MOS测试研究报告
《半导体器件》mos输出特性测试适实验
《半导体器件》mos输出特性测试适实验
一、实验目的
1.通过实验对mos管输出特性深入了解。
2.知道如何绘制mos管输出特性曲线。
二、实验仪器设备
1.一台计算机
2.测试设备：Agilent4155C阻抗分析仪
3.一个SD214n型增强型MOS管
三、测试参数设置
1.我们先讲器件选择为cmos，曲线选择输出特性曲线，按照图中将参数设置好。
2.得出mos管的输出特性曲线
四、器件测试结果
Mos管输出特性曲线
五、结果分析
1.Mos管萨之唐方程：
这是线性工作区的直流线性方程，当Vds很小时，Ids与Vds呈线性关系。
Vds稍大时，Ids上升变慢，特性曲线弯曲。
语音质量(MOS)专题分析报告
语音质量（MOS）专题分析PESQ MOS专题分析：目前话音质量分析主要采用语音感知MOS指标、下行误码率指标（rxqual）。
其中语音感知MOS指标包含了下行误码率、切换、时延等多种因素。
本专题主要针对第一阶段的数据对MOS指标进行专题分析。
表：GSM第一阶段人工和自动路测MOS指标对比表备注：2G中，人工测试均为华星的MOS盒；3G和自动路测均采用鼎利的MOS盒。
一鼎利MOS盒分析，五网质量对比情况）；华星仪表为直接PESQ值（2.2），三者之间有一定的关系，但并不一致。
从上图分析可以看出，指标排名如下：1)以2.5为标准，质量高低分别为联通W网、电信C网、联通GSM网络、移动GSM网络、移动TD-SCDMA网络；2)以3.3分为标准，质量高低分别为联通W网络、电信C网络、移动GSM网络、联通GSM网络、移动TD-SCDMA网络；3)以大于3.5为标准，质量高低分别为联通W网络、移动GSM网咯、联通GSM网络、移动TD-SCDMA网络、电信CDMA网络；结论：从自动路测（鼎利）的PESQ计算方法上看，电信CDMA网络话音质量高于3.5分的比例较低，但是高于3.3和3.1分的比例很高。
按照大于3.3（或者3.3以下）的比例，CDMA的MOS质量要好于联通和移动的GSM网络。
二华星MOS和分析，三网对比测试情况；结论：从flywire（华星）的PESQ计算方法上看，电信CDMA网络话音质量一直很低，在各个分数段均明显低于联通和移动的GSM网络。
三PESQ MOS指标测试研究从1..5.1和1.5.2可以看出，华星PESQ MOS的分值和鼎利PESQ MOS分值相差较大。
特别是CDMA 的MOS分值，在对比中的排名完全相反。
因此我们对PESQ的MOS算法进行了专题测试和研究分析。
1.研究结论如下：1．不同测试厂家的MOS盒使用不同标准，如自动路测采用P862.1标准，分数为PESQ-LQ；华星flywire MOS算法采用P862.2标准，所选值为PESQ score；3G测试MOS盒采用P862.2标准，选值为PESQ-MOS分值；2．语音样本格式不同，华星采用PCM格式，鼎利使用WAV格式，规范定义采用WAV格式（两者相差微小）；3．MOS盒硬件实现方式不同：MOS盒测试CDMA差别大，其中华星MOS盒原因为MOS到手机两端均为耳塞插孔，失真较大；而鼎利MOS盒在CDMAMOS评估的时候采用模块化的设计，失真较少。
MOS器件高温特性研究报告
MOS器件高温特性研究报告摘要：本报告对MOS器件在高温下的特性进行了研究。
通过在不同温度下对MOS器件进行电性能测试，获得了其电流、电压和功耗等参数的变化情况。
研究结果表明，高温对于MOS器件的电性能有较大的影响，且温度升高会导致器件性能的恶化。
因此，在实际应用中，需要考虑高温环境对MOS器件的影响，并采取相应的措施进行优化设计。
1.引言随着电子技术的不断发展，各种电子器件在高温环境下的应用也越来越广泛。
MOS器件作为一种常见的半导体器件，其性能在高温条件下的稳定性成为了研究的重点。
2.实验方法本次实验选取了若干个MOS器件样品，并分别在室温（25℃）和高温（100℃、150℃和200℃）下进行了电性能测试。
测试项目主要包括电流、电压和功耗等参数的测量。
3.结果与讨论根据实验数据，我们得到了MOS器件在不同温度下的电性能变化情况。
随着温度的升高，MOS器件的电流逐渐增大，而电压则逐渐降低。
这表明高温环境会对器件的导电性能产生积极影响，同时也说明了器件内部存在一定的温度对电子行为的调控作用。
然而，随着温度进一步升高至150℃和200℃，我们观察到MOS器件的电流开始下降，电压则持续降低。
这说明高温对MOS器件的性能表现出负面影响，可能由于导电材料的热退化或电子迁移速率的下降。
除了电流和电压的变化，功耗也是我们关注的重要参数之一、实验结果显示，随着温度的升高，MOS器件的功耗呈现出增加的趋势。
这可能是因为高温下电子的碰撞和漂移效应增大，从而引起能量的散失。
4.结论通过对MOS器件在高温环境下的电性能测试，我们得出了以下结论：-高温对MOS器件的电性能有显著的影响，温度的升高会导致其性能的恶化；-随着温度的升高，MOS器件的电流逐渐增加，而电压逐渐降低；-高温环境下，MOS器件的功耗呈现增加的趋势。
因此，在实际应用中，需要特别注意高温对MOS器件的影响，并采取相应的措施进行优化设计，以确保器件在高温环境下的可靠性和稳定性。
mosfet的实验报告
mosfet的实验报告MOSFET的实验报告引言：MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管) 是一种重要的电子器件，具有广泛的应用领域。
本篇实验报告将介绍MOSFET的基本原理、实验装置、实验步骤、实验结果以及对实验结果的分析和讨论。
一、MOSFET的基本原理MOSFET是一种三端器件，由金属氧化物半导体结构组成。
它的主要特点是在输入电压较低的情况下，能够控制较大的输出电流。
MOSFET有两种类型：N沟道型和P沟道型，根据实验要求，我们选择了N沟道型MOSFET。
二、实验装置本次实验所需的装置包括：MOSFET芯片、直流电源、电阻、示波器、万用表、电容、电感等。
三、实验步骤1. 将MOSFET芯片正确连接到实验电路中，并确保连接正确无误。
2. 将直流电源连接到电路中，设置合适的电压和电流值。
3. 使用示波器测量输入和输出信号的波形，并记录下来。
