工业陶瓷

工业陶瓷及相关术语(1)
1 范围
本标准规定了工业陶瓷及有关理化性能、原料、工艺制备及检验方法等主要方面的术语定义。

本标准适用于工业陶瓷生产与产品及标准、规范、试验鉴定和设计等技术文件所涉及的术语解释。

2 引用标准
下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。

本标准出版时，所示版本均为有效。

所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。

GB/T 4132－1996 绝热材料及相关术语GB/T 9530－1988 电子陶瓷名词术语
3 总论
3.1 工业陶瓷
industrial ceramics 除日用陶瓷、艺术装饰陶瓷及建筑卫生陶瓷以外，能使用于工业等部门的陶瓷材料之总称。

它包括用传统工艺制成的工业用陶瓷制品和采用高技术、新工艺制成的精细陶瓷材料。

3.1.1 精细陶瓷
fine ceramics 又称特种陶瓷，与先进陶瓷、高性能陶瓷、高技术陶瓷等属同义词，指经过精确控制化学组成、显微结构、形状及制备工艺，获得具有机械、热学、化学、电子、磁性、光学、生物及其复合工况下的、某些高性能特性、能够用于各种高技术领域的陶瓷材料。

3.1.2 先进陶瓷
advanced ceramics 与精细陶瓷、高性能陶瓷、高技术陶瓷属同义词，定义见3.1.1。

3.1.3 高性能陶瓷
high performance ceramics 与精细陶瓷、先进陶瓷、高技术陶瓷属同义词，定义见3.1.1。

3.1.4 高技术陶瓷
high technology ceramics 与精细陶瓷、先进陶瓷、高技术陶瓷属同义词，定义见3.1.1。

3.1.5 结构陶瓷
structural ceramics 具有优良的机械性能、热稳定性及化学稳定性，适合于制作在不同温度下使用的结构件的陶瓷材料。

如氮化物陶瓷、碳化物陶瓷等。

3.1.6 工程陶瓷
engineering ceramics 与结构陶瓷属同义词，定义见3.1.5。

3.1.7 高强度陶瓷
high strength ceramics 具有高的力学性能的陶瓷材料，如SiC陶瓷、Si3N4陶瓷等。

3.1.8 高韧性陶瓷
toughthed ceramics 采用特殊的组成和显微结构设计，借助各种增韧机制，从而提高抵御裂纹扩展能力的陶瓷材料，如部分稳定ZrO2材料、纤维增强陶瓷基复合材料等。

3.1.9 可加工陶瓷
machinable ceramics 又称可切削陶瓷。

一般指陶瓷烧成后，仍具有容易进行机械加工，特别是切削加工的陶瓷材料，如云母陶瓷、六方氮化硼陶瓷等。

3.1.10 氧化物陶瓷
oxide ceramics 以氧化物为主要成分的陶瓷材料，包括单一氧化物陶瓷如Al2O3陶瓷等和复合氧化物陶瓷如硅酸盐、磷酸盐陶瓷等。

3.1.11 非氧化物陶瓷
non-oxide ceramics 以氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及碳等非氧化物构成的陶瓷材料。

