放大器工作点将( )。
A:不变
B:下降
C:升高
参考选项：A
在固定偏置放大电路中,若集电极电阻RC断路,晶体管UCE=( )。
A:UCC
B:UCC/2
C:UBE
D:0
参考选项：C
由开关组成的逻辑电路如图所示,设开关接通为“1”,断开为“0”,电灯亮为“1”,电灯暗为“0”,则该电路为( )。
A:“与”门
B:“或”门
C:“非”门
1。
大工16秋电力电子技术在线作业1
请同窗及时保留作业,如您在20分钟内不作操作,系统将自动退出。
大工16秋《电力电子技术》在线作业1试卷总分：100 测试时刻：--单项选择题多项选择题判定题一、单项选择题（共 6 道试题，共 30 分。
）V1. 使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一样取（）V。
A. 0-5B. 5-10C. 10-15D. 15-20总分值：5 分2. （）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流爱惜方法，常与电力电子器件直接串联。
A. 交流断路器B. 快速熔断器C. 直流快速断路器D. 快速短路器总分值：5 分3. （）指的是电力二极管所能经受的最大的持续一个或几个工频周期的过电流。
A. 正向平均电流B. 反向重复峰值电流C. 额定电流D. 浪涌电流总分值：5 分4. （）的英文缩写是GTR。
A. 电力二极管B. 门极可关断晶闸管C. 电力晶体管D. 电力场效应晶体管总分值：5 分5. 操纵极信号能操纵器件的导通，但不能操纵其关断，器件的关断完全由其经受的电压和电流决定，如此的电力电子器件称为（）。
A. 半控型器件B. 全控型器件C. 不可控器件D. 自关断器件总分值：5 分6. 以下不是晶闸管的要紧参数的选项是（）。
A. 额定电压B. 额定电流C. 静态参数D. 维持电流总分值：5 分请同窗及时保留作业,如您在20分钟内不作操作,系统将自动退出。
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大工16秋《电力电子技术》在线作业1试卷总分：100 测试时刻：--单项选择题多项选择题判定题二、多项选择题（共 6 道试题，共 30 分。
）V1. 电力二极管的要紧类型有（）。
A. 一般二极管B. 整流二极管C. 快恢复二极管D. 肖特基二极管总分值：5 分2. 采纳性能良好的驱动电路，可使电力电子器件工作在较理想的开关状态，会带来以下哪些优势？（）A. 缩短开关时刻B. 拉长开关时刻C. 减小开关损耗D. 增大开关损耗总分值：5 分3. 导通缓冲电路，（）。
西南交通大学《现代电力电子技术》_在线作业二
西南交《现代电力电子技术》在线作业二
下列自关断器件中，属于电流控制型器件的是（）
A:电力场效应晶体管
B:达林顿晶体管
C:电力晶体管
D:绝缘栅极双极型晶体管
参考选项：B
对于三相半波可控整流电路,换相重叠角γ与哪几个参数有关( ) A:α、负载电流Id以及变压器漏抗XC
B:α以及负载电流Id
C:α和U2
D:α、U2以及变压器漏抗XC
参考选项：A
相控交交变频电路的输出最高频率必须小于输入频率的（）
A:1/3
B:1/4
C:1/5
D:1/6
参考选项：A
单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角的移相范围是（）
A:0-90
B:0-180
C:90-180
D:180-360
参考选项：A
下列描述中不属于IGBT的特点有（）
A:开关速度快
B:耐高压
C:耐大电流
D:输入阻抗小
参考选项：D
逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在已给管芯上而成（）A:大功率三极管
B:逆阻性晶闸管
C:双向晶闸管
D:可关断晶闸管
参考选项：B
1。
16秋西南交《供变电工程及课程设计》在线作业一
正确答案：
9. 电气主结线图标明了各主要设备的规格，数量。（ ）
A. 错误
B. 正确
正确答案：
10. 在电容器组上或进入其围栏内工作时,应将电容器逐个多次放电后方可进行
A. 错误
B. 正确
正确答案：
11. 牵引变电所监控系统中主要由值班人员来处理信息。（ ）
A. 错误
D. 以上都不对
正确答案：
3. 对于35~100kV无避雷线的线路,在靠近变电所的一线路上必须装设( )
A. 避雷针
B. 避雷线
C. 避雷器
D. 快速继电保护
正确答案：
4. 采用一台三相三柱式电压互感器,接成Y-Y0形接线,该方式能进行( )
A. 相电压测量
B. 线电压测量
B. 正确
正确答案：
12. 变电所对一次电气设备的控制操作通常采取距离控制方式。（ ）
A. 错误
B. 正确
正确答案：
13. 电力系统中产生铁磁谐振过电压的原因是由于铁磁元件的磁路饱和而造成的非线性励磁引起的
A. 错误
B. 正确
正确答案：
14. 发生单相接地时,消弧线圈的电感电流超前零序电压90
6. 电容器的无功输出功率与电容器的电容成正比,与施加电压的平方成反比
A. 错误
B. 正确
正确答案：
7. 串联电容器和并联电容器一样,可以提高功率因数
A. 错误
B. 正确
正确答案：
8. 当电气触头刚分开时,虽然电压不一定很高。但触头间距很小,因此产生很强的电场强度
A. 错误
西南交《供变电工程及课程设计》在线作业一
