二元复配表面活性剂诱导吡咯界面聚合及电容特性研究

二元复配表面活性剂诱导吡咯界面聚合及电容特性研究
杨庆浩;屠钟艺;后振中
【期刊名称】《功能材料》
【年(卷),期】2016(047)004
【摘要】在二元非离子型表面活性剂介入下,采用化学氧化界面聚合法,在0℃下制备聚吡咯薄膜。

研究了Span80/Tween80复配体系在界面聚合中对聚吡咯成膜的影响,并利用红外光谱、扫描电子显微镜、热重分析、循环伏安法以及交流阻抗法对聚吡咯膜的性能进行表征。

结果表明,在 H LB值较低时,聚吡咯微观形貌相互缠结交织在一起,形成孔洞型三维网状形貌；随着 H LB 值的增加,聚吡咯形貌变得更加均匀和蓬松,最终形成类“水藻”结构；当 HLB值为11．0,添加Span80浓度1．12 g/L、Tween80浓度1．88 g/L时,制备的聚吡咯膜比电容值达100．72 F/g,且循环寿命较佳。

【总页数】6页(P4050-4054,4059)
【作者】杨庆浩;屠钟艺;后振中
【作者单位】西安科技大学材料科学与工程学院，西安 710054;西安科技大学材料科学与工程学院，西安 710054;西安科技大学材料科学与工程学院，西安710054
【正文语种】中文
【中图分类】O633.5
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