3.1.12 氮化物陶瓷nitride ceramics 以氮化物为主要成分的陶瓷材料，如Si3N4陶瓷等。

carbide ceramics 以碳化物为主要成分的陶瓷材料，如SiC陶瓷等。

3.1.14 硼化物陶瓷
boride ceramics 以硼化物为主要成分的陶瓷材料，如TiB2陶瓷等。

3.1.15 硅化物陶瓷
silicide ceramics 以硅化物为主要成分的陶瓷材料，如MoSi2陶瓷等。

3.1.16 硫化物陶瓷
sulfide ceramics 以硫化物为主要成分的陶瓷材料，如CdS陶瓷等。

3.1.17 金属陶瓷
cermet 以陶瓷相与金属相复合而成的非均质复合材料。

一般指将元素周期表ⅣA、ⅤA、ⅥA族过渡元素的碳化物，同以Ni、Co为主的金属结合的烧合金，它既有金属的韧性、高导热性，又兼备陶瓷的耐高温性等。

3.1.18 功能陶瓷
function ceramics 具有电、光、磁及部分化学功能的无机固体材料。

目前可分为电功能、磁功能、光功能和生物及化学功能陶瓷材料等。

3.1.19 电子陶瓷
electronic ceramics 指应用于现代电子技术中的各种陶瓷材料。

目前它可以分为两大类：电子结构陶瓷和电子功能陶瓷。

3.1.20 半导体陶瓷
semiconduction ceramics 电子功能陶瓷材料之一。

具有半导体性能的陶瓷材料。

如氧化锌瓷、氧化钛-氧化铅-氧化镧瓷等。

其工艺特点是必须经过一次半导化处理过程。

3.1.21 电真空陶瓷
electrovacuum ceramics 高频和微波领域中，用于各种真空电子管系统的装置瓷如：刚玉质瓷、滑石质瓷、氧化铍质瓷等。

特点是高真空下，气密性好，较高的机械强度和适宜的膨胀系数；高的热传导性和良好的热稳定性。

3.1.22 电介质陶瓷
dielectric ceramics 广义上指用于电容器介质和其他介质器件的陶瓷材料，狭义上指用于电容器介质的陶瓷。

3.1.23 铁电陶瓷
ferroelectric ceramics 具有铁电现象的陶瓷材料。

其主晶相为铁电体，具有很高的介电常数（ε＝1 000～30 000），是制造高比容电容器的重要电介质材料之一。

应用最广的材料是BaTiO3和它的固溶体。

具有自发极化、电畴、铁电相变及电滞回线等特征。

3.1.24 反铁电陶瓷
anti ferroelectric ceramics 具有反铁电现象的陶瓷材料。

其主晶相是反铁电体，如PbZrO3和它的固溶体。

宏观特征是具有双电滞回线。

3.1.25 压电陶瓷
piezoelectric ceramics 一种经极化处理，具有压电效应的电陶瓷。

常见的压电陶瓷有钛酸钡、钛酸铅、锆钛酸铅等。

3.1.26 敏感陶瓷
sensitive ceramics 具有对热、电、气、湿度、温度和光等敏感的陶瓷材料之总称。

主要有热敏陶瓷、压敏陶瓷、气敏陶瓷、湿敏陶瓷、力敏陶瓷和光敏陶瓷等几大类。

3.1.27 压敏陶瓷
voltage sensitive ceramics 指电阻值随着外加电压变化有一显著的非线性变化的半导体陶瓷。

它是指主要有SiC、ZnO、BaTiO3、Fe2O3、SnO2和SrTiO3等陶瓷材料。

pressure sensitive ceramics 在外力作用下，能输出电信号或产生弹性应变改变固有振动频率的陶瓷材料。

如压电陶瓷材料等。

3.1.29 快离子导体陶瓷
fast ion conductor ceramics 又称固体电解质陶瓷。

指电荷载体为离子的导电性陶瓷材料。

可分为阳离子导体（如钠离子导体β-Al2O3）和阴离子导体（如氧离子导体ZrO2、HfO2等）两大类。

3.1.30 超导陶瓷
super conductor ceramics 在某一温度下，具有零电阻、抗磁性等超导特性的陶瓷材料。

如Ba-La-Cu-O系等。

3.1.31 绝缘陶瓷
insulator ceramics 具有高的体积电阻率和耐电强度，良好的介电温度和频率特性，合适的介电常数和尽可能低的介电损耗，优良的导热性能，机械性能、化学稳定性和热稳定性的陶瓷材料，如镁质瓷、氧化铝瓷、莫来石陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化铝陶瓷。

3.1.32 电瓷
electrical porcelain 又称电工陶瓷或电力瓷。

电力系统中电气绝缘用硬质瓷器件，分瓷绝缘子和电器用瓷套管两大类。

如长石质电瓷、高硅电瓷等。

3.1.33 磁性陶瓷
magnetism ceramics 以氧化铁和其他铁族或稀土族氧化物为主要成分的复合氧化物陶瓷。

用陶瓷工艺制成的陶瓷材料又称铁氧体、铁淦氧、黑瓷等。

按晶格类型可分为尖晶石型、磁铅石型和柘榴石型。

按性能用途可分为永磁、软磁、矩磁、旋磁和压磁等五类。

3.1.34 透明陶瓷
transparent ceramics 能透过可见光的陶瓷材
3.1.42 多孔陶瓷
porous ceramics 内部具有大量彼此相通并材料表面也贯通的高气孔率陶瓷材料。

