CRE1
cr的工作原理
cr的工作原理CR（磁阻器）是一种常用的电子元件，用于控制电流和电压的大小。
它的工作原理基于磁阻效应，通过改变磁场的强度来调节电流或者电压的大小。
1. 磁阻效应磁阻效应是指材料在外加磁场作用下电阻发生变化的现象。
根据磁阻效应的不同表现形式，可以将磁阻器分为两种类型：正磁阻和负磁阻。
2. 正磁阻器正磁阻器的电阻值随着磁场的增加而增加，即在磁场的作用下，电阻值呈正比例变化。
这种磁阻器通常由铁磁材料制成，如铁氧体。
正磁阻器常用于磁场传感器、磁场调节器等应用中。
3. 负磁阻器负磁阻器的电阻值随着磁场的增加而减小，即在磁场的作用下，电阻值呈反比例变化。
这种磁阻器通常由磁敏电阻材料制成，如镍磁阻、铁磁阻等。
负磁阻器常用于电流传感器、电压调节器等应用中。
4. CR的结构和工作原理CR由磁敏电阻和磁场产生器组成。
磁敏电阻是一种特殊的材料，它的电阻值受到外加磁场的影响。
磁场产生器可以通过电流或者磁铁产生磁场，使磁敏电阻的电阻值发生变化。
当电流通过CR时，磁敏电阻的电阻值会随着磁场的变化而变化。
通过控制磁场的强度，可以实现对电流或者电压的调节。
具体来说，当磁场增强时，磁敏电阻的电阻值减小，电流或者电压增大；当磁场减弱时，磁敏电阻的电阻值增大，电流或者电压减小。
5. CR的应用CR广泛应用于各种电子设备和电路中。
以下是一些常见的应用场景：- 电流传感器：CR可以根据电流大小的变化来改变电阻值，从而实现对电流的测量和控制。
- 电压调节器：CR可以根据电压大小的变化来改变电阻值，从而实现对电压的稳定和调节。
- 磁场传感器：CR可以根据磁场的变化来改变电阻值，从而实现对磁场的测量和控制。
- 电子开关：CR可以根据外界条件的变化来改变电阻值，从而实现对电路的开关控制。
总结：CR是一种利用磁阻效应来控制电流和电压的电子元件。
它的工作原理基于磁敏电阻的电阻值随磁场变化而变化。
通过控制磁场的强度，可以实现对电流或者电压的调节。
CR在电流传感器、电压调节器、磁场传感器和电子开关等领域有着广泛的应用。
三菱电梯部分配件清单
三菱电梯部分配件清单GPS-CR,II P1板 KCD-600E GPS-CR,II P1板 KCD-601C GPS-CR,II P1板 KCD-602C GPS-CR,II P1板 KCD-603C GPS-CR,II E1板 KCR-650A GPS-CR,II DOOR板DOR-110B GPS-CR,II DOOR板 DOR-111B GPS-CR,II轿顶充电板 DOR-525GPS-CR,II轿顶充电板 DOR-530 显示驱动板 LHH-100AG21 显示驱动板LHH-100AG24 GPS内显示板 LHA-023G01 GPS内显示板 LHA-024G01 LHD-620B 指令主板 LHS-200C 指令主板 LHS-202C 指令扩展板 LHS-210AGPS-I,II并联板底座 KCM-400 增设柜底座 KCM-500A GPS-I,II,SP-VF并联副板KCA-41A GPS-I,II并联主板 KCC-400C GPS-I,II并联主板 KCC-402CGPS-I,II并联主板 KCC-406C KCC-60A GPS-II消防板 KCA-600A GPS-II消防板KCA-601A KCY-205B KCY-260C KCZ-610 KCZ-620 称量板 LIR-219 称量板LIR-223 GPS召呼单按钮 LHB005BG01 GPS召呼单按钮 LHB005BG02GPS召呼双按钮 LHB006BG01 GPS召呼双按钮 LHB006BG02 GPS指令单按钮LHB007BG01 GPS指令双按钮 LHB008B LHB009B 放电模块 CM75E3Y-12E 放电模块 CM150E3Y-12E 驱动模块 CM75DY-12H 驱动模块 CM150DY-12H 驱动模块 CM200DY-12H 驱动模块 CM300DY-12H 驱动模块 CM400DY-12HLIR-218 GPS编码器 X65AC-10/20 编码器 X65AC-01（512PW-1）编码器X65AC-13(1024PW-05) 电流互感器 HC-WT100V4B12 电流互感器HC-WT200V4B12 GPS门机编码器 X65AC-08 门机 SE-JR GPS门光电开关YA043D166-04 GPS感应器同YG-25 GPS-3厅外显示主板 LHH--205A 温度保险丝L56K 33 J 250V5A 145℃ SP-VF系列 SPVF光纤插座东芝TODX75A SP-VF光纤5/10米 SPVF召呼板 LOA-410AG01封顶 SPVF召呼板 LOA-410AG02中间SPVF指令扩展板 LOA-422AG01 SPVF指令扩展板 LOA-422AG02 SPVF指令扩展板LOA-422AG03 SPVF指令板 LOA-503AG04低于6F用 SPVF指令板LOA-503AG06等于6F用 SPVF指令板 LOA-503AG08高于6F用SPVF操纵箱显示板 LHD-601AG01 LHD-603A 横式显示 LHD-610A SPVF召呼板LOA-410AG01 SPVF召呼板 LOA-410AG02 SPVF指令扩展板 LOA-422AG01 SPVF指令扩展板 LOA-422AG02 SPVF指令扩展板 LOA-422AG03 SPVF指令板LOA-503AG08 SPVF操纵箱显示板 LHD-601AG01L01 5#接触器 SD-N50 5#接触器SD-N80 LB接触器 SD-N21 SPVV编码器 SET3R-1024/64 SPVF编码器 X65AC-01 SPVF感应器 PAD-1 底板 