石墨烯隧穿场效应管量子隧穿系数和电流的计算方法[发明专利]

专利名称：石墨烯隧穿场效应管量子隧穿系数和电流的计算方法
专利类型：发明专利
发明人：胡光喜,鲍佳睿,胡淑彦,刘冉,郑立荣
申请号：CN201811177495.X
申请日：20181010
公开号：CN109325304A
公开日：
20190212
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种石墨烯隧穿场效应管量子隧穿系数和电流的计算方法。

本发明通过对隧穿场效应器件的隧穿系数进行建模，通过隧穿系数与电荷通量乘积积分得到齐纳击穿电流解析表达式。

该电流表达式形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究石墨烯隧穿场效应管时提供一种快速电路仿真工具。

本发明所涉及的隧穿场效应管，以横向隧穿为主要隧穿机制，可看做一个栅控的p‑i‑n结。

仿真结果表明，该隧穿场效应管具有良好的亚阈值特性，最小亚阈值摆幅可以低至20 mV/dec，比传统MOSFET的最小亚阈值摆幅60 mV/dec还要小三倍，为此类隧穿器件的实际开发和应用提供了很好的应用基础。

申请人：复旦大学
地址：200433 上海市杨浦区邯郸路220号
国籍：CN
代理机构：上海正旦专利代理有限公司
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