西南交通大学《现代电力电子技术》_在线作业一
B:正确
参考选项：A
三相桥式全控整流电路在任何时刻必须保证共阴极组和共阳极组各有一个晶闸管导通，才能构成导电回路
A:错误
B:正确
参考选项：B
IGCT的关断损耗低
A:错误
B:正确
参考选项：B
换相压降消耗有功功率
A:错误
B:正确
参考选项：A
达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅型双极型晶体管则属于电压驱动型开关管。
A:错误
B:正确
参考选项：B
相控整流电路在控制角较大时，功率因素较高，网侧电流谐波含量较小
A:错误
B:正确
参考选项：A
三相半波可控整流电路才能实现有源逆变
A:错误
B:正确
参考选项：B
单相全控桥式整流电路能实现有源逆变电路。
A:错误
B:正确
参考选项：B
A:电力场效应晶体管
B:达林顿晶体管
C:电力晶体管
D:绝缘栅极双极型晶体管
参考选项：C
使IGBT开通的驱动电压一般为（ ）V
A:0-5
B:5-10
C:10-15
D:15-20
参考选项：D
升压斩波电路中,已知电源电压Ud=12V,导通比Kt=1/3,则负载电压U0=( )
A:4V
B:18V
C:36V
D:48V
A:错误
B:正确
参考选项：A
电力MOSFET是双极性晶体管
A:错误
B:正确
参考选项：A
为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是一个较大的正电流。
A:错误
B:正确
参考选项：A
IGCT在导通期间发挥晶闸管的性能，在关断阶段则呈现类似晶体管的特性
现代电力电子技术答案
2. 晶闸管导通的条件是什么？
四、分析计算题（本题共2道小题，每道小题15分，共30分）
1. 将下列表1中空缺的部分按要求填好。
变压器二次相电压U 2对于电感负载满足大电感负载的条件。
表1
答：输出电压可调范围：0~1.17U2
（2分）最大移相范围：900（1分）整流输出平均值COSUUd217.1（2
2. 如图2所示的单相桥式整流电路中，V U 2202=、触发角︒=30a ，负载为阻感负载，电感L 的值极大，Ω=5R 。
（1）绘制输出电压d u 、输出电流d i 、变压器副边电流2i 的波形；
（2）计算输出电压d u 、输出电流d i 的平均值；
（3）计算晶闸管的电流有效值。
VT1VT2VT4
VT3
2u d
i d
u R
L
1u 2
i
教学负责人
签字
年月日。
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西南交《现代电力电子技术》在线作业一
一、单选题（共10 道试题，共30 分。
）
1. 三相半波整流电路带阻性负载时触发脉冲的移相范围为（）
A. 0o-90o
B. 0o-180o
C. 0o-150o
D. 0o-120o
正确答案：
2. 单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ=( )
A. π-α
B. π+α
C. π-δ-α
D. π+δ-α
正确答案：
3. 可在第一和第四象限工作的变流电路是（）
A. 三相半波可控变流电路
B. 半相可控桥
C. 接有续流二极管的三相半控桥
D. 接有续流二极管的单相斑驳可控变流电路
正确答案：
4. 无源逆变与有源逆变的区别在于（）接的是负载还是电网
A. 直流侧
B. 交流侧
C. 电源侧
D. 负载侧
正确答案：
5. 对同一个晶闸管来说，通常其擎住电流要（）维持电流
A. 小于
B. 大于
C. 等于
D. 小于或等于
正确答案：
6. 下列描述中不属于IGBT的特点有（）
A. 开关速度快
B. 耐高压
C. 耐大电流
D. 输入阻抗小
正确答案：
7. 输入相同的电压，三相桥式整流电路的输出电压是三相半波的（）
A. 1倍
B. 2倍
C. 4倍
D. 二分之一
正确答案：
8. 下列器件中，属于电压控制型器件的是（）
A. 电力场效应晶体管
B. 达林顿晶体管
C. 电力晶体管
D. 绝缘栅极双极型晶体管
正确答案：
9. 三相相控交交变频电路是由三组输出电压相位互差（）的单相相控交交变频电路组成
A. 90o
B. 120o#60o
C. 180o
正确答案：
10. 使IGBT开通的驱动电压一般为（）V
A. 0-5
B. 5-10
C. 10-15
D. 15-20
正确答案：
西南交《现代电力电子技术》在线作业一
二、多选题（共10 道试题，共40 分。
）
1. 直流斩波器的控制方式有（）
A. 定频调宽控制
B. 定宽调频控制
C. 调频调宽混合控制
D. 定频定宽控制
正确答案：
2. 相控整流电路的负载大致可以分为（）
A. 电阻性负载
B. 电感性负载
C. 电容性负载
D. 反电势负载
正确答案：
3. 电力变换的类型有（）
A. 交流变直流
B. 直流变交流
C. 直流变直流
D. 交流变交流
正确答案：
4. 以下描述中，哪几项不是电流型逆变器中间直流环节贮能元件？（）
A. 电容
B. 电感
C. 蓄电池
D. 电动机
正确答案：
5. 下列关于功率二极管动态特性中描述正确的有（）
A. 外加正向电压时，正向电流对结电容充电
B. 外加电压反向时，正向电流立即截至下降至0
C. 外加反向电压时，电流对结电容充电
D. 外加电压反向，正向电流不能立即降至0
正确答案：
6. 关于PWM控制的特点下列描述正确的是（）