KCM-100A 底板 KCM-101A 底板 KCM-102A 并联GP1板KCC-100A 并联GL1板 KCB-05A SPVF（P1） KCJ-100A SPVF（P1） KCJ-101A SPVF（W1） KCJ-150ASPVF（W1） KCJ-151A SPVF（Z1） KCJ-160A SPVF（Z1） KCJ-190ASPVF（E1） KCJ-120B SPVF（E1） KCJ-121B SPVF门机板 DL2-VCOSP-VF驱动板 LIR-812A SP-VF驱动板 LIR-813A SG-VP光电开关 E3S-GS3E4 KCA-31A KCA-41A GPS-I系列 P1板 KCJ-400A W1板 KCZ-400A E1板 KCJ-420C Z1板 KCZ-411A GP1板 KCC-400C GPS-I门机主板 DOR-101 GPS-I门机副板DOR-201 GPM-M系列 P1板 KCJ-502B P2板 KCJ-520A GP1板 KCB-520AKCW-21A KCW-11B 副板 KCW-510B 底板 KCM-500A KCC-310C KCC-301A KCC-320A KCW-350A GPS－III 功能板 KCA-761C 功能板 KCA-762C 并联板KCC-702C KCC-704A P1板 KCD-701C 门机板 DOR-121C LHH-200AG21 LHH-200AG24 LHH-205AG11 LHH-205AG24 LHH-210A LHH-211A 指令板LHS-400 指令板 LHS-402 指令扩展板 LHS-410A轿内显示板 LHD-650 互感器 X54HA-01 无机房用ELENESSAKCA-910A可代用911A KCA-920B KCD-911A KCR-900B KCR-910A KCA-915A KCR-870A DOR-160B DOR-221A DOR-261B DOR-275D LHD-730A LHS-500A LHD-660A LHH-320A KCR-965A KCR-990A 小机房NEXWAY-S P1板 KCD-911A KCD-912BE1板 KCR-945A KCR-946A KCR-907A W1板 KCA-941A KCA-1005A KCA-922B 门机板 DOR-1231A DOR-1240A HOPE系列 P1板 P203701B000G01 E1板P203702B000G01 P203712B000G01 W1板P203703B000G01 P230721B000G01显示板 P366701B000G02 门机板 P231701B000G01 P231706B000G01 操纵箱通讯板P235701B000G01 P235702B000G02 P235705C菱云LEHY P1板 P203728B000G05 E1板 P203709B000G01W1板P203713B000G12 P203710B000G01 P203722B000G01 P203723B000G01 P203724B000G01 显示板 P366705B000G02 门机板 P231707B000G03P231706B000G01 操纵箱通讯板 P235711B000G02 P235710B000G01 KCJ-100A KCJ-120B KCJ-121B KCJ-150A KCJ-。
E1接口介绍
线路接口阻抗选择
用户通过设置“CCR5”寄存器的“IRTSEL”位 （CCR5.4），即可实现DS21Q59芯片与75 或120 接收终端的匹配。也可以使用内部的终端功能， 此时，外部终端接电阻为120 欧（一般为两只60 电阻串联），将“IRTSEL”位置为“1”，使 DS21Q59的内部电阻与外部电阻相并联，从而将端 接电阻调整到75 欧。
（６）本地环路
CCR3.6=1，进入本地环路模式。此环路 中，数据作为正常模式连续发送。在RTIP 和RRING接收的数据被发送数据替代。环 路中的数据经过振动抑制器。
四、DS21Q59应用
1、DS21Q59概述 DS21Q59是美国MAXIM公司出品的单片四路E1收 发器芯片，是一种优化的高密度E1线路终端。它 包含四个由线路接口单元（LIU）和成帧器组成的 完全独立的收发器，具备了连接四条E1线路所需 的各种功能，并且还有一个TDM背板接口，用于 在片内进行多路E1信号的交叉复用。该芯片是制 作四路E1数字中继接口的极佳选择，可广泛用于 路由器、复用器、接入设备、数字程控交换机及 信道服务单元（CSU）与数据服务单元（DSU） 中。
数据接收
接收时，E1波形从"RRING"和"RTIP"引脚进入 芯片，首先进行时钟和数据恢复，经过抖动抑制器 送到接收成帧器；接收成帧器完成对AMI和HDB3 线路码的解码及数据流的同步，确定帧和复帧的码 型，同时完成CRC码字的错误计数，检测接收到的 AIS、同步丢失以及对端告警等各种告警信号，并 为背板接口部分提供时钟、数据和帧同步信号。接 收通路有两帧容量的滑动缓冲存储器，可通过 "RCR"寄存器控制启用，用于消除接收数据与背板 异步时钟"SYSCLK"之间的相位差和频率差。
模具厂模具标准件手册
附件
页码 32 32
32 32 32 33 33 33 34 35 35 35 35 35 36 36 36 37 37 37 37 38
Copyright © BYD Company Limited
文件名称： Subject 文件属性： Doc. Classification:
模具厂模具标准件手册
制作单位：
Owner 适用范围：
Scope 提案发行人：
Initiated by：
文件状态：
Status：
