NXPARMContextM0内部Flash用作EEPROM使用详解

Context M0 内部Flash用作EEPROM使用详解
1.LPC1114x的Flash简介
LPC1114x的Flash存储器系统包含32kB Flash器件的8个扇区。

Flash存储器从地址0开始并向上增加。

Flash boot装载程序同时提供片内Flash存储器的ISP和IAP编程接口。

IAP、ISP和RealMonitor程序都位于boot扇区。

boot占有的Flash存储器扇区不能用来存放用户数据。

LPC1114x系列提供在在应用中编程IAP，最终用户代码直接执行在应用编程(IAP)对片内Flash存储器进行擦除和编程操作。

Falsh可以擦写10000次，512字节行编程时间为1ms。

单扇区或整片擦除时间为400ms。

有些IAP和ISP命令以“扇区”为单位进行操作，同时
还指定扇区号。

下面列出了LPC111x系列ARM 的扇区号和存储器地址之间的对应关系。

LPC111x系列ARM 器件的扇区
扇区号扇区大小（KB）地址范围
0 4 0x00000000 – 0x0000 0FFF
1 4 0x00001000 – 0x0000 1FFF
2 4 0x00002000 – 0x0000 2FFF
3 4 0x00003000 – 0x0000 3FFF
4 4 0x00004000 – 0x0000 4FFF
5 4 0x00005000 – 0x0000 5FFF
6 4 0x00006000 – 0x0000 6FFF
7 4 0x00007000 – 0x0000 7FFF
2.向Flash中写数据
Flash必须遵循选择扇区，擦除，选择扇区，写的过程，具体到程序的编写，必须先后有下面的代码：
zyIrqDisable(); /* 在IAP操作前必须关闭所有中断*/
ucErr = parIdRead(); /* 读器件ID */
ucErr = codeIdBoot(); /* 读Boot版本号*/
ucErr = sectorPrepare(1, 1); /* 准备扇区1 */
ucErr = sectorErase(1, 1); /* 擦除扇区1 */
ucErr = blankChk(1, 1) ; /* 查空扇区1 */
ucErr = sectorPrepare(1, 1); /* 选择扇区1 */
ucErr = ramCopy(0x00001000,(uint32)GulData , 512); /* 写数据到扇区1 */
ucErr = dataCompare(0x00001000,(uint32)GulData, 512); /* 比较数据*/
zyIrqEnable();
应用的时候需要注意下面几点：
1）如果写之前没有选择扇区，是不能正确写入的。

2）如果写之前没有擦除，写入是不正确的。

3）最少写512字节，写入的字节数应当为512 或1024 或4096 或8192.
4）Flash在擦写时不能访问，这也是IAP是要关闭中断的原因。

关中断可以用下面的语句来实现：__asm{MSR CPSR_c, #0xdf}，与此对应，开中断可以下面的语句：__asm{MSR
CPSR_c, #0x5f}。

3.从Flash中读数据
从Flash中读数据比较简单，可以定义一个指针变量，该指针变量指向特定的Flash地址，
例如可以写成下面的样子：
uint32 i;
uint32 * p;
p=(uint32 *)0x00001000;
for(i=0;i<400;i++)
{
flashdataread(*(p));
p+=4；
}
但必须注意的是M0数据是按4字节方式存储，所以指针每次加4。