智慧树知道网课《模拟电子技术基础(山东理工大学)》课后章节测试满分答案
模拟电子技术基础课后答案
第三局部 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度那么与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
〔 × 〕2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
〔 √ 〕3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
〔× 〕4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
〔 × 〕5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
〔 √ 〕6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
〔 × 〕7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
〔× 〕三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量〔其单位与V 的单位一致〕，其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，那么)V (2.11594TV T =，在常温〔T=300K 〕下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上根本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
智慧树答案电子技术基础Ⅰ(模拟部分)知到课后答案章节测试2022年
第一章1.对PN结电击穿描述不正确的是（）。
答案:齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的2.2AP9表示的是（）。
答案:18世纪30年代到18世纪末3.对二极管模型的描述不正确的是（）。
答案:二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关4.如图所示，设二极管为理想二极管，则A端的输出电压为（）。
答案:0V第二章1.晶体三极管形成原理描述不正确的是（）。
答案:由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较高2.对晶体三极管放大电路的工程常识描述不正确的是（）。
答案:放大电路的输出功率一般是瓦特级3.对共基极放大电路特性描述不正确的是（）。
答案:输入电阻小，对前一级放大电路或信号源的带负载能力要求不高4.对多级放大电路性能描述不正确的是（）。
答案:多级放大电路的电压增益等于各级放大电路电压增益分贝值之积5.已知b = 100，RS= 1 kW，RB1= 62 kW，RB2= 20 kW, RC= 3 kW，RE = 1.5kW，RL= 5.6 kW，VCC = 15 V。
则静态工作点分别为：（）。
答案:20μA，2mA,6V第三章1.测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V，其开启电压或夹断电压为-1V，该管工作在（）。
答案:饱和区2.对N沟道增强型场效应管工作原理描述不正确的是（）。
答案:当漏极和源极之间加正向电压超过预夹断电压时，漏极电流减少3.在使用MOSFET时，下列描述不正确的是（）。
答案:由于FET的结构对称性，其漏极和源极在任何情况下都可以任意互换，其伏安特性几乎无变化4.如图所示耗尽型 N 沟道 MOS 管，RG = 1 MW，RS = 2 kW，RD= 12 kW ，VDD = 20 V。
IDSS = 4 mA，UGS(off) = – 4 V，则 ID是（）。
答案:1mA5.采用二阶低通滤波器进行滤波时，设截止频率为，则10 处的增益与处的相差：（）。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
《模拟电子技术基础》习题答案
( RC // RL ) u i 0.76V rbe (1 ) RE
(1 )( RE // RL ) ui 0.994V rbe (1 ) RE
u o 2 Auo 2 u i
2. 6 如图题 2.6 所示的偏置电路中，热敏电阻 Rt 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？
第 1 章习题及答案 1.1．在图题 1.1 所示的各电路图中 E＝5V，ui 10 sin t V，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电 压 u o 的波形。