3.1.43 蜂窝陶瓷honeycomb ceramics 具有蜂窝状多孔结构的陶瓷材料，其特点是通气阻力小，可用作催化剂载体等。

3.1.44 泡沫陶瓷
foam ceramics 具有泡沫状气孔的陶瓷材料，比一般烧结的多孔材料有更高的气孔率。

3.1.45 滚压波纹陶瓷
corrugated ceramics for roller forming 用滚压波纹法制造的，具有不同波峰高度、不同模数的正弦波和矩形波的陶瓷。

3.1.46 微孔梯度陶瓷
micropore gradient ceramics 材料中的微孔孔径和气孔分布在空间上连续逐渐变化的陶瓷材料。

3.1.47 生物陶瓷
bioceramics 指与生命科学、生物材料、生命工程学相关的陶瓷，具有特定的生物或生理功能，生物相容性优良的陶瓷材料。

常用于制备各种人工骨和人工关节等。

3.1.48 生物惰性陶瓷
bioinert ceramics 物理和化学性能稳定，生物相容性好的陶瓷材料。

3.1.49 生物活性陶瓷
bioactive ceramics 植入人体后其表面能与生物组织在界面上形成化学键性结合，生物相容性
优良的生物陶瓷材料。

3.1.50 医用陶瓷
medical ceramics 用作生物医学材料的陶瓷材料。

这种材料或由其构成（或部分构成）的医疗装置或器件，用于诊断、治疗或替代人体的组织、器官或保持其生理功能。

3.1.51 红外辐射陶瓷
infrared radiation ceramics 在一定红外波段范围内有较高辐射率和较高辐射强度的陶瓷材料。

如金属氧化物、硅化物等。

3.1.52 透红外陶瓷
infrared transmitting ceramics 具有透红外特性的陶瓷材料，如MgF2，ZnS等。

3.1.53 纳米陶瓷
nanometer ceramics 是指在纳米（10－9m）长度范围（1～100nm）内的微粒或结构，结晶或纳米陶瓷复合材料之总称。

3.1.54 智能陶瓷
intelligent ceramics 同时具备自检查功能（传感器功能），信息处理功能，以及指令和执行功能的陶瓷材料。

它具有自诊断、自调节、自修复等功能。

3.1.55 陶瓷发热体
heating elements of ceramics 利用陶瓷导电和耐高温的特性，可作为发热体的陶瓷材料。

如碳化硅发热元件等。

3.1.56 环境调和材料
environment synergism materials 指与生态环境和谐或能共存的材料。

简称环境材料。

3.1.57 梯度功能材料
functionally gradient materials 为了适应在同一时间内不同的使用环境，在同一材料内从不同方向上由一种功能连续变化过渡为另一种功能的材料。

简称梯度材料。

3.1.58 陶瓷基复合材料
ceramic matrix composite materials 指复合材料的基体相是陶瓷相的复合材料。

目前主要有颗粒补强陶瓷基复合材料、纤维补强陶瓷基复合材料。

3.1.59 化学瓷
chemical porcelain 制药工业、化学工业、化学试验室等用的陶瓷器皿。

如坩埚、瓷舟等。

3.1.60 化工陶瓷
chemical stoneware 用于化工设备及配件的陶瓷材料之总称。

根据品种分类有泵、鼓风机、印板机、阀门、容器、塔类、填料及耐酸耐温砖等。

该陶瓷材料除具有必要的强度外，必需具有优良耐化学腐蚀性（除氢氟酸及热浓碱外），可在某些无机酸和有机酸等介质中使用，广泛用于石油化工、化肥、制药、食品、造纸、冶炼、化纤等工业。

