模拟电子技术基础A(1)
模拟电子技术(西安交大2版)试题及答案
《模拟电子技术基础》试题（A 卷）一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。
（10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
（ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。
（ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。
（ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
（ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。
（ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。
（ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
（ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。
（ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
（ ） 二、选择填空 （10分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。
（A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RCf f π210==时呈 。
（A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
（A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β（5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。
（A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。
（A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。
《模拟电子技术基础》(童诗白)课后习题答案
模拟电子技术基础第 1 章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小1.2电路如图P1.2 所示，已知u i = 10sinωt (V)，试画出u i 与u o 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：u i 与u o 的波形如解图Pl.2 所示。
1.3电路如图P1.3 所示，已知u i =5sinωt(V)，二极管导通电压U D=0.7V。
试画出u i 与u o 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4 所示, 二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈ 26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流I D = (V −U D ) / R = 2.6mA其动态电阻:r D ≈U T / I D =10Ω图 P1.4故动态电流的有效值： I d = U i / r D ≈1mA1.5 现有两只稳压管，稳压值分别是 6V 和 8V ，正向导通电压为 0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得 4 种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
(2)并联相接可得 2 种：0.7V ；6V 。
（华北电力大学主编）模拟电子技术基础习题答案
（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案电⼦技术课程组2018.8.15⽬录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电⼦技术试卷1 (146)模拟电⼦技术试卷2 (152)模拟电⼦技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。
（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。
A. 增⼤B. 不变C. 减⼩（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设⼆极管正向导通电压可忽略不计。
模拟电子技术基础(第四版)第1章
ID
理想二极管符号 UD
(V)
ID
开关模型等效电路
0.7V 0 0.7
0
UD
(V)
（a）理想模型 特性 ）理想模型VA特性
（b）开关模型 特性 ）开关模型VA特性
3、折线模型：正向导通时。相 、折线模型：正向导通时。 当于理想二极管串联一个等效 和一个电压源U 电阻rD和一个电压源 ON ，特 性曲线如图（ 所示 所示。 性曲线如图（c)所示。
二极管的伏安特性仍可由 二极管的伏安特性仍可由
iD = IS (e
近似描述。 近似描述。
UD / UT
−1)
D E
导通电压
IS：反向饱和电流 UT：电压当量，室温下26mV
IR
反向 漏电
开启电压 Uon
开启电压 导通电压
硅二极管 0 .5 V 0 . 6 ~ 0 .8 V (取 0 .7 V )
锗二极管 0 .1 V 0 . 2 ~ 0 .3 V (取 0 .3 V )
