2SC1946A中文资料
2SC2411K-P中文资料(WEITRON TECHNOLOGY)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
储存温度
符 VCEO VCBO VEBO IC PD Tj Tstg
Value
Unit
32
V
40
V
5.0
V
500
mA
200
mW
+150
°C
-55到+150
°C
WEITRON
1/5
22-May-08
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2SC2411K
电气特性 特点
集电极 - 发射极击穿电压 IC = 1mA, IB= 0
-
hFE
82
-
0.4
V
-
390
fT
-
250
ÇOB
-
6.0
-
MHz
-
pF
Q 120-270
CQ
R 180-390
CR
2/5
S 270-560
CRS
22-May-08
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2SC2411K
电气特性曲线（T
A = 25°C)
1000
500 VCE =6V
200
100 C 50
0.5
1
2
5
10
20
50
EMITTER CURRENT : I (mA) E
图6增益带宽积主场迎战发射极电流
50
: Cib(pF)
20
10
Cib Cob
Ta = 25 O C
f= 1MHz ILECTO5R OUTPUT CAPACITANCE : Cob(pF) EMITTER INPUT CAPACITANCE
集电极基击穿电压
IC = 100µA, IE = 0
2SC1890资料
2SC1890, 2SC1890ASilicon NPN EpitaxialApplication• Low frequency high voltage amplifier• Complementary pair with 2SA893/AOutline2SC1890, 2SC1890A2Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)RatingsItemSymbol 2SC18902SC1890A Unit Collector to base voltage V CBO 90120V Collector to emitter voltage V CEO 90120V Emitter to base voltage V EBO 55V Collector currentI C 5050mA Collector power dissipation P C 300300mW Junction temperature Tj 150150°C Storage temperatureTstg–55 to +150–55 to +150°CElectrical Characteristics (Ta = 25°C)2SC18902SC1890A ItemSymbol Min Typ Max Min Typ Max Unit Test conditions Collector to emitter breakdown voltage V (BR)CEO 90——120——V I C = 1 mA, R BE = ∞Collector cutoff currentI CBO——0.5———µA V CB = 75 V, I E = 0—————0.5µAV CB = 100 V, I E = 0DC current tarnsfer ratio h FE *1250—1200250—1200V CE = 12 V, I C = 2 mA Base to emitter voltage V BE ——0.75——0.75V V CE = 12 V, I C = 2 mA Collector to emitter saturation voltage V CE(sat)——0.5——0.5V I C = 10 mA, I B = 1 mA Gain bandwidth product f T—200——200—MHz V CE = 12 V, I C = 2 mA Collector output capacitance Cob — 1.6—— 1.6—pF V CB = 25 V, I E = 0,f = 1 MHzNoise figure NF—210—210dB V CE = 6 V, I C = 50 µA,R g = 50 k Ω, f = 1 kHzNote: 1.The 2SC1890/A is grouped by h FE as follows.DEF250 to 500400 to 800600 to 1200See characteristic curves of 2SC1775 and 2SC1775A.2SC1890, 2SC1890A3Hitachi CodeJEDECEIAJWeight (reference value)TO-92 (1)ConformsConforms0.25 gUnit: mm元器件交易网Cautions1.Hitachi neither warrants nor grants licenses of any rights of Hitachi’s or any third party’s patent,copyright, trademark, or other intellectual property rights for information contained in this document.Hitachi bears no responsibility for problems that may arise with third party’s