3.1.61 耐酸陶瓷
acid-resistant stoneware 能耐各种酸液（除氢氟酸外）腐蚀的陶瓷材料。

一般耐酸度均为99%以上。

用它可以制成塔、容器、阀门、泵、鼓风机、印板机、砖及各种填料等。

4.1 氧化物陶瓷
4.1.1 氧化铝陶瓷
alumina ceramics 一般指用75%以上Al2O3含量制成的陶瓷材料。

Al2O3：熔点2
050℃、晶形有α-、γ-、η-等，陶瓷的主晶相为α-Al2O3，属六方晶系、矿物名称为刚玉。

它具有优良的电绝缘性、耐化学腐蚀性、耐磨性和耐热性等。

4.1.2 钠β-氧化铝陶瓷
Na-β-alumina ceramics
主晶相为Na-β-Al2O3的陶瓷，化学式为Na2O·(6－11)Al2O3，属六方晶系层状结构，由致密的尖晶石型铝氧层和较松散的钠氧层交叠堆积而成。

具有离子导电性，可用作钠硫电池隔膜等。

4.1.3 氧化铍陶瓷
beryllia ceramics
以氧化铍为主晶相的陶瓷，具有与金属铝相近的高导热性。

BeO：熔点2570℃，属六方晶系。

粉末和蒸气有较大的毒性，因此生产过程中，必须采取严密的防护措施。

4.1.4 氧化镁陶瓷
magnesia ceramics 以氧化镁为主要成分的陶瓷，其主晶相方镁石，属立方晶系，氯化钠结构类型，熔点2
800℃。

它具有耐高温特性，但热膨胀系数较大、热稳定性差、耐水性差、高温下有挥发性、可制成熔炼高纯铁的坩埚和热电偶保护管等。

4.1.5 石英陶瓷
silica ceramics
以石英玻璃为主要原料，用陶瓷工艺制成的以氧化硅为主要成分的陶瓷材料。

它具有较低的热膨胀系数等特点，可制成石英陶瓷辊等。

4.1.6 氧化锡陶瓷
tin oxide ceramics 以二氧化锡为主要成分的陶瓷材料。

一般SnO2含量＞93%，主晶相为锡石，有一定的导电性。

4.1.7 莫来石陶瓷
mullite ceramics 以莫来石（3Al2O3·2SiO2）为主晶相的陶瓷材料。

莫来石：熔点1 850℃，共价键性高。

高纯莫来石的抗高温蠕变性能优异，可作为耐热材料使用。

4.1.8 堇青石陶瓷
cordierite ceramics
以堇青石（2MgO·2Al2O3·5SiO2）为主晶相的陶瓷材料。

堇青石具有六方晶系的α-型、斜方晶系的β-型以及μ-型等。

因其热膨胀系数非常小、耐热冲击性优异，可作为汽车尾气净化器中的催化载体使用。

4.1.9 氧化铀陶瓷
uranium oxide ceramics 以氧化铀为主要成分制成的陶瓷材料，UO2：熔点＞2
800℃。

一般用作核反应堆中核燃料。

4.1.10 锆英石陶瓷
zircon ceramics 以锆英石为主晶相的陶瓷材料。

ZrSiO4：熔点2
450℃。

具有良好的机械强度和抗热震性、耐酸性高、耐碱性不佳。

4.1.11 钛酸铝陶瓷
aluminium titanate ceramics 以钛酸铝为主晶相的陶瓷材料。

Al2O3·TiO2：属斜方晶系，熔点1
860℃±10℃。

可采用Al2O3与TiO2，按一定比例高温烧结而成。

钛酸铝晶体在750～1 300℃下易分解为刚玉和金红石，因此制备时必须添加稳定剂如MgO，SiO2等。

