模拟电子技术基础第6章 模拟集成电路[精]
第6章第2节集成电路
一、选择题（每题2分，共20分）1. 以下哪位是中国古代著名的文学家？（）A. 王之涣B. 王维C. 杜甫D. 苏轼2. 下列哪个成语出自《战国策》？（）A. 破釜沉舟B. 画龙点睛C. 一鼓作气D. 胸有成竹3. 下列哪个词语是表示时间的？（）A. 阳春白雪B. 风花雪月C. 桃红柳绿D. 日月如梭4. 下列哪个词语是表示颜色的？（）A. 风花雪月B. 桃红柳绿C. 日月如梭D. 阳春白雪5. 下列哪个成语是形容人很有智慧的？（）A. 眼光如炬B. 精卫填海C. 拔苗助长D. 班门弄斧6. 下列哪个词语是表示方向的？（）A. 南腔北调B. 东施效颦C. 倒行逆施D. 南辕北辙7. 下列哪个词语是表示数量的？（）A. 千里之行B. 一日千里C. 百尺竿头D. 千里马8. 下列哪个成语是形容人很有耐心的？（）A. 持之以恒B. 一鼓作气C. 亡羊补牢D. 胸有成竹9. 下列哪个词语是表示心情的？（）A. 风花雪月B. 桃红柳绿C. 日月如梭D. 心旷神怡10. 下列哪个成语是表示时间的流逝？（）A. 日月如梭B. 千里之行C. 一日千里D. 百尺竿头二、填空题（每题2分，共20分）11. 《孟子》中提到：“______，则不远人。
”12. “______，人不知而不愠，不亦君子乎？”出自《论语》。
13. “______，沉舟侧畔千帆过。
”出自唐代刘禹锡的《陋室铭》。
14. “______，有铁一般的胳膊和腰脚，领着我们向前走。
”出自《少年中国说》。
15. “______，春暖花开。
”出自唐代白居易的《赋得古原草送别》。
三、简答题（每题5分，共20分）16. 简述《三国演义》中诸葛亮的主要事迹。
17. 简述《红楼梦》中贾宝玉和林黛玉的性格特点。
18. 简述《西游记》中孙悟空的主要特点。
19. 简述《水浒传》中宋江的主要事迹。
20. 简述《童年》中阿廖沙的性格特点。
四、作文（40分）21. 请以“我的读书生活”为题，写一篇不少于300字的作文。
模拟电子技术电子教案
模拟电子技术电子教案第一章：模拟电子技术基础1.1 模拟电子技术的概念与发展1.2 模拟电子电路的组成与特点1.3 模拟电子技术的基本定律与分析方法第二章：放大器电路2.1 放大器的作用与分类2.2 放大器的性能指标2.3 放大器的基本电路分析2.4 常用放大器电路实例第三章：滤波器电路3.1 滤波器的作用与分类3.2 滤波器的性能指标3.3 滤波器的基本电路分析3.4 常用滤波器电路实例第四章：振荡器电路4.1 振荡器的作用与分类4.2 振荡器的性能指标4.3 振荡器的基本电路分析4.4 常用振荡器电路实例第五章：模拟电子技术的应用5.1 模拟电子技术在通信领域的应用5.3 模拟电子技术在视频设备中的应用5.4 模拟电子技术在其他领域的应用第六章：模拟集成电路6.1 集成电路概述6.2 模拟集成电路的类型与特点6.3 集成电路的封装与测试6.4 常用模拟集成电路介绍第七章：模拟信号处理7.1 信号处理的基本概念7.2 模拟信号处理技术7.3 信号处理电路实例7.4 信号处理在实际应用中的案例分析第八章：模拟电路设计方法与实践8.1 模拟电路设计的基本原则8.2 电路设计的一般步骤8.3 电路仿真与实验8.4 电路设计实例分析第九章：模拟电子技术在现代科技中的应用9.1 模拟电子技术在生物医学领域的应用9.2 模拟电子技术在工业控制领域的应用9.3 模拟电子技术在新能源领域的应用第十章：模拟电子技术的未来发展趋势10.1 模拟电子技术的发展历程10.2 当前模拟电子技术面临的挑战10.3 模拟电子技术的未来发展趋势10.4 我国在模拟电子技术领域的发展现状与展望重点和难点解析教案中的重点环节包括：1. 模拟电子技术的概念与发展：了解模拟电子技术的基本定义和发展历程，理解模拟电子技术与数字电子技术的区别。
2. 放大器电路的分析：掌握放大器的作用、性能指标和基本电路分析方法，了解不同类型的放大器电路及其应用。
《模拟电子技术基础》目录
模拟电子技术根底主编：黄瑞祥副主编：周选昌、查丽斌、郑利君杨慧梅、肖铎、赵胜颖目录绪论第1章集成运算放大器1.1 抱负运算放大器的功能与特性抱负运算放大器的电路符号与端口抱负运算放大器的功能与特性1.2 运算放大器的反相输入阐发闭环增益输入、输出阻抗有限开环增益的影响加权加法器运算放大器的同相输入阐发闭环增益输入、输出阻抗有限开环增益的影响电压跟随器1.4 运算放大器的差分输入阐发1.5 仪表放大器1.6 积分器与微分器1.6.1 具有通用阻抗的反相输入方式1.6.2 反相积分器1.6.3 反相微分器1.7 运算放大器的电源供电1.7.1 运算放大器的双电源供电1.7.2 运算放大器的单电源供电本章小结习题第2章半导体二极管及其底子电路2.1 半导体根底常识2 本征半导体2 杂质半导体2 两种导电机理——扩散和漂移2.2 PN结的形成和特性2.2.1 PN结的形成2.2.2 PN结的单向导电性2.2.3 PN结的反向击穿2.2.4 PN结的电容特性2.3 半导体二极管的布局及指标参数2 半导体二极管的布局2 二极管的主要参数2 半导体器件型号定名方法2.4 二极管电路的阐发方法与应用2.4.1 二极管电路模型2.4.2 二极管电路的阐发方法2 二极管应用电路2.5 特殊二极管2.5.1 肖特基二极管2.5.2 光电子器件本章小结习题第3章三极管放大电路根底3.1 三极管的物理布局与工作模式3 物理布局与电路符号3 三极管的工作模式3.2 三极管放大模式的工作道理3.2.1 三极管内部载流子的传递3.2.2 三极管的各极电流3.3 三极管的实际布局与等效电路模型3.3.1 三极管的实际布局3.3.2 三极管的等效电路模型3.4 三极管的饱和与截止模式3.4.1 三极管的饱和模式3.4.2 三极管的截止模式3.5 三极管特性的图形暗示3.5.1 输入特性曲线3.5.2 输出特性曲线3.5.3 转移特性曲线3.6 三极管电路的直流阐发3.6.1 三极管直流电路的阐发方法3.6.2 三极管直流电路阐发实例3.7 三极管放大器的主要参数3.7.1 三极管放大器电路3.7.2 集电极电流与跨导3.7.3 基极电流与基极的输入电阻发射极电流与发射极的输入电阻电压放大倍数3.8 三极管的交流小信号等效模型3.8.1 混合∏型模型3.8.2 T型模型3.8.3 交流小信号等效模型应用3.9 放大器电路的图解阐发3.10 三极管放大器的直流偏置3.10.1 单电源供电的直流偏置3.10.2 