rights, includingintellectual property rights, in connection with use of the information contained in this document.2.Products and product specifications may be subject to change without notice. Confirm that you have received the latest product standards or specifications before final design, purchase or use.3.Hitachi makes every attempt to ensure that its products are of high quality and reliability. However,contact Hitachi’s sales office before using the product in an application that demands especially high quality and reliability or where its failure or malfunction may directly threaten human life or cause risk of bodily injury, such as aerospace, aeronautics, nuclear power, combustion control, transportation,traffic, safety equipment or medical equipment for life support.4.Design your application so that the product is used within the ranges guaranteed by Hitachi particularly for maximum rating, operating supply voltage range, heat radiation characteristics, installationconditions and other characteristics. Hitachi bears no responsibility for failure or damage when used beyond the guaranteed ranges. Even within the guaranteed ranges, consider normally foreseeable failure rates or failure modes in semiconductor devices and employ systemic measures such as fail-safes, so that the equipment incorporating Hitachi product does not cause bodily injury, fire or other consequential damage due to operation of the Hitachi product.5.This product is not designed to be radiation resistant.6.No one is permitted to reproduce or duplicate, in any form, the whole or part of this document without written approval from Hitachi.7.Contact Hitachi’s sales office for any questions regarding this document or Hitachi semiconductor products.Hitachi, Ltd.Semiconductor & Integrated Circuits.Nippon Bldg., 2-6-2, Ohte-machi, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0004, Japan Tel: Tokyo (03) 3270-2111 Fax: (03) 3270-5109Copyright ' Hitachi, Ltd., 1999. All rights reserved. Printed in Japan.Hitachi Asia Pte. Ltd.16 Collyer Quay #20-00Hitachi TowerSingapore 049318Tel: 535-2100Fax: 535-1533URLNorthAmerica : http:/Europe : /hel/ecg Asia (Singapore): .sg/grp3/sicd/index.htm Asia (Taiwan): /E/Product/SICD_Frame.htm Asia (HongKong): /eng/bo/grp3/index.htm Japan : http://www.hitachi.co.jp/Sicd/indx.htmHitachi Asia Ltd.Taipei Branch Office3F, Hung Kuo Building. No.167, Tun-Hwa North Road, Taipei (105)Tel: <886> (2) 2718-3666Fax: <886> (2) 2718-8180Hitachi Asia (Hong Kong) Ltd.Group III (Electronic