4. 使用万用表测量电路中的电流和电压值，并记录下来。
5. 对实验进行多次重复，确保实验结果的准确性。
四、实验结果在实验过程中，我们观察到了以下结果：1. 输入电压的变化对输出电流和电压有明显的影响。
2. MOSFET的工作在某一特定电压范围内更为稳定。
3. 输出电流和电压随着输入电压的增加而增加，但增长速度逐渐减缓。
五、实验结果分析和讨论根据实验结果，我们可以得出以下结论：1. MOSFET在特定电压范围内具有较好的线性特性，适合用作放大器。
2. MOSFET的输出电流和电压与输入电压之间存在一定的关系，可以通过合适的电路设计实现不同的功能。
3. MOSFET的工作在某一特定电压范围内更为稳定，超出该范围可能导致器件损坏。
六、实验的应用前景MOSFET作为一种重要的电子器件，在现代电子技术中具有广泛的应用前景。
它可以用于放大电路、开关电路、模拟电路等领域。
随着科技的不断进步，MOSFET的性能也在不断提高，未来它将在更多领域发挥重要作用。
结论：通过本次实验，我们对MOSFET的基本原理和特性有了更深入的了解。
MOS测试原理解析
GTM Electronics (Shanghai) Ltd.MOS測試原理解析By Antly_lawMOSFET-簡介►MOSFET定義及特點►►MOSFET工作原理(NMOS)►MOSFET特性曲線(NMOS)►分立器件測試機►MOSFET的直流參數及測試目的►MOSFET的交流參數►MOSFET Related►廠內分析MOSFET異常方法►習題GDMOSFET定義►MOSFET=Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor即金属-氧化层-半导体-场效晶体管.►MOSFET是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。
►MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等►特點：• 1.单极性器件(一种载流子导电)• 2.输入电阻高(107 ~1015 Ω，IGFET(絕緣柵型) 可高达1015Ω)• 3.工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低MOSFET 結構►增強型NMOS 結構與符號;GP 型衬底(掺杂浓度低)N +N +S D B耗尽层•在一块掺杂浓度较低的P 型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d 和源极s 。
然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏—源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g 。
在衬底上也引出一个电极B ，这就构成了一个N 沟道增强型MOS 管。
MOS 管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。
它的栅极与其它电极间是绝缘的•符號如右SG DMOSFET 工作原理►增強型NMOS 工作原理;•A.当U GS = 0，DS 间为两个背对背的PN 结；•B.当0 < U GS < U GS (th )(开启电压)时，GB 间的垂直电场吸引P 区中电子形成离子区(耗尽层)；•C.当u GS ≥U GS (th )时，衬底中电子被吸引到表面，形成导电沟道。
小尺寸MOS器件单粒子辐照效应研究的开题报告
小尺寸MOS器件单粒子辐照效应研究的开题报告一、研究背景和意义随着半导体工艺的不断进步，集成电路的尺寸逐渐缩小，这使得电路的灵敏度变得更高，同时也增加了电路受到辐射的影响的风险。
脆弱性分析表明，单粒子辐照可能导致器件的失效，这种效应特别在小尺寸MOS器件中更为显著。
因此，研究小尺寸MOS器件单粒子辐照效应，对于了解器件失效的机理和提高器件的抗辐射性能具有重要的理论和实际意义。
二、研究内容和目标本研究计划采用数值模拟的方法，研究小尺寸MOS器件单粒子辐照效应的机理和规律，探究外界粒子轰击对器件载流子和电荷捕获特性的影响，分析器件失效与捕获效应之间的关系。
具体研究内容包括：1. 制定小尺寸MOS器件辐射实验方案，获取器件的性能参数。
2. 建立小尺寸MOS器件的单粒子辐照数值模型。
3. 通过数值模拟，探究轰击类型、能量、入射角度以及器件工作状态等因素对MOS器件单粒子辐照效应的影响。
4. 分析单粒子辐照效应与器件失效、捕获效应之间的关系，揭示其内在物理机理。
5. 提出相应的抗辐射设计策略，改善器件的抗辐射性能。
三、研究方法和流程本研究将采用数值模拟的方法，首先对小尺寸MOS器件进行辐照实验，获取器件的性能参数。
其次，建立器件的单粒子辐照数值模型，并通过仿真软件进行数值计算。
对仿真结果进行分析、验证、比对，寻找辐照效应的规律和机理。
最后，根据研究结果提出抗辐射设计策略，改善器件的抗辐射性能。
研究流程如下：1. 设计器件实验方案，获取器件参数。
2. 建立小尺寸MOS器件单粒子辐射数值模型。
3. 软件仿真，对单粒子辐照效应进行数值计算。
4. 分析仿真结果，发现辐照效应规律和机理。
5. 提出抗辐射设计策略，改善器件的抗辐射性能。
四、预期成果本研究预计取得以下预期成果：1. 建立小尺寸MOS器件的单粒子辐照数值模型，分析器件的辐射响应特性。
2. 探究粒子轰击对器件载流子和电荷捕获特性的影响，分析器件失效与捕获效应之间的关系。
语音质量MOS测试报告