双电源供电的偏置电路集电极与基极接电阻的偏置电路恒流源偏置电路3.11 三极管放大器电路3.11.1 放大器的性能指标3.11.2 三极管放大器的底子组态共发射极放大器发射极接有电阻的共发射极放大器共基极放大器共集电极放大器本章小结习题第4章场效应管及其放大电路4.1 MOS场效应管及其特性4 增强型MOSFET〔EMOSFET〕4 耗尽型MOSFET〔DMOSFET〕4 四种MOSFET的比较4 小信号等效电路模型4.2 结型场效应管及其特性4 工作道理4 伏安特性4 JFET的小信号模型4.3 场效应管放大电路中的偏置4 直流状态下的场效应管电路4 分立元件场效应管放大器的偏置4 集成电路中场效应管放大器的偏置4.4 场效应管放大电路阐发4 FET放大电路的三种底子组态4 共源放大电路4 共栅放大电路4 共漏放大电路4 有源电阻本章小结习题第5章差分放大器与多级放大器5.1 电流源5 镜像电流源5 微电流源比例电流源5.2 差分放大器差分放大器模型差分放大器电路差分放大器的主要指标差分放大器的传输特性5.2.5 FET差分放大器5.2.6 差分放大器的零点漂移5.3 多级放大器5 多级放大器的一般布局5 多级放大器级间耦合方式5 多级放大器的阐发计算5.4 模拟集成电路读图操练5.4.1 模拟集成电路内部布局框图5.4.2 简单集成运放电路道理通用型模拟集成电路读图操练集成运算放大器的主要技术指标集成运算放大器的分类正确选择集成运算放大器集成运算放大器的使用要点本章小结习题第6章滤波电路及放大电路的频率响应6.1 有源滤波电路6 滤波电路的底子概念与分类6 低通滤波器高通滤波器带通滤波器带阻滤波器6.2 放大电路的频率响应6 三极管的高频等效模型6 单管共射极放大电路的频率特性阐发多级放大电路的频率特性本章小结习题第7章反响放大电路7.1 反响的底子概念与判断方法7 反响的底子概念7 负反响放大电路的四种底子组态反响的判断方法7.2 负反响放大电路的方框图及一般表达式7.2.1 负反响放大电路的方框图7.2.2 负反响放大电路的一般表达式7.3 负反响对放大电路性能的影响7.3.1 提高增益的不变性7.3.2 改变输入电阻和输出电阻7.3.3 减小非线性掉真和扩展频带7.4 深度负反响放大电路的阐发深度负反响条件下增益的近似计算虚短路和虚断路7.5 负反响放大电路的不变性问题负反响放大电路自激振荡及不变工作的条件负反响放大电路不变性的阐发负反响放大电路自激振荡的消除方法本章小结习题第8章功率放大电路8.1 概述8 功率放大电路的主要特点8 功率放大电路的工作状态与效率的关系8.2 互补对称功率放大电路8.2.1 双电源互补对称电路〔OCL电路〕8.2.2 单电源互补对称功率放大器〔OTL〕8.2.3 甲乙类互补对称功率放大器8.2.4 复合管互补对称功率放大器8.2.5 实际功率放大电路举例8.3 集成功率放大器8.3.1 集成功率放大器概述8.3.2 集成功放应用简介8.4 功率放大器实际应用电路OCL功率放大器实际应用电路OTL功率放大器实际应用电路集成功率放大器实际应用电路功率放大器应用中的几个问题本章小结习题第9章信号发生电路9.1 正弦波发生电路9.1.1 正弦波发生电路的工作道理和条件9.1.2 RC正弦波振荡电路9.1.3 LC正弦波振荡电路9.1.4 石英晶体正弦波振荡电路9.2 电压比较器单门限电压比较器迟滞比较器窗口比较器集成电压比较器9.3 非正弦波发生电路9.3.1 方波发生电路9.3.2 三角波发生电路9.3.3 锯齿波发生电路集成函数发生器简介本章小结习题第10章直流稳压电源10.1 引言10.2 整流电路10.2.1 单相半波整流电路单相全波整流电路10.2.3 单相桥式整流电路10.3 滤波电路10.3.1 电容滤波电路10.3.2 电感滤波电路10.3.3 LC滤波电路Π型滤波电路10.4 线性稳压电路10.4.1 直流稳压电源的主要性能指标10.4.2 串联型三极管稳压电路10.4.3 提高稳压性能的办法和庇护电路10.4.4 三端集成稳压器10.5 开关式稳压电路10.5.1 开关电源的控制方式10.5.2 开关式稳压电路的工作道理及应用电路10.5.3 脉宽调制式开关电源的应用电路本章小结习题。
康光华《电子技术基础-模拟部分》(第5版)笔记和课后习题(模拟集成电路)【圣才出品】
在电路中，当电源电压VCC 和 VEE 发生变化时， IREF 以及 VBE 也将发生变化，由于
Re的值一般为数千欧，使 IC2 的变化远小于 IREF 的变化，因此，电源电压波动对工作电流
IC2 的影响不大。同时，T0对T1有温度补偿作用，所以 IC1 的温度稳定性也较好。
- VEE
图6-2 微电流源
IIB (IBN IBP ) / 2
输入偏置电流的大小，在电路外接电阻确定之后，主要取决于运放差分输入级BJT的
性能，当它的β值太小时，将引起偏置电流增加。
3．输入失调电流
当输入电压为零时，流入放大器两个输入端的静态基极电流之差称为输入失调电流
IIO：
4．温度漂移
由于温度变化引起的输出电压产生的漂移，通常把温度升高一度输出漂移折合到输入
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第 6 章 模拟集成电路
6.1 复习笔记
一、集成电路中的直流偏置技术
所谓电流源是指电流恒定的电源。电流源电路直流电阻小，交流电阻大，具有温度补
偿作用。它除了可为电路提供稳定的直流偏置外，还可以作为放大电路的有源负载以获得
W4 W1
/ /
L4 L1
I REF
电流源的基准电流为
I REF I D0 Kn0 (VGS 0 VT 0 )2
（3）JFET 电流源
图 6-4 MOSFET 多路电流源
3 / 51
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台
如图 6-5（a）所示，如将 N 沟道结型场效应管的栅极直接与源极相连，则可得到简
射极耦合差分式放大电路对共模信号有相当强的抑制能力，但它的差模输入阻抗很低。 （2）带有源负载的射极耦合差分式放大电路
《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲
模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论）信号、模拟信号、放大电路、三大指标。
（放大倍数、输入电阻、输出电阻）第三章二极管及其基本电路）本征半导体：纯净结构完整的半导体晶体。