Components)7/F., North Tower, World Finance Centre,Harbour City, Canton Road, Tsim Sha Tsui,Kowloon, Hong Kong Tel: <852> (2) 735 9218Fax: <852> (2) 730 0281 Telex: 40815 HITEC HXHitachi Europe Ltd.Electronic Components Group.Whitebrook ParkLower Cookham Road MaidenheadBerkshire SL6 8YA, United Kingdom Tel: <44> (1628) 585000Fax: <44> (1628) 778322Hitachi Europe GmbHElectronic components Group Dornacher Stra§e 3D-85622 Feldkirchen, Munich GermanyTel: <49> (89) 9 9180-0Fax: <49> (89) 9 29 30 00Hitachi Semiconductor (America) Inc.179 East Tasman Drive,San Jose,CA 95134 Tel: <1> (408) 433-1990Fax: <1>(408) 433-0223For further information write to:。
无线电资料
***********通信原理书籍目录************* 《The ARRL Antenna Book(19th)》30页《电磁场基本教程》319页《电磁场与波》391页《电信工程设计手册_短波通信．12》702页《电子书籍》•121兆大小《短波通信电路设计》328页《高速通讯线路与系》14.8兆大小《国外军用飞机通信设备手册》462页《晶体管接收机电路的原理与设计》637页《宽带匹配网络的理论与设计（增订本）》13.8兆《无线电波传播》1059页《无线通信常用数据手册（修订本）[1].part1》680页《现代电信交换》396页《dds9851频率合成器》《大功率宽带射频脉冲功率放大器设计》《电子设备中的隔离技术》《分体中波超远程接受装置》《全固态中波发射机的维护》《衰减器原理》《有源窄带晶体滤波器》《1915的QST杂志》28页《OFDM移动通信技术原理与应用》283页《trk90电台外接单片机调节频率》《WS430型无线收信机的维修》195页《半导体无线电广播接收机理论与计算基础》395页《变容二极管的应用》333页《参量放大器》65页《超短波的传播》56页《超短波调频广播》115页《超短波无线通信》481页《超高频电视调谐器设计与原理》318页《超高频技术》355页《超高频接收机》589页《初级无线电技术》251页《地球站微波收发信机》361页《电报史话》84页《电波的世界》225页•《电话电报移动通信实用手册》291页《电视和调频发射机》466页《电信工程设计手册--短波通信》717页《电子爱好者的金桥-业余无线电通信》187页《电子调谐器原理与设计》723页《电子工程师便携手册》451页《电子学与无线电原理上册》559页《电子学与无线电原理下册》567页《调频广播用发射机与接收机》182页《调频及其应用》311页《调频立体声广播发射机》319页《调频袖珍电台的设计与制造》431页《短波单边带小型台维护手册（XDD-D2B及IC-M700TY电台）》269页《短波电台电力设备维护手册》157页《短波数字通信自适应选频技术》327页《短波通信电路设计》335页《短波中小型收发信机维护手册》302页《发射测量－英文》《范氏基本图解无线电学》301页《峰窝式移动电话原理-使用-检修》178页《高频电路基础》364页《高频电路设计技术》195页《高频电路设计与制作》259页《高频电路原理》270页《高频调谐器原理与维修》500页《各种发射类别的无线电接收机的测量方法》85页《广播发射新技术》239页《广播发送技术》338页《简单无线电装置》91页《简明无线电爱好者实用资料手册》530页《简明无线电原理》218页《简易无线电测试》82页•《晶体管接收机电路的原理与设计》645页《精品系列无线电爱好者读本(上)（第二次修订本）》609页《精品系列无线电爱好者读本(下)（第二次修订本）》418页《列车调度无线电话》202页《模范无线电读本》160页《平流层气球载通信系统》《千万个为什么（9）无线电篇》322页《浅谈无线电通信》129页《青年无线电工程师》221页《青少年电子巧技》288页《趣味无线电工学》220页《少年无线电》95页《少年无线电爱好者（上册）》159页《少年无线电爱好者（下册）》150页《少年无线电入门》158页《甚高频通信设备原理与维修》197页《实验无线电对讲机》244页《实用高频电路集》39页《实用无线电讲话》599页《实用移动无线电通信》358页《数字声频与广播播控技术》270页《数字微波收发信机维护手册》420页《苏联业余无线电丛书无线电电子设备的可靠性》69页《特高频无线电技术问题》122页《铁淦氧在无线电机中的应用》83页《通信、广播电路与系统》378页《通信广播电路原理与应用》431页《通信技术常识第二集超短波调频电台》56页《通信接收机：DSP、软件无线电和设计》595页《通信原理》436页《通信原理与电路》357页《外军电台手册》280页•《万有文库第一集一千种_无线电报及无线电话》155页《万有文库第一集一千种_无线电原理》137页《无线电“猎狐”》235页《无线电爱好者创作资料集1》46页《无线电爱好者电路》622页《无线电波传播》1081页《无线电波传播理论及其应用》534页《无线电波是怎样传播的》90页《无线电测量术》146页《无线电常识(上册)》138页《无线电常识(下册)》173页《无线电初步》263