超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法[发明专利]

专利名称：超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法专利类型：发明专利
发明人：邱慈云,张帅,刘坤
申请号：CN201010605854.4
申请日：20101227
公开号：CN102569207A
公开日：
20120711
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种在超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法，为在所述超级结MOSFET中并联集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，其中所述肖特基二极管的阳极设置在超级结MOSFET芯片的元胞区域源端的相邻两个体区之间，所述肖特基二极管的阳极与所述超级结MOSFET的源端相连，所述肖特基二极管的阴极共用位于衬底背面的漏电极。

超级结MOSFET并联肖特基二极管的结构，利用肖特基二极管的快速开关特性提高超级结MOSFET器件的反向恢复速度。

申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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