在本征半导体内，电子和空穴总是成对出现的。
N型半导体和P型半导体。
在N型半导体内，电子是多数载流子；在P型半导体内，空穴是多数载流子。
载流子在电场作用下的运动称为漂移；载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。
P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结，在该区域中，多数载流子扩散到对方区域，被对方的多数载流子复合，形成空间电荷区，也称耗尽区或高阻区。
空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。
PN结最重要的电特性是单向导电性，PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通；PN结加反向电压时，电阻值很大，PN结截止。
PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿；PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容，前者是正向偏置电容，后者是反向偏置电容。
）二极管的V-I 特性（理论表达式和特性曲线））二极管的三种模型表示方法。
（理想模型、恒压降模型、折线模型）。
（V BE=）第四章双极结型三极管及放大电路基础）BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。
（由三端的直流电压值判断各端的名称。
由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数））什么是直流负载线什么是直流工作点）共射极电路中直流工作点的分析与计算。
有关公式。
(工作点过高，输出信号顶部失真，饱和失真，工作点过低，输出信号底部被截，截止失真)。
）小信号模型中h ie和h fe含义。
）用h参数分析共射极放大电路。
（画小信号等效电路，求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）。
）常用的BJT放大电路有哪些组态（共射极、共基极、共集电极）。
各种组态的特点及用途。
P147。
（共射极：兼有电压和电流放大，输入输出电阻适中，多做信号中间放大；共集电极（也称射极输出器），电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小，有较大的电流放大倍数，多做输入级，中间缓冲级和输出级；共基极：只有电压放大，没有电流放大，有电流跟随作用，高频特性较好。
电子技术基础(模拟部分)第6章 课件
模拟电子技术
例3：判断Rf是否负反馈，若是，判断反馈的组态。
负反馈
C1
RC
+VCC
if
Rf
－
C2
＋
vi
vo
Tan Yueheng
Department of P.&E.I.S
Hengyang normal university
模拟电子技术
例3：判断Rf是否负反馈，若是，判断反馈的组态。
RC 并联反馈 +VCC
模拟电子技术
乘方运算电路 从理论上讲，用多个乘法器串联可组成 任意次幂的运算电路。
Tan Yueheng
Department of P.&E.I.S
Hengyang normal university
模拟电子技术
除法运算电路
除法运算电路由一个运算放大器和一个 模拟乘法器组合而成。根据“虚断”，有
Tan Yueheng
Department of P.&E.I.S
Hengyang normal university
模拟电子技术
电压反馈和电流反馈
电压反馈采样的两种形式：
vo
vo
RL
RL
反馈信号与输出电压成正比
Tan Yueheng Department of P.&E.I.S Hengyang normal university
Tan Yueheng Department of P.&E.I.S Hengyang normal university
模拟电子技术
反馈的基本概念
RE起反馈作用
Tan Yueheng
Department of P.&E.I.S
康华光《电子技术基础-模拟部分》（第5版）笔记和课后习题（含考研真题）..
目 录第1章 绪 论1.1 复习笔记1.2 课后习题详解1.3 名校考研真题详解第2章 运算放大器2.1 复习笔记2.2 课后习题详解2.3 名校考研真题详解第3章 二极管及其基本电路3.1 复习笔记3.2 课后习题详解3.3 名校考研真题详解第4章 双极结型三极管及放大电路基础4.1 复习笔记4.2 课后习题详解4.3 名校考研真题详解第5章 场效应管放大电路5.1 复习笔记5.2 课后习题详解5.3 名校考研真题详解第6章 模拟集成电路6.1 复习笔记6.2 课后习题详解6.3 名校考研真题详解第7章 反馈放大电路7.1 复习笔记7.2 课后习题详解7.3 名校考研真题详解第8章 功率放大电路8.1 复习笔记8.2 课后习题详解8.3 名校考研真题详解第9章 信号处理与信号产生电路9.1 复习笔记9.2 课后习题详解9.3 名校考研真题详解第10章 直流稳压电源10.1 复习笔记10.2 课后习题详解10.3 名校考研真题详解第11章 电子电路的计算机辅助分析与设计第1章 绪 论1.1 复习笔记一、电子系统与信号电子系统指若干相互连接、相互作用的基本电路组成的具有特定功能的电路整体。
信号是信息的载体，按照时间和幅值的连续性及离散性可把信号分成4类：①时间连续、数值连续信号，即模拟信号；②时间离散、数值连续信号；③时间连续、数值离散信号；④时间离散、数值离散信号，即数字信号。
二、信号的频谱任意满足狄利克雷条件的周期函数都可展开成傅里叶级数(含有直流分量、基波、高次谐波)，从这种周期函数中可以取出所需要的频率信号，过滤掉不需要的频率信号，也可以过滤掉某些频率信号，保留其它频率信号。
幅度频谱：各频率分量的振幅随频率变化的分布。
相位频谱：各频率分量的相位随频率变化的分布。
三、放大电路模型信号放大电路是最基本的模拟信号处理电路，所谓放大作用，其放大的对象是变化量，本质是实现信号的能量控制。
放大电路有以下4种类型：1．电压放大电路电路的电压增益为考虑信号源内阻的电压增益为2．电流放大电路电路的电流增益为考虑信号源内阻的电压增益为3．互阻放大电路电路的互阻增益为4．互导放大电路电路的互导增益为四、放大电路的主要性能指标1输入电阻：输入电压与输入电流的比值，即对输入为电压信号的放大电路，R i越大越好；对输入为电流信号的放大电路，R i越小越好。