A. 谐波分量少
B. 同时调节输出电压与频率
C. 开关次数低
D. 动态响应好
正确答案：
7. 晶闸管的换相重叠角与下列选项中的（）有关
A. 触发角
B. 变压器漏抗
C. 平均电流
D. 电源相电压
正确答案：
8. 下列元器件中，可控型有（）
A. 普通晶闸管
B. 整流二极管
C. 逆导晶闸管
D. 大功率晶体管
正确答案：
9. IGBT具有以下哪三种极性？（）
A. 门极K
B. 栅极G
C. 集电极C
D. 发射极E
10. 按照开关控制能力，电力电子器件可分为（）
A. 不可控器件
B. 半空型器件
C. 电压控制型器件
D. 全控型器件
正确答案：
西南交《现代电力电子技术》在线作业一
三、判断题（共30 道试题，共30 分。
）
1. 晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身的电特性决定。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
2. 三相半波可控整流电路才能实现有源逆变
A. 错误
B. 正确
正确答案：
3. 为了使三相电流型逆变电路的输出电压波形接近正弦波，负载的电抗越大越好
A. 错误
B. 正确
正确答案：
4. 晶闸管的导通条件为承受正向电压并施加门极触发信号
A. 错误
B. 正确
正确答案：
5. 晶闸管的导通角与触发角成正比
A. 错误
B. 正确
正确答案：
6. IGBT相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也比较大。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
7. 相控整流电路在控制角较大时，功率因素较高，网侧电流谐波含量较小
A. 错误
B. 正确
8. 对于三相半波整流电路，电阻性负载，当I一定时，流过晶闸管的电流有效值I会随着控制角的增加而增加。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
9. 对于单相桥式全控整流电路，晶闸管ＶＴ无论是烧成短路和断路，电路都可作为单相半波整流电路工作。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
10. GTO的擎住电流比维持电流小
A. 错误
B. 正确
正确答案：
11. 三相桥式全控整流电路能实现有源逆变电路
A. 错误
B. 正确
正确答案：
12. 直流斩波器属于隔离型直直变换器
A. 错误
B. 正确
正确答案：
13. SPWM波形的生成方法主要有3种，分别是自然采样法，规则采样法，谐波消去法
A. 错误
B. 正确
正确答案：
14. 交流变直流称为逆变
A. 错误
B. 正确
正确答案：
15. IGCT在导通期间发挥晶闸管的性能，在关断阶段则呈现类似晶体管的特性
A. 错误
B. 正确
正确答案：
16. 电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差，所以其控制电路必须设有过流过压的保护电路。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
17. 变压器漏抗使整流电路和有源逆变电路的输出电压幅值均减小。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
18. IGCT的关断损耗低
A. 错误
B. 正确
正确答案：
19. 为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是一个较大的正电流。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
20. 直流斩波器主要是给直流电动机供电
A. 错误
B. 正确
正确答案：
21. 对于三相半波整流电路，电阻性负载，当a=45,u(2)=100V,输出电压平均值约为85V。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
22. 按照内部载流子类型来分，IGBT属于双极型电力电子器件
A. 错误
B. 正确
正确答案：
23. 脉宽调制逆变电路存在开关频率高的缺点
A. 错误
B. 正确
正确答案：
24. 某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压为700V。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
25. IGBT的开通特性与电力MOSFET完全不同
A. 错误
B. 正确
正确答案：
26. 点阻性负载消耗电能，同时也能存储或放出电能
A. 错误
B. 正确
正确答案：
27. 单相双半波可控整流电路能实现有源逆变电路
A. 错误
B. 正确
正确答案：
28. 三相半波可控整流电路与三相桥式整流电路相比，要输出相同的Ud，晶闸管承受的正、反向峰值电压较低
A. 错误
B. 正确
正确答案：
29. 整流二极管的反向恢复时间很多，小于1微秒
A. 错误
B. 正确
正确答案：
30. 晶闸管在正向阳极电压的作用下，一旦门极加入适当的信号，就可使晶闸管由“断态”变为“通态”
A. 错误
B. 正确
正确答案：。