磁控溅射仪 (2)
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样品溅射完毕后随炉冷却真空室温度降至60后才可暴露大气主机原理图
磁控溅射仪 Magnetron Sputtering Apparatus
型 号：JGP450 主 要 功 能：磁控溅射法制备各类薄膜材料 主要技术参数： 镀膜室尺寸：φ 450×450 mm；极限真空：6.6×10-5Pa；RF 射频电源：N≦1000W， f=13.56MHz； 直流稳压电源： N≦1000W， 2000W 各一台； 直流偏压电源： N≦2000W， -200V； 气路流量：0~100SCCM 两路，0~50SCCM 一路 操作注意事项： 1 磁控靶、分子泵工作时必须开冷却水。 2 镀膜室暴露大气前须关闭闸板阀，以免损坏分子泵；同时要关闭气路截至阀，以免气 路受污染。 3 镀膜室烘烤时，真空壁面及观察窗温度不得超过 100℃。 4 样品溅射完毕后随炉冷却，真空室温度降至 60℃后才Ar
e Ar＋
E
靶原子
e
溅射靶 N S N
真空室
磁控溅射仪 Magnetron Sputtering Apparatus
型 号：JGP450 主 要 功 能：磁控溅射法制备各类薄膜材料 主要技术参数： 镀膜室尺寸：φ 450×450 mm；极限真空：6.6×10-5Pa；RF 射频电源：N≦1000W， f=13.56MHz； 直流稳压电源： N≦1000W， 2000W 各一台； 直流偏压电源： N≦2000W， -200V； 气路流量：0~100SCCM 两路，0~50SCCM 一路 操作注意事项： 1 磁控靶、分子泵工作时必须开冷却水。 2 镀膜室暴露大气前须关闭闸板阀，以免损坏分子泵；同时要关闭气路截至阀，以免气 路受污染。 3 镀膜室烘烤时，真空壁面及观察窗温度不得超过 100℃。 4 样品溅射完毕后随炉冷却，真空室温度降至 60℃后才Ar
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溅射靶 N S N
真空室