MOS测试报告1概述 (3)1.1语音质量测试方法及原理 (3)1.2测试工具 (4)1.3测试项目 (5)2DTX功能对MOS值的影响（EFR情况下） (6)2.1测试目的 (6)2.2测试原理 (6)2.3开启UL_DTX，关闭DL_DTX (6)2.4开启DL_DTX，关闭UL_DTX (6)2.5关闭UL_DTX和DL_DTX (7)2.6开启UL_DTX和DL_DTX (7)2.7DTX对MOS的影响小结 (7)3上下行功率控制对MOS值的影响（无线环境较好） (8)3.1测试目的 (8)3.2开启UL_PWRC，关闭DL_PWRC (8)3.3开启DL_PWRC，关闭UL_PWRC (8)3.4关闭UL_PWRC和DL_PWRC (8)3.5开启UL_PWRC和DL_PWRC (8)3.6功率控制对MOS的影响 (9)4话音编码速率不同对MOS值的影响（无线环境较好） (10)4.1测试目的 (10)4.2测试原理 (10)4.3采用增强型全速率编码 (11)4.4采用全速率编码 (11)4.5采用半速率编码 (11)4.6话音编码速率不同对MOS的影响 (12)5话音编码速率不同对MOS值的影响（无线环境较差） (13)5.1测试目的 (13)5.2采用增强型全速率编码 (13)5.3采用全速率编码 (13)5.4采用半速率编码 (13)5.5话音编码速率不同对MOS的影响 (14)6切换对MOS值的影响 (15)6.1测试目的 (15)6.2测试原理 (15)6.3设置为EFR时的测试情况 (15)6.4设置为HR时的测试情况 (16)6.5设置为EFR＋HR时的测试情况 (17)6.6切换对MOS值的影响小结 (18)7总结 (19)1概述随着运营商之间的竞争日趋激烈，用户对网络质量的要求也越来越高，网络质量成为市场竞争的最主要因素。
由于通过RXQUAL或比特误码率来评估语音质量的方法存在较大的局限性，目前陆续开始采用MOS测试法，可对语音质量进行较客观的评估，做好MOS指标优化对于提高市场竞争力将具有重要意义。
功率MOSFET测试报告
文件编号：
4310测试报告
一．测试项目：
1
二．
三．各项指标测试方法及测试结果：
1、外观检验
2
测试方法：采用直接在被测MOS管Vgs两端加正负驱动电压的方式，记录MOS管G/S极有250ua漏电流的Vgs电压。
测试结果：
3
测试方法：用10K电阻将被测MOS管的G/S极驱动拉低为0V，使MOS管处于截止状态，在D/S极加入正电压，逐渐调高此电压至MOS管D/S极间有250ua漏电流，记录此时的电压
测试结果：
4、MOS管导通内阻（Rds on）
测试方法：在MOS管G/S极间加10V±1V驱动电压，使MOS管处于饱和导通状态，以10A恒定电流流过MOS管的D/S极，用高精度万用表测试被测MOS管D/S 极间电压，再根据欧姆定律计算出MOS管此时的导通内阻。
测试结果：
5、持续带载能力测试
测试方法: 室温条件下,在MOS管G/S极间加10V±1V驱动电压，使MOS管处理导通状态，以10A恒定电流流过MOS管的D/S极，测试30分钟以上,采用温度计测量MOS管表面温度,用此温度减去当前室温,计算出MOS管在10A电流负载情况下的温升。
测试结果:（测试数量：1PCS）。
mos测试原理
mos测试原理MOS（金属-氧化物-半导体）测试是一种常用的半导体器件测试方法。
本文将介绍MOS测试的原理和相关内容。
一、MOS测试概述MOS测试通过对MOS器件进行电性能测试来评估其质量和性能。
MOS器件是指利用金属-氧化物-半导体结构构成的晶体管。
MOS测试的主要目标是检测器件的综合性能，如电流-电压特性、速度和噪声等。
二、MOS测试的工艺步骤1. 准备测试样品：从器件生产线上选择一部分典型样品进行测试。
2. 清洗和刻蚀：使用酸洗和刻蚀等工艺将样品表面的杂质清除，以保证测试的准确性。
3. 形成金属电极：采用薄膜沉积和光刻工艺，在MOS结构上形成金属电极，以提供电压和信号接入。
4. 形成氧化层：利用氧化工艺，在MOS结构上形成一层氧化物，作为绝缘层。
5. 测试仪器连接：通过导线和探针等连接方式，将测试仪器与MOS样品连接起来。
6. 电性能测试：使用测试仪器对MOS样品进行电流-电压、频率响应等测试。
三、MOS测试的原理1. 电流-电压特性测试：通过施加不同电压（正向或反向）并测量对应的电流，可以得到器件的电流-电压特性曲线。
该测试可以评估器件的导电性能、阈值电压和电流驱动能力等指标。
2. 频率响应测试：通过在不同频率下施加变化的电压，并测量对应的输出电流或传导导纳，可以获得器件的频率响应特性。
这有助于评估器件的速度和信号处理能力。
3. 噪声测试：通过测量器件输出的噪声电压或噪声功率，可以评估器件的噪声性能。
这对于一些特定应用，如通信、放大器等非常重要。
四、MOS测试的应用领域MOS测试广泛应用于半导体器件研发、生产和质量控制过程中。
它可以帮助工程师和技术人员了解器件的性能指标，如工作状态、可靠性和适用范围等。
同时，MOS测试还用于故障分析、芯片设计验证和器件参数衰减等方面。
五、总结MOS测试是一种常用的半导体器件测试方法，通过对MOS器件进行电性能测试来评估其质量和性能。
测试过程包括清洗和刻蚀、形成金属电极和氧化层、测试仪器连接以及电性能测试等步骤。
mos管实验报告
河南机电高等专科学校电源实习报告系部：电子通信工程系班级：通信网络与设备111姓名：曹军辉学号：110412101日期：2012年6月10日实习任务书1．时间：2012年05月28日～2012年6月22日2. 实训单位：河南机电高等专科学校3. 实训目的：熟悉电路板制作的整体流程；4. 实训任务：制作MOS管大功率可调稳压电源①熟悉电路板制作整体流程；②了解用油性纸打印pcb图的过程；③掌握将pcb图转印敷铜板的过程，以及细节问题；④转印后的覆铜板进行腐蚀，掌握腐蚀时间及浓度等等；⑤掌握打孔作业；⑥熟练掌握安装元器件的过程以及焊接注意的问题等等；⑦熟练掌握调试的过程及安全问题；⑧联系自己专业知识，总结自己的心得体会；⑨参考相关的的书籍、资料，认真完成实训报告。
前言：对于现代的任何电子产品都少不了电源的供应，由于市电对于弱电都要进行处理。
现在进行的处理非常的多，比如开关电源、稳压电源等等一个好的电源要求他的波纹系数最低。
这样才能满足负载要求的电能，而且通常情况下要求提供稳定的直流电能。
提供这种稳定直流电能的电源就是直流稳压电源，直流稳压电源在电源技术中占有十分重要的地位。
所以这次我选择了稳压电源进行制作。
一、实验名称MOS 管大功率可调稳压电源二、实验目的1、研究单向桥式整流电路、电容滤波电路、倍压电路原理及其特性。
2、掌握串联型晶体管稳压电源的原理和技术测试方法。
3、完成MOS 大功率可调稳压电源电路的制作。
4、掌握PCB 的制作过程，熟悉电路的分析过程。
三、实验要求1、利用TL431（精密电压基准）和IRF640（MOS 管）设计一个大功率可调线性稳压电源。