+
R
+ D E + -
+
Байду номын сангаас
D
+ R E + -
ui
(a) + R
uo
-
ui
(b)
uo
-
+ D E + -
+
ui
(c)
uo
-
D
+ R E + -
I B IC /
U CB U CC I C RC U CC Rb 2 U CC ( Rb1 Rb 2 )
Rb 2 RC Rb 2 U CC U CC ( Rb1 Rb 2 ) Re ( Rb1 Rb 2 )
7
第 3 章习题及答案 3.1 电路如图题 3.1 所示。 T1 和 T2 参数一致且 足够大。 （1） T1 、 T2 和电阻 R1 组成什么电路，起什么作用？ （2） 写出 I c 2 的表达式。
Re
uo
-
(a)
(b)
图解 2.7 2. 8 如图题 2.8 所示 RS、Re、Rb1、Rb2、Rc、RL、UCC 均已知；求静态工作点 IC、IB、UCB。
2020智慧树,知到模拟电子技术基础章节测试[完整答案]
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2020智慧树，知到模拟电子技术基础章节测试[完整答案]绪论单元测试1、判断题：线性元器件，指的就是元件的参数与通过它的电压和电流是无关的。
选项：A:错B:对答案: 【对】2、判断题：非线性元件，指的就是元件的参数会随着它两端的电压电流而变化。
选项：A:对B:错答案: 【对】3、判断题：这门课强调的是定性分析，手动的定量分析为估算。
选项：A:对B:错答案: 【对】4、判断题：在模拟电子系统里，一般而言，传感器的作用是把非电的物理量转换为电信号，传输给后面电子系统进行处理。
选项：A:错B:对答案: 【对】5、判断题：一般而言，放大器的质量和价格与它的衡量参数和主要指标紧密相关。
选项：A:对B:错答案: 【对】第一章单元测试1、单选题：某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3KΩ的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为()选项：A:2KΩB:5KΩC:4KΩD:3KΩ答案: 【2KΩ】2、单选题：某放大电路在接有2KΩ负载电阻时，测得输出电压为3V，在输入电压不变的情况下断开负载电阻，输出电压上升到7.5V，说明该放大电路的输出电阻为()选项：A:6KΩB:12KΩC:9KΩD:3KΩ答案: 【3KΩ】3、单选题：已知某放大电路的输出电阻为3KΩ，在接有4KΩ负载电阻时，测得输出电压为2V。
在输入电压不变的条件，断开负载电阻，输出电压将上升到()选项：A:3.5VB:2.5VC:4.5VD:1V答案: 【3.5V】4、单选题：放大电路对不同频率的正弦信号的稳态响应特性简称为()选项：A:频率响应B:放大倍数C:相移答案: 【频率响应】5、单选题：由于放大电路对含有多种频率信号的()不同而产生的波形失真，称为幅度失真选项：A:频率响应B:放大倍数C:相移答案: 【放大倍数】6、单选题：由于放大电路对信号中不同频率产生的()不同而产生的波形失真，称为相位失真选项：B:放大倍数C:频率响应答案: 【相移】7、单选题：测得某放大电路的输入正弦电压和电流的峰值分别为10mV和10μA，在负载电阻为2KΩ时，测得输出正弦电压信号的峰值为2V。
智慧树知到《模拟电子技术(山东联盟)》章节测试答案
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模拟电子技术基础课后答案(完整版)
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
智慧树知到《模拟电子技术基础》章节测试答案
智慧树知到《模拟电⼦技术基础》章节测试答案智慧树知到《模拟电⼦技术基础》章节测试答案第⼀章1、6.N型半导体中的多数载流⼦是（）。
A:⾃由电⼦B:空⽳C:正离⼦D:负离⼦答案: ⾃由电⼦2、4.场效应管的控制⽅式为（）。
A:输⼊电流控制输出电压B:输⼊电压控制输出电流C:输⼊电流控制输出电流D:输⼊电压控制输出电压答案: 输⼊电压控制输出电流3、3.在放⼤电路中，若测得某晶体管的三个电极的电位分别为6V，1.2V，1V，则该管为（）。
A:NPN硅管B:PNP锗管C:NPN锗管D:PNP硅管PNP硅管PNP硅管PNPPNP硅管PNP硅管答案: NPN锗管4、2.测得某⼯作在放⼤区域的三极管,当Ib=30uA时,Ic=2.4mA;当Ib=40uA时，Ic=3mA;则该管的电流放⼤系数β=( )。
A:60B:75C:80D:100答案: 605、1.稳压⼆极管稳压时，其⼯作在( ) 。