发
行：
Issued by 受控状态：
Control Type 密级设定：
Security Level
模具厂设计部
第三事业部模具厂
李子成
正本
Original
IT产业群第三事业部文控中心
DCC Division Ⅲ of IT Business Group
页次 Page
2 2 2 2 2 3-38 39
1 目的 Purpose 1.1、稳定、提高和保证模具设计质量和制造中必须达到的质量规范； 1.2、提高专业化协作生产水平、缩短模具生产周期、提高模具制造质量和使用性能； 1.3、使模具设计人员摆脱大量重复的一般性设计； 1.4、最终使设计标准化，工艺标准化，加工标准化。
序 列
型号
模胚规格
1 CR_1A1 FC 3035 A70 B120 C100 E25 F30 LP30 OH320
A板 开框
B板 开框
开 框 数
模厚 成型机 (mm) 吨位
120*180*39 120*180*39 1 395 ≥110t
备注
2 CR_2A2 FC 3540 A70 B120 C100 E25 F30 OH320
三元合金相图
2、Fe-C-Cr三元系的水平截面
当投影图只有靠近成分三角形一个角的一部分时，可以用直 角坐标表示成分。
Fe-C-Cr系三元合金在工业上被广泛应用，如不锈钢0Cr13、 1Cr13、 2Cr13、高碳高铬模具钢Cr12等。
陶瓷材料有： 硅酸盐产品 CaO-Al2O3-SiO2 耐火材料 MgO-Al2O3-SiO2
可见，三元相图有重要的实用价值。但三元相图测定困难， 工作量太大，完整的三元相图资料不多。现有的也多是局部的 截面图或投影图。
1、三元合金的成分表示方法
成分（浓度）三角形
采用等边三角形表示三个组元 的成分。三角形的三个顶点分别 为3个组成元素（100％），三角 形内任一点（如o点），即可代 表任一三元合金的成分。
确定o点合金成分的具体方法： 通过o点分别作三角形3 个边的3 条平行线，则Ca = wA，即o点合 金中A组元的含量；同样， Ab = wB， Bc = wC。
证明：根据等边三角形的性质 Ca +Ab +Bc =AB = BC = CA=1 所以，wA+wB+wC =1=100%
例：在成分三角形ABC中确定三元合金40％A-30%B-30%C的 成分点。
对于三元合金两相平衡共存时，只有 测得其中一相的成分，才能确定另一相 得成分。
4、垂直（变温）截面图分析
为了方便通常取通过两条特殊直线的垂直截面。
垂直截面的用途
分析成分在该垂直截面上的合金在一定温度时的状态。 说明： ➢在垂直截面上不能应用杠杆定律计算相的相对量。 ➢垂直截面与水平截面图都是由实验测得的，并非由立体相图 截得。相反，三元立体相图则是由一系列的水平截面和垂直截 面作出的。
拟南芥侧根——精选推荐
拟南芥侧根的形成和生长受细胞分裂素代谢和信号基因的调控摘要植物根系吸收水分和养分和植物在土壤中的锚定是十分重要的。
横向根(LRs) 在根系统中相当重要。
他们胚胎后期的形成是受激素和环境因素的调控。
拟南芥中细胞分裂素在不同层面上通过干扰细胞分裂和模式形成来影响侧根的形成和生长。
这包括抑制中柱鞘细胞第一分裂和抑制幼小侧根的分支。
突变体分析揭示了细胞分裂素的合成基因IPT3和IPT5和所有的三个细胞分裂素受体基因(AHK3 AHK2,,CRE1 / AHK4)在侧根萌生中是多余的（无用的）。
AHK3 AHK2的突变增加了侧根形成中对生长素的敏感性，证实了生长素、细胞分裂素在侧根形成中的功能相关性。
相反,细胞分裂素受体突变体在侧根生长中对其他激素的应答类似于野生型,它是符合独立应答通路的。
一个显著的例外就是ahk2 ahk3突变体在侧根伸长中对油菜素内酯很敏感，表明细胞分裂素和油菜素内酯的拮抗作用。
调控侧根形成中多级丰余的细胞分裂素系统反映出它在调控环境因素中的作用。
介绍双子叶开花植物的根系统包括主根和侧根(LRs)。
侧根在根系统发展中起到相当大的作用，在锚定植物和摄取微量和大量元素过程中的作用更加大。
与起源于胚胎的主根不同，侧根的形成贯穿于植物的一生。
他们是由毗邻木质部顶端的中柱鞘细胞形成,称为拟南芥中柱鞘细胞。
这些细胞经历了一个清晰的过程，导向细胞分裂和长大形成一个侧根原基。
LRPs通过细胞分裂和生长,然后通过细胞扩张在老根上显现出来。
一旦出现, 侧根原基就会经历了一个激活过程形成一个功能完整的侧根分生组织来指导侧根的生长。
侧根的生长由植物激素和环境信号同时调控。
大量研究表明,生长素在侧根生长中起着主要的作用。
生长素调节侧根生长的几个阶段,最初是使中柱鞘细胞快速分裂建立起庞大的数量，然后使侧根生成。
据报道，为适应侧根的萌发于侧根原基的生长，在最大值处建立了生长素梯度。
在侧根的萌发中，分生细胞中生长素的积累激活了生长素受体SOLITARY ROOT (SLR)/ INDOLE-3-ACETIC ACID (IAA)14, AUXIN RESPONSE FACTOR (ARF)7–ARF19, and BODENLOS/IAA12–MONOPTEROS/ARF5，开始细胞分裂，引发器官形成。
E1UAA20-16.257M中文资料(ECLIPTEK)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