2、输入采用24V 变压器，前级线圈接市电220V 。
3、输出电压在DC2.5～24V 之间可调，（最大电流6A ，与变压器功率也有关系。
4、对电路进行分析测试，完善电路的不足之处，使其精益求精。
四、实验器材1、实验仪器和工具万用表、电烙铁、松香、焊锡、细纱布、锜子、剪刀、剥线钳。
“MOS器件变温特性测试”实验报告(空)
电子科技大学实验报告学生姓名：杨江学号：2803201014指导教师：杜江锋日期：2011年10月27日一、实验室名称：微电子技术实验室二、实验项目名称：MOS 器件变温特性测试三、实验原理本实验重点放在电应力、温度变化对MOS 器件栅介质绝缘特性的影响测试和数据处理，实验流程如下：图1 MOS 器件栅介质绝缘特性测试实验流程图四、实验目的MOS 工艺以其高集成度、低成本、低功耗等优点成为VLSI 的主流工艺。
随着MOS 工艺集成度的提高，MOS 器件栅介质绝缘特性将影响着MOS 晶体管和IC 的可靠性。
在集成电路工艺高度发展的今天，本来就在IC 制造中很重要的可靠性问题变得更加突出。
因此了解和掌握MOS 器件栅介质绝缘特性对与设计与生产具有有十分重要的意义。
通过该实验一方面可以掌握MOS 器件栅介质绝缘特性的测试方法与电应力、温度对绝缘特性的影响，进而可以了解其他微电子封装测试实验在产品研制过程中的重要性。
本实验是基于微电子技术应用背景和《集成电路测试与封装》课程设置及其特点而设置，目的在于：通过该实验，使学生了解MOS 器件栅介质绝缘特性，认识电应力和温度对其影响。
学习并掌握高低温恒温箱、晶体管特性图示仪、示波器等设备的使用方法。
增强学生的实验与综合分析能力，能对测得的数据进行分析。
提取出栅介质室温下器件加电应力 测量器件电特性 分析器件栅介质绝缘特性进行数据处理，结果分析变化温度器件加电应力 测量器件电特性分析器件栅介质绝缘特性绝缘参数特性，并对数据进行分析。
进而为今后从事科研、开发工作打下良好基础。
五、实验内容1、高低温恒温箱和晶体管特性图示仪的使用与操作练习。
2、找到测试器件漏(D)、栅(G)、源(S)、衬(B)对应的封装管脚编号。
注意同一衬底(B)对应四个同种类型的测试器件，同一源极(S)/栅极(G)对应两个同种类型的测试器件。
3、确定要测试的器件是NMOS还是PMOS管，据此确定其漏(D)、栅(G)、源(S)、衬(B)所要加的偏压极性与大小。
MOS器件的特性分析
MOS 器件的特性分析摘要 本次实验以型号为2N7000的NMOS ，型号为BS250的PMOS 的两款器件为测试条件，使用吉士利仪器测出I —V 曲线与C —V 曲线，测量出增强型NMOS 与增强型PMOS 的输出特性曲线，转移特性曲线，栅源电容，栅漏电容。
各个测量结果在下文进行一一说明，曲线趋势据符合理论预测。
引言 过去数十年来，MOSFET 的尺寸不断地变小。
早期的集成电路MOSFET 制程里，通道长度约在几个微米的等级。
但是到了今日的集成电路制程，这个参数已经缩小了几十倍甚至超过一百倍。
2012年初，Intel 开始以22纳米的技术来制造新一代的微处理器，实际的元件通道长度可能比这个数字还小一些。
至90年代末，MOSFET 尺寸不断缩小，让集成电路的效能大大提升，而从历史的角度来看，这些技术上的突破和半导体制程的进步有著密不可分的关系。
本实验是从MOS 器件最基本特性入手，但同时这些性质在实际用途有着重要的作用，为我们进一步了解MOS 打下较为扎实的基础。
实验仪器与方法 利用吉士利仪器2602测得的NMOS 与PMOS 器件的参数及取值范围 。
NMOS 器件2N7000和PMOS 器件BS250Vgs ：2v-3v Vds ：0v-3v 数据处理与讨论1、NMOS 特性曲线-0.50.00.55.00E-0121.00E-0111.50E-011C g d (F )Vgd(V)图1、Cgd---Vgd 曲线-0.50.00.55.00E-0121.00E-0111.50E-011C g s (F )Vgs(V)图2、Cgs---Vgs 曲线栅漏电容－电压与栅源电容－电压关系是一样，因为MOS 器件两端是对称的，而在测量时只需测需要的的两端，因此结果一致。
在栅漏对交流短路的情况下，当栅源电压Vgs 增加GS V ∆时，沟道内载流子电荷的变化量。
根据半导体物理与器件的NMOS 电容特性的分析，以及实验所取的频率可知为低频强反型型时的栅压和电容关系与图中所得曲线相符。
模拟IC实验报告-MOS管基本特性测试等
实验一MOS管基本特性测试1.电路原理图：2.测试mos管的输出特性：测量的是一个noms的输出特性，noms的参数为w=1.5um,L=600nm. 横坐标为Vdd从0—>12V，纵坐标为漏极电流I D;3.mos管的转移特性曲线：横坐标表示输入电压V gs从0-5V变化，纵坐标表示的是漏极电流I D从转移特性曲线图可知，mos管的导通电压V th=0.853V4.改变Vdd,做出一组转移特性曲线：横坐标表示输入电压V gs从0-5V变化，纵坐标表示的是漏极电流I D由上至下分别表是Vdd1=12V，Vdd2=9.6V, Vdd3=7.2V, Vdd4=4.8V，Vdd5=2.4V时mos管的转移特性。
5.改变mos管的w/L，观察输出特性的变化解答：比较不同w,L的输出特性曲线组图，可以看出宽长比W/L 越大，输出的漏极电流也就越大。
即当其他条件相同时，漏极电流与mos管的宽长比成正比。
6.修改mos管的w/L，观察转移特性的变化：由不同W/L下的转移特性图可知，当Vgs=6V时，W/L越大，漏极电流I D也就越大，而g m=I D/Vgs 所以g m也就越大.实验三mos管共源放大电路的分析1.电路原理图：2.共源电路的电压传输曲线：3.在电压传输特性中选择一个适当的输出电压值作为工作点电压，并测量对应的偏置电压。
由测得的共源电路电压传输曲线，选取Vout=6.78V作为工作点电压，此时的偏执电压为V OFF=1.04V（斜率最大）4.测量电压传输特性中工作点附近的斜率，即电压放大倍数。