A:正向导通区B:反向截⽌区答案: 反向击穿区第⼆章1、82.晶体管的控制⽅式为。
A:输⼊电流控制输出电压B:输⼊电流控制输出电流C:输⼊电压控制输出电压D:输⼊电压控制输出电流答案: 输⼊电流控制输出电流2、13.在共射、共集、共基三种放⼤电路中，（）。
A:都有电压放⼤作⽤B:都有功率放⼤作⽤C:都有电流放⼤作⽤D:只有共射电路有功率放⼤作⽤答案: 都有功率放⼤作⽤3、12.共发射极放⼤电路中,输出电压uo与输⼊电压ui之间的关系是（）。
A: 两者反相, 输出电压⼤于输⼊电压B:两者相位差90，且⼤⼩相等C:两者同相，输出电压近似等于输⼊电压D:两者反相，且⼤⼩相等答案:两者反相, 输出电压⼤于输⼊电压4、11.晶体管⼯作在放⼤状态的条件是（）。
A:发射结正偏、集电结反偏B:发射结正偏、集电结正偏C:发射结反偏、集电结反偏D:发射结反偏、集电结正偏答案: 发射结正偏、集电结反偏5、10.放⼤电路“放⼤”的本质是（）。
A: ⽤输⼊信号控制电源的能量和转换B:iB对iC或uGS对iD的控制C:将较⼩能量转换为较⼤能量D:三极管的电流分配作⽤答案:⽤输⼊信号控制电源的能量和转换6、要求电压放⼤倍数的数值⼤于10，输⼊电阻⼤于10MΩ，输出电阻⼩于100Ω，第⼀级应采⽤A:共射电路D:共源电路E:共漏电路答案: 共集电路第三章1、101.差动放⼤电路中，所谓差摸信号是指两个输⼊信号（）。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
最新模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电子技术(山东联盟)智慧树知到课后章节答案2023年下潍坊学院
模拟电子技术（山东联盟）智慧树知到课后章节答案2023年下潍坊学院第一章测试1.如图所示电路是哪种半导体的电路模型。
（）A:N型半导体 B:P型半导体 C:本征半导体 D:杂质半导体答案:P型半导体2.当温度降低时，二极管的反向饱和电流将（）。
A:增大 B:不变C:无法确定 D:减小答案:减小3.当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
A:减小 B:增大 C:不变 D:无法确定答案:增大4.一场效应管的符号如下所示，它是（）。
A:P沟道增强型 B:P沟道耗尽型 C:N沟道增强型 D:N沟道耗尽型答案:N沟道耗尽型5.时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。
A:P沟道增强型MOS管 B:N沟道耗尽型MOS管 C:结型场效应管 D:N沟道增强型MOS管答案:N沟道耗尽型MOS管;结型场效应管6.在P型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为N型半导体。
A:错 B:对答案:对7.本征半导体中自由电子和空穴的浓度主要取决于温度。
（）A:错 B:对答案:对8.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）A:对 B:错答案:对9.因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
（）A:错 B:对答案:错10.三极管放大时，内部两个PN结的偏置状态应为（）。
A:发射结正偏，集电结反偏 B:发射结正偏，集电结也正偏 C:发射结反偏，集电结也反偏 D:发射结反偏，集电结正偏答案:发射结正偏，集电结反偏第二章测试1.在放大电路中，输出电流和输出电压都是由有源元件提供的。
A:错 B:对答案:错2.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
A:对 B:错答案:错3.在分析放大电路时，应遵循“先动态，后静态”的原则；A:错 B:对答案:错4.放大电路的输出电阻与负载无关。
A:对 B:错答案:对5.下列哪种电路只放大电压不放大电流。
（）A:共集 B:两级共射 C:共射D:共基答案:共基6.为使场效应管放大电路能够正常放大，场效应管应该工作在（）A:放大区B:饱和区 C:恒流区 D:截止区答案:恒流区7.计算如下电路的电压放大倍数（）A:200 B:-200 C:-125 D:125 答案:-2008.对放大电路的最基本的要求是（）A:输入电阻大 B:能够放大 C:输出电阻小 D:不失真答案:能够放大;不失真9.典型的静态工作点稳定电路Ｑ点稳定的原因是（）A:电源ＶＣＣ的取值； B:Re的直流负反馈的作用； C:旁路电容的影响；D:U BQ在温度变化时基本不变。
智慧树知道网课《模拟电子技术(山东联盟-山东建筑大学)》课后章节测试满分答案
第一章测试1【判断题】(10分)电子线路是由电子器件和电子元件组成的具有一定功能的电路。
