CdZnTe材料(111)B和(211)B面上位错腐蚀坑密度的差异

CdZnTe材料(111)B和(211)B面上位错腐蚀坑密度的差异顾惠明;杨建荣;陈新强;何力
【期刊名称】《人工晶体学报》
【年(卷),期】1999(28)2
【摘要】用Ｅｖｅｒｓｏｎ腐蚀剂对ＣｄＺｎＴｅ晶体（１１１）Ｂ和（２１１）Ｂ面上的位错进行了腐蚀和观察，发现（１１１）Ｂ面上的腐蚀坑密度（ＥＰＤ）值明显高于（２１１）Ｂ面上的ＥＰＤ值，（１１１）Ｂ面上的ＥＰＤ值与双晶衍射半峰宽有明显的依赖关系，（１１１）Ｂ面上的ＦＷＨＭ值随ＥＰＤ的增加而增加。

而（２１１）Ｂ面上的ＥＰＤ则与材料的双晶衍射半峰宽无关。

研究结果表明，用Ｅｖｅｒｓｏｎ腐蚀剂得到的ＥＰＤ参数依赖于材料的晶体取向，在两种常用的晶体学取向中。

【总页数】5页(P172-176)
【关键词】CdZnTe;位错;腐蚀法;衬底材料;晶体;密度
【作者】顾惠明;杨建荣;陈新强;何力
【作者单位】中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料中心及红外物理国家重点实验室
【正文语种】中文
【中图分类】O785.7;O772
【相关文献】
1.CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察 [J], 陈俊;朱世富;赵北君;高德友;魏昭荣;李含冬;韦永林;唐世红
2.InSb（111）A 面腐蚀坑成因分析 [J], 吴卿;巩锋;陈元瑞;侯晓敏;崔健维
3.硅外延片（111）面层错腐蚀坑显微图象分析 [J], 刘明海;张亮
4.CdZnTe(211)面纳米力学特性分析 [J], 李岩;康仁科;高航;吴东江;王景贺
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。