如上图电压传输特性曲线所示：求得A V=（7.28-6.78）/(1-1.04)=12.55.在偏置电压上叠加毫伏级正弦电压时的输出波形，并计算放大倍数：有图可求得放大倍数A V=（6.2－5.0）/0.1=126.测量电路的幅频响应：7.将幅频响应中低频增益和正弦电压增益以及电压传输特性斜率（增益）作比较。
集成电路测试专题研究报告 (一)
集成电路测试专题研究报告 (一)集成电路测试专题研究报告随着电子信息技术的不断发展，集成电路在电子产品中的应用越来越广泛，而集成电路测试是验证集成电路的质量和可靠性的关键过程。
本研究报告旨在深入探究集成电路测试的技术及其应用，从而为提高电子产品的质量和可靠性提供依据。
一、集成电路测试的意义集成电路的测试是保证电子系统设计的可靠性和品质的必要环节。
测试的目的是检查集成电路是否符合规格书的标准，以确定是否满足要求和规范。
测试的主要目的是消除产品缺陷，为客户提供更好的品质和产品可靠性，从而提高客户对产品的满意度和信誉度。
二、集成电路测试的方法1.逻辑测试法逻辑测试法是测试器件逻辑功能的方法，通常是基于测试模式重新算法的思想。
在逻辑测试中，通过对测试模式进行输入，检测输出是否符合设计要求，验证器件逻辑功能的正确性及可靠性。
2.功能测试法功能测试法的主要任务是验证集成电路是否具备所需的功能，通过深入的功能测试，可以检测出集成电路设计中的潜在问题，并及时解决。
3.过程测试法过程测试法是在集成电路的组装、封装、贴片及切割等制作工艺过程中进行测试。
过程测试法主要针对于探针、损伤、氧化等因素对芯片的影响进行检测，保障测试的准确性和可靠性。
4.信号测试法信号测试法是一种基于测量信号进行分析的测试技术，在测试过程中可以通过测量信号提取各种测试参数，从而对集成电路进行全面的测试。
三、集成电路测试的应用在电子产品制造过程中，集成电路的测试是非常重要的。
对于行业来说，它不仅提高了产品的质量，而且降低了成本。
集成电路测试已经广泛应用于各种电子产品中，如手机、平板电脑、电视机、计算机等。
在电子产品市场激烈竞争的情况下，可靠的集成电路测试技术可使得产品更加专业化、实用、可靠并具有更高的竞争力。
四、结语集成电路测试是保障生产企业生产的产品准确、可靠和高品质的重要手段。
通过逻辑测试、功能测试、过程测试和信号测试等多种测试方法来保证集成电路的质量。
mos数字集成电路的测试方法 标准
在当今数字电子产品迅猛发展的时代，MOS数字集成电路已经成为数字电路领域中至关重要的一部分。
MOS数字集成电路的性能和可靠性测试，直接关系到电子产品的质量和稳定性。
制定和遵循一套完善的测试方法标准对于保障产品质量至关重要。
一、MOS数字集成电路的测试方法概述1.1 测试是保障产品质量的基础MOS数字集成电路测试是指通过一系列的测量和分析手段，以评估产品性能和可靠性，并验证其符合特定标准和规范的过程。
测试对于发现潜在故障、提高产品质量、减少不良率具有重要意义。
1.2 测试方法的重要性和必要性测试方法的制定和遵循，是为了规范产品测试过程，保证测试结果的准确性和可靠性。
通过建立统一的测试标准，可以有效提高测试效率，降低测试成本，增强产品的竞争力。
1.3 MOS数字集成电路的测试内容包括但不限于功耗测试、静态特性测试、动态特性测试、时序特性测试、可靠性测试等内容。
这些测试内容涵盖了电路的各项重要性能指标，对于保证电路功能的正常运行至关重要。
2.1 国内外标准概况目前，关于MOS数字集成电路测试方法的标准，国内外已经有了一系列的标准和规范，如GB/T 18469-2001《集成电路数字MOS型器件可靠性试验方法》、JEDEC标准等。
这些标准对于指导产品测试具有重要的参考意义。
2.2 标准的重要性和意义标准的制定旨在规范产品测试过程，统一测试方法和测试流程，提高测试结果的可比性和可靠性。
遵循标准进行测试，可以提高测试的准确性和有效性，为产品质量提供有力保障。
2.3 MOS数字集成电路测试标准的制定和更新随着科学技术的不断发展，新型器件和新技术的不断涌现，MOS数字集成电路测试方法标准也需要不断更新和完善。
制定和更新标准需要充分考虑新技术的特点和产品的实际需求，以确保标准的科学性和实用性。
三、个人观点和总结MOS数字集成电路的测试方法标准对于保障产品质量和提高产品竞争力具有重要意义。
制定和遵循科学合理的测试方法标准，可以提高测试效率和结果的可靠性，降低测试成本，有助于推动电子产品技术的不断进步和发展。
电子科技大学集成电路实验报告――模拟集成电路
电子科技大学集成电路实验报告――模拟集成电路CMOS模拟集成电路设计及HSPICE使用实验学时：4学时实验一CMOS工艺参数测量一、实验目的：学习和掌握EDA仿真软件Hspice；了解CMOS工艺技术及元器件模型，掌握MOSFET工作原理及其电压电流特征；通过仿真和计算，获得CMOS中NMOS和PMOS的工艺参数kp,kn, p, n,Vtp,Vtn，为后续实验作准备。
二、实验内容：1）通过Hspice仿真，观察NMOS和PMOS管子的I-V特性曲线；2）对于给定长宽的MOSFET，通过Hspice仿真，测得几组栅-源电压、漏-源电压和漏-源电流数据，代入公式IDSn1WKn()n(VGS Vtn)2(1 nVDS)，求得对应的工艺参数2Lkp,kn, p, n,Vtp,Vtn 。
三、实验结果：本实验中所测试的NMOS管、PMOS管L=1u，W由学号确定。
先确定W。
W等于学号的最后一位，若学号最后一位=0，则W=10u。
所以，本实验中所测试的NMOS管、PMOS管的尺寸为：（1）测0.5um下NMOS和PMOS管的I-V特性曲线所用工艺模型是TSMC 0.50um。