A.对B.错2【判断题】(10分)电子器件又称无源器件，如电阻、电容、电感等.A.错B.对3【判断题】(10分)第一代电子器件为晶体管，晶体管出现后，拉开了人类社会步入信息时代的序幕。
A.错B.对4【判断题】(10分)电子器件是电子线路的核心，电子技术的发展很大程度上反映在电子器件的发展上。
A.对B.错5【判断题】(10分)电子器件发展的第三代是集成电路，具有外接元件少、可靠性高、性能稳定的特点A.错B.对6【判断题】(10分)模拟电路和数字电路处理的信号特性是相同的，只是处理信号的幅度有差别。
A.对B.错7【判断题】(10分)计算机能够直接接收和处理的信号一般为模拟信号A.错B.对8【判断题】(10分)数字信号一般指时间和数值上都连续的信号A.错B.对9【判断题】(10分)含有计算机的电子信息系统一般属于模拟和数字的混合系统A.错B.对10【单选题】(10分)下列信号不属于模拟信号的是()A.4~20mA的电流信号B.20Hz~20kHz的音频信号C.灯的亮灭状态D.0~5V的电压信号第二章测试1【判断题】(10分)在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地A.对B.错2【判断题】(10分)凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系A.错B.对3【判断题】(10分)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区A.错B.对4【单选题】(10分)理想运算放大器的两个重要结论是A.虚短与虚地B.虚地与反相C.短路和断路D.虚短与虚断5【单选题】(10分)集成运放的线性和非线性应用电路都存在A.虚短与虚断B.虚短C.虚断D.虚地6【多选题】(10分)如图所示电路中，若电阻Rf虚焊，则电路的输出电压为A.B.＋UOMC.无穷大D.-UOM7【单选题】(10分)反相输入积分电路中的电容接在电路的A.同相输入端B.同相端与输出端之间C.反相输入端D.反相端与输出端之间8【单选题】(10分)电路如图所示，若R1=5KΩ,R2=R3=10KΩ，Vi=1V，则V O=A.-1VB.-2VC.1VD.2V9【单选题】(10分)集成运放能处理A.正弦信号B.交流和直流信号C.直流信号D.交流信号10【单选题】(10分)理想运算放大器的输出电阻Ro为A.零B.有限值C.无穷大D.不确定第三章测试1【单选题】(10分)设稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和9V，正向压降为0.7V，则图3.2电路中的输出电压VO为A.3VB.6.7VC.15VD.9.7V2【单选题】(10分)用万用表的电阻档测量二极管，当时说明二极管的单向导电性好A.正向电阻反向电阻都小B.正向电阻反向电阻都大C.正向电阻大反向电阻小D.正向电阻小反向电阻大3【单选题】(10分)如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管A.击穿B.电流过大而使管子烧坏C.电流为0D.正常导通4【判断题】(10分)二极管稳压电路一般是由稳压二极管（反向接法）和负载并联而得到。
【2024版】智慧树知道网课《模拟电子技术基础(山东理工大学)》课后章节测试满分答案
可编辑修改精选全文完整版第一章测试1【判断题】(10分)电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于3VA.对B.错2【判断题】(10分)电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于0VA.对B.错3【单选题】(10分)电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于（）VA.3B.C.1D.24【单选题】(10分)电路如图所示，二极管VD1、VD2用恒压降模型，正向导通电压均为0.7V，假如输入端uA=3V，uB=0V,求uy=（）VA.2.4B.2.3C.2.2D.2.15【判断题】(10分)稳压管的动态电阻愈大，稳压性能也就愈好•A.对B.错6【判断题】(10分)稳压管的正常工作区是反向区A.错B.对7【判断题】(10分)二极管恒压降模型，是指二极管承受正向电压导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化A.对B.错8【判断题】(10分)扩散电容是PN结加正向电压时，多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的A.对B.错9【判断题】(10分)当电源的正极接P区，负极接N区，称为PN结加正向电压，也称PN结正向偏置A.对B.错10【判断题】(10分)在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度A.