tsuprem4I

mask
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
program1
$ TSUPREM4 NMOS transistor simulation $ Part a: Through field oxidation $ Define the grid MESH GRID.FAC=1.5 $METHOD ERR.FAC=2.0 $ Read the mask definition file MASK IN.FILE=mask.tl1 PRINT GRID="Field,Poly" $ Initialize the structure INITIALIZE <100> BORON=5E15
电子科学与工程学院微电子技术系郭宇锋iccad新艺选择性外延多晶氧化登陆unix电子科学与工程学院微电子技术系郭宇锋iccad登陆unix电子科学与工程学院微电子技术系郭宇锋iccad登陆unix电子科学与工程学院微电子技术系郭宇锋iccad登陆unix电子科学与工程学院微电子技术系郭宇锋iccad登陆unix电子科学与工程学院微电子技术系郭宇锋iccad登陆unix电子科学与工程学院微电子技术系郭宇锋iccad登陆unix电子科学与工程学院微电子技术系郭宇锋iccad登陆unix电子科学与工程学院微电子技术系郭宇锋iccadnmos电子科学与工程学院微电子技术系郭宇锋iccadmask电子科学与工程学院微电子技术系郭宇锋iccadprogram1tsuprem4nmostransistorsimulationparta
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
program1
$ Field oxidation METHOD PD.TRANS COMPRESS DIFFUSION TIME=20 TEMP=800 T.FINAL=1000 DIFFUSION TIME=180 TEMP=1000 WETO2 DIFFUSION TIME=20 TEMP=1000 T.FINAL=800 ETCH NITRIDE ALL $ Unmasked enhancement implant IMPLANT BORON DOSE=1E12 ENERGY=40 TILT=7 ROTATION=30 $ Save structure SAVEFILE OUT.FILE=S4EX4AS
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
program2
$ Define the metallization DEPOSIT ALUMINUM THICKNESS=1.0 DEPOSIT PHOTORESIST POSITIVE THICKNESS=1.0 EXPOSE MASK=Metal DEVELOP ETCH ALUMINUM TRAP THICKNESS=1.5 ANGLE=75 ETCH PHOTORESIST ALL $ Save the final structure SAVEFILE OUT.FILE=S4EX4BS
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
program2
$ Deposit BPSG and cut source/drain contact holes DEPOSIT OXIDE THICKNES=0.7 DEPOSIT PHOTORESIST POSITIVE THICKNESS=1.0 EXPOSE MASK=Contact DEVELOP ETCH OXIDE THICKNESS=1.0 TRAP ANGLE=75 ETCH PHOTORESIST ALL
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
program2
$ Plot the half NMOS structure SELECT Z=LOG10(BORON) TITLE="LDD Process - Half of NM OS Structure" PLOT.2D SCALE Y.MAX=2.0 GRID C.GRID=2
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
program1
PLOT.2D SCALE Y.MAX=2.0 $ Color fill the regions COLOR SILICON COLOR=7 COLOR OXIDE COLOR=5 $ Plot contours of boron FOREACH X (15 TO 20 STEP 0.5) CONTOUR VALUE=X LINE=5 COLOR=2 END $ Replot boundaries PLOT.2D ^AX ^CL $ Print doping information under field oxide SELECT Z=DOPING PRINT.1D X.VALUE=4.5 X.MAX=3
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
program1
$ Plot the initial NMOS structure SELECT Z=LOG10(BORON) TITLE="LDD Process - NMOS Isolati on Region" PLOT.2D SCALE GRID C.GRID=2 Y.MAX=2.0
TSUPREM IV
SUPREM
斯坦福大学开发
SUPREM I：1977年。 SUPREM II：1978年。 TSUPREM III ：1983年。商业版，只限于作一维分析。 TSUPREM IV： 1988年。二维工艺分析。 Taurus TSUPREM IV：Synopsys，新工艺（选择性外延、多晶硅氧化、 CMP等）、提高运算精度和速度。
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
program2
$ Oxidize the polysilicon gate DIFFUSION TIME=30 TEMP=1000 DRYO2 $ LDD implant at a 7-degree tilt IMPLANT ARSENIC DOSE=5E13 ENERGY=50 TILT= 7.0 ROTATION=30 IMPL.TAB=ARSENIC
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
output
