FIB操作

1.vent 状态下装样
2.pump
3.按住鼠标，在样品室处按住鼠标，一直拖到10mm处
4.点上30KV，32nA太高了，选择0.5nA
5.Beam把analysis改为standard，在beam control处点击beam on
6.点pause，F9 Auto C/B, F5 Resize （移动样品两种方法：1，双击，双击处就到中间了；
2，拖动鼠标）
7.聚焦：先粗调，然后面板上的reduced area可以小面积聚焦。

一点小常识：
Dwell time, 时间越长，扫得越慢，图片效果约好。

Rotation 可以去Navigation 中调节R，Stage XT align Feature 中也可调。

Align Feature 中Horizon 画得线平行，Vertice 画得线垂直。

另外画线也有讲究，从左向右和从右向左不一样
，最后都是顺时针转动，都是箭头风向水平向右，图示从左向
8.调Eucentic height near 10mm (1) 找crack 或者edge，（2）tilt: 5μm, 15, 30, 45, 52 移
动样品室Z position 到十字架位置（此时，如果还离得很近就调，有可能一下子过去了，可以调远点，再慢慢往近了调），可以调focus （3）tilt再调到0 （4）Processing 中liner measurement Tilt correction surface 测量十字架和一之间的距离，小于10可以接受。

此时pattern选上W-Z。

9.Beam shift 点pause，Beam ship处用右键点zero, 30KV, 1.5pA 照相，这个电流值很小
（如果机器是开始的状态，显示绿色可以用beam on, Column 白色要wake up）点击beam on 。

用面板上的beam shift
10.点击扫描窗口，找到特征点，然后再去ion window
11.snapshot 快速update，有特点此时可以聚焦
12.In Gas Type, cold, you have to 点heater
13.工具栏上start patterning 1分钟后停下来
14.reset patterning
15.此间如果看样品去扫描窗口看
16.电流30，0.5 nA, 此时特别暗，点F5小窗聚焦
17.Pattern 中选择cross-section
18.application中Si对应黄色，Advanced还可以调方向
19.选中框后，点pause, 可以看见里面弄。

点pause patterning, 可以去扫描窗口，可以focus
20.Save image中reduced dewell time(10μm), pause到still image. 然后file，save as
D-data-Yun Yang。