单、双轴磁场传感器及其制备方法[发明专利]

专利名称：单、双轴磁场传感器及其制备方法
专利类型：发明专利
发明人：冷群文,曹志强,闫韶华,郭宗夏,郑臻益,赵巍胜申请号：CN201810368797.9
申请日：20180423
公开号：CN108387852A
公开日：
20180810
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明实施例提供了一种单、双轴磁场传感器及其制备方法。

该单磁场传感器包括：位于衬底上的第一全桥电路，第一全桥电路包括两个第一、第二磁阻模块，两个第一磁阻模块分别位于第一全桥电路一对相对桥臂上，两个第二磁阻模块分别位于第一全桥电路另一对相对桥臂上；第一磁阻模块的参考层磁化方向与自由层磁化方向垂直、两个第一磁阻模块的参考层磁化方向相同；第二磁阻模块的参考层磁化方向与自由层磁化方向垂直、两个第二磁阻模块的参考层磁化方向相同；第一磁阻模块的参考层磁化方向与第二磁阻模块的参考层磁化方向夹角为A，0
申请人：北京航空航天大学青岛研究院,歌尔科技有限公司
地址：266104 山东省青岛市崂山区松岭路393号
国籍：CN
代理机构：北京太合九思知识产权代理有限公司
代理人：刘戈
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