发射区：发射载流子 发射区： 集电区： 集电区：收集载流子 基区： 基区：传送和控制载流子 为例） （以NPN为例） 为例
演示
载流子的传输过程
以上看出，三极管内有两种载流子 自由电子 自由电子和 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空 参与导电， 穴)参与导电，故称为双极型三极管－BJT (Bipolar 参与导电 故称为双极型三极管－ Junction Transistor)。 。
二极管伏安特性与温度T的关系： 二极管伏安特性与温度T的关系：
的增加而增加 所以二极管的正向压降 增加， 的增加而降低 降低。 由于IS随T 的增加而增加，所以二极管的正向压降VF随T 的增加而降低。 一般线性减少2 2.5mV/C° 一般线性减少2～2.5mV/C° （利用该特性，可以把二极管作为温度传感器） 利用该特性，可以把二极管作为温度传感器）
模电课件-第1章-精选文档
直（交）流→交（直）流。
（5）信号发生电路：产生正弦、三角、矩形波等。 （6）直流电源：将交流电转换成不同输出电压和电流的 直流电。
33 MHz
目录
Analog Electronics
1
导言
33 MHz
2 运算放大器 3 二极管及其基本电路 4 晶体三极管及放大电路基础 5 场效应管放大电路 6 模拟集成电路 7 反馈放大电路 8 信号的运算和滤波 9 波形的发生与变换电路 10 直流稳压电源
信号的 信号的 信号的
信号的
提取
传感器 接收器
预处理
隔离、滤波 放大、阻抗 变换
加工
运算、转 换、比较
执行
功率放大 A/D转换
33 MHz
图1.2.1电子信息系统示意图
Analog Electronics
1.2.3
电子信息系统中的模拟电路
信号的 预处理 信号的 加工 信号的 执行
信号的 提取
（1）放大电路：用于信号的电压、电流或功率放大。 （2）滤波电路：用于信号的提取、变换或抗干扰。
Analog Electronics
模拟电子技术基本教程 Fundamentals of Analog Electronics 华成英 主编
33 MHz
Analog Electronics 1. 电子技术的发展简史
电子技术诞生的历史虽短，但深入的领域却是最深最广， 它不仅是现代化社会的重要标志，而且成为人类探索宇宙宏观 世界和微观世界的物质技术基础。 1904年第一只电子器件发明以来，世界电子技术经历了 电子管、晶体管和集成电路等重要发展阶段。
智慧树知到《模拟电子技术基础(九江职业技术学院)》章节测试答案
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模拟电子技术基础考试试题答案
一、填空（共20空，每空1分，共20分，所有答案均填写在答题纸上）1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。
2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式Ic Ib才成立。
3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。
4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。
5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。
6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。
7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。
8、放大电路的直流通路用于研究。
9、理想运放的两个输入端虚短是指。
10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。
若输出电压置零后反馈仍然存在则为。
11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。
12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。
13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。
14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。
二、单项选择题（共10题，每题2 分，共20分；将正确选项的标号填在答题纸上）1、稳压二极管的反向电流小于Izmin时，稳压二极管。
A：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大C：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小2、如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为。
A：饱和状态B：截止状态C：放大状态D：不能确定3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。
关于这两只三极管，正确的说法是。
图1(a) 图1(b) 图2A：（b）图中电流为5.1mA的电极为发射极。
模拟电子技术基础试题及答案
(120)1．纯净的半导体叫（）。
掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。
A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。
A．扩散B．漂移C．小D．大3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。
A．双极B．空穴C．单极D．自由电子4．负反馈放大电路的含义是（）。