它具有极低的热膨胀系数，可制成各种热交换器件等。

4.1.12 镁铝尖晶石陶瓷
magnesium-aluminium spinel ceramics
以MgAl2O3为主晶相的陶瓷材料。

一般先将MgO和Al2O3按比例合成后，再粉碎并加入少量粘土等添加剂，在1
360℃左右烧成。

化学稳定性良好，属介电常数稍高的介电陶瓷。

4.1.13 铬酸镧陶瓷
lanthanum chramate ceramics 以人工合成的LaCrO3为主晶相的陶瓷材料。

LaCrO3：熔点＞2 450℃，经常掺加Sr等元素以改善烧结性，提高硬度、强度和抗热震性，具有较好的电子电导性，可作为高温发热元件等。

4.1.14 氧化钍陶瓷
thoria ceramics 以ThO2为主晶相的陶瓷材料，ThO2：属立方晶系，萤石型结构，熔点3 050℃±20℃，有放射性。

高温下具有导电性，可作为加热元件、探照灯光源和核燃料等。

4.1.15 氧化铈陶瓷
ceria ceramics 以CeO2为主晶相的陶瓷材料。

CeO2：属立方晶系，萤石型结构，熔点2 600℃。

具有高温导电性，可作为发热元件、坩埚和热电偶保护管等，但因它对气氛敏感性强、热稳定性差、限制了它的应用。

4.2 氧化锆及其增韧陶瓷
4.2.1 氧化锆陶瓷
zirconia ceramics
以ZrO2为主晶相的陶瓷材料。

ZrO2熔点2677℃，具有单斜、四方和立方三种晶形，其相变温度分别为1100℃及2370℃。

四方晶系向单斜晶系转变时伴随有明显的体积膨胀，因此烧成后，在冷却过程中，会产生微裂纹，一般均需使用CaO、MgO、Y2O3等作稳定剂制成稳定ZrO2或部分稳定氧化锆（PSZ）。

4.2.2部分稳定氧化锆
partially stabilized zirconia
常用PSZ表示，只加入少量稳定剂，足以保持一定量的四方晶相的氧化锆材料。

烧成后，具有立方、四方和单斜氧化锆相组成，它具有很高的强度和韧性。

4.2.3 四方氧化锆多晶体
tetragonal zirconia polycrystal
简称TZP。

由细小的四方氧化锆晶粒为主构成的ZrO2材料，高温下具有超塑性，常温下有很高的强度和韧性。

4.2.4 氧化锆相变增韧陶瓷
zirconia phase transformation toughening ceramics
利用氧化锆发生四方相向单斜相马氏体相变效应，以提高韧性的陶瓷。

4.2.5氧化锆增韧氮化硅
zirconia toughened silicon nitride
利用ZrO2的相变产生的体积变化和形态变化等效应，加入到Si3N4陶瓷中以改善其断裂韧性和强度的氮化硅陶瓷材料。

可用ZTS表示。

4.2.6氧化锆增韧莫来石
zirconia toughened mullite
利用ZrO2相变伴随产生的体积变化和形态变化等效应，加入到莫来石陶瓷中，以改善其强度和韧性的莫来石陶瓷材料。

可用ZTM表示。

4.2.7氧化锆增韧氧化铝
zirconia toughened alumina
利用ZrO2相变伴随产生的体积变化和形态变化等效应，加入到氧化铝陶瓷中，以改善其强度和韧性的氧化铝陶瓷材料。