模拟电子技术重要知识点整理
模拟电⼦技术重要知识点整理模拟电⼦技术重要知识点整理第⼀章绪论1．掌握放⼤电路的主要性能指标都包括哪些。
2．根据增益，放⼤电路有哪些分类。
并且会根据输出输⼊关系判断是哪类放⼤电路，会求增益。
第⼆章运算放⼤器1．集成运放适⽤于放⼤何种信号?2．会判断理想集成运放两个输⼊端的虚短、虚断关系。
如：在运算电路中，集成运放的反相输⼊端是否均为虚地。
3．运放组成的运算电路⼀般均引⼊负反馈。
4．当集成运放⼯作在⾮线性区时，输出电压不是⾼电平，就是低电平。
5．在运算电路中，集成运放的反相输⼊端不是均为虚地。
6．理解同相放⼤电路、反相放⼤电路、求和放⼤电路等，会根据⼀个输出输⼊关系表达式判断何种电路能够实现这⼀功能。
7．会根据虚短、虚断分析含有理想运放的放⼤电路。
第三章⼆极管及其基本电路1．按导电性能的优劣可将物质分为导体、半导体、绝缘体三类，导电性能良好的⼀类物质称为导体，⼏乎不导电的物质称为绝缘体，导电性能介于中间的称为半导体。
2．在纯净的单晶硅或单晶锗中，掺⼊微量的五价或三价元素所得的掺杂半导体是什么，其多数载流⼦和少数载流⼦是是什么，⼜称为什么半导体。
3．半导体⼆极管由⼀个PN结做成，管⼼两侧各接上电极引线，并以管壳封装加固⽽成。
4．半导体⼆极管可分为哪两种类型，其适⽤范围是什么。
5．⼆极管最主要的特性是什么。
6．PN结加电压时，空间电荷区的变化情况。
7．杂质半导体中少数载流⼦浓度只与温度有关。
8．掺杂半导体中多数载流⼦主要来源于掺杂。
9．结构完整完全纯净的半导体晶体称为本征半导体。
10．当掺⼊三价元素的密度⼤于五价元素的密度时，可将N型转型为P型；当掺⼊五价元素的密度⼤于三价元素的密度时，可将P型转型为N型。
11．温度升⾼后，⼆极管的反向电流将增⼤。
12．在常温下，硅⼆极管的开启电压约为0．3V，锗⼆极管的开启电压约为0．1V。
13．硅⼆极管的正向压降和锗管的正向压降分别是多少。
14．PN结的电容效应是哪两种电容的综合反映。
模拟电子技术 华成英6-集成运算放大电路
讨论三
已知某放大电路的幅频特性如图所示，讨论下列问题： 1. 该放大电路为几级放大电路? 2. 耦合方式? 3. 在 f ＝104Hz 时，增益下降多少？附加相移φ’＝？ 4. 在 f ＝105Hz 时，附加相移φ’≈？ 5. 画出相频特性曲线； 6. fH＝？
Au ?
13
讨论四：电路如图所示
Ri Ri1
3. 输出电阻
Ro Ron
对电压放大电路的要求：Ri大， Ro小，Au的数值 大，最大不失真输出电压大。
7
2. 分析举例
Au1 g m ( R4 ∥ Ri2 ) (1＋ ) ( R7 ∥ RL ) rbe (1＋ ) ( R7 ∥ RL ) Au Au1 Au 2 Au 2
1.若所有的电容容量都相同， 则下限频率等于多少？ 2.信号频率为0～∞时电压放大 倍数的表达式？
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
1 ( Rs Rb1 ∥ Rb2 ∥rbe )C1
2 ( Rc RL )C2
rbe Rs ∥ Rb1 ∥ Rb2 e ( Re ∥ )Ce 1
两式无本质 区别
' π
6dB 3dB
≈0.643fH1
fL fH
9
fL> fL1， fH< fH1，频带变窄！
2. 多级放大电路的频率响应与各级的关系
对于n级放大电路，若各级的下、上限频率分别为fL1～ fLn、 fH1～ fHn，整个电路的下、上限频率分别为fL、 fH，则
f L f Lk f H f Hk f f bwk bw (k 1,2, , n)
三、具有恒流源的差分放大电路
Re 越大，每一边的漂移越小，共模负反馈越 强，单端输出时的Ac越小，KCMR越大，差分放 大电路的性能越好。 但为使静态电流不变，Re 越大，VEE越大，以 至于Re太大就不合理了。 需在低电源条件下，设置合适的IEQ，并得到 得到趋于无穷大的Re。 解决方法：采用电流源取代Re！
模拟电子技术基础目录
模拟电子技术基础目录模拟电子技术基础目录模拟电子技术基础目录前言教学建议第1章半导体二极管及其应用1.1 半导体物理基础知识1.1.1 本征半导体1.1.2 杂质半导体1.2 pn结1.2.1 pn结的形成1.2.2 pn结的单向导电性1.2.3 pn结的反向击穿特性1.2.4 pn结的电容特性1.3 半导体二极管及其基本电路1.3.1 半导体二极管的伏安特性曲线1.3.2 半导体二极管的主要参数1.3.3 半导体二极管的电路模型1.3.4 二极管基本应用电路1.4 特殊二极管1.4.1 稳压二极管.1.4.2 变容二极管1.4.3 光电二极管1.4.4 发光二极管思考题习题第2章双极型晶体管及其放大电路2.1 双极型晶体管的工作原理2.1.1 双极型晶体管的结构2.1.2 双极型晶体管的工作原理2.2 晶体管的特性曲线2.2.1 共射极输出特性曲线2.2.2 共射极输入特性曲线2.2.3 温度对晶体管特性的影响2.2.4 晶体管的主要参数2.3 晶体管放大电路的放大原理2.3.1 放大电路的组成2.3.2 静态工作点的作用2.3.3 晶体管放大电路的放大原理2.3.4 基本放大电路的组成原则2.3.5 直流通路和交流通路2.4 放大电路的静态分析和设计2.4.1 晶体管的直流模型及静态工作点的估算2.4.2 静态工作点的图解分析法2.4.3 晶体管工作状态的判断方法2.4.4 放大状态下的直流偏置电路2.5 共射放大电路的动态分析和设计2.5.1 交流图解分析法2.5.2 放大电路的动态范围和非线性失真2.5.3 晶体管的交流小信号模型2.5.4 等效电路法分析共射放大电路2.5.5 共射放大电路的设计实例2.6 共集放大电路（射极输出器）2.7 共基放大电路2.8 多级放大电路2.8.1 级间耦合方式2.8.2 多级放大电路的性能指标计算2.8.3 常见的组合放大电路思考题习题第3章场效应晶体管及其放大电路3.1 场效应晶体管3.1.1 结型场效应管3.1.2 绝缘栅场效应管3.1.3 场效应管的参数3.2 场效应管工作状态分析及其偏置电路3.2.1 场效应管工作状态分析3.2.2 场效应管的偏置电路3.3 场效应管放大电路3.3.1 场效应管的低频小信号模型3.3.2 共源放大电路3.3.3 共漏放大电路思考题习题第4章放大电路的频率响应和噪声4.1 放大电路的频率响应和频率失真4.1.1 