页《无线电电路研究》218页《无线电电子学第二册》330页《无线电电子学第三册》234页《无线电电子学第一册》273页《无线电电子知识入门》372页《无线电读本上册》190页《无线电读本下册》252页《无线电短波收信机测试》108页《无线电多路通讯》422页《无线电发射接收原理》202页《无线电工程（上、下册）》486页《无线电工学(苏-布拉麦尔)》578页《无线电工学(苏-亚力山大罗夫)》349页《无线电工学基础》393页《无线电工业常用胶粘剂》121页《无线电广播工程》232页《无线电广播技术手册》1175页《无线电广播与接收》359页《无线电广播中的调频技术》344页《无线电话收音机管理法全一册》55页•《无线电机件装配指南》162页《无线电机修理法》139页《无线电基本知识》234页《无线电基础》407页《无线电基础与收音机》287页《无线电计量》386页《无线电技术》158页《无线电技术－2》427页《无线电技术参考资料印制电路及其制造》77页《无线电技术基础》241页《无线电技术基础(上册)》550页《无线电技术基础(苏)》744页《无线电技术讲座》212页《无线电讲话》230页《无线电接收》511页《无线电接收的工业干扰及其抑制》316页《无线电接收机大意》151页《无线电接收设备》404页《无线电接收设备（上册）》228页《无线电接收设备（下册）》352页《无线电结构设计手册》800页《无线电器材设计》290页《无线电器材试验》352页《无线电器材制造(上下册)》683页《无线电钳工基础工艺》315页《无线电设备的回路零件》330页《无线电设备结构设计》296页《无线电设备结构设计与工艺》306页《无线电设备元件零件的结构设计与制造工艺（上册）》574页《无线电设备元件零件的结构设计与制造工艺（下册）》393页《无线电设计结构设计》298页《无线电识图与电路故障分析轻松入门》•469页《无线电实用技术手册》469页《无线电世界》415页《无线电世界(中)》408页《无线电收信和无线电收信机的工作》252页《无线电收信中心》496页《无线电数学（上册）》253页《无线电数学（下册）》369页《无线电台是怎样工作的》258页《无线电通信设备维修》287页《无线电小组及其工作》95页《无线电信号频谱》308页《无线电修理技术（上册）》471页《无线电修理技术（下册）》477页《无线电修理技术（中册）》829页《无线电学》171页《无线电摇控制作》153页《无线电遥测》207页《无线电遥控电路专集》196页《无线电遥控模型飞机》129页《无线电遥控组件及其应用电路》254页《无线电应用手册》283页《无线电应用数学（上、下册）》337页《无线电与电视(2003年2,3,4,6,7期)》325页《无线电原理上、下册》698页《无线电原理及应用》345页《无线电知识》106页《无线短波发信机维护手册——6_8千瓦单边带发信机》161页《无线短波发信机维护手册——35千瓦单边带发信机》184页《无线短波发信机维护手册——50_80千瓦短波发信机》230页《无线短波收信机维护手册——5601型单边带接收机》203页《无线短波收信机维护手册——WR811型移频电报接收机》242页《无线通信电路基础教程》257页•《现代通信技术应用大全》744页《现代通信新技术（第2版）》458页《现代无线电通信知识讲座》307页《小型电台及其组网应用》323页《小型无线电机》375页《小型无线电机的电源》172页《小型无线电台》120页《小型无线电台的使用与维护》118页《小型无线电台技术手册》162页《新旧电气图形符号对照读本》69页《新型无线电通信接收机》182页《业余超短波无线电通信》103页《业余无线电1》42页《业余无线电及其机械维修技巧1200例》436页《业余无线电计算图表》116页《业余无线电手册》378页《业余无线电通信》237页《业余无线电问答(苏)》135页《业余无线电问答(中)》102页《业余无线电元器件手册》489页《移动式无线电台》97页《应用无线电及电子技术公式集》499页《怎样实现电视和调频广播远距离接收》289页《怎样抑制电气设备对无线电的干扰》90页《中短波辐射》《中短波广播发射机》182页《高速PCB设计指南》《锁相环设计软件》《印刷电路板排版设计》288页《2002ARRL HANDBOOK》114页《ARRL HANDBOOK 2006 CD.ISO－－－》•《ARRL Radio Amateur Handbook 2000》《GSM基础讲座》105页《jarl业余无线电手册_11198348超星阅读》《wireless communications》545页《超再生式无线收信机》《带阻及低通微带滤波器的分析与设计》《电磁干扰排查及故障解决的电磁兼容技术》235页《电力线载波通信设计资料》4.83兆大小《电子科技大学通信原理19讲－视频》788兆大小《电子元器件焊接技术－视频》199兆《多相滤波器的原理及其实现》《高频无源部件设计》33页《国内外功率晶体管实用手册（下）_10004037》1429页《集群通信系统概述》《晶体管手册》《扩展频谱通信简介》《雷达手册》1051页《射频电平单位dBW、dBm、dBmV、dBμV的关系》《射频微波工程百科全书.Encyclopedia.of.RF.and.Microwave.Engineering》119兆大小《实用电子线路集》612页《通信电路》3.49兆大小《通信知识》1.63兆大小《微波电子线路》236页《现代微波滤波器的结构与设计》899页《业余超短波无线电通信》103页《振荡电路实用设计手册_10844117》311页《无线电应用基础知识必读》《PCB板蛇形走线有什么作用》《丙类倍频器》《短波频带中的各种信号》《短波收音机混频电路浅析》•《混频器，滤波器，功率合成..》