E1U列•符合RoHS（无铅）•HC-49 / US短包•AT或BT切提供•电阻焊接密封•紧公差/稳定性•磁带和卷轴,绝缘片,和自定义引线长度可供选择NOTES H 2.50L 11.18W 4.70水晶_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ _____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________电气特性频率范围频率公差/稳定性在工作温度范围温度范围工作温度范围老化（25°C）存储温度范围并联电容绝缘电阻驱动电平负载电容（C)3.579545MHz为50.000MHz为±50ppm /±100ppm（标准）,±30ppm/为±50ppm（AT切割只）,±15ppm/±30ppm（AT切割只）,±15ppm/±20ppm（AT切割只）,或±10ppm/±15ppm（AT切割专用）0°C到70°C,-20°C至70°C（AT切割只）,或-40°C至85°C（AT切割专用）±5ppm/年最大-40°C至125°C7pF最大500兆欧最低在100V1 mWatt最大18pF之（标准）,自定义C 10pF,或串联谐振等效串联电阻（ESR）,运作模式（MODE）,切频率范围3.579545MHz到4.999MHz5.000MHz到5.999MHz6.000MHz到7.999MHz8.000MHz到8.999MHz9.000MHz到9.999MHz10.000MHz到14.999MHz ESR (Ω)200最大150最大120最大90马克斯80马克斯70马克斯模式/剪切基本/ AT基本/ AT基本/ AT基本/ AT基本/ AT基本/ AT频率范围15.000MHz到15.999MHz16.000MHz到23.999MHz24.000MHz到30.000MHz24.000MHz到40.000MHz24.576MHz为29.999MHz30.000MHz到50.000MHzESR (Ω)60马克斯50马克斯40马克斯40马克斯150最大100最大模式/剪切基本/ AT基本/ AT基本/ AT基本/ BT三次泛音/ AT三次泛音/ AT.ECLIPTEK CORP.CRYSTAL E1U HC-49/US Short CR4111/07零件编码指南E1U A A 18 - 20.000M - I2 TR频率公差/稳定性A =±50PPM 25°C时,±0℃至100ppm70℃B =±50PPM,在25°C,±100ppm-20℃至70℃C =±50PPM,在25°C,±100ppm温度范围为-40°C至85°CD =±30ppm25°C时,±0℃50PPM至70℃E =±30ppm25°C时,为±50ppm -20℃至70℃F =±30ppm25°C时,为±50ppm -40°C至85°CG =±15ppm25°C时,±0℃为30ppm至70℃H =±15ppm25°C时,±30ppm-20℃至70℃J =±15ppm25°C时,±30ppm温度范围为-40°C至85°C K =±15ppm25°C时,±0℃为20ppm至70℃L =±15ppm25°C时,±20ppm-20℃至70℃M =±15ppm25°C时,±20ppm温度范围为-40°C至85°C N =±10ppm25°C时,±0℃为15ppm至70℃P =±10ppm25°C时,±15ppm-20℃至70℃包装选择空白=散装,A =盘,TR =卷带式可选项空白=无（标准）CX =自定义引线长度I2 =绝缘子标签频率负载电容S =系列X X = X X pF（自定义）动作模式/水晶切割A =基本/ A TB =三次泛音/ A TD =基本/ BT外形尺寸ALL DIM ENSIONS IN M ILLIM ET ERS 卷带尺寸ALL DIM ENSIONS IN M ILLIM ET ERS环境/机械特性PARAMET ER SPECIFICAT ION 标记规格1000 Pieces per ReelCompliant to EIA-468B精细泄漏测试总泄漏测试铅完整铅端接机械冲击耐焊接热抗溶剂可焊性温度循环振荡M IL-STD-883,方法1014,条件AM IL-STD-883,方法1014,条件CM IL-STD-883 2004方法锡2微米 - 6微米M IL-STD-202,方法213,条件CM IL-STD-202,方法210M IL-STD-202,方法215M IL-STD-883,2002年法M IL-STD-883,法1010M IL-STD-883,方法2007,条件A1号线：电子X X.X X X中号Frequency in MHz(5 Digits Maximum + Decimal).ECLIPTEK CORP.CRYSTAL E1U HC-49/US Short CR4111/07。
同位素表
放射性同位素半衰期Radioative Isotopic Life Cycle同位素列表這張同位素列表顯示了所有已知的化學元素的同位素。
此表由左到右按照原子序數的增長而排列，由上到下依照中子數目由少到多排列。
表格中的颜色表示各個同位素的半衰期（参见圖例），表格邊缘的颜色表示最稳定的核異構體的半衰期。
以下為新編化學元素週期表 :1 H2 He3 Li4Be5B6C7N8O9F10Ne11 Na 12Mg13Al14Si15P16S17Cl18Ar19 K 20Ca21Sc22Ti23V24Cr25Mn26Fe27Co28Ni29Cu30Zn31Ga32Ge33Ae34Se35Br36Kr37 Rb 38Sr39Y40Zr41Nb42Mo43Tc44Ru45Rh46Pd47Ag48Cd49In50Sn51Sb52Te53I54Xe55 Cs 56Ba57La72Hf73Ta74W75Re76Os77Ir78Pt79Au80Hg81Tl82Pb83Bi84Po85At86Rn87 Fr 88Ra89Ac104Rf105Db106Sg107Bh108Hs109Mt110Uun111Uuu112Uub113Uut114Uuq115Uup116Uuh117Uus118Uuo 鑭系元素58Ce59Pr60Nd61Pm62Sm63Eu64Gd65Tb66Dy67Ho68Er69Tm70Yb71Lu錒系元素90Th91Pa92U93Np94Pu95Am96Cm97Bk98Cf99Es100Fm101Md102No103Lr同位素元素表 : 第一及第二週期同位素元素表 : 第三週期同位素元素表 : 第四週期同位素元素表 : 第五及第六週期同位素元素表 : 鑭系元素週期。