放大电路的幅频响应和幅频失真4.1.2 放大电路的相频响应和相频失真4.1.3 波特图4.2 晶体管的高频小信号模型和高频参数4.2.1 晶体管的高频小信号模型4.2.2 晶体管的高频参数4.3 晶体管放大电路的频率响应4.3.1 共射放大电路的频率响应4.3.2 共基、共集放大器的频率响应4.4 场效应管放大电路的频率响应4.4.1 场效应管的高频小信号等效电路4.4.2 共源放大电路的频率响应4.5 多级放大器的频率响应4.5.1 多级放大电路的上限频率4.5.2 多级放大电路的下限频率4.6 放大电路的噪声4.6.1 电子元件的噪声4.6.2 噪声的度量思考题习题第5章集成运算放大电路5.1 集成运算放大电路的特点5.2 电流源电路5.3 以电流源为有源负载的放大电路5.4 差动放大电路5.4.1 零点漂移现象5.4.2 差动放大电路的工作原理及性能分析5.4.3 具有电流源的差动放大电路5.4.4 差动放大电路的大信号分析5.4.5 差动放大电路的失调和温漂5.5 复合管及其放大电路5.6 集成运算放大电路的输出级电路5.7 集成运算放大电路举例5.7.1 双极型集成运算放大电路f0075.7.2 cmos集成运算放大电路mc145735.8 集成运算放大电路的外部特性及其理想化5.8.1 集成运放的模型5.8.2 集成运放的主要性能指标5.8.3 理想集成运算放大电路思考题习题第6章反馈6.1 反馈的基本概念及类型6.1.1 反馈的概念6.1.2 反馈放大电路的基本框图6.1.3 负反馈放大电路的基本方程6.1.4 负反馈放大电路的组态和四种基本类型6.2 负反馈对放大电路性能的影响6.2.1 稳定放大倍数6.2.2 展宽通频带6.2.3 减小非线性失真6.2.4 减少反馈环内的干扰和噪声6.2.5 改变输入电阻和输出电阻6.3 深度负反馈放大电路的近似计算6.3.1 深负反馈放大电路近似计算的一般方法6.3.2 深负反馈放大电路的近似计算6.4 负反馈放大电路的稳定性6.4.1 负反馈放大电路的自激振荡6.4.2 负反馈放大电路稳定性的判断6.4.3 负反馈放大电路自激振荡的消除方法思考题习题第7章集成运算放大器的应用7.1 基本运算电路7.1.1 比例运算电路7.1.2 求和运算电路7.1.3 积分和微分运算电路7.1.4 对数和反对数运算电路7.2 电压比较器7.2.1 电压比较器概述7.2.2 单门限比较器7.2.3 迟滞比较器7.2.4 窗口比较器7.3 弛张振荡器7.4 精密二极管电路7.4.1 精密整流电路7.4.2 峰值检波电路7.5 有源滤波器7.5.1 滤波电路的作用与分类7.5.2 一阶有源滤波器7.5.3 二阶有源滤波器7.5.4 开关电容滤波器思考题习题第8章功率放大电路8.1 功率放大电路的特点与分类8.2 甲类功率放大电路8.3 互补推挽乙类功率放大电路8.3.1 双电源互补推挽乙类功率放大电路8.3.2 单电源互补推挽乙类功率放大电路8.3.3 采用复合管的准互补推挽功率放大电路8.4 集成功率放大器8.5 功率器件8.5.1 双极型大功率晶体管8.5.2 功率mos器件8.5.3 绝缘栅双极型功率管及功率模块8.5.4 功率管的保护思考题习题第9章直流稳压电源9.1 直流电源的组成9.2 整流电路9.2.1 单相半波整流电路9.2.2 单相全波整流电路9.2.3 单相桥式整流电路9.2.4 倍压整流电路9.3 滤波电路9.3.1 电容滤波电路9.3.2 电感滤波电路9.3.3 复合型滤波电路9.4 稳压电路9.4.1 稳压电路的主要指标9.4.2 线性串联型直流稳压电路9.4.3 开关型直流稳压电路思考题习题第10章可编程模拟器件与电子电路仿真软件10.1 在系统可编程模拟电路原理与应用10.1.1 isppac10的结构和原理10.1.2 其他isppac器件的结构和原理10.1.3 isppac的典型应用10.2 multisim软件及其应用10.2.1 multisim 8的基本界面10.2.2 元件库10.2.3 仿真仪器10.2.4 仿真分析方法10.2.5 在模拟电路设计中的应用思考题习题第11章集成逻辑门电路11.1 双极型晶体管的开关特性11.2 mos管的开关特性11.3 ttl门电路11.3.1 ttl标准系列与非门11.3.2 其他类型的ttl标准系列门电路11.3.3 ttl其他系列门电路11.4 ecl门电路简介11.5 cmos门11.5.1 cmos反相器11.5.2 其他类型的cmos电路11.5.3 使用cmos集成电路的注意事项11.5.4 cmos其他系列门电路11.6 cmos电路与ttl电路的连接思考题习题参考文献延伸阅读：模拟电子技术基础50问1、空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？答：不是，但是在它的运动中可以将其等效为载流子。
《模拟电子技术》课件第6章 集成运算放大电路
IE2
IE1Re1 Re2
VT Re2
ln
IE1 IE2
§6.2 电流源电路
IR R
IC1
T1
IE1 Re1
IB1 IB2
VCC
I C 2=IO
T2
IE2 Re2
当值足够大时
IR IC1 IE 1 IO IC2 IE 2
IO
IR
Re1 Re2
VT Re2
ln
IR IO
IO
IR
Re1 Re2
四、微电流源
R c + vo R c
VCC
Rs
+
vi1
T1 RL T2
Rs
+
vi2
Re
VEE
2、差模信号和共模信号的概念
vid = vi1 vi2 差模信号
vic
=
1 2
(vi1
vi2 )
共模信号
Avd
=
vod vid
差模电压增益
其中vod ——差模信号产生的输出
Avc
=
voc vic
共模电压增益
总输出电压
IE3
IC2
IC1
1
IC2
2
IC 1
2 IC1 β
IO
1
IR 2
2
2
IR
IC1
T1
R IB3
T3
IE3
IB1 IB2
V CC IO= IC2 = IC1
T2
IR R
IC1
IB3
T1 I B1
VCC
IO
T3
IE3 IC2
T2 IB2
三、比例电流源
电路与模拟电子技术基础(第2版)_习题解答_第6章习题解答