可用ZTA表示。

4.3碳及碳化物陶瓷
4.3.1碳
carbon
元素符号为C。

作为天然单体存在有金刚石和石墨两种同质异晶体，人工合成的有通过有机化合物的热分解生成的焦炭、炭黑。

碳制品除金刚石、石墨外，还有玻璃碳、气相分解碳、碳纤维等。

4.3.2石墨
graphite 碳的同质异晶体之一，具有六方晶系的层状结构，可作为耐热、耐腐蚀、导电材料等。

4.3.3热解石墨
pyrolytic graphite
用碳化氢气体，经热解而沉积有高温基材上的碳。

它具有石墨结构、致密排列。

可用作核燃料的被覆材料、热屏蔽材料、加热器、冶金用坩埚和生物材料等。

4.3.4金刚石
diamond
是碳的同质异晶体之一。

由碳的单一原子致密排列形成的立方晶体，是自然界最硬的，具有折光率大、热传导率高等优异性能的物质。

可在高温高压下人工合成或常压下气相合成，主要用作宝石、切削工具、导热基片等。

4.3.5碳纤维
carbon fiber
含碳量大于90%的纤维。

根据前驱体纤维种类不同，可分为粘胶基碳纤维、丙烯腈基碳纤维、沥青基碳纤维、木质素碳纤维及其他有机纤维基碳纤维等。

4.3.6石墨纤维
graphite fiber
碳纤维经高温（2500-3000℃）石墨化处理后的纤维。

以其模量、强度区分为：高模量、高强度石墨纤维及低模量、低强度石墨纤维等，主要用作金属、塑料及陶瓷的增强材料。

4.3.7活性碳
active carbon 经过预处理后，表面吸附能力很强的碳。

通常为粉体状态。

4.3.8蜂窝活性碳
honeycomb active carbon
以蜂窝形状的一类高吸附剂，具有优良的动力学性能，气流阻力小，适合大流量有机废气的吸附物。

4.3.9碳化硅陶瓷
silicon carbide ceramics
以SiC为主晶相的陶瓷材料。

SiC共价键键性强，具有α型（六方）和β型（六方）二种主要晶形，2830℃分解，SiC陶瓷可用常压、热压、反应烧结、浸硅或重结晶等方法制成。

具有高的热导率和良好的耐磨性和半导体性等。

可用作发热体、机械密封及高温结构部件等。

4.3.10碳化钛陶瓷
titanium carbide ceramics
以TiC为主晶相的陶瓷材料。

TiC属面心立方晶系，熔点3147℃，硬度8-9，可用热压或自蔓燃法高温制成的，耐磨性优良，可作为切削工具，可以将它制成TiC-Ni-Mo系和WC-TiC-Co 系的金属陶瓷
4.3.11碳化硼陶瓷
boron carbide ceramics
以B4C为主晶相的陶瓷材料。

B4C属六方晶系、熔点2450℃，硬度高，一般可用热压或热等静压法制成致密的碳化硼陶瓷，可用作磨料、切削工具和各种耐磨部件。

4.3.12碳化钨陶瓷
tangsten carbide ceramics
以WC作为主晶相的陶瓷材料。

WC属立方晶系，熔点2865℃，莫氏硬度9，可用W与C 直接合成、还原化合、气相沉积或自然蔓燃法制成。

具有高硬和优异的耐磨性，可作为切削工具材料。

4.3.13碳化锆陶瓷
zirconium carbide ceramics
以碳化锆为主晶相的陶瓷材料。

ZrC属立方晶系，熔点3530℃±125℃，莫氏硬度8-9，可直接合成，气相沉积或自蔓燃工艺制成。

主要用作各种高温结构材料。

4.3.14碳化铬陶瓷
chromium carbide ceramics
以碳化铬为主晶相的陶瓷材料。

Cr3C6属立方晶系，Cr3C2属斜方晶系，熔点1890℃，Cr3C6比Cr3C2更硬。

可以用等离子喷涂法制成耐高温耐氧化和耐酸的涂层。

4.4氮化物陶瓷
4.4.1氮化硅陶瓷
silicon nitride ceramics
具有以Si3N4的主晶相的陶瓷材料。

Si3N4属共价键化合物，熔点1900℃（升华分解），有αβ二种晶型，均属六方晶系，一般用反应烧结，常压或热压烧结，气压烧结或热等静压烧结工艺制成，主要用于陶瓷轴承，密封元件及高温结构部体等。

4.4.2赛隆(sialon)陶瓷
sialon ceramics 以(Si·Al)(ON)4四面体为基本结构单元的固溶体陶瓷材料。

4.4.3α-赛隆陶瓷
α-sialon ceramics
以Al-N键和Al-O键取代α-Si3N4中Si-N键，形成的一种固溶体陶瓷材料，化学通式为Men(Si·Al)12·(ON)16
0 n≤2，Me-金属。

4.4.4 β-赛隆陶瓷
β-sialon ceram ics β-
Si3N4中的N和Si同时被O和Al取代，形成的一种固溶体陶瓷材料，化学通式为
Si6-xAlxOxN8-x。