错B.对第二章测试1【单选题】(10分)共集电极放大电路的电压放大倍数接近于（）A.3B.4C.2D.12【判断题】(10分)共集电极放大电路的输入电阻比较高A.对B.错3【判断题】(10分)共集电极放大电路的输出电阻比较低A.错B.对4【判断题】(10分)共基极电路的频率响应好，常用作宽带或高频放大电路A.对B.错5【判断题】(10分)直接耦合方式不仅可以使缓变信号获得逐级放大，而且便于电路集成化A.对B.错6【判断题】(10分)不管三极管工作在放大、截止还是饱和状态，都满足IC=BIB，这种说法正确吗A.错B.对7【判断题】(10分)若要求管子的反向电流小，工作温度高，则应选锗管A.对B.错8【判断题】(10分)由于I CBO对温度非常敏感，当温度升高时，I CBO增高很快，所以I CEO增加得也很快，I C也就相应增加••A.对B.错9【判断题】(10分)Ul＝-2V，U2＝-5V，U3＝-2.3V，锗管。
2023年智慧树知道网课《模拟电子技术基础(山东理工大学)》课后期末测试满分答案
2023年智慧树知道网课《模拟电子技术基础（山东理工大学）》课后期末测试满分答案第一题：什么是电子技术？电子技术（Electronics）是指利用电子器件（如电子管、晶体管、集成电路等）来控制电流和电压的流动以及处理电信号的技术。
它是现代科学和技术的重要基础，广泛应用于通信、计算机、家电、工业控制等领域。
第二题：模拟电子技术与数字电子技术有什么区别？模拟电子技术和数字电子技术是电子技术中两个重要的分支。
它们有以下区别：1.分析对象不同：模拟电子技术主要处理连续变化的物理量信号，如模拟音频、电压等；而数字电子技术主要处理离散变化的状态，如二进制数字信号。
2.处理方式不同：模拟电子技术通过电路中的模拟信号直接处理和变换，比较接近真实物理量的变化；而数字电子技术通过数字电路将连续变化的物理量信号经过采样、量化转换成离散的数字信号进行处理。
3.精度要求不同：模拟电子技术的精度要求较高，通常以信噪比、失真率等参数来衡量；而数字电子技术的精度由数字电路的位数来确定，可以通过增加位数来提高精度。
第三题：放大器的作用是什么？常见的放大器有哪些？放大器是一种用来增大电压、电流或功率的电子器件。
其作用主要是将输入信号放大到所需的幅度，以便能够进行有效的信号处理。
常见的放大器有以下几种：1.差动放大器（Differential Amplifier）：差动放大器是一种基本的放大器电路，具有较好的抗干扰能力和增益稳定性。
2.运放（Operational Amplifier）：运放是一种高增益、直流耦合的电子放大器，常用于模拟电路中的放大、滤波、积分等应用。
3.电子管放大器（Vacuum Tube Amplifier）：电子管放大器是早期使用的一种放大器，通过电子管的电子流控制电流和电压的放大。
4.晶体管放大器（Transistor Amplifier）：晶体管放大器是现代电子设备中常用的放大器，通过晶体管的电流和电压控制实现放大作用。
2020年智慧树知道网课《模拟电子技术实验——轻松开启模拟电子技术之门(山东联盟)》课后章节测试满分答案
第一章测试1【判断题】(8分)信号的三要素是幅值、周期和初相位。
A.对B.错2【多选题】(10分)以下仪器设备中，可用于提供输入信号的是A.函数信号发生器B.DC信号源C.示波器D.交流毫伏表3【多选题】(8分)总体来说，函数信号发生器的功能有A.波形设置B.频率设置C.幅值设置D.自检设置4【单选题】(8分)以下是交流有效值的单位是A.mVppB.VrmsC.dBmD.Vpp5【单选题】(10分)通常，示波器在使用前都需要进行自检。
示波器GDS820C的自检信号波形是A.1kHz2Vpp的正弦波信号B.1kHz2Vpp的方波信号C.1kHz1Vpp的正弦波信号D.1kHz1Vpp的方波信号6【判断题】(8分)调整示波器垂直系统的POSITION旋钮时，改变的是坐标轴横轴的位置，观测的信号也会随之变化。
A.对B.错7【单选题】(10分)若要使示波器观测的波形在垂直方向上压缩显示，则需要将VOLTS/DIVA.右旋至底B.左旋至底C.调大D.调小8【单选题】(10分)调整示波器水平系统的POSITION旋钮时，可以A.改变水平方向每格所代表的时间B.改变坐标轴横轴的位置C.改变波形的完整性D.改变坐标轴纵轴的位置9【单选题】(10分)若要使示波器观测的波形稳定显示，触发电平A.位于最大值上面B.位于最大值和最小值之间C.位于最大值上面位于最小值下面10【单选题】(10分)通常，示波器屏幕上显示波形周期数A.越多越好B.2-3个C.1个D.5个11【判断题】(8分)直流稳压电源GPS-3303A的CH3为5V3A的固定输出端。
A.错B.对第二章测试1【判断题】(6分)信号放大的前提是不失真，不失真的放大，在实验中是通过调试合适的静态工作点来保证的。