A．输出与输入之间有信号通路B．电路中存在反向传输的信号通路C．除放大电路之外还有信号通路D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。
A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。
A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。
A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。
A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。
A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。
A．带阻B．带通C．低通D．有源11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。
A．比较B．滤波C．调整(210)1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。
（）3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（）4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（）5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
模拟电子技术基础期末模拟试卷一(答案)(1)
期末模拟试卷一答案课程名称：模拟电子技术基础一、选择题1. 在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____。
A 、增大 ，B 、减小，C 、不变 答案：A2. 在N 型半导体中，空穴浓度____电子浓度。
A 、大于，B 、小于 ，C 、等于 答案：B3. 直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是⎽⎽⎽⎽。
A 、所放大的信号不同，B 、交流通路不同，C 、直流通路不同 答案：C4. 在长尾式的差分放大电路中，Re 对＿＿有负反馈作用。
A 、差模信号，B 、共模信号，C 、任意信号 答案：B5. 用直流电压表测出UCE ≈VCC ，可能是因为_____。
A 、CC V 过大 ， B 、c R 开路， C 、b R 开路， D 、β 过大答案：C6. 已知图中二极管的反向击穿电压为100V ，测得I ＝1μA 。
当R 从10Ωk 减小至5Ωk 时，I 将____。
A 、 为2μA 左右，B 、为0.5μA 左右，C 、变化不大，D 、远大于2μA 答案：C7.测得某NPN型晶体管3个电极的电位分别为UB=1V，UE=0.3V，UC=3V，则此晶体管工作在____状态。
A．截止B．饱和C．放大 D. 开关答案：C8. 差动放大电路的主要特点是____。
A. 放大差模信号，抑制共模信号；B. 既放大差模信号，又放大共模信号；C. 放大共模信号，抑制差模信号；D. 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
答案：A9．互补输出级采用射极输出方式是为了使____。
A. 电压放大倍数高B. 输出电流小C. 输出电阻增大D. 带负载能力强答案：D10．集成运放电路采用直接耦合方式是因为____。
A. 可获得较高增益B. 可使温漂变小C. 在集成工艺中难于制造大电容D. 可以增大输入电阻答案：C11、利用正反馈产生正弦波振荡的电路，其组成主要是____。
A、放大电路、反馈网络B、放大电路、反馈网络、选频网络C、放大电路、反馈网络、稳频网络答案：B13、分别指出下列传递函数表达式各表示哪一种滤波电路（A、低通，B、高通，C、带通，D、带阻，E、全通）。
电子技术基础模拟试题一(75分)
电子技术基础模拟试题A一、填空题（每空2分）1．二极管主要由一个构成，因此具有的特性。
2．整流滤波电路可以输出较平滑的直流电压，但当和变化时，会引起输出直流电压的波动。
3．三极管具有作用，即的微小变化控制了的较大变化。
4．直流通路用于分析放大器的。
5．放大器必须设置，才能避免产生非线性失真。
6．电路中引入负反馈可以稳定输出电压。
7．引入负反馈后，放大器的放大倍数、稳定性。
8．自激振荡器电路主要由和两部分组成。
9．自激振荡器电路的条件是：和。
10．直流放大器在输入信号为零时，其输出端电压出现忽大忽小、忽快忽慢、无规则变化的现象叫做。
11．工作于线性区的理想运放具有以下特点：两输入端的电位、输入电流。
12．串联型稳压电源由以下、四个环节组成。
13．电压放大器和功率放大器分别工作于信号状态。
14．平滑的、连续变化的电压或电流叫，离散的、断续变化的电压或电流叫。
15．与非门的逻辑功能为、。
16．半加指两个一位二进制数求和，只计算，不管。
17．JK触发器中，J = 、K= 时，实现计数功能。
18．寄存器具有存储数码和信息的功能，分为和。
19．是存储信息的基本单元。
20．D/A 转换用于把信号转换为信号。
二、选择题（每题2分）1．二极管加上0.3V的正向电压时，其状态为( )。
A．导通B．饱和C．截止2．变压器次级交流电压为20V，单项桥式整流时，负载上的平均电压为( )。
A．9V B．18V C．20V3．测得NPN型三极管的三个电极的电压分别是6V、1.6V、1V，它处于（）状态。
A．放大B．饱和C．截止4．在放大电路中，通常用于调整静态工作点的元件是（）。
A．电源B．基极偏置电阻C．集电极负载电阻5．差动放大器中发射极电阻Re的作用是（）A．交流负反馈减小失真B．对共模信号负反馈C．对差模信号负反馈6．无信号时甲乙功率放大器中两个三极管的工作状态为（）A．都截止B．都导通C．都轻微导通7．OTL功率放大器中，静态时耦合电容上的电压为（），其中电源电压为G C 。