4.4.5O'-赛隆陶瓷
O-'sialon ceramics 在Si-Al-O-N系统中，由Al2O3固溶于Si2N2O中形成的一种固溶体陶瓷材
料。

4.4.6氮化铝陶瓷
aluminium nitride ceramics
以氮化铝为主晶相的陶瓷材料。

AlN属共价键化合物，熔点2450℃，属六方晶系。

一般采用热压和常压烧结法制成。

由于它具有较高的导热性可制成各种基片和热交换器件等。

4.4.7氮化硼陶瓷
boron nitride ceramics
以氮化硼为主晶相的陶瓷材料。

BN有三种变体：六方、密排六方和立方晶体。

六方晶系系常压下稳定相，密排六方和立方体为高压下稳定相。

六方BN一般采用掺加一定量的外加剂并在热压条件下制成氮化硼陶瓷，其硬度低具有可加工性，在惰性或氮气中可使用至2500℃，是良好的导热绝缘体，高温高压下制成的立方氮化硼，莫氏硬度低于10，有些性能优于人造金刚石。

4.4.8立方氮化硼
cubic boron nitride
可简写为C－BN。

具有金刚石结构，基本性能也酷似金刚石。

通常用超高压方法合成，可做为切削和研磨工具用。

4.4.9热解氮化硼
pyrolytic boron nitride
以BCl3等卤化硼和NH3做原料，采用2000℃左右的高温减压CVD工艺，由气相中析出的层状BN成形体。

可用作等GaAs半导体化合物熔制坩埚等。

4.4.10氮化钛陶瓷
titanium nitride ceramics
以氮化钛为主晶相的陶瓷材料。

TiN熔点2950℃，属立方晶系。

可用热压烧结工艺或气相沉积方法制成陶瓷或涂层。

由于它具有金色的光泽，有极佳的装饰效果，可替代或节约昂贵的黄金。

4.5硼化物、硅化物陶瓷
4.5.1硼化锆陶瓷
zirconium boride ceramics
以硼化锆为主晶相的陶瓷材料。

ZrB2属立方晶系，熔点3245℃。

可由ZrO2还原而成，还原剂可以是碳或碳化硼等，合成温度约2000-2100℃。

它具有优良的耐熔融金属浸蚀性和导电性，可用电火花或其他加工方法制成各种耐磨、耐熔融金属(Fe、Al等)浸蚀部件等。

4.5.2硼化钛陶瓷
titanium boride ceramics
以硼化钛为主晶相的陶瓷材料。

TiB2属六方晶系，熔点2980℃。

可以用直接自蔓燃合成，还原法或气相沉积法、热等静压法制成，具有导电性和优良的耐温性，主要用作各种高温下耐热结构材料等。

4.5.3硼化镧陶瓷
lanthanum boride ceramics
以硼化镧为主晶相的陶瓷材料。

LaB6属立方晶系，熔点2530℃。

一般用La2O3和B4C在惰性或还原气氛中、高温下合成，然后再粉碎成型、烧结而成。

它具有热电子发射性，其化合物或单晶可作为高精度电子发射体，用于电子显微镜和VLSI电路上。

4.5.4二硅化钼陶瓷
molybdenum silicide ceramics
以二硅化钼为主晶相的陶瓷材料。

MoSi2属四方晶系，熔点2030℃。

可用Mo与Si粉直接合成或气相沉积而成，可用常压、热压烧结制成陶瓷材料。

具有高的导热性、优良的抗氧化性和导电性，可制成耐1800℃高温发热元件和熔制Na、Li、Bi、Pb、Sn的坩埚等。

4.6气敏陶瓷
4.6.1半导体式气敏陶瓷
semiconductive gas sensitive ceramics
能随着被吸附气体的浓度变化发生相应的电阻变化的半导体陶瓷材料，多为金属氧化物或结型半导体材料，按作用机制可分表面效应型和体效应型。

按结构可分为烧结型，厚膜型。

4.6.2接触燃烧式气敏陶瓷
fuel contactive gas sensitive ceremics
通过接触使燃烧气体吸附于材料中产生电信号的气敏陶瓷。

多采用铂金丝作为母线，表面用陶瓷涂层，催化剂、晶粒生产抑制剂等制成。

4.6.3固体电解质型气敏陶瓷
solid electrolyte gas sensitive ceramics
通过固体电解质中离子的快速迁移而形成气敏效应的气敏陶瓷。