A.错B.对2【单选题】(8分)基本放大电路实验中给放大电路提供输入信号的设备是A.DC信号源B.函数信号发生器C.直流稳压电源D.交流毫伏表3【判断题】(8分)在测量放大电路的输入电阻时，需要在信号源和放大电路之间串联一个电阻Rs,其数量级应与放大电路的输入电阻在同一个数量级上。
模拟电子技术(山东联盟-山东建筑大学)智慧树知到答案章节测试2023年
第一章测试1.电子线路是由电子器件和电子元件组成的具有一定功能的电路。
A:错B:对答案:B2.电子器件又称无源器件，如电阻、电容、电感等.A:错B:对答案:A3.第一代电子器件为晶体管，晶体管出现后，拉开了人类社会步入信息时代的序幕。
A:对B:错答案:B4.电子器件是电子线路的核心，电子技术的发展很大程度上反映在电子器件的发展上。
A:错B:对答案:B5.电子器件发展的第三代是集成电路，具有外接元件少、可靠性高、性能稳定的特点A:错B:对答案:B6.模拟电路和数字电路处理的信号特性是相同的，只是处理信号的幅度有差别。
A:错B:对答案:A7.计算机能够直接接收和处理的信号一般为模拟信号A:对B:错答案:B8.数字信号一般指时间和数值上都连续的信号A:错B:对答案:A9.含有计算机的电子信息系统一般属于模拟和数字的混合系统A:对B:错答案:A10.下列信号不属于模拟信号的是( )A:4~20mA的电流信号B:20Hz~20kHz的音频信号C:灯的亮灭状态D:0~5V的电压信号答案:C第二章测试1.在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地A:错B:对答案:A2.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系A:对B:错答案:A3.集成运放在开环情况下一定工作在非线性区A:对B:错答案:A4.理想运算放大器的两个重要结论是A:虚地与反相B:虚短与虚地C:短路和断路D:虚短与虚断答案:D5.集成运放的线性和非线性应用电路都存在A:虚短B:虚地C:虚断D:虚短与虚断答案:C6.如图所示电路中，若电阻Rf虚焊，则电路的输出电压为A:0B:＋UOMC:无穷大D:-UOM答案:BD7.反相输入积分电路中的电容接在电路的A:反相输入端B:同相端与输出端之间C:同相输入端D:反相端与输出端之间答案:D8.电路如图所示，若R1=5KΩ,R2=R3=10KΩ， Vi=1V，则VO=A:2VB:1VC:-1VD:-2V答案:A9.集成运放能处理A:交流信号B:直流信号C:正弦信号D:交流和直流信号答案:D10.理想运算放大器的输出电阻Ro为A:无穷大B:不确定C:有限值D:零答案:D第三章测试1.设稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和9V，正向压降为0.7V，则图3.2电路中的输出电压VO为A:3VB:9.7VC:15VD:6.7V答案:D2.用万用表的电阻档测量二极管，当时说明二极管的单向导电性好A:正向电阻反向电阻都小B:正向电阻小反向电阻大C:正向电阻大反向电阻小D:正向电阻反向电阻都大答案:B3.如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管A:击穿B:电流为0C:正常导通D:电流过大而使管子烧坏答案:D4.二极管稳压电路一般是由稳压二极管（反向接法）和负载并联而得到。
模拟电子线路智慧树知到期末考试章节课后题库2024年山东师范大学
模拟电子线路智慧树知到期末考试答案章节题库2024年山东师范大学1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
答案:错2.在半导体内部，只有电子是载流子( )答案:错3.答案:饱和失真，静态工作点选择太高4.差动放大电路是为了而设置的。
答案:克服零点漂移5.答案:对6.答案:错7.晶体三极管具有能量放大作用( )答案:对8.由于控制输入电流就能控制输出电流，因此常将BJT称为电流控制器件。
（）答案:对9.集成运算放大电路既可以双端输入，又可以单端输入。
（）答案:对10.多级放大电路比单级放大电路的通频带（）。
答案:窄11.晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则三极管所处的状态是（）答案:放大状态12.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）答案:饱和区13.二极管的阳极电位是20V，阴极电位是10V，则该二极管处于（）。
答案:正偏14.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则答案:阻当层变厚，反向电流基本不变15.答案:16.晶体三极管放大电路可实现电压或者电流的放。