《火腿肠谈盗听器发现和秘话解读功能》《滤波器的过去、现在与未来》《漫谈DDS,PLL和纯LC振荡器》《漫谈短波的音质》《密码电台》《偏转管混频器介绍》《软件无线电》《深入浅出话拍频》《说说现代业余无线电接收技术中的常用功能《跳频术：巧设信息战安全走廊》》《通俗点来谈S××工作模式和原理》《通信系统传输单位—分贝》《直接频率合成（DDS）技术介绍》************晶体、电子管、功放目录************* 《15瓦射频放大器》《LM386功放电路图》《TL-922 完整的短波电子管功放电路图及内部实物图》《电真空器件手册》818页《电子管手册(1－4辑)》•1827页《负反馈》164页《射频功放的收发切换电路》《苏联《输出变压器的设计》中文》《自制高频电子管功率放大器》《2-30MHz 8W宽带线性放大器》《15w射频功率放大器》《40瓦28兆电子管(FU-7)功放电路图》《100w功放内部图(晶体管)》《600瓦FL-2100B电子管功放(内部图片)》《1932年的电子管原理教材(部分)》《Alpha87A射频电子管功放内部图片(超清析-漂亮)》《C1970与C1971的区别》《DIY 708B电台10W功放》《FU-50高频电子管功率放大器电路图》《HF PA SU IRF640 廉价功放》《LM386低电压应用设计音频功率放大器》《MOTO 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(1)－2》106页《电子管放大器基础－2 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pcb电子管功放原理图及详细参数电路板设计及实物图(养眼呀)》《delta1000电子管功放原理图(用811A)》《高频管使用方法(摘自无线电世界)》《世界可控硅参数大全》666页《世界最新集成运算放大器互换手册——日、美、西德、荷兰、法和中国型号及其互换》691页《电子管放大电路实践》183页《电子管放大电路实践》《2sc1970-1971-1972发射管参数》《2sc2053发射管参数及使用电路图》《9011~9018三极管参数手册》《circuit_hl1kgx电子管功放原理图》《circuit_hl37v电子管功放原理图》《circuit_hl82v晶体管功放原理图》《circuit_hl110v晶体管功放原理图》《circuit_hl160v25a晶体管功放原理图》《circuit_hl180v晶体管功放原理图》《CMOS 4000系列集成电路标准中文数据手册》523页《CS-5A型电子管测试仪-BD7EI》41页《FU-13 及FU-50射频电子管功放电路图》•《HL-37V射频功放电路图(晶体管)》《HL-82V射频功放电路图(晶体管)》《IC集成电路应用手册_10185782》327页《mc145163频率合成器应用资料》《NE602使用资料》《TS440S电台功放带通电路图》《常用IC、数码管、三极管管脚排列》24页《常用电子管应用电路》2035页《常用收信电子管应用手册_0》268页《电子功放电射频路大图(超详细)》《电子管_0》52页《电子管测试_0》207页《电子管电路基础（增订本）_0》303页《电子管电路基础_0》214页《电子管放大器图集(音频)》20页《电子管手册》894页《电子管手册_0》894页《电子管与真空技术手册（内部）_10171618》927页《短波1600w军机功放手册》68页《国内外功率晶体管实用手册（上）_10004036》664页《国内外小功率晶体管实用手册（上）（国外部分）_10004038》827页《国内外小功率晶体管实用手册（下）（国内部分）_10004039》888页《家用电器元器件手册_10004041》728页《晶体管手册》《世界电子管手册_0》722页《苏联无线电元件装置元件手册_10184067》449页《最新世界二极管特性代换手册_10421419》907页《最新世界三极管特性代换手册_10421200》1567页《测判三极管的口诀》《常用发射机用三级管》《场效应管参数符号及意义》《大功率电视发射管的使用及维护》《电子管厂（七七四厂）和无线电器材联合厂（七一八厂）的筹建》《电子管高频功率放大器输出回路的馈电形式》《电子管功放的输入匹配问题》《调整双工器放大器的类别》《高频磁环的识别》《高频管和低频管的判别》《关于电子工艺管制造》《火腿电台的补品：电子束偏转管》《晶体管参数(部分)》《空气电容片距与耐压对照值》《判断三极管口诀》《使用电子管时应该特别注意的事项》《无线电台常用发射模块参数》************天线目录************* 《DBJ -1型VHFUHF两波段J型天线》《FORCE12的部分天线资料内有详细天线尺寸)》《GP天线》《八木天线－》《多段J型天线设计计算软件》•《接地与搭接》《近代天线设计》《实用天线设计与制作－书籍》144页《天线工程手册》1252页《天线设计与制作（R.A彭福德(英)著)》80页《435兆八木天线图》《FMA9901A调频广播专用天线》《懒汉天线原理图》《144MHz九单元八木天线制作》《st310a军用天线使用说明书》《0.7米6单元HB9CV天线(图片)》《2 米波段杜普勒矩环定向天线》《2.4G天线(图片)》《6M，2M，0。
2SC3461中文资料(sanyo)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
Ta=120°C
3
2
25°C
VCE=5V
10
--40°C
DC电7流增益,hFE
5
3 2
23
10 7 5
5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10
集电极电流,IC - 一个
ITR05612
VBE（星期六） - IC
IC / IB=5
3 2
基极 - 1发.0射极 Ta=--40°C 饱和电7 压,VBE（星期六） - V 25°C
5