如ZrO2陶瓷等。

4.6.4SnO2气敏陶瓷
SnO2 gas sensitive ceramics
以SnO2为主晶相的表面电阻控制型的气敏陶瓷。

其灵敏度高，可靠性好。

4.6.5Fe2O3气敏陶瓷
Fe2O3 gas sensitive ceramics
以α-Fe2O3为主要晶相的体电阻控制型半导体气敏陶瓷，可不用贵金属作催化剂，而且高温热稳定性好。

4.6.6ZnO气敏陶瓷
ZnO gas sensitive ceramics 以ZnO为主要晶体的，n型半导体气敏陶瓷，其气体选择性强。

4.6.7ZrO2氧敏陶瓷
ZrO2 ceramic oxygen sensor
利用ZrO2中Zr4+离子在不同氧分压下的变化特性引起缺陷反应，导致材料电阻率随氧分压而变化所制备的氧敏陶瓷材料。

4.6.8TiO2氧敏陶瓷
TiO2 ceramic oxygen sensor
利用TiO2中Ti4+离子在不同氧分压下的变化特性引起缺陷反应，导致材料电阻率随氧分压而变化特性制备的氧敏陶瓷材料。

4.6.9氧敏传感器
oxygen sensitive transducer 利用在不同氧分压下电压相应变化的氧敏陶瓷材料制备的器件。

4.6.10厚膜型湿敏陶瓷
thick film humidity sensitive ceramics
采用厚膜涂覆工艺在氧化物基片上制备的将湿度变化转换为电信号的半导体敏感陶瓷材料。

4.6.11薄膜型湿敏陶瓷
thin film humidity sensitive ceramics
在氧化物基片上用Si、Ge、Se、C等材料经薄膜半导体工艺制备的电阻率随湿度变化的敏感陶瓷材料。

4.6.12MgCr2O4-TiO2湿敏瓷
MgCr2O4-TiO2 system humidity sensitive ceramics
以MgCr2O4-TiO2体系制成的，尖晶石型多孔半导体湿敏陶瓷材料。

其灵敏度很高，稳定性好。

4.6.13TiO2-SnO2半导体敏感瓷
TiO2-SnO2 system semi-conductor ceramics
以TiO2-SnO2体系制成的，多孔半导体湿敏陶瓷材料。

4.6.14ZnO-Li2O-V2O5敏感瓷
ZnO-Li2O-V2O5 system sensitive ceramics
以ZnO-Li2O-V2O5体系制成的，多孔半导体湿敏陶瓷材料。

4.6.15SrTiO3-BaTiO3敏感瓷
SrTiO3-BaTiO3 system sensitive ceramics
以SrTiO3-BaTiO3体系制成的，半导体湿敏陶瓷材料。

4.7多孔陶瓷
4.7.1刚玉质多孔陶瓷
corundum porous ceramics
以α-Al2O3为主晶相（骨料）的多孔陶瓷材料，具有耐酸碱、耐高温等特性，常作为过滤介质使用。

4.7.2石英质多孔陶瓷
silicon porous ceramics
以石英为主晶相（骨料）的多孔陶瓷材料，具有良好的耐酸性，常作为过滤介质使用。

4.7.3硅藻土质多孔陶瓷
diatomaceous porous ceramics
以硅藻土为主原料，利用其多孔性能制备的多孔陶瓷材料，其气孔率很高，常用和过滤和吸附材料。

4.7.4碳化硅质多孔陶瓷
silicon carbide porous ceramics
以碳化硅为主晶相的多孔陶瓷。

其耐温性优异，热稳定性能好，可用于高温烟气过滤等。

4.7.5矾土质多孔陶瓷
bauxite porous ceramics 用铝矾土为主要原料制备的高氧化铝含量的多孔材料，其主晶相为铝硅酸盐。

4.7.6堇青石质蜂窝陶瓷
cordierite honeycomb ceramics
以堇青石为主晶相制成的蜂窝状陶瓷材料，由于其热膨胀系数小，常被用作汽车尾气净化器催化剂载体及陶瓷换热器等。

4.7.7钛酸铝质蜂窝陶瓷
aluminium titanate honeycomb ceramics
以钛酸铝为主晶相制成的蜂窝状陶瓷材料，具有优异的抗热震性，常被用作热交换器材料。

4.7.8锂辉石质蜂窝陶瓷。