答案:对17.双极型三极管同场效应管相比，输入电阻大，热稳定性好。
（）答案:错18.判断N沟道MOS管的夹断电压U＞0, P沟道MOS管的夹断电压U＜0. （）答案:错19.答案:对20.当三极管的两个PN结都正偏时，三极管处于饱和状态。
（）答案:对21.场效应管属于电压控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制型器件。
（）答案:对22.高通滤波器的通频带是指电压的放大倍数不变的频率范围。
（）答案:错23.答案:对24.稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态答案:反偏25.二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好答案:错26.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
答案:错27.在二极管特性的正向导通区，二极管相当于（）。
答案:接通的开关28.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为10V、5.3V和5V，则该三极管的类型为硅NPN型。
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第一章测试1【判断题】(10分)电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于3VA.对B.错2【判断题】(10分)电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,用理想模型求UR的值等于0VA.对B.错3【单选题】(10分)电路如图所示，二极管采用硅管，电阻R＝1kΩ，E＝3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于（）VA.3B.C.1D.24【单选题】(10分)电路如图所示，二极管VD1、VD2用恒压降模型，正向导通电压均为0.7V，假如输入端uA=3V，uB=0V,求uy=（）VA.2.4B.2.3C.2.2D.2.15【判断题】(10分)稳压管的动态电阻愈大，稳压性能也就愈好•A.对B.错6【判断题】(10分)稳压管的正常工作区是反向区A.错B.对7【判断题】(10分)二极管恒压降模型，是指二极管承受正向电压导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化A.对B.错8【判断题】(10分)扩散电容是PN结加正向电压时，多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的A.对B.错9【判断题】(10分)当电源的正极接P区，负极接N区，称为PN结加正向电压，也称PN结正向偏置A.对B.错10【判断题】(10分)在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度A.错B.对第二章测试1【单选题】(10分)共集电极放大电路的电压放大倍数接近于（）A.3B.4C.2D.12【判断题】(10分)共集电极放大电路的输入电阻比较高A.对B.错3【判断题】(10分)共集电极放大电路的输出电阻比较低A.错B.对4【判断题】(10分)共基极电路的频率响应好，常用作宽带或高频放大电路A.对B.错5【判断题】(10分)直接耦合方式不仅可以使缓变信号获得逐级放大，而且便于电路集成化A.对B.错6【判断题】(10分)不管三极管工作在放大、截止还是饱和状态，都满足IC=BIB，这种说法正确吗A.错B.对7【判断题】(10分)若要求管子的反向电流小，工作温度高，则应选锗管A.对B.错8【判断题】(10分)由于I CBO对温度非常敏感，当温度升高时，I CBO增高很快，所以I CEO增加得也很快，I C也就相应增加••A.对B.错9【判断题】(10分)Ul＝-2V，U2＝-5V，U3＝-2.3V，锗管。
3脚为B极，1脚为E极，2脚为C极A.错B.对10【判断题】(10分)Ul＝8V，U2＝2V，U3＝2.7V，为硅管。
3脚为B极，2脚为E极，1脚为C极A.对B.错第三章测试1【单选题】(10分)N沟道耗尽型MOS管的uGS在一定范围内。
A.为正B.为负C.可正可负2【判断题】(10分)N沟道结型场效应管正常工作，应在其栅源之间加正向电压A.对B.错3【判断题】(10分)结型场效应管栅源之间的PN结反向偏置，因此，其输入电阻很高。
A.错B.对4【判断题】(10分)跨导gm与静态工作点Q点的位置有关系，Q点越高，gm越小A.错B.对5【判断题】(10分)输入加在栅极和源极间的输入回路，输出加在漏极和源极间的输出回路，这为共源极放大电路。