cucr1zr化学成分
cucr1zr化学成分
Cucr1zr是一种金属间化合物，其化学成分是由铜（Cu）、铬（Cr）和锆（Zr）组成的。
这种化合物通常以化学计量比表示，即CuCrZr。
在这种化合物中，铜、铬和锆的比例是固定的，通常以原
子的数量比来表示。
铜是一种常见的金属元素，化学符号为Cu，它
具有良好的导电性和导热性，常用于电子设备和建筑材料中。
铬是
一种具有蓝白色金属光泽的过渡金属元素，化学符号为Cr，它在不
锈钢和合金中具有重要的应用。
锆是一种化学性质稳定的金属元素，化学符号为Zr，它常用于核反应堆中的结构材料和化工设备中。
因此，Cucr1zr化合物的化学成分结合了这三种金属元素的特性，具
有一定的特殊性能和应用领域。
从化学成分的角度来看，Cucr1zr化合物的组成元素铜、铬和
锆在材料科学和工程领域中具有重要的意义。
这种化合物可能在材
料合金、电子器件、航空航天材料等领域中发挥作用。
从应用领域
的角度来看，Cucr1zr化合物可能具有优良的导电性、耐腐蚀性和
高温稳定性，因此可能被用于制备高性能的合金材料或者用作特殊
环境下的材料。
另外，从制备工艺的角度来看，Cucr1zr化合物的
制备方法和工艺条件也是研究的重要方面，对于探索新型材料的制
备和改性具有一定的参考意义。
总的来说，Cucr1zr化合物的化学成分为CuCrZr，具有铜、铬和锆三种金属元素的特性，可能在材料科学和工程领域中具有重要的应用潜力，其制备方法和特性研究也具有一定的科学意义和工程价值。
cr原子电子排布式
cr原子电子排布式
cr原子电子排布式
铬原子是一种常见的元素，它的原子结构分布于其中的每一个原子中。
铬原子
的电子排布式是：[Ar]3d54s1。
铬原子具有24个电子，它位于4s2展示层和 3d5展示层上。
4s2展示层上有2个电子，而3d5 展示层上有4个电子。
铬原子的外层主游离电子配置为：4s2 3d4，它可以形成4个化学键，属于大
离子金属，可以通过共价键形成类似的物质，具有较高的熔点和沸点，在常温下具有较硬的状态。
因此，铬具有耐腐蚀性，广泛应用于工业中作为屏障使用，也可以用于做膜层等。
铬元素也可以被用来制造航空航天材料，尤其是制造高性能材料，比如铬合金，可以把2个不同的金属熔合在一起制造不锈钢材料，铬也可以被用来治疗癌症，作为药物载体来存储药物，还可以制造不锈钢，用于日常生活的工具或者家具配件中。
总的来说，在有机化学，无机化学和晶体学等许多领域中，由于其独特的电子
排布式，铬原子都具有很好的用途。
E1线是什么
一、E1简介1、一条E1是2.048M的链路，用P CM编码。
一个E1的帧长为256个b it,分为32个时隙，一个时隙为8个bi t。
每秒有8k个E1的帧通过接口，即8K*256=2048kbps。
每个时隙在E1帧中占8b it，8*8k=64k，即一条E1中含有32个64K。
二、E1帧结构E1有成帧,成复帧与不成帧三种方式,在成帧的E1中第0时隙用于传输帧同步数据,其余31个时隙可以用于传输有效数据;在成复帧的E1中,除了第0时隙外,第16时隙是用于传输信令的,只有第1到15,第17到第31共30个时隙可用于传输有效数据;而在不成帧的E1中,所有32个时隙都可用于传输有效数据。
三、E1基础知识E1信道的帧结构简述：在E1信道中，8bit组成一个时隙（TS），由32个时隙组成了一个帧（F）,16个帧组成一个复帧（MF）。
在一个帧中，TS0主要用于传送帧定位信号（FA S）。
CR C-4（循环冗余校验）和对端告警指示，T S16主要传送随路信令（CAS）、复帧定位信号和复帧对端告警指示，T S1至TS15和TS17至TS31共30个时隙传送话音或数据等信息。
我们称TS1至TS15和TS17至TS31为净荷，TS0和T S16为开销。
如果采用带外公共信道信令（CCS），TS16就失去了传送信令的用途，该时隙也可用来传送信息信号，这时帧结构的净荷为TS1至T S31，开销只有TS0了。
四、由PCM编码介绍E1：由PCM编码中E1的时隙特征可知，E1共分32个时隙TS0-T S31。
每个时隙为64K，其中TS0为被帧同步码，Si, S a4, S a5, S a6,Sa7,A比特占用, 若系统运用了CRC校验，则Si比特位置改传CRC校验码。
cr元素在奥氏体中的扩散常数
cr元素在奥氏体中的扩散常数Cr元素在奥氏体中的扩散常数奥氏体是一种重要的金属组织，具有优异的力学性能和耐热性能，在航空航天、汽车制造、能源等领域得到广泛应用。
而Cr元素作为一种常用的合金元素，在提高钢材的硬度、强度和耐腐蚀性方面起着重要作用。
了解Cr元素在奥氏体中的扩散常数对于合金材料的设计和制备具有重要意义。
扩散是指物质在固体中由高浓度向低浓度传输的过程。
在金属材料中，扩散常数是描述扩散行为的重要参数，它与晶格缺陷、温度、成分浓度等因素有关。
Cr元素在奥氏体中的扩散常数会影响到合金材料的力学性能、耐热性能以及耐腐蚀性能等重要指标。
晶格缺陷对于Cr元素在奥氏体中的扩散行为有着重要影响。
晶格缺陷包括点缺陷和线缺陷两种。
点缺陷包括空位、间隙原子和替位原子等，而线缺陷则包括位错和晶界等。
这些缺陷会使得晶体结构不规则，从而影响Cr元素的扩散。