3
2 23
120 °C
5 7 0.1 2 3 5 7 1.0
集电极电流,IC - 一个
2 3 5 7 10 ITR05614
No.1596–2/4
芯片中文手册,看全文,戳
2SC3461
IC -- VBE
9
VCE=5V
8
7
6 5 4
集电极电流,IC - 一个
3 2
2°0C Ta1=
三洋承担所造成产品使用AT超越,即使是瞬间值,设备故障不承担任何责任,额定数值（例如最大 额定值,工作环境范围或其他参数）任何产品规格及所有SANYO产品描述或此处包含上市.
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Parameter
Gain-Bandwidth Product Output Capacitance Collector-to-Emitter Saturation Voltage Base-to-Emitter Saturation Voltage Collector-to-Base Breakdown Voltage Collector-to-Emitter Breakdown Voltage Emitter-to-Base Breakdown Voltage Collector-to-Emitter Sustain Voltage Turn-ON Time Storage Time Fall Time
2SC1846中文资料
2SC1907中文资料
mA
5 mA
600
30
20
10
VCB = 10 V Output end short
800
900 1,000 1,200
0 –30 –20 –10 0
10 20 30
Forward Transfer Conductance gfb (mS)
Output Suceptance bob (mS)
2SC1907
yrb = grb+jbrb
400 MHz
–1
600
–2
800
900
–3
VCB = 10 V
1,000
Input end short
–4
5 mA
15 mA mA
IC = 10
–5 1,200
–6 –1.2 –1.0 –0.8 –0.6 –0.4 –0.2 0
Reverse Transfer Conductance grb (mS)
VCE = 10 V 16
12
8
4
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Base to Emitter Voltage VBE (V)
DC Current Transfer Ratio hFE
Collector Current IC (mA)
2SC1907
= 300 mW PC
Typical Output Caracteristics
Pout
—
Typ Max Unit Test conditions
—
—
V
IC = 10 µA, IE = 0
—
—
V
IC = 3 mA, RBE = ∞
2SA1644中文资料
IC=-4A; IB=-0.2A
-1.5
V μA μA
ICBO
Collector cut-off current
VCB=-100V; IE=0
-10
IEBO
Emitter cut-off current
VEB=-5V; IC=0
-10
hFE-1
DC current gain
IC=-0.2A ; VCE=-2V
元器件交易网
Inchange Semiconductor Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SA1644
DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Fast switching speed ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For use in switching power supplies,DC-DC converters,motor drivers,solenoid drivers, and other low-voltage power supply devices, as well as for high current switching
PINNING PIN 1 2 3 Emitter Collector;connected to mounting base Base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol DESCRIPTION
Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP.
2SC3694中文资料
ICBO
Collector cut-off current
IC=12A ; IB=0.6A VCB=60V;IE=0
1.5
V
10
μA
ICER ICEX1
Collector cut-off current Collector cut-off current
VCB=60V;RBE=50Ω;Ta=125°C VCB=60V; VBE=-1.5V
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCBO
Collector-base voltage
Open emitter
VCEO
Collector-emitter voltage
Open base
VEBO
Emitter-base voltage
Open collector
VALUE 100 60 7
·Low saturation voltage
APPLICATIONS ·For use in drivers such as DC-DC
converters and actuators.
