三极管NPN和PNP开关电路

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三极管NPN和PNP开关电路
一、三极管开关属于电流控制开关,Ib控制Ic,与MOSFET管电压控制相反:
NPN和PNP的电流方向、电压极性相反。

1)NPN :以B→E 电流控制C→E 电流。

正常放大时,即VC > VB > VE 2)PNP :以E→B 电流控制E→C 电流。

正常放大时,即VE > VB > VC 总之,VB在中间,VC 和 VE 在两边。

而且BJT各极的电压与电流方向是一致的,不会出现电流从低电位处流行高电位的情况。

NPN和PNP区别:箭头所指,即电流流向。

如图:
NPN:若有一个小电流流入基极, PNP:若有一个小电流流出基极,那么集电极和发射极就会通。

那么集电极和发射极就会通。

*因为PNP的反向电流所以使用I/O口直接控制时,因注意I/O口的最大承受电压,最好E极电压等于I/O口的高电平。

对于E电压比较大的情况下可以使用文章最后的电源控制电路。

二、NPN、PNP三极管开关形式的典型接法。

如图所示:
只有一个上拉下拉电阻的区别。

如果是GND~VCC的信号驱动,左图即可。


果是强弱电流驱动,选右图。

NPN适合做低端驱动,PNP适合做高端驱动。

类似的NMOS和PMOS也是如此。

因此,为了获得相应的控制电位差,把npn的射级对地,你比较容易获得一个开启信号。

如果你把npn的集电极直接接vcc,那么你就需要VCC甚至VCC以上的信号才能开启,驱动起来不方便,更重要的是,随着负载上电压的变化,你的Ib 不稳定。

因此一般来说,低端关在低端高端管在高端。

有没有特殊情况呢?是有的,比如npn在高端加自举电路维持一个稳定的ib。

暂不讨论。

说明:大多数的小信号硅质三极管在饱和时,VCE(饱和) 值约为0.2V,纵使是专为开关应用而设计的交换三极管,其VCE(饱和) 值顶多也只能低到0.1V左右,而且负载电流一高,VCE(饱和) 值还会有些许的上升现象,虽然对大多数的分析计算而言,VCE(饱和) 值可以不予考虑,但是,必须明白VCE(饱和) 值并非真的是0。

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