一种利用强磁场手段制备聚合物-碳纳米复合材料取向薄膜的方法[发明专利]

专利名称：一种利用强磁场手段制备聚合物-碳纳米复合材料取向薄膜的方法
专利类型：发明专利
发明人：张发培,苏松林,潘国兴,朱梁正,肖旭华
申请号：CN201911259877.1
申请日：20191210
公开号：CN110804196B
公开日：
20220408
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种利用强磁场手段制备聚合物‑碳纳米复合材料取向薄膜的方法，其制备方法包括如下步骤：（1）将石墨烯分散液和π共轭聚合物分散液混合后，在超声条件下分散均匀得到混合物料；（2）将混合物料旋涂在硅片上得到湿膜，将涂覆有湿膜的硅片放置到磁场中，使湿膜所在的平面与磁场的方向平行；（3）步骤（2）处理得到的湿膜进行退火处理后，得到聚合物‑碳纳米复合材料取向薄膜。

本发明将湿膜放置在强磁场中时，保证湿膜所在的平面与磁场的方向平行，从而在磁场的作用下，制备得到聚合物‑碳纳米复合材料取向薄膜。

通过掺杂石墨烯使薄膜在平行磁场方向的迁移率显著提高，且平行磁场方向的迁移率远远大于垂直磁场方向的迁移率。

申请人：中国科学院合肥物质科学研究院
地址：230031 安徽省合肥市董铺岛
国籍：CN
代理机构：合肥天明专利事务所(普通合伙)
代理人：汪贵艳
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