A.错B.对6【判断题】(10分)如图所示的放大电路中，已知V DD=30V，R1=30，R2=200，R d=15，R s=1，R g=20，负载电阻R L=1，场效应管在Q点处的跨导g m=1.5mS。
A.对B.错7【判断题】(10分)求输出电阻表达式为A.对B.错8【判断题】(10分)在图所示的放大电路中，已知V DD=30V，R1=30，R2=200，R d=15，R s=1，R g=20，负载电阻R L=1，场效应管在Q点处的跨导g m=1.5mS计算电压放大倍数为A.对B.错9【判断题】(10分)求静态工作点的步骤为是否正确？A.对B.错10【判断题】(10分)N沟道结型场效应管正常工作，当uGS负向增大时，沟道电阻增大，iD将减小A.错B.对第四章测试1【单选题】(10分)两级放大电路的上限频率分别为f1=100kHz，f2=500kHz，则放大电路总的上限频率应为（）kHz。
A.300B.200C.100D.4002【单选题】(10分)如两级放大电路下限频率f1=20Hz，f2=120Hz，则放大电路总的下限频率应为（）HzA.110B.130C.140D.1203【判断题】(10分)两级放大电路由两个具有相同频率特性的单管放大电路组成，下限频率f=100Hz,则总下限频率为156Hz.A.对B.错4【判断题】(10分)直接耦合电路下限频率f=1HzA.错B.对5【单选题】(10分)某放大电路的电压放大倍数为20dB，则该电路的电压放大倍数为（）A.10B.8C.5D.156【判断题】(10分)如图所示，试写出电压放大倍数表达式A. 错B. 对7【判断题】(10分)下限频率为A.错B.对8【判断题】(10分)相位差=1800A.对B.错9【判断题】(10分)根据波特图写电压放大倍数A.错B.对10【判断题】(10分)下限频率下限频率表达式为R i=R bA.对B.错第五章测试1【判断题】(10分)同型号的三极管可以复合而不同型号的三极管很难复合A.错B.对2【判断题】(10分)复合管准互补对称电路中靠近负载的两个输出管的型号是相同的，目的是这样使用使得电路更容易对称。
A.对B.错3【判断题】(10分)功率放大电路按输出端与负载的耦合方式的不同，分为变压器耦合方式、无输出变压器（OTL）方式和无输出电容（OCL）方式A.对B.错4【判断题】(10分)乙类互补对称功率放大电路的能量转换效率最高是78.5%。
A.错B.对5【判断题】(10分)饱和失真、截止失真和交越失真都属于非线性失真。
A.对B.错6【单选题】(10分)A.18.5B.17.5C.19D.16.57【判断题】(10分)A.对B.错8【判断题】(10分)计算是否正确？A.对B.错9【单选题】(10分)电路如图所示，VCC=20V静态时，负载中的电流应该是多少______A？A.3B.2C.1D.10【判断题】(10分)若输出电压波形出现交越失真，应该调整R2A.对B.错第六章测试1【判断题】(10分)差动放大电路对共模信号的抑制能力，就是抑制零点漂移的能力A.对B.错2【判断题】(10分)差动放大电路对差模信号有放大能力A.对B.错3【判断题】(10分)差动放大电路仅对差模信号给予放大，而对共模信号无放大能力A.对B.错4【判断题】(10分)长尾式差动放大电路也是一种典型差动放大电路,Re数值愈大，对共模信号（即零点漂移）的抑制能力就愈强A.错B.对5【判断题】(10分)长尾式差动放大电路,Re基本上不影响差模信号的放大效果A.错B.对6【判断题】(10分)表达式是否正确A.错B.对7【判断题】(10分)镜像电流源输出电流与基准电流相等A.对B.错8【判断题】(10分)带恒流源的差分放大电路是否正确A.对B.错9【判断题】(10分)为了提高共模抑制比，可采用的途径有：一方面是使电路参数尽量对称，另一方面可尽量加大共模反馈电阻Re••A.对B.错10【判断题】(10分)是否正确？A.对B.错第七章测试•第1部分•总题数:101【单选题】(10分)电路如图所示，引入跨级之间的交流负反馈类型（）A.并联电流B.串联电压C.串联电流D.并联电压2【单选题】(10分)电路如图所示，引入跨级之间的交流负反馈类型（）A.并联电流B.串联电流C.串联电压D.并联电压3【单选题】(10分)电路如图所示，引入跨级之间的交流负反馈类型（）A.串联电压B.串联电流C.并联电流D.并联电压4【单选题】(10分)电路如图所示，引入跨级之间的交流负反馈类型（）A.串联电流B.串联电压C.并联电流D.并联电压5【单选题】(10分)电路如图所示，引入跨级之间的交流负反馈类型（）A.串联电流B.并联电压C.并联电流D.串联电压6【单选题】(10分)A.串联电压B.并联电压C.并联电流D.串联电流7【单选题】(10分)A.串联电流B.串联电压C.并联电压D.并联电流8【单选题】(10分)A.串联电压B.并联电压C.串联电流D.并联电流9【单选题】(10分)。