BC857BDW双晶体管SOT-363厂家推荐

参数 Parameter Collector−Base Breakdown Voltage Collector−Emitter Breakdown Voltage Emitter−Base Breakdown Voltage Collector−Emitter Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
Reel
Inner Box 盒
Outer Box 箱
7〞×8 180×120×180 385×257×392
使用说明 / Notices
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BC857BDW1T1G
Rev.A Jul.-2016
描述 / Descriptions SOT-363 塑封封装双 PNP 半导体三极管。Double silicon PNP transistor in a SOT-363 Plastic Package.
特征 / Features 高电压互补 BC847BDW1T1G High voltage, complementary pair with B. C847BDW1T1G
符号 Symbol
VCBO VCEO VEBO VCES
ICBO
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
VBE(on) fT Cob NF
测试条件 Test Conditions
IC =-10μA IE=0
最小值 典型值 最大值 单位 Min Typ Max Unit
-50
V
IC =-10mA IB = 0
为“1”脚 为型号代码 为生产批号代码，随生产批号变化
“1”Pin Product Type Code Lot No. Code, code change with Lot No.
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BC857BDW1T1G
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回流焊温度曲线图(无铅) / Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free)
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Voltage
Transition Frequency Output Capacitance
Noise Figure
SOT-363
Units/Reel 只/卷盘
3,000
Reels/Inner Box 卷盘/盒
10
Units 包装数量
Units/Inner Box Inner Boxes/Outer Box
只/盒
盒/箱
30,000
8
Units/Outer Box 只/箱
240,000
Dimension 包装尺寸 (unit：mm3)
IE =-10μA IC = 0
IC=-10μA VEB=0
VCB=-30V VCB=-30V TA=150℃
VCE=-5.0V
IE=0 IE=0
IC=-10μA
VCE=-5.0V IC=-2.0mA
IC=-10mA IB=-0.5mA
IC=-100mA IB=-5.0mA
IC=-10mA IB=-0.5mA
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外形尺寸图 / Package Dimensions
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印章说明 / Marking Instructions
3F
* **
说明： ：
3F： ***: Note:
： 3F： ***:
符号 Symbol
VCBO VCEO VEBO
IC PD RθJA Tj Tstg
数值 Rating
-50 -45 -5.0 -100 380 328 -55～+150 -55～+150
单位 Unit
V V V mA mW ℃/W ℃ ℃
电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)
50
-15
-4.0
150
220
475
-0.30
-0.65
-0.70
-0.90
-0.60
-0.75
-0.82
100
4.5
10
V V V nA μA
V V V V mV mV MHz pF
dB
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电参数曲线图 / Electrical Characteristic Curve
用途 / Applications 用于普通高压放大。 General purpose high voltage amplifier.
内部等效电路 / Equivalent Circuit
引脚排列 / Pinning
PIN 1、4：Emitter
PIN 2、5：Base
PIN 3、6：Collector
放大及印章代码 / hFE Classifications & Marking
See Marking Instructions.
ห้องสมุดไป่ตู้
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极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
参数 Parameter Collector to Base Voltage Collector to Emitter Voltage Emitter to Base Voltage Collector Current Total Package Dissipation Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction Temperature Storage Temperature Range
说明： 1、预热温度 25～150℃，时间 60～90sec; 2、峰值温度 245±5℃，时间持续为 5±0.5sec; 3、焊接制程冷却速度为 2～10℃/sec.
Note: 1.Preheating:25~150℃, Time:60~90sec. 2.Peak Temp.:245±5℃, Duration:5±0.5sec. 3. Cooling Speed: 2~10℃/sec.
耐焊接热试验条件 / Resistance to Soldering Heat Test Conditions
温度：260±5℃
时间：10±1 sec.
Temp.:260±5℃
Time:10±1 sec
包装规格 / Packaging SPEC.
卷盘包装 / REEL
Package Type 封装形式
IC=-100mA IB=-5.0mA
IC=-2.0mA VCE=-5.0V
IC=-10mA
VCE=-5.0V f=100MHz
VCE=-5.0V IC=-10mA
VCB=-10V IC=-0.2mA RS=2.0kΩ BW=200Hz
f=1.0MHz VCE=-5.0V f=1.0kHz
-45
-5.0