M i9习 题 6确定图中晶体管其它两个电流的值β=200I B =125μAI CI E β=100I BI CI E =5mAβ=120I BI C =3mA I E (a)(b)(c)图 习题图(a) I C =βI B =200×=25(mA) I E =I B +I C =(mA)(b) I B =I E /(1+β)=5/(1+100)=(μA) I C =I E －I B =(mA) (c) I B =I C /β=3/120=25(μA) I E =I B +I C =(mA)测得放大电路中的晶体三极管3个电极①、②、③的电流大小和方向如图所示，试判断晶体管的类型（NPN 或PNP ），说明①、②、③中哪个是基极b 、发射极e 、集电极c ，求出电流放大系数 。
图 习题图(a) ①-c ②-b ③-e PNP β==40 (b) ①-b ②-e ③-c NPN β==150有两只工作于放大状态的晶体管，它们两个管脚的电流大小和实际流向如图所示。
求另一管脚的电流大小，判断管子是NPN型还是PNP型，三个管脚各是什么电极；并求它们的 值。
①②③(a)①②③(b)图习题图(a) ①-c ②-e ③-b NPN I E=I B+I C=4+=(mA) β=4/=40(b) ①-e ②-c ③-b NPN I C=I E－I B=－=5(mA) β=5/=50试判断图所示电路中开关S放在1、2、3哪个位置时的I B最大；放在哪个位置时的I B最小，为什么+V CC图习题图在①时，发射极相当于一个二级管导通，此时I B就等于此导通电流。
在②时，三极管相当于两个并联的二极管，此时I B等于两个二级管导通电流之和，所以此时的电流最大。
在③时，发射极导通，集电结反偏，集电结收集电子，所以I B电流下降，此时电流最小。
测得某放大电路中晶体三极管各极直流电位如图所示，判断晶体管三极管的类型（NPN或PNP）及三个电极，并分别说明它们是硅管还是锗管。
电子技术基础(模拟部分)第五版_第6章_康华光
(3)用电流源做有源负载，可获得增益高、 动态范围大的特性。
(4)用电流源给电容充电，以获得线性电压输出。
(5)电流源还可单独制成稳流电源使用。
(6)在模拟集成电路中，常用的电流源电路有： 镜象电流源、精密电流源、 微电流源、多路电流源等。
IC=0 IC 0 VCC=0 VBB
T
VBB
6.2 差分式放大电路
6.2.0 概述
直接耦合放大电路 零点漂移
差分式放大电路中的一般概念
6.2.1 射级耦合差分式放大电路
电路组成及工作原理 主要指标计算 抑制零点漂移原理 几种方式指标比较
6.2.2 FET差分式放大电路 6.2.3 差分式放大电路的传输特性
集成电路的优点
• 有体积小、功耗小、功能强、可靠 性好的优点，故得到发展。
• 最早源于航天技术的启示和应用。
6.1 模拟集成电路中的 直流偏置技术
BJT电流源
FET电流源
电 流 源 概 述
(1)电流源电路是一个电流负反馈电路， 并利用PN结的温度特性，对电流源电路进行温度补偿， 以减小温度对电流的影响。
4. 多路电流源
R
VCC
组成
IREF
T0
IC T ∑IB T1
IC1
IC2
IC3
公式推导
IC=IREF - ∑ IB/β
T2
Re2 Re3
T3
Re
Re1
当β较大时 IC=IREF 由于各管的β， VBE相同，则 IERE≈IREFRE=IE1RE1=IE2RE2=IE3RE3 所以 IC1≈IE1=IREFRE/RE1 IC2≈IE2=IREFRE/RE2 IC3≈IE3=IREFRE/RE3
《模拟电子技术基础》第6章 集成运算放大器
RF R RF [ R1 (R2 // R ')uI1 R2 (R1 // R ')uI2 ] RF R R1 R1 (R2 // R ') R2 R2 (R1 // R ')
RF Rn
( RP R1
uI1
RP R2
uI2 )
当 R1 R2 R Rp Rn
uO
RF R
(uI1
uI2 )
t /ms
-2
0
-2
12 34 5
t /ms
uO /V
uO /V
12345 0 -1
t /ms
12345
0
t /ms
-2
-1
-2
输入方波不完全对称，导致输出偏移，以致饱和。 旁路电阻只对直流信号起作用，对交流信号影响要尽量小。
积分电路应采用失调电压、偏置电流和失调电流较小的运放，并在同相输 入端接入可调平衡电阻；选用泄漏电流小的电容，可以减少积分电容的漏电流 产生的积分误差。
iR
iD
uI R
uO uD
由二极管的伏安特性方程：
uo
iD
ISexp
uD UT
对数运算电路
uO
UTln
iD IS
U T ln
uI RI S
只有uI>0时，此对数函数关系才成立。
6.6 对数和指数运算电路
6.6.2 指数运算电路
将对数运算电路中的二极管VD和电阻R互换，可得指数运算电路。
uP
A
uN
uO
UoM 非线性区
uo
+Uom
uO
O
uId =uP -uN
非线性区 uId
非线性区 0
模拟电子技术教案
模拟电子技术教案第一章：模拟电子技术概述1.1 教学目标了解模拟电子技术的基本概念掌握模拟电子技术的主要应用领域理解模拟电子技术的基本原理1.2 教学内容模拟电子技术的定义模拟电子技术与数字电子技术的区别模拟电子技术的主要应用领域模拟电子技术的基本原理及其重要性1.3 教学方法采用讲解、案例分析、互动讨论等方式进行教学1.4 教学评估课堂问答小组讨论课后作业第二章：放大器电路2.1 教学目标理解放大器电路的基本原理掌握放大器电路的主要应用学会分析放大器电路的性能指标2.2 教学内容放大器电路的分类及原理放大器电路的主要应用放大器电路的性能指标分析2.3 教学方法采用讲解、实例分析、互动讨论等方式进行教学2.4 教学评估课堂问答小组讨论课后作业第三章：滤波器电路3.1 教学目标理解滤波器电路的基本原理掌握滤波器电路的主要应用学会分析滤波器电路的性能指标3.2 教学内容滤波器电路的分类及原理滤波器电路的主要应用滤波器电路的性能指标分析3.3 教学方法采用讲解、实例分析、互动讨论等方式进行教学3.4 教学评估课堂问答小组讨论课后作业第四章：振荡器电路4.1 教学目标理解振荡器电路的基本原理掌握振荡器电路的主要应用学会分析振荡器电路的性能指标4.2 教学内容振荡器电路的分类及原理振荡器电路的主要应用振荡器电路的性能指标分析4.3 教学方法采用讲解、实例分析、互动讨论等方式进行教学4.4 教学评估课堂问答小组讨论课后作业第五章：模拟集成电路5.1 教学目标理解模拟集成电路的基本原理掌握模拟集成电路的主要应用学会分析模拟集成电路的性能指标5.2 教学内容模拟集成电路的分类及原理模拟集成电路的主要应用模拟集成电路的性能指标分析5.3 教学方法采用讲解、实例分析、互动讨论等方式进行教学5.4 教学评估课堂问答小组讨论课后作业第六章：模拟信号处理6.1 