半导体器件及其形成方法[发明专利]

专利名称：半导体器件及其形成方法
专利类型：发明专利
发明人：李根,李正吉,金度亨,尹基炫,林炫锡申请号：CN201810818513.1
申请日：20180724
公开号：CN109427807A
公开日：
20190305
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：提供半导体器件及其形成方法。

该半导体器件可以包括：多个栅电极，其层叠在衬底上并且在垂直方向上彼此间隔开；以及沟道区域，其在所述垂直方向上延伸穿过所述多个栅电极。

所述多个栅电极中的每一个可以包括：第一导电层，其限定朝向所述沟道区域凹入的凹陷；以及第二导电层，其位于由所述第一导电层限定的所述凹陷中。

第二导电层中的杂质的第一浓度可以高于第一导电层中的杂质的第二浓度，并且所述杂质可以包括氮(N)。

申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京天昊联合知识产权代理有限公司
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