电子技术基础与技能训练试题
电子技术基础(模拟篇)第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。
A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。
A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ）A. U I e SB. T U U I e SC. )1e (S －T U U ID. 1e S －T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。
A B C D5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。
A B C D11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。
A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12.在25ºC时，某二极管的死区电压U th≈，反向饱和电流I S≈，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（）。
模拟电子技术基础试卷及其参考答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一（总分150分）（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。
在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。
）1. 用万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R×1k档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（）a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ负载后，其输出电压降为4V，这表明该放大电路的输出电阻为（）a. 10kΩb. 2kΩc. 1kΩd. 0.5kΩ4. 某放大电路图4所示.设VCC>>VBE,LCEO≈0，则在静态时该三极管处于（）a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态，设R'L=RD//RL,则电路的电压增益为（）'gmRL' b.1+gmRs C.-gmRL' d.-RL'/gm a.gmRL-图56. 图5中电路的输入电阻Ri为（）a. Rg+(Rg1//Rg2)b. Rg//(Rg1+Rg2)c. Rg//Rg1//Rg2d.[Rg+(Rg1//Rg2)]//(1+gm)RS7. 直流负反馈是指（）a. 存在于RC耦合电路中的负反馈b. 放大直流信号时才有的负反馈c. 直流通路中的负反馈d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反馈环内的干扰和噪声c. 反馈环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为（）a. －2.5Vb. －5Vc. －6.5Vd. －7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为（）a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷试卷号：B140011校名___________ 系名___________ 专业___________ 姓名___________ 学号___________ 日期___________（请考生注意：本试卷共 页）一、选择正确答案填入空内，只需填入A 、B 、C 、D (本大题分6小题, 每小题9分, 共54分)1、填空：晶体管的各类反向击穿电压和反向漏电流的定义如图所示。
对于同一个晶体管来说，在四种漏电流中________________最小，________________最大；在四种击穿电压中________________最小，________________最大。
e 开路bCBOU R2、场效应管放大电路常用的栅压偏置电路如图所示，说明下列场效应管可以采用哪些类型的偏置电路，用a 、b 、c 、d 填空。
1．结型场效应管可以采用图示电路中的 ____； 2．增强型MOS 场效应管可以采用图示中的_____；3．耗尽型MOS 场效应管可以采用图示电路中的_____。
(a )( b )( c )( d )3、从括号中选择正确答案，用A 、B 、C 、D 填空。
已知图示电路中场效应管的m g ＝3mS 。
该放大电路的中频电压放大倍数mu A 为_____（A ．10， B ．20， C ．30）；下限截止频率L f 约为 ____Hz （A ．10 ， B ．50， C ．100）；当输入信号频率f ＝L f 时，输出电压与输入电压相位差为 ____。
（A ．45°，B ．－45°，C ．－135°，D ．－225°）。
V u 4、R e 的阻值减小时，试就下列问题选择正确答案填空（答案：A ．增大，B ．减小，C ．不变或基本不变）。
1．差模电压放大倍数I2I1Od u u u A u -=＿＿；2．差模输入电阻R id ＿＿；3．共模电压放大倍数()I2I1Oc 21u u u A u +=＿＿；4．共模输入电阻R ic ＿＿。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电子技术基础智慧树知到课后章节答案2023年下青岛理工大学