PINNING PIN 1 2 3
DESCRIPTION Base Collector Emitter
固IN电C半H导AN体GE SEMICONDUCTOR Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
SEMICONDUCTOR
Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.15 mm)
3
VCB=60V; VBE=-1.5V;Ta=125°C VEB=5V;IC=0 IC=1.5A ; VCE=2V IC=3.0A ; VCE=2V IC=8.0A ; VCE=2V VCB=10V;IE=0;f=1.0MHz
2SC1775中文资料
E
F
400 to 800 600 to 1200
Max Unit Test conditions
—V
IC = 1 mA, RBE = ∞
— µA 0.5 µA 1200 —
0.75 V 0.5 V
VCB = 75 V, IE = 0 VCB = 100 V, IE = 0 VCE = 12 V, IC = 2 mA VCE = 12 V, IC = 0.1 mA VCE = 12 V, IC = 2 mA IC = 10 mA, IB = 1 mA
—
Gain bandwidth product fT
Collector output
Cob
capacitance
— 200 — — 200 — 1.6 — — 1.6
Noise figure
NF
— — 5.0 — —
— — 1.5 — —
Note: 1. The 2SC1775/A is grouped by hFE1 as follows.
4.8 ± 0.3
3.8 ± 0.3
Unit: mm
5.0 ± 0.2
0.7 2.3 Max
12.7 Min
0.60 Max
0.5 ± 0.1
0.5
1.27 2.54
Hitachi Code JEDEC EIAJ Weight (reference value)
TO-92 (1) Conforms Conforms 0.25 g
2SC1775, 2SC1775A
Silicon NPN Epitaxial
Application
• Low frequency low noise amplifier • Complementary pair with 2SA872/A
2SC1959中文资料
3
2003-03-24
2SC1959
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SC1959
Audio Frequency Low Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switching Applications
• • • Excellent hFE linearity : hFE (2) = 25 (min): VCE = 6 V, IC = 400 mA 1 watt amplifier applications. Complementary to 2SA562TM. Unit: mm
Maxபைடு நூலகம்mum Ratings (Ta = 25°C)
JEDEC JEITA TOSHIBA
TO-92 SC-43 2-5F1B
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics Collector cut-off current Emitter cut-off current Symbol ICBO IEBO hFE (1) DC current gain (Note) hFE (2) (Note) Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Transition frequency Collector output capacitance VCE (sat) VBE fT Cob Test Condition VCB = 35 V, IE = 0 VEB = 5 V, IC = 0 VCE = 1 V, IC = 100 mA VCE = 6 V, IC = 400 mA IC = 100 mA, IB = 10 mA VCE = 1 V, IC = 100 mA VCE = 6 V, IC = 20 mA VCB = 6 V, IE = 0, f = 1 MHz
2SC4672中文资料(WILLAS ELECTRONIC)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
SOT-89塑封
1.0A表面装载肖特基整流器-20V- 200V
SOD-123 包
2SC4672 THRU
特征 晶体管（• N批P量N处）理设计,出色功耗报价
特征
更好反向漏电流和耐热性.
• 低 型材表面安装,以便应用程序
低 优饱化和电路电板压空间. • 低功耗,高效率.
