辽工大电力电子封皮
电力电子技术实验教程审
电工电子实验中心实验指导书电力电子技术实验教程二零零九年三月高等学校电工电子实验系列电力电子技术实验教程主编王利华周荣富攀枝花学院电气信息工程学院电工电子实验中心内容简介本书是根据高等院校理工科本(专)科的电力电子技术实验课程的基本要求编写的。
全书包含三个部分。
第一部分对基本实验的目的、内容、原理、实验仪器和实验方法进行了阐述。
第二部分对DKSZ-1电机控制系统实验装置进行了简述。
第三部分是对实验装置控制组件介绍。
本书可作为我校电类和非电类专业本科生、专科生实验教学用书，还可作为从事电力电子技术的工程技术人员的参考书。
前言电力电子技术是电气工程学科的基础课程，由电力电子器件、电力电子电路、电力电子系统及其控制三部分组成，是电力电子装置、开关电源技术、自动控制系统、变频调速应用、柔性输电系统等课程的先行课程。
同时，也是电气信息类其他相关专业的重要基础课之一。
电力电子技术作为21 世纪解决能源危机的必备技术之一而受到重视。
本书依据应用型人才培养目标，遵循“面向就业，突出应用”的原则，注重教材的“科学性、实用性、通用性、新颖性”，力求做到学科体系完整、理论联系实际、夯实基础知识、突出时代气息，具备科学性及新颖性，并强调知识的渐进性，兼顾知识的系统性，注重培养学生的实践能力。
本书着重讲授各种电能变换电路的基本工作原理、电路结构、电气性能、波形分析方法和参数计算等。
通过对本课程的学习，学生能理解并掌握电力电子技术领域的相关基础知识，培养其分析问题、解决问题的能力，了解电力电子学科领域的发展方向。
本书由三部分组成。
第一部分为基础实验。
该部分主要介绍电力电子技术的实验内容原理。
第二部分为DKSZ-1电机控制系统实验装置介绍。
第三部分为实验装置控制组件介绍。
在本书的编写过程中，为了突出其实效性，注意体现以下特点：（1）理论性与实践性相结合的原则；（2）深入浅出、循序渐进的原则；（3）典型示例，举一反三原则。
全书由攀枝花学院电气信息工程及电工电子省级实验示范中心王利华、周荣富老师主编，2005级自动化张明禹同学参加了本书的编写工作。
小型开关电源的设计(辽宁工程技术大学电力电子课设,格式完全正确,10分下载即用)教材
课程设计名称：电力电子技术题目：小型开关电源的设计专业：班级：姓名：学号：辽宁工程技术大学课程设计成绩评定表摘要开关电源(Switch Mode Power Supply，SMPS)是以功率半导体器件为开关元件，利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源。
开关电源和线性电源相比，二者的成本都随着输出功率的增加而增长，但二者增长速率各异。
线性电源成本在某一输出功率点上，反而高于开关电源，这一点称为成本反转点。
开关电源高频化是其发展的方向，高频化使开关电源小型化，并使开关电源进入更广泛的应用领域，特别是在高新技术领域的应用，推动了高新技术产品的小型化、轻便化。
另外开关电源的发展与应用在节约能源、节约资源及保护环境方面都具有重要的意义。
开关电源具有节能（效率一般可达85%以上）；体积小，重量轻；具有各种保护功能；改变输出电流、电压容易，稳定，可控等特点。