教学目标理解模拟信号处理的基本概念掌握模拟信号处理的主要技术学会分析模拟信号处理的性能指标6.2 教学内容模拟信号处理的概念与分类模拟信号处理的主要技术，包括滤波、放大、调制等模拟信号处理的性能指标分析，如信噪比、失真度等6.3 教学方法采用讲解、实例分析、互动讨论等方式进行教学6.4 教学评估课堂问答小组讨论课后作业第七章：模拟电路设计与仿真7.1 教学目标理解模拟电路设计的基本原则掌握模拟电路仿真的一般方法学会使用仿真软件进行模拟电路的设计与分析7.2 教学内容模拟电路设计的基本原则与步骤模拟电路仿真的一般方法与流程常见仿真软件的使用方法，如Multisim、LTspice等7.3 教学方法采用讲解、实例分析、互动讨论等方式进行教学7.4 教学评估课堂问答小组讨论课后作业第八章：模拟电子技术的应用8.1 教学目标理解模拟电子技术在现代社会中的广泛应用掌握模拟电子技术在实际应用中的关键作用学会分析模拟电子技术应用中的具体问题8.2 教学内容模拟电子技术在通信、音响、医疗等领域的应用实例模拟电子技术在实际应用中的关键作用，如信号处理、滤波等模拟电子技术应用中常见的问题及其解决方法8.3 教学方法采用讲解、实例分析、互动讨论等方式进行教学8.4 教学评估课堂问答小组讨论课后作业第九章：模拟电子技术实验9.1 教学目标掌握模拟电子技术的基本实验技能学会使用常用实验仪器与设备熟练进行模拟电子技术实验操作9.2 教学内容模拟电子技术实验基本要求与注意事项常用实验仪器与设备的使用方法经典模拟电子技术实验项目，如放大器、滤波器等的设计与测试9.3 教学方法采用讲解、示范、互动讨论等方式进行教学9.4 教学评估实验报告实验操作考核实验成果展示第十章：模拟电子技术在现代科技中的应用及发展趋势10.1 教学目标了解模拟电子技术在现代科技领域中的应用掌握模拟电子技术的发展趋势学会分析模拟电子技术在现代科技发展中的重要作用10.2 教学内容模拟电子技术在现代科技领域中的应用，如物联网、大数据等模拟电子技术的发展趋势，包括微电子技术、集成技术等模拟电子技术在现代科技发展中的重要作用及其影响10.3 教学方法采用讲解、实例分析、互动讨论等方式进行教学10.4 教学评估课堂问答小组讨论课后作业重点和难点解析1. 模拟电子技术的定义及应用领域：理解模拟电子技术的基本概念和主要应用领域是教学的基础，需要重点关注。
模拟电子技术教程第6章习题答案
第6章 习题答案1. 概念题：（1）由运放组成的负反馈电路一般都引入）由运放组成的负反馈电路一般都引入 深度负反馈深度负反馈深度负反馈 ，电路均可利用，电路均可利用 虚短路虚短路 和和 虚断路虚断路虚断路 的概念来求解其运算关系。
的概念来求解其运算关系。
的概念来求解其运算关系。
（2）反相比例运算电路的反相比例运算电路的 输入阻抗输入阻抗输入阻抗 小，小，同相比例运算电路的同相比例运算电路的 输入阻抗输入阻抗输入阻抗 大，大，但会引入了但会引入了 共模干扰共模干扰共模干扰 。
（3）如果要用单个运放实现：）如果要用单个运放实现：A A u ＝－＝－1010的放大电路，应选用的放大电路，应选用 A A A 运算电路；将正运算电路；将正弦波信号移相＋弦波信号移相＋9090O，应选用，应选用 D D D 运算电路；对正弦波信号进行二倍频，应选用运算电路；对正弦波信号进行二倍频，应选用运算电路；对正弦波信号进行二倍频，应选用 F F 运算电路；将某信号叠加上一个直流量，将某信号叠加上一个直流量，应选用应选用应选用 E E E 运算电路；运算电路；将方波信号转换成三角波信号，应选用应选用 C C C 运算电路；运算电路；将方波电压转换成尖顶波信号，将方波电压转换成尖顶波信号，应选用应选用应选用 D D D 运算电运算电路。
路。
A. A. 反相比例反相比例反相比例B. B. B. 同相比例同相比例同相比例C. C. C. 积分积分积分D. D. 微分微分微分E. E. E. 加法加法加法F. F. 乘方乘方乘方（4）已知输入信号幅值为1mV 1mV，频率为，频率为10kHz 10kHz～～12kHz 12kHz，信号中有较大的干扰，应设置，信号中有较大的干扰，应设置，信号中有较大的干扰，应设置 前置放大前置放大 电路及电路及电路及 带通滤波带通滤波带通滤波 电路进行预处理。
电路进行预处理。
电路进行预处理。
（5）在隔离放大器的输入端和输出端之间加100V 的电压会击穿放大器吗？（的电压会击穿放大器吗？（ 不会不会 ）加1000V 的交流电压呢？（的交流电压呢？（ 不会不会 ））（6）有源滤波器适合于电源滤波吗？（）有源滤波器适合于电源滤波吗？（ 不适用不适用不适用 ）这是因为）这是因为）这是因为 有源滤波器不能通有源滤波器不能通过太大的电流或太高的电压过太大的电流或太高的电压 。
微电子技术基础_第6章-集成电路工艺仿真
网格计算
3
6.1 TCAD软件简介
TCAD工作流程
6.1 TCAD软件简介
Silvaco TCAD
工艺仿真，ATHENA及其子模块 器件仿真，ATLAS及其子模块（电路仿真的Mixed Mode）
5
6.1 TCAD软件简介
TCAD发展方向
Atomistic TCAD：从原子尺度进行仿真，以量子力学 和量子输运为基石，面向3-14nm等
非均匀网格的例子：
Line x loc=0.0 spac=0.02 Line x loc=1.0 spac=0.10 Line y loc=0.0 spac=0.02 Line y loc=2.0 spac=0.20
8
6.2 单步工艺的仿真实现
2、仿真初始化
工艺仿真中的初始化（initialize）可定义衬底，也 可以初始化仿真 定义衬底:
自动得到抽取语句
6.2 单步工艺的仿真实现
4、抽取特性
在菜单栏中自动生成抽取命令 时得到的语句：
6.2 单步工艺的仿真实现
5、结构操作
命令structure
可以保存和导入结构， 对结构做镜像或翻转
参数： infile,outfile,flip.y,mirror [left|right|top|bottom]
12
6.2 单步工艺的仿真实现
3、工艺步骤-氧化
得到氧化层的办法可以是扩散（diffuse）和淀积 （deposit） Diffuse做氧化，主要参数有：
扩散步骤的参数，time, temperature, t.final, t.rate 扩散氛围的参数，dryo2|weto2|nitrogen|inert, hcl.pc, pressure, f.o2|f.h2|f.h2o|f.n2|f.hcl, c.impurity 模型参数，b.mod|p.mod|as.mod, ic.mod|vi.mod