所测得的Vgs=1V时，NMOS管Vds从0V到2.5V变化时的I-V特性曲线为：所测得的Vds=1.2V时，NMOS管Vgs从0V到2.5V变化时的I-V特性曲线为：所测得的Vsg=1V时，PMOS管Vsd从0V到2.5V变化时的I-V特性曲线为：所测得的Vsd=1.2V时，PMOS管Vsg从0V到2.5V变化时的I-V特性曲线为：（2）计算TSMC 0.50um工艺库下mos管对应的工艺参数测试NMOS管相关参数，Hspice中仿真用源文件（.sp文件）为：NOMS I-V Characteristic M1 OUT IN 0 0 CMOSn L=1U W=8U VIN IN 0 1 VOUT OUT 0 1.2.***** LIST NODE POST *.DC VOUT 0 2.5 0.1 .DC VIN 0 2.5 0.1*.DC VOUT 0 2.5 0.1 VIN 0.8 1.0 0.2 .PRINT DC I(M1).LIB “C:\synopsys\project\tsmc_050um_model.lib"CMOS_MODELS .END所测得的NMOS管电流曲线为：所测的数据如下表：根据公式IDSn1Kn()n(VGS Vtn)2(1 nVDS)，计算kn, n,Vtn，分别为：2Lkn 119 10-6, n 0.028,Vtn 1.37测试PMOS管相关参数，Hspice中仿真用源文件（.sp文件）为：POMS I-V CharacteristicM1 OUT IN Vdd Vdd CMOSP L=1U W=8UVIN Vdd IN 1 VOUT Vdd OUT 1.2.***** LIST NODE POST *.DC VOUT 0 2.5 0.1 .DC VIN 0 2.5 0.1*.DC VOUT 0 2.5 0.1 VIN 0.8 1.0 0.2.PRINT DC I(M2).LIB "C:\synopsys\project\tsmc_050um_model.lib"CMOS_MODELS .END所测得的PMOS管电流曲线为：所测的数据如下表：计算TSMC 0.50um 工艺中pmos 参数pptp，分别为：Kp 54.89 10-6, p 0.017,Vtp 0.927综上所述，可得：四、思考题2）不同工艺，p, n不同。
MOS测试原理解析
GTM Electronics (Shanghai) Ltd.MOS測試原理解析By Antly_lawMOSFET-簡介►MOSFET定義及特點►MOSFET結構►MOSFET工作原理(NMOS)►MOSFET特性曲線(NMOS)►分立器件測試機►MOSFET的直流參數及測試目的►MOSFET的交流參數►MOSFET Related►廠內分析MOSFET異常方法►習題GDSMOSFET定義►MOSFET=Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor即金属-氧化层-半导体-场效晶体管.►MOSFET是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。
►MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等►特點：• 1.单极性器件(一种载流子导电)• 2.输入电阻高(107 ~1015 Ω，IGFET(絕緣柵型) 可高达1015Ω)• 3.工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低MOSFET 結構►增強型NMOS 結構與符號;GP 型衬底(掺杂浓度低)N +N +S D B耗尽层•在一块掺杂浓度较低的P 型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d 和源极s 。
然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏—源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g 。
在衬底上也引出一个电极B ，这就构成了一个N 沟道增强型MOS 管。
MOS 管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。
它的栅极与其它电极间是绝缘的•符號如右SG DMOSFET 工作原理►增強型NMOS 工作原理;• A.当U GS = 0，DS 间为两个背对背的PN 结；•B.当0 < U GS < U GS (th )(开启电压)时，GB 间的垂直电场吸引P 区中电子形成离子区(耗尽层)；•C.当u GS ≥U GS (th )时，衬底中电子被吸引到表面，形成导电沟道。
mos分析
请组织学习！一、首先分析测试数据的合理性，平均MOS分低于3.7分的，测试数据存在问题的可能性较大以下为数据正常的MOS测试结果：MOS分曲线较为平稳，MOS分的低分点和SINR的低分点有明显的对应关系。
以下为数据异常时的测试结果：在14：50分前，MOS曲线十分不稳定。
14：50前后SINR值变化不大，但MOS分却存在很大差异。
为保证MOS测试的稳定性，MOS侧试要求如下：1、测试不允许使用车载电源，必须使用蓄电池。
2、如果电脑USB口不够，必须使用USB HUB的话，也要使用有源HUB，有源HUB也要用蓄电池供电。
3、MAYA MOS盒要直接连接到电脑上，不要连接到USB HUB上。
4、正式测试前应挑选一下无线环境良好地点进行定点测试，要求MOS分在4分以上，最好在4.1分以上。
5、测试时若连续大量出现3.5分以下MOS点，需要停止测试，重新检查一下设备连线是否有松动，供电是否稳定，待定点测试MOS分重上4分后，才可以重新开始测试。
分析方法：二、在确认MOS测试结果是正常的话，按照如下几点分析MOS低分原因：两个MOS分地点间隔为8秒，如果出现一个MOS低分打点，分析数据为该MOS低分的前8秒数据：1、频繁切换对MOS低分的影响：如果在MOS打点的前8秒内，主叫侧或被叫侧出现两次或以上的切换次数的话，就可能对MOS分造成严重影响。
将MOS评分打点和切换事件打在图上，，对存在频繁切换路段进行重点优化。
2、RSRP低对MOS分影响如果主叫侧或被叫侧RSRP低于-110dBm的话，会对MOS分造成影响，需要对RSRP低于-110dBm弱覆盖点进行优化。
3、SINR值低对MOS分影响如果MOS打点前8秒内主叫或被叫多个采样点SINR值在0以下，会对MOS分造成影响，需要对SINR值低于0的路段进行重点优化。
4、占用2G对MOS分的影响如果主叫或被叫任意一侧占用2G的话，因2G侧采用的语音编码速率较低，会对MOS分产生严重影响。
功率器件中的MOS电容非线性研究的开题报告
功率器件中的MOS电容非线性研究的开题报告一、选题背景与意义随着功率半导体器件的不断发展，MOS场效应管被广泛应用于电力电子领域中的各种电路中。