模拟电子技术基础智慧树知到课后章节答案2023年下青岛理工大学青岛理工大学第一章测试1.P型半导体中的多数载流子是（）。
A:自由电子 B:空穴 C:正离子 D:负离子答案:空穴2.场效应管是通过改变栅源电压控制漏极电流的半导体器件（）。
A:输入电流控制输出电流B:输入电压控制输出电流C:输入电流控制输出电压 D:输入电压控制输出电压答案:输入电压控制输出电流3.在放大电路中，若测得某双极型三极管三个电极的电位分别为6V，1.2V，1V，则该管为（）。
A:NPN锗管 B:PNP硅管C:NPN硅管 D:PNP锗管答案:NPN锗管4.测得某工作在放大区域的三极管,当I b=30uA时,I c=2.4mA; 当I b=40uA时，I c=3mA;则该管的电流放大系数β=( )。
A:100 B:75C:80 D:60答案:605.稳压二极管稳压时，其工作在( ) 。
A:反向击穿区 B:正向导通区 C:放大区 D:反向截止区答案:反向击穿区第二章测试1.晶体管的控制方式为（）。
A:输入电流控制输出电流 B:输入电压控制输出电流 C:输入电压控制输出电压D:输入电流控制输出电压答案:输入电流控制输出电流2.在共射、共集、共基三种放大电路中，（）。
A:都有电压放大作用 B:都有电流放大作用 C:只有共射电路有功率放大作用 D:都有功率放大作用答案:都有功率放大作用3.共发射极放大电路中,输出电压u o与输入电压u i之间的关系是（）。
A:两者同相，输出电压近似等于输入电压 B: 两者反相, 输出电压大于输入电压 C:两者反相，且大小相等 D:两者相位差90，且大小相等答案: 两者反相, 输出电压大于输入电压4.晶体管工作在放大状态的条件是（）。
A:发射结反偏、集电结正偏 B:发射结正偏、集电结正偏 C:发射结反偏、集电结反偏 D:发射结正偏、集电结反偏答案:发射结正偏、集电结反偏5.放大电路“放大”的本质是（）。
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襄樊学院理工学院期末考试试卷
模拟电子技术基础A卷
考试范围第一至第十章命题人王正强院系物电学院
考试形式闭卷课程类别必修学期20101专业电子
一、选择题（从下列3-4个备选答案中选出一个或多个正确
答案，并将其代号写在题干后面的括号中，答案选错或未选全者，该题不得分。
每小题2.5分，共25分。
）
1、N型半导体中的多数载流子是（）
A．自由电子B．空穴C．正离子
2、要使放大电路的输出电压稳定，输入电阻增大，应引入（）负反馈。
A．电压并联B．电压串联C．电流串联
3、某晶体管，测得电流I1=1.53mA，I2=1.5mA，I3=0.03mA，则可判断出三个电极为( )
A．(1)为e极，(2)为c极，(3)为b极
B．(1)为c极，(2)为e极，(3)为b极
C
．(1)为b极，(2)为c极，(3)为e极
4、选用差分放大电路的原因是( )
A．稳定放大倍数B．提高输入电阻
C．抑制温漂D．抑制零点漂移
5、对于共模抑制比K CMR，以下说法正确的是( )
A．K CMR越大则电路的放大倍数越稳定
B．K CMR越大则电路的对共模信号的抑制能力越强
C．K CMR越大则电路抑制温漂能力越强
D．K CMR越大则电路输入信号中差模成分越大
6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因有（）。
A.电源电压不稳定
B.晶体管的老化
C.晶体管参数受温度影响
7、某两级放大器构成的多级放大电路中，第一级电压增益为20dB，第二级电压放大倍数为10倍，则放大器总的增益为( )
A．200倍B．100倍C．40db D．30db
8、理想运放构成电路如图1所示,则( )
A．u i>u o B．u i=u o C．u i<u o D．u i= -u o
图1
9、PN 结加反向电压时，空间电荷区将（）
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
D.以上都有可能
10、互补输出级采用共集形式是为了使（）
A.电压放大倍数大
B.不失真输出电压大
C.带负载能力强
二、填空题（每空1.5分，共15分。
）
得分评卷人
1、整流电路是利用半导体二极管的，完成整流作用的。
2、三极管工作在放大状态的外部条件是：和。
3、测得处于放大状态的晶体管的直流电位如图2所示，
则三极管的管型是，材料是。
图2
4、某放大电路负载开路时，U O=6V，接上3KΩ负载后，U O=4V，说明该放大电路的输出电阻R0= 。
5、已知某电路输入电压和输出电压的波形如图3所示,该电路是。
图3
6、在三极管单级放大电路中，已知A u1＝－40，则其接法为
放大器。
7、稳压管在稳压过程中工作在区。
8、集成运放的输入级多采用电路。
三、简答题（每小题7.5分，共15分。
）
1、正弦波振荡器的组成部分及其各部分的作用。
2、图4中，反馈元件R 7构成级间负反馈，判断其反馈组态，并说明该负反馈对放大电路放大倍数和输入输出电阻的影响。
图4
四、计算题(要求写出主要计算步骤及结果，共45分。
)
1、图5中，已知三极管的参数1bb r ，β，BE U ，CES U ，L c b R R R ,,均已知，
电源电压为V CC ，求解以下几个问题。
（15分）
（1）计算静态工件点Q ；
（2） 画出微变等效电路图；得分
评卷人 得分
评卷人 u
u
（3）试计算
R、o R、u A；
i
图5
2、根据图6所示电路，推导出电路的传输特性，并说明运算电路的名称和特点。
（15分）
图6
3、在图示7电路中，设R1 = R F =10KΩ，R2=20KΩ，R’= 4KΩ，两个输入电压U i1和U i2的波形如图7所示，试写出Uo的表达式，并在对应的坐标上画出输出电压Uo的波形，且标上相应电压数值。
（15分）
图7
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