MOSFET如何并联使用

MOSFET如何并联使⽤
并联是元件之间的⼀种连接⽅式，其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等⾸⾸相接，同时尾尾亦相连的⼀种连接⽅式。

通常是⽤来指电路中电⼦元件的连接⽅式，即并联电路。

MOS管并联⽅法电路图
以3只IR公司的IRF2807MOS管并联试验为例，⼯作电路图如图1。

MOS管并联⼯作原理
在图1中，采⽤对每个并联的MOS管单独实限流技术来限制流过每个MOS管的电流。

具体⽅法如下：
在每个MOS管串联作电流检测⽤的采样电阻（图中的RlO、Rll、R12），实时对流过每个MOS 管的电流进⾏监测。

3路分流器的采集信号均送⼈4⽐较器
LM339，作为判断是否过流的依据：只要流过任何⼀个MOS管的电流超过对其所限定的电流保护值，则控制回路依据送出的过流保护信号马上限制驱动脉冲的开度，保证当前流过每个MOS 管的电流不超过所限定的电保护值。

在图1中，如果在PWNin驱动脉冲加⼊后，假定MOS1先开通，MOS2、MOS3暂时未开通，则电流只能先流过MOS1，⽽且电流被限制在其限制值以内；接着MOS2⼜开通，则部分原先流过MOS1的电流会被分流到MOS2，必然引起流过MOS1的电流⼩于其限制值，于是过流信号消失，PWNin驱动脉冲开度加⼤，直⾄电流重新到达MOS1或MOS2的电流限制点后，PWNin驱动脉冲才会停⽌增加。

以后MOS3导通的⼜重复上述的电流分配过程，直⾄到达新的电流平衡。

同理，可分析MOS管任何时刻单个或多个导通时电流的⾃⾏分配过程。

mos管并联注意事项
1、饱和压降VDs或导通RDSon：对所有并联的MOS管⽽⾔，导通时其管压降是相同的，其结果必然是饱和电压⼩的MOS管先流过较⼤的电流，随着结温的升⾼，管压降逐渐增⼤，则流过管压降⼤的MOS管的电流⼜会逐渐增⼤，从⽽减轻管压降⼩的MOS管的⼯作压⼒。

因此，从原理上讲，由于N沟道功率型MOS管的饱和压降VDs或导通电阻RDSon具有正的温度特性，是很适合并联的。

2、开启电压VGS（th）：在同⼀驱动脉冲作⽤下，开启电压VGS（th）的不同，会引起MOS管的开通时刻不同，进⽽会引起先开通的MOS管⾸先流过整个回路的电流，如果此时电流偏⼤，不加以限制，则对MOS管的安全⼯作造成威胁；
3、开通、关断延迟时间Td（on）、td（off）；开通上升、关断下降时间tr、tf：同样，在同⼀驱动脉冲作⽤下，td（on）、td（off）、tr、tf的不同，也会引起MOS管的开通／关断时刻不同，进⽽会引起先开通／后关断的MOS管流过整个回路的电流，如果此时电流偏⼤，不加以限制，则同样对MOS管的安全⼯作造成威胁。

4、驱动极回路的驱动输⼊电阻、等效输⼊电容、等效输⼊电感等，均会造成引起MOS管的开通／关断时刻不同。

从上所述，可以看出，只要保证⽆论在开通、关断、导通的过程流过MOS管的电流均使MOS管⼯作在安全⼯作区内，则MOS管的安全⼯作得到保障。

为此，本⽂提出⼀种MOS管的新的并联⽅法，着重于均流⽅⾯的研究，可有效的保证MOS管⼯作在安全⼯作区内，提⾼并联电路的⼯作可靠性。