$ Read the mask definition file MASK IN.FILE=mask.tl1 PRINT Comments from mask data file ”mask.tl1”: / Mask definition file s4ex4m.tl1, for use with s4ex4[abc]. (End of comments from mask data file) The following masks are currently defined (locations in microns): Name: Field min X: 0.0000 max X: 5.0000 opaque between 0.0000 and 3.9000 Name: Poly min X: 0.0000 max X: 5.0000 opaque between 0.0000 and 0.6500 Name: Contact min X: 0.0000 max X: 5.0000 opaque between 0.0000 and 1.9500 opaque between 3.2500 and 5.0000 Name: Metal min X: 0.0000 max X: 5.0000 opaque between 1.3000 and 5.0000
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
program2
$ Plot structure SELECT Z=LOG10(BORON) TITLE="LDD Process - After LDD Implant" PLOT.2D SCALE Y.MAX=2.0 $ Add color fill COLOR SILICON COLOR=7 COLOR OXIDE COLOR=5 COLOR POLY COLOR=3 $ Plot contours FOREACH X (15 TO 18 STEP 0.5) CONTOUR VALUE=X LINE=5 COLOR=2 END
登陆UNIX
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
登陆UNIX
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
登陆UNIX
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
登陆UNIX
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
NMOS
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
output
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
program2
$ TSUPREM4 NMOS transistor simulation $ Part b: Through source/drain metallization $ Set grid spacing and accuracy parameters MESH GRID.FAC=1.5 $ Read structure from initial simulation INITIAL IN.FILE=S4EX4AS $ Read the mask definition file MASK IN.FILE=mask.tl1
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
登陆unix
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
登陆unix
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
登陆unix
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
登陆UNIX
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
program2
SELECT Z=LOG10(ARSENIC) FOREACH X (16 TO 20) CONTOUR VALUE=X LINE=2 COLOR=4 END $ Replot boundaries PLOT.2D ^AX ^CL
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
program1
$ Initial oxidation DIFFUSION TIME=30 TEMP=1000 DRY HCL=5 $ Nitride deposition and field region mask DEPOSIT NITRIDE THICKNESS=0.07 SPACES=4 DEPOSIT PHOTORESIST POSITIVE THICKNESS=1 EXPOSE MASK=Field DEVELOP ETCH NITRIDE TRAP ETCH OXIDE TRAP UNDERCUT=0.1 ETCH SILICON TRAP THICKNES=0.25 UNDERCUT=0.1 $ Boron field implant IMPLANT BORON DOSE=5E12 ENERGY=50 TILT=7 ROTATION=30 ETCH PHOTORESIST ALL
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
program2
$ Define polysilicon gate MATERIAL MAT=POLY ^POLYCRYS DEPOSIT POLYSILICON THICK=0.4 SPACES=2 DEPOSIT PHOTORESIST THICK=1.0 EXPOSE MASK=Poly DEVELOP ETCH POLYSILICON TRAP THICK=0.7 ANGLE=79 ETCH PHOTORESIST ALL
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
output
电子科学与工程学院微电子技术系 郭宇锋 《IC &CAD》
program2
$ Define the oxide sidewall spacer DEPOSIT OXIDE THICK=0.4 ETCH OXIDE THICK=0.45 TRAP $ Heavy S/D implant at a 7-degree tilt IMPLANT DOSE=1E15 ENERGY=200 ARSENIC TILT=7.0 ROTATIO N=30 $ Anneal to activate the arsenic DIFFUSION TIME=15 TEMP=950