MOS场效应管因其具有高的输入阻抗、低的驱动能力、快速开关速度等特点，被广泛应用于功率放大器、切割电源、电压调节器等电力电子设备中。
然而，MOS管在工作时存在着非线性效应，特别是MOS管固有的MOS电容，它的非线性效应不可忽略。
MOS电容具有内建电荷，深度充放电特性等特点，因此，MOS电容是MOS管失真的主要来源。
而为了更好地研究MOS电容的非线性特性，需要对MOS电容进行深刻的研究。
因此，本研究将对MOS电容在功率器件中的非线性特性进行研究，以及如何降低MOS电容的非线性失真，为电力电子设备的研究和开发提供更好地理论基础。
二、主要研究内容本研究将通过以下几个方面的研究来深入探讨MOS电容的非线性特性：1. MOS电容的基本性质和工作原理分析。
2. MOS电容在功率器件中的非线性特性分析。
3. MOS电容的失真模型建立和分析。
4. 降低MOS电容的非线性失真的方法探究。
三、研究方法1. 文献综述法：通过收集相关电力电子学科领域的文献，对MOS电容在功率器件中的非线性特性、失真模型和降低失真的方法进行综述和分析。
2. 理论分析法：基于MOS电容的基本性质和工作原理，建立MOS电容的失真模型，通过数学的理论分析方法，对MOS电容的失真特性进行研究和探究。
3. 实验分析法：通过实验研究，对MOS电容在功率器件中的非线性特性进行测量和分析，并验证理论模型的正确性。
四、预期成果及应用价值本研究通过对MOS电容在功率器件中的非线性特性的研究，将建立MOS电容的失真模型，并提出降低MOS电容失真的方法。
本研究的成果不仅能够提高电力电子设备的性能，降低功率器件的失真，而且在实际应用中也有很大的价值和意义，具有广泛的应用前景。
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MOS测试报告1概述 (3)1.1语音质量测试方法及原理 (3)1.2测试工具 (4)1.3测试项目 (5)2DTX功能对MOS值的影响（EFR情况下） (6)2.1测试目的 (6)2.2测试原理 (6)2.3开启UL_DTX，关闭DL_DTX (6)2.4开启DL_DTX，关闭UL_DTX (6)2.5关闭UL_DTX和DL_DTX (7)2.6开启UL_DTX和DL_DTX (7)2.7DTX对MOS的影响小结 (7)3上下行功率控制对MOS值的影响（无线环境较好） (8)3.1测试目的 (8)3.2开启UL_PWRC，关闭DL_PWRC (8)3.3开启DL_PWRC，关闭UL_PWRC (8)3.4关闭UL_PWRC和DL_PWRC (8)3.5开启UL_PWRC和DL_PWRC (8)3.6功率控制对MOS的影响 (9)4话音编码速率不同对MOS值的影响（无线环境较好） (10)4.1测试目的 (10)4.2测试原理 (10)4.3采用增强型全速率编码 (11)4.4采用全速率编码 (11)4.5采用半速率编码 (11)4.6话音编码速率不同对MOS的影响 (12)5话音编码速率不同对MOS值的影响（无线环境较差） (13)5.1测试目的 (13)5.2采用增强型全速率编码 (13)5.3采用全速率编码 (13)5.4采用半速率编码 (13)5.5话音编码速率不同对MOS的影响 (14)6切换对MOS值的影响 (15)6.1测试目的 (15)6.2测试原理 (15)6.3设置为EFR时的测试情况 (15)6.4设置为HR时的测试情况 (16)6.5设置为EFR＋HR时的测试情况 (17)6.6切换对MOS值的影响小结 (18)7总结 (19)1概述随着运营商之间的竞争日趋激烈，用户对网络质量的要求也越来越高，网络质量成为市场竞争的最主要因素。
由于通过RXQUAL或比特误码率来评估语音质量的方法存在较大的局限性，目前陆续开始采用MOS测试法，可对语音质量进行较客观的评估，做好MOS指标优化对于提高市场竞争力将具有重要意义。
1.1语音质量测试方法及原理“手机打手机”的语音传输流程：说话者的语音经过语音编码后，数据量减少到原来的近20%，通过信道编码加上保护比特后经无线信道传送到GSM网络。
并再由无线信道传送到接收端，通过信道解码以及语音解码恢复成语音送达到收听者。
在这整个过程中，采用不同的语音编码方式会影响到语音的质量，无线信道的复杂性可能会造成语音质量的恶化，而GSM的接入网与核心网也可能引入回声、延时、单通、串话和噪声等，最终会影响到接收者的收听效果。
因此语音质量的评估其实是对整个系统性能的综合评估。
而MOS测试法正是从终端用户角度对网络质量评估的一种方法。
MOS测试示意图常用MOS分评价方法包括主观MOS分评价和客观MOS分评价:主观MOS分评价方法ITU－TP.800 和P.830定义MOS（Mean Opinion Score）的主观测试方法: 由不同的人分别对原始语料和经过系统处理后有衰退的语料进行主观感觉对比，得出MOS分，最后求平均值，这是一种纯粹主观的定性测量。
ITU-T选取在很宽的听觉范围内，不同年龄、性别和语言组别的相同得分，作出语音质量的判别标准。
ITU-T 建议 MOS值的评分范围为[1，2，3，4，5]共5个等级：MOS分值主观意见听觉感受4－5分优秀(excelent)很好，听的清楚，延迟很小，交流流畅3－4分良好(good)稍差，听的清楚，延迟小，交流欠缺顺畅，有点杂音2－3分一般(fair)还可以，听不太清，有一定延迟，可以交流1－2分差(poor)勉强，听不太清，延迟较大，交流重复多次1分以下很差(bad)极差，听不懂，延迟大，交流不通畅客观MOS分评价-PAMS/PSQM/PSQM+/MNB/PESQ:其中ITU-TP.862（PESQ）是目前ITU推荐用于端到端网络语音质量测试的方法。
原理下图所示：发送一个语音参考信号通过网络，在网络的另一端采用数字信号处理的方式比较样本信号和接收到的信号，进而估算出网络的语音质量。
它是一种基于听觉模型的语音评估方法，能提供主客观相关性较高的音质评价。
可提供上、下行PESQ语音评分，对上、下行语音评分结果进行综合比较。
PESQ原理图1.2测试工具此次MOS对比测试，选用华星的前台测试软件FLY-WIRELESS，后台分析软件 FLY-WIRELESS，测试手机为2台SAGEM OT260。