例如，空位是一种晶格缺陷，它可以吸附Cr元素，并促进其在奥氏体中的扩散。
此外，位错和晶界也会对Cr元素的扩散行为产生影响。
温度是影响Cr元素在奥氏体中扩散的重要因素之一。
一般来说，温度越高，原子的热运动越剧烈，扩散的速率也就越快。
在奥氏体中，Cr元素的扩散常数随温度的升高而增大。
这是因为高温下，Cr元素更容易克服晶格势垒，从而更容易在奥氏体中进行扩散。
因此，在高温条件下，Cr元素的扩散速率会显著增加。
成分浓度也会对Cr元素在奥氏体中的扩散行为产生影响。
一般来说，成分浓度越高，原子之间的相互作用力越大，扩散速率也就越慢。
在奥氏体中，当Cr元素的浓度较高时，其在晶界附近会形成富集层，从而阻碍了Cr元素的进一步扩散。
因此，成分浓度对于Cr元素在奥氏体中的扩散行为具有重要影响。
Cr元素在奥氏体中的扩散常数受到晶格缺陷、温度和成分浓度等因素的共同影响。
了解和控制Cr元素在奥氏体中的扩散行为对于合金材料的设计和制备具有重要意义。
通过调控晶格缺陷、控制温度和成分浓度等手段，可以有效地改变Cr元素的扩散速率，从而实现合金材料性能的优化。
半导体cr的等级
半导体cr的等级半导体cr（Commodity Resistor）是一种常见的电子元件，用于控制电流的流动。
它在电子设备中扮演着重要的角色，常见于各种电路中，如功率放大器、滤波器和数字逻辑电路等。
半导体cr的等级根据其性能和质量的不同而有所区别，下面将介绍几种常见的等级。
一、一级半导体cr一级半导体cr是最高等级的半导体cr，具有优异的性能和质量。
它采用高纯度的材料制造，具有低温系数和高精度的电阻值。
一级半导体cr在电子设备中的应用非常广泛，能够满足各种严苛的工作环境要求。
二、二级半导体cr二级半导体cr是次高等级的半导体cr，具有较好的性能和质量。
它的制造工艺和材料质量相对较低，但仍能满足一般电子设备的需求。
二级半导体cr常用于一般的电路中，能够提供稳定的电阻值和可靠的电流控制。
三、三级半导体cr三级半导体cr是较低等级的半导体cr，具有一般的性能和质量。
它的制造工艺和材料质量较低，电阻值的稳定性和精度较差。
三级半导体cr适用于一些较为简单的电子设备，如电子玩具和小型家电等。
四、四级半导体cr四级半导体cr是最低等级的半导体cr，性能和质量相对较差。
它的制造工艺和材料质量较低，电阻值的稳定性和精度较差。
四级半导体cr通常用于一些低成本和低要求的电子设备，如普通家用电器和低端电子产品等。
半导体cr的等级根据其性能和质量的不同而有所区别。
一级半导体cr具有优异的性能和质量，适用于各种严苛的工作环境；二级半导体cr具有较好的性能和质量，适用于一般的电子设备；三级和四级半导体cr的性能和质量相对较低，适用于低成本和低要求的电子设备。
在选择半导体cr时，应根据具体需求和预算进行选择，以确保电子设备的性能和质量。
格兰富CR泵样本解读
CR, CRN高压GRUNDFOS DATA BOOKLET立式多级离心泵50 Hz目录产品数据性能范围介绍产品范围应用CRNE 1及3 HSCRN 5, 10, 15, 20 SF2 x CR 32, 45, 64, 902 x CRN 32, 45, 64, 902 x CRN 120, 1502 x CRN 120, 150型号说明代码高压泵轴封运行范围接线盒位置输送液体性能曲线适用原则选型和尺寸CR, CRN高压泵的选型性能曲线/技术数据CRNE 1-HS, 50/60 HZCRNE 3-HS, 50/60 HZCRN 3-SF , 50 HZCRN 5-SF, 50 HZCRN 10-SF, 50 HZCRN 15-SF, 50 HZCRN 20-SF, 50 HZCR 32, 50 HZCRN 32, 50 HZCR 45, 50 HZCRN 45, 50 HZCR 64, 50 HZCRN 64, 50 HZCR 90, 50 HZCRN 90, 50 HZCR 120,50 HZCRN 120,50 HZCR 150,50 HZCRN 150,50 HZ电气数据CR,CRN 高压泵标准电机 , 50HZE 电机,CRN HS , 50HZE 电机,CRN SF , 50HZCR,CRN 高压泵标准电机 , 60HZE 电机,CRN HS , 60HZE 电机,CRN SF , 60HZ 附件管路连接用于CRN 的对接法兰转接组件PJE 连接器带接管连接管PJE 连接器不带管CRNE-HS 用压力传感器LiqTecWEBCAPS234556788991010111111111214161820222426283032343638404244464850525252535353545454555555565657产品数据CR,CRN 高压泵性能范围T M 02 1689 400734产品数据CR,CRN 高压泵介绍本样本针对C R,C R N 泵的高压应用，两种方法获得高压：● 单台泵，配内置变频器的高速电机-CRNE-HS 1&3● 双泵串联，给水泵+高压泵-CRN-SF 3到20-CR,CRN 32到150依据泵的型号不同，高压泵共有两种结构形式：● CRNE-HS 和CRN-SF与标准泵相比，流道腔反置● CR,CRN ：标准泵或加装轴承法兰高压泵得到的高压力是由泵的特殊设计实现的。
cr元素mxene磁热
cr元素mxene磁热
MXene是一种二维材料家族，由过渡金属碳化物或氮化物制成。
其中，CR MXene是指由铬碳化物制成的MXene材料。
磁热效应是指在外加磁场下，材料发生磁热变化的现象。
CR MXene 材料具有优异的磁热性能，主要表现在以下几个方面：
1. 铬元素的特殊磁性：铬是一种具有自旋磁矩的过渡金属元素，具有较强的磁性。