2- Thermal Resistance From Junction to Ambient
SYMBOL FM120-MH FM130-MH FM140-MH FM150-MH FM160-MH FM180-MH FM1100-MH
VF
IR
Q
120–270
0.50
0180–390
SYMBOL FM120-M H FM130-MH FM140-MH FM150-MH FM160-MH FM180-MH FM1100-MH FM1150-MH FM1200-MH
V(BR)CBO
V(BVR)RCREMO VRMS
V(BR)EBO VDC I CBIOO IEBO
hIFFESM
IC1=250µA,I 1E3=0 14
(1.55)REF
• 极性：由阴极频带指示
• 任何安装位置：
• 重量：逼近0.011克
FM1200-M
包
包装外形
SOT-89 SOD-123H
.063(1.60)
,
.055(1.40)
Dimensionsin inchesand (millimeters)
最大额定值,电器性能
在25℃环境温度,除非另有规定额定值. 单相半波,60赫兹,感性负载电阻. 对于容性负载,减免电流20％
2SA系列(PNP型)三极管参数表
厂商
特性用途
集电极最大直流耗散功率Pcm(W)
集电极最大允许直流电流Icm(A)
集电极-基极击穿电压BVcbo(V)
集电极-发射极击穿电压BVceo(V)
特征频率ft(Hz)
放大倍数
国内外代换型号
2SA0683
PANASONIC
硅PNP三极管,低频功率放大和驱动，配对管2SC1383
1
-1.5
-30
60M
70-240
3CA10D
2SA1013
长电
硅PNP三极管,TO-92，放大
900m
-1
-160
-160
20M
40-310
3CA3F
2SA1013H
TOSHIBA
硅PNP三极管,TO-92，音频放大,彩色电视机场输出，配对管2SC2383
900m
-1
-160
-160
15M
60-200
3CA3F
2SA1013T
2SA1039
硅PNP三极管
300m
-50m
-80
140
820
3CG170C
2SA104
硅PNP三极管,高频射频放大
60m
-10m
-40
50M
30-250
3AG95A
2SA1040
硅PNP三极管
100
-120
60M
2SA1041
硅PNP三极管
100
-120
60M
2SA1042
硅PNP三极管
100
-70
硅PNP三极管,一般放大，配对管2SC1473
750m
-70m
-250
2SC4672资料
TransistorsRev.A 1/2Low Frequency Transistor (50V, 3A)2SC4672z Features1) Low saturation voltage, typically V CE (sat) =0.1V at I C /I B =1A /50mA. 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SA1797.z Absolute maximum ratings (T a=25°C)ParameterSymbol VCBOV CEO V EBO I C P C Tj TstgLimits 6050630.52150−55 to +150Unit V V V A (DC)6 A (Pulse)∗1∗2W°C °C∗1 Single pulse, Pw =10ms∗2 40×40× 0.7mm Ceramic boardCollector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector currentCollector power dissipation Junction temperature Storage temperaturetz Packaging specifications and h FEz Electrical characteristics (T a=25°C)ParameterSymbol Min.Typ.Max.Unit ConditionsBV CBO BV CEO BV EBO I CBO I EBO V CE(sat)h FE 2f T Cob60506−−−45−−−−−−−0.13−21025−−−0.10.10.35−−−V V V µA µA V −MHz pFI C =50µA I C =1mA I E =50µA V CB =60V V EB =5V I C /I B =1A/50mA V CE =2V, I C =1.5AV CE =2V, I E =−0.5A, f =100MHzV CB =10V, I E =0A, f =1MHzCollector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cutoff current Emitter cutoff currentCollector-emitter saturation voltage DC current transfer ratio Transition frequency Output capacitance∗∗h FE 182−270−V CE =2V, I C =0.5A∗∗Measured using pulse current.TransistorsRev.A 2/2z Electrical characteristics curvesC O L L E C T O R S A T U R A T I O N V O L T A G E : V C E (s a t ) (V )COLLECTOR CURRENT : I C (A)Fig.3 Collector-emitter saturation voltage vs. collector currentD C C U R RE N T G A I N : hF ECOLLECTOR CURRENT : I C (A)Fig.2 DC current gain vs. collector currentC O L L E C T O R C U R R E N T : I C (A )BASE TO EMITTER VOLTAGE : V BE (V)Fig.1 Grounded emitter propagation characteristicsFig.4 Safe Operating areaCOLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V CE (V)C O L L E C T O R C U R R E N T : I C (A )AppendixAbout Export Control Order in JapanProducts described herein are the objects of controlled goods in Annex 1 (Item 16) of Export T rade ControlOrder in Japan.In case of export from Japan, please confirm if it applies to "objective" criteria or an "informed" (by MITI clause)on the basis of "catch all controls for Non-Proliferation of Weapons of Mass Destruction.Appendix1-Rev1.1。