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v o ——共模信号产生的输出
总输出电压
vo =vovo
Avdvi dAvcvi c
KCMR =
Avd Avc
共模抑制比
反映抑制零漂能力的指标
17
6.2.1 差分式放大电路的一般结构
2. 有关概念
根据 vid=vi1vi2
vi c=12(vi 1vi 2)
有
vi1
=vic
vid 2
iC1
温度
iC1 iE1 iC2 iE2
vE vBE1和vBE2 （ vB1、 vB2不 变 ）
iB1
和
iB1
iC2
差分式放大电路对共模信号有很强抑制作用
23
3. 主要指标计算
（1）差模情况
<A> 双入、双出
Avd
=
vo vid
vo1 vo2 v i1 v i2
Io
IC2
A3 A1
IREF
A1和A3分别是T1和T3的相对结面积
动态输出电阻ro远比微电流源的动态输出电阻为高
9
6.1.1 BJT电流源电路
4. 组合电流源
T1、R1 和T4支路产生基准电流 IREF
T1和T2、T4和T5构成镜像电流源
T1和T3，T4和T6构成了微电流源
IREFVCC VEE RV 1B E 1 VEB 4
用T3代替R，T1~T3特性相同，
且工作在放大区，当=0时，输出
电流为
ID2(W/L)2Kn 2(VGS2VT2 )2 Kn2(VGS2VT2 )2
常用的镜像电流源
12
6.1.2 FET电流源
2. MOSFET多路电流源
IREFID0 Kn0(VGS0VT0)2
ID2
W2 W1
vi2
=vic
vid 2
共模信号相当于两个输入
端信号中相同的部分
差模信号相当于两个输入
端信号中不同的部分
两输入端中的共模信号 大小相等，相位相同；差模信 号大小相等，相位相反。
18
6.2.2 射极耦合差分式放大电路
1. 电路组成及工作原理
19
6.2.2 射极耦合差分式放大电路
1. 电路组成及工作原理
信号被放大。
21
2. 抑制零点漂移原理 温度变化和电源电压波
动，都将使集电极电流产 生变化。且变化趋势是相 同的，
其效果相当于在两个输 入端加入了共模信号。
22
2. 抑制零点漂移原理
这一过程类似于分压式射极 偏置电路的温度稳定过程。所 以，即使电路处于单端输出方 式时，仍有较强的抑制零漂能 力。
IOIC2IE2
VB
E1VB Re 2
E2
V BE R e2
由于 VBE 很小，
所以IC2也很小。
ro≈rce2（1＋
Re2 ）
rbe2 Re2
（参考射极偏置共射放大电路的输出电阻 R）o
8
6.1.1 BJT电流源电路
3. 高输出阻抗电流源
IRE F V CC V B3E R V BE V 2EE
电平移动、温度补偿等
4
6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术
6.1.1 BJT电流源电路
1. 镜像电流源
3. 高输出阻抗电流源
2. 微电流源
4. 组合电流源
6.1.2 FET电流源
1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源 3. JFET电流源
5
6.1.1 BJT电流源电路
2. 微电流源
数字集成电路 基本分类
模拟集成电路
逻辑门、逻辑功能模块、 存储器、PLD 数模和模数接口
线性放大器：运放、功放 稳压器 通信集成电路 可编程模拟电路
3
2. 模拟集成电路的主要特点
产品特点 • 应用范围广泛：测量、仪表、通信、控制等 • 产品复杂多样：通用与专用 • 电路系列繁多：没有也很难规范出统一系列 技术特点 • 元件一致性好，相对精度高 • 大量应用有源器件取代电阻 • 电路各级一般不用电容而直接耦合 • 主要电路构成单元：复合管、恒流源、差分对、
2 v o1 Rc
2 v i1
rbe
以双倍的元器件换 取抑制零漂的能力
接入负载时
1
Avd
=
β(Rc
// 2
RL)
rbe
24
3. 主要指标计算
（1）差模情况
<B> 双入、单出
Avd1
=
vo1 vid
v o1 2 v i1
1 2
Avd
Rc
2 rbe
接入负载时
Avd
=β(Rc //RL) 2rbe
15
6.2.1 差分式放大电路的一般结构
1. 用三端器件组成的差分式放大电路
16
6.2.1 差分式放大电路的一般结构
2. 有关概念
vid=vi1vi2差模信号
vi c=12(vi 1vi 2)共模信号
Avd
=
vo v id
差模电压增益
Avc
=
vo v ic
共模电压增益
其中 vo ——差模信号产生的输出
25
3. 主要指标计算 （1）差模情况
<C> 单端输入 ro re
等效于双端输入
/ /
L2 L1
IREF
ID3W W31
/ /
L3 L1
IREF
ID4W W41
/ /
L4 L1
IREF
13
6.1.2 FET电流源
3. JFET电流源
(a) 电路
(b) 输出特性
end
14
6.2 差分式放大电路
6.2.1 差分式放大电路的一般结构 6.2.2 射极耦合差分式放大电路 6.2.3 源极耦合差分式放大电路
第六章 模拟集成电路
湖南科技大学信息与电气工程学院
1
6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.2 差分式放大电路 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.5 实际集成运算放的类型和特点
1. 集成电路的主要类型
集成电路：将元器件制作在一块基片上，构成特 定功能的电子电路。
10
6.1.2 FET电流源
1. MOSFET镜像电流源
IOID 2IRE V FD D V R S SV GS
当器件具有不同的宽长比时
IO
W2 / L2 W1 / L1
IREF
（=0）
ro= rds2
MOSFET基本镜像电路流
11
6.1.2 FET电流源
1. MOSFET镜像电流源
静态
1 IC1=IC2IC2IO
VCE1=VCE2
VCCICRc2V E
V C C I C R c 2 ( 0 .7 V )
IB1
IB
2
IC β
20
1. 电路组成及工作原理
动态 仅输入差模信号，vi1和vi2大小相等，相位相反。 vO 1和vO大2 小相等， 相位相反。 vovO 1vO2 0，