因此，CR MXene材料在外加磁场下会发生磁热变化。
2. 磁热效应的调控：通过调节CR MXene材料的组分和结构，可以调控其磁热效应的强度和温度范围。
这为其在磁热应用领域的实际应用提供了可能性。
3. 应用潜力：由于其优异的磁热性能，CR MXene材料在磁热制冷、磁热传感器和磁热存储器等领域具有广阔的应用潜力。
cr的工作原理
cr的工作原理
CR（磁阻器）是一种用于电路中的电阻器，它的工作原理基于磁阻效应。
磁阻效应是指当磁场通过某些材料时，该材料的电阻会发生变化。
CR通过利用磁阻效应来控制电路中的电流和电压。
CR由一个磁性材料和一个线圈组成。
线圈中通有电流，产生磁场。
当磁场通过磁性材料时，磁性材料的电阻会发生变化。
这种变化可以通过改变线圈中的电流来控制。
当线圈中的电流增大时，磁性材料的电阻会减小，导致电路中的电流增大。
相反，当线圈中的电流减小时，磁性材料的电阻会增大，导致电路中的电流减小。
这样，通过调节线圈中的电流，可以实现对电路中电流的控制。
CR常用于电子设备中的电压调节和电流限制。
例如，当电子设备需要稳定的电压输出时，可以将CR连接在电路中，通过调节线圈中的电流，使得设备输出的电压保持稳定。
另外，当电子设备需要限制电流时，也可以使用CR来控制电路中的电流。
除了电子设备，CR还可以应用于其他领域。
例如，汽车制动系统中的防抱死刹车系统（ABS）就使用了CR来控制制动力的分配，提高行车安全性。
此外，CR还可以用于磁场传感器、磁记录和磁存储设备等方面。
总结起来，CR的工作原理是基于磁阻效应，通过调节线圈中的电流来控制电路中的电流和电压。
它在电子设备、汽车制动系统和其他领域中有广泛的应用。
通过了解CR的工作原理，我们可以更好地理解和应用这种电阻器。
cr是什么材料
cr是什么材料
CR材料是一种具有高性能的高分子材料，全称为聚合物复合
材料（Composite Reinforcement），也称为碳纤维增强复合材
料（Carbon Reinforced），是由碳纤维和聚合物基体组成的复
合材料。
CR材料具有很高的强度和刚度，同时具有低密度、耐腐蚀、
耐高温等特点，广泛应用于航空航天、汽车、体育器材等领域。
CR材料的核心组成部分是碳纤维，碳纤维是一种非常细长、
高强度、高模量的纤维材料。
由于碳纤维具有极高的成分纯度和结晶度，使其具有良好的力学性能和化学稳定性。
聚合物基体是CR材料中的另一个重要组成部分，可以为环氧
树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺等。
聚合物基体的选择决定了CR
材料的耐温性、韧性等性能。
CR材料具有优良的机械性能，其强度和刚度可以调控。
由于
碳纤维的高强度和高模量特性，使得CR材料可以在较小的体
积下承受更大的力量，使得产品更加轻盈和高强度。
同时，CR材料还具有优异的抗腐蚀性能，可以在极端环境条
件下使用，如高温、高湿度等。
这使得CR材料成为航空航天
和汽车行业中重要的材料。
CR材料的制造过程是将碳纤维和聚合物基体进行混合和加工，常见的制造工艺包括树脂浸渍、热压成型、自动化机械织造等。
制造过程需要严格控制材料比例和成型参数，以保证产品的质量和性能。
总体来说，CR材料是一种高性能的复合材料，具有优异的机械性能、耐腐蚀性能和耐高温性能。
在航空航天、汽车、体育器材等领域有广泛的应用，为各行各业的发展提供了强有力的支持。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
1.1 反应速率-rA的定义
A B
rA = the rate of formation of species A per unit volume -rA = the rate of a disappearance of species A per unit volume rB = the rate of formation of species B per unit volume rB = 0.2 mole/dm3/s ；-rA = 0.2 mole/dm3/s
dC A rA dt
第1章 摩尔衡算 (Mole Balances)
1.1 反应速率(rate)-rA的定义 非均相反应速率定义？
对于组分j其反应速率定义为：
反应掉组分j的摩尔数 rj 单位时间 单位体积
生成组分j的摩尔数 rj 单位时间 单位体积 基准
rj是组分浓度、温度、压力、催化剂类型的函数；与反应器
V
F j 0 rj dV F j
dN j dt
19:48:42
第1章小结
GMBE在四种主要反应器中的应用： A →B
Reactor Differential Algebraic Integral
Batch
dN A rAV dt
t
dN A VrA NA 0
NA
CSTR
FA0 FA V rA
剧烈搅拌；达到分子尺度上的均匀；浓度处 处相等。无物质传递问题 具有足够强大的传热条件；各处温度始终相 等。无热量传递问题
全混流反应器
FA0 T0 CA T
a)
CA T
b)
19:48:42
c)
剧烈搅拌；达到分子尺度上的均匀；浓度处处相等，且 等于出口浓度。无物质传递问题 具有足够强大的传热条件；各处温度始终相等，且等于 出口温度。无热量传递问题 稳定连续操作，所有参数不随时间变化。
类型无关；是代数方程。常见的形式：
19:48:42
rA kCA
rA kCA
2
k1C A rA 1 k2C A
第1章 摩尔衡算
1.2 通用的摩尔衡算方程
物料衡算
G j rj V
系统体
为什么？
rj1 F0j Ｇｊ Nｊ
ΔV1
G j G ji rji Vi
i 1 i 1
M
M
Fｊ
ΔV2
M 和V 0