GSM主、被叫手机均使用自动双频测试，采用手机相互拨打的方式，手机拨叫、接听、挂机都采用自动方式。
设备连接方法示意图如下：华星MOS语音测试设备连接图1.3测试项目本次测试项目如下：序号测试项目测试日期测试小区编码情况1DTX功能对MOS值的影响7月31日移动公司新址1小区（39168-55301）EFR2上下行功率控制对MOS值的影响7月31日移动公司新址1小区（39168-55301）EFR3话音编码速率不同对MOS值的影响（无线环境较好）7月31日移动公司新址1小区（39168-55301）EFR/FR/HR 4话音编码速率不同对MOS值的影响（无线环境较差）8月3日奎屯中心局2小区（39200-20012）EFR/FR/HR5切换对MOS值的影响7月31日西南工业园1小区（39168-55851）西南工业园2小区（39168-55852）EFR/HR2DTX功能对MOS值的影响（EFR情况下）时间：2007年7月31日，地点：克拉玛依移动公司二楼优化中心2.1测试目的选取移动公司新址1小区（39168-55301）作为测试小区，在EFR编码情况下分别开启“UL_DTX、DL_DTX、NO_DTX、Both_DTX”四种情况，测试各种情况下MOS的对比值。
本次测试DTX时，将移动公司新址1小区的上下行功率控制关闭了。
在测试点MS1和MS2都占用移动公司新址1小区（39168-55301）的信号，RX_LEVEL介于-40dBm~-65dBm之间，RX_QUAL良好。
2.2测试原理DTX是指不连续发射功能。
在一个通话过程中，单向的话音传送往往只占用到50%的总通话时间，DTX功能通过VAD检测要传送的是否是话音，否则采用静默传送。
用静默来取代语音，也是一种失真，将严重影响主观感受。
开启DTX 功能的好处是可以减少干扰和节省BTS及MS的电量。
但开启DTX功能后，对爆破音（如K、T、P等）的传送会有一定的不准确性，影响话音质量。
2.3开启UL_DTX，关闭DL_DTX仅开启上行DTX时的MOS情况2.4开启DL_DTX，关闭UL_DTX2.5 关闭UL_DTX 和DL_DTX关闭上下行DTX 时的MOS 情况2.6 开启UL_DTX 和DL_DTX开启上下行DTX 时的MOS 情况2.7 DTX 对MOS 的影响小结DTX开启前后的MOS值对比3.633.863.413.66 3.613.663.923.86 3.863.353.343.433.13.23.33.43.53.63.73.83.94UL_DTXDL_DTX No_DTXBoth_DTX平均值MAXMIN从本次测试观察到，是否开启和关闭上、下行DTX ，对MOS 值几乎没有影响，平均保持在3.61~3.66之间。
通过对比开启DTX 前后MOS 的变化情况，可以得出以下结论： ➢ DTX 功能是否开启对MOS 值几乎没有影响➢ PESQ 算法得出的语音评估值不考虑静默帧，因此DTX 功能是否开启不影响单个PESQ 值，这是和PESQ 的算法有关的。
但实际DTX 的开启会降低单个通话过程中的话音质量，全网DTX 的开启却能提升网络的C/I ，有助于平均话音质量的提高。
3上下行功率控制对MOS值的影响（无线环境较好）时间：2007年7月31日，地点：克拉玛依移动公司二楼优化中心3.1测试目的选取移动公司新址1小区（39168-55301）作为测试小区，在EFR编码情况下，测试上下行功控开启和关闭时MOS的值。
功率控制类型为ADAPTIVE。
在测试点MS1和MS2都占用移动公司新址1小区（39168-55301）的信号，RX_LEVEL介于-40dBm~-65dBm之间，RX_QUAL良好。
3.2开启UL_PWRC，关闭DL_PWRC仅开启上行功控时的MOS情况3.3开启DL_PWRC，关闭UL_PWRC仅开启下行功控时的MOS情况3.4关闭UL_PWRC和DL_PWRC关闭上下行功控时的MOS情况3.5开启UL_PWRC和DL_PWRC3.6 功率控制对MOS 的影响功率控制开启前后的MOS值对比3.923.973.863.93 3.57 3.633.97 3.853.863.873.333.4133.23.43.63.844.2UL_PWRCDL_ PWRCNo_ PWRC Both_ PWRC平均值MAXMIN从本次测试观察到，上行功控开启时，占用EFR 的情况下，平均MOS 值为3.93左右；而在上行功控关闭时，占用EFR 的情况下，平均MOS 值为介于3.57~3.63之间。
在其他小区做同样的试验时，情况也类似。
采用ADAPTIVE 和CLASSIC 两种不同的功率控制，得出的测试结果一样。
通过对比开启功率控制前后MOS 的变化情况，可以得出以下结论： ➢ 关闭上行功率控制在一定程度上影响MOS 值 ➢ 关闭下行功率控制不影响MOS 值➢ 但功率控制的开启会降低单个通话过程中的话音质量，全网功率控制的开启却能提升网络的C/I ，降低网内干扰，有助于平均话音质量的提高。
4话音编码速率不同对MOS值的影响（无线环境较好）时间：2007年7月31日，地点：克拉玛依移动公司二楼优化中心4.1测试目的选取移动公司新址1小区（39168-55301）作为测试小区，测试EFR、FR和HR各种语音编码情况下MOS的对比值。
在测试点MS1和MS2都占用移动公司新址1小区（39168-55301）的信号，RX_LEVEL介于-40dBm~-65dBm之间，RX_QUAL良好。
4.2测试原理数字蜂窝移动通信系统中的语音编码技术都是采用混合编码方式。
但采用的激励源不同，构成的编码方案也不同。
GSM系统对数字语音业务信道规定了三种标准，如下表所示。
由上表可以看出，GSM-FR方式中，采用的编码方式为RPELTP，在编码过程中，残差被送到规则脉冲激励分析，执行基本的压缩算法，产生规则脉冲激励参数。
规则脉冲激励能很好地逼近残余信号，代价是13Kb/s编码中有9.4Kb/s为规则脉冲激励参数。
增强型全速率的编码方案基于码本激励线性预测(CELP)技术，GSM-EFR方案中，采用码本激励来逼近残差信号，采用代数码本结构，不仅降低了码本的存储量和搜索量，更重要的是提供了频域控制函数，能更好地逼近残余信号，在12.2Kb/s的编码中有8Kb/s为激励参数。