rj2
G j r j dV
V
19:48:42
进
+
生成
-
出
=
累积
第1章 摩尔衡算
1.2 通用的摩尔衡算方程
体系内由 进入系统的 离开系统的 系统内j组分 化学反应产 j组分的流率 j组分的流率 的累积速率 生的j组分速率 (摩尔数 / 时间) (摩尔数 / 时间) (摩尔数 / 时间) (摩尔数 / 时间)
F j 0 rj dV F j
V
dN j dt
Fj 0 Fj 0
CA T
反应器混合完全，无 浓度、温度分布时：
dN j dt
r j dV
V
dN j dt
r jV
间歇反应器的两种类型：(P7,图1-3)
恒容
19:48:42
恒压
第1章 摩尔衡算
1.4 间歇反应器 [例题1-2] 恒容，V不变(略)
恒压，V变；NA=CAV
dCA rA dt
1 dN A 1 d (C AV ) dC A C A dV rA V dt V dt dt V dt
dC A C A d ln V rA dt dt
19:48:42
第1章 摩尔衡算
1.5 连续流动反应器
Steady State df/dt=0
v恒定
dFA d (CA v) dC v A rA dV dV dV
dCA v rA kCA dV
19:48:42
v dCA dV k CA
第1章 摩尔衡算
例1-3 解：
dCA v dV k CA 0 C A 0
CA
V
CA0 v CA0 10L / min V ln ln 100L 1 k CA 0.23min 10%CA0
V 0
dFj dV
等径 V Ay
rj
dFj dy
Arj
19:48:42
第1章 摩尔衡算
1.5 连续流动反应器
1.5.3 填充床反应器（PBR）
Packed-Bed Reactor
Δy
rA ' 反应组分A的mol / s g催化剂
FA0
FA(m) FA(m+Δm)
1.6 工业反应器
19:48:42
19:48:42
工业反应器
19:48:42
球形工业反应器
19:48:42
球形工业反应器
19:48:42
加氢工业反应器
19:48:42
搅拌反应器
19:48:42
间歇搅拌反应器
19:48:42
费托催化合成反应器
19:48:42
移动床反应器
19:48:42
反应物 Cj T
Nj
1.5.1连续搅拌釜式反应器(CSTR)
稳 态 条 件
产物
进+生成 -出=累积=0
F j 0 rj dV F j
V
Continuous-Stirred Tank Reactor
V
dN j dt
r dV r V
j j
0
Fj 0 rjV Fj 0
19:48:42
19:48:42
Fj是V的函数
dFj dV rj
19:48:42
第1章 摩尔衡算
1.5 连续流动反应器
1.5.2 管式反应器（PFR）
ΔV
FA0
V
FAf
Fj(V)
ΔV
Fj(V+ΔV)
r dV r V
j j
Fj (V ) rj V Fj (V V ) 0
Fj (V V ) Fj (V ) V rj
管式反应器
19:48:42
平推流反应器
反应速率无径向分布(Plug-Flow Reactor)
19:48:42
平推流反应器（PFR）
CA T FA0 T0 FAf Tf
a) b) c)
横截面上无速度分布、浓度、温度相等 在流动方向不存在质点间的混合（无返混） 稳定连续操作，所有参数不随时间变化，随轴向位置变 化。
FAf
FA (m) rAm FA (m m) 0
dFA rA ' dm
19:48:42
Δm
dFA m r ' FA 0 A
F
A
第1章 摩尔衡算
反应器体积 例1-3 计算反应体积反应体积 A→B 一级不可逆 PFR v恒定 v =10L/min，k=0.23min-1,CA=10%CA0 V? FA CAv rA kCA 解：一级不可逆反应
dFA rA dV
PFR
V
dFA rA FA 0 dFA rA FA 0
FA
FA
PBR
19:48:42
dFA rA ' dm
m
第1章小结
习题 P1-3B P1-4A P1-18A
19:48:42
间歇反应器(Batch Reactors)
CA~t T~t
a)
b)
19:48:42
进
+
生成
-
出
Fj 0
G j r j dV
V
Gj
19:48:42
dt V dN j F j 0 rj dV F j dt
Fj
= dN j
累积
第1章 摩尔衡算
1.3 理想反应器(Ideal Reactors) ——当反应器中没有任何传递过程的影响因素存 在，反应结果唯一地由化学因素决定 ①间歇搅拌釜式反应器(Batch Reactors)间歇反应器BR
特殊反应器
19:48:42
沙索公司（sasol）浆态精馏反应器
19:48:42
沙索公司（sasol）的甲醇合成反应器
19:48:42
连续多极反应器，用于提高辛烷值
19:48:42
流化床催化反应器
19:48:42
固定床反应器
第1章小结
反应速率： rj 组分j反应的mol/ s m3 通用摩尔平衡式（GMBE）：
V
Fj 0 Fj rj
CSTR中温度、浓度、速率无空间变化
第1章 摩尔衡算
1.5 连续流动反应器
1.5.2 管式反应器
Plug-Flow Reactor
进+生成 -出=累积=0
F j 0 rj dV F j
V
dN j dt
0
V
r dV r V
j j
稳 态 条 件
两边对V微分
②连续搅拌釜式反应器(Continuous-Stirred Tank Reactors)全混流CSTR ③管式反应器(Tubular Reactor) 平推流PFR
④填充床 反应器(Packed-Bed Reactor) PBR
19:48:42
第1章 摩尔衡算
1.4 间歇反应器