关键词：开关电源；小型化；节能；体积小；保护目录引言 (1)1 开关电源的结构及原理 (2)1.1 开关电源的结构 (2)1.2 开关电源的工作原理 (2)2 开关电源总体设计要求与方案 (3)2.1 开关电源总体设计要求 (3)2.2 开关电源总体设计方案 (3)3 小型开关电源主电路设计 (5)3.1 主电路的选用与原则 (5)3.2 主电路的设计与分析 (5)3.2.1 整流电路 (5)3.2.2 高频逆变-变压器-高频整流电路 (5)4 各项参数计算 (8)4.1 电感参数及电容参数计算 (8)4.2 变压器的匝数的计算 (9)4.3 功率计算 (10)4.4 磁芯的选用 (10)5 IGBT驱动电路 (11)总结 (12)体会 (13)参考文献 (14)辽宁工程技术大学课程设计引言开关电源输入端直接将交流电整流变成直流电，再在高频震荡电路的作用下，用开关管控制电流的通断，形成高频脉冲电流。
在电感（高频变压器）的帮助下，输出稳定的低压直流电。
单相桥式全控整流电路(带阻感负载)(辽宁工程技术大学电力电子课设,格式完全正确,10分下载即用)
课程设计名称：电力电子技术题目：单相桥式全控整流电路（带阻感负载）专业：班级：姓名：学号：辽宁工程技术大学课程设计成绩评定表在电力电子技术中，单相桥式全控整流电路是单相整流电路中应用较多的电路，本设计是通过利用晶闸管来控制单相桥式全控带阻感负载的整流电路，理解整流电路的工作原理和基本计算方法，设计驱动电路和保护电路。
关键词：电力电子技术；单相桥式；晶闸管；驱动电路；保护电路引言 (1)1 整流电路 (2)1.1 单相半波可控整流电路 (2)1.2 单相全波可控整流电路 (2)1.3 单相桥式半控整流电路 (3)1.4 单相桥式全控整流电路 (3)2 系统总体设计 (5)2.1 系统原理方框图 (5)2.2 主电路设计 (5)2.2.1工作原理分析 (5)2.2.2 参数计算 (6)3 驱动电路的设计 (7)3.1 晶闸管触发电路工作原理 (7)3.2 晶闸管对触发电路的要求 (7)4 保护电路的设计 (8)4.1 过流保护 (8)4.2 过压保护 (8)结论 (10)心得体会 (11)参考文献 (12)辽宁工程技术大学课程设计引言整流电路是电力电子电路中的一种，它的作用是将交流电力变为直流电力供给直流用电设备，如直流电动机，电镀、电解电源，同步发电机励磁，通信系统等，在生产生活中应用十分广泛。
整流电路在不同角度有不同的分类方法，按组成电路的器件分：不可空、半空、全控和高功率PWM四种，按电路结构可分为：半波、全波、桥式三种，按交流输入相数分：单相、三相、多相多重三种，按控制方式分：相控式、PWM控制式两种，按变压器二次测电流方向分：单拍、双拍电路两种。
整流电路通常由主电路、滤波器和变压器组成。
单相桥式全控整流电路是单相整流电路中应用较为广泛的整流电路。
单相桥式全控整流电路（带阻感负载）1 整流电路单相整流器的电路形式是多种多样的，整流的结构也是比较多，各有优缺点，因此在做设计之前我们主要考虑了以下几种方案：单相半波可控整流电路，单相全波可控整流电路，单相桥式半控整流电路，单相桥式全控整流电路 。
新版辽宁工程技术大学电气工程专业考研经验考研参考书考研真题
新版辽宁⼯程技术⼤学电⽓⼯程专业考研经验考研参考书考研真题在决定考研的那⼀刻，我已预料到这⼀年将是怎样的⼀年，我做好了全⾝⼼地准备和精⼒来应对这⼀年枯燥、乏味、重复、单调的机械式⽣活。
可是虽然如此，我实在是⼀个有⾎有⾁的⼈呐，⾯对诱惑和惰性，甚⾄⼏次妥协，妥协之后⼜陷⼊对⾃⼰深深的⾃责愧疚当中。
这种情绪反反复复，曾⼏度崩溃。
所以在此想要跟各位讲，⼼态⽅⾯要调整好，不要像我⼀样使⾃⼰陷⼊极端的情绪当中，这样⽆论是对⾃⼰正常⽣活还是考研复习都是⾮常不利的。
所以我想把这⼀年的经历写下来，⽤以告慰我在去年饱受折磨的⼼脏和躯体。
告诉它们今年我终于拿到了⼼仪学校的录取通知书，你们的付出和忍耐也终于可以扬眉了。
知道⾃⼰成功上岸的那⼀刻⼼情是极度开⼼的，所有⼼酸泪⽔，⼀扫⽽空，只剩下满⼼欢喜和对未来的向往。
⾸先⾮常想对⼤家讲的是，⼤家选择考研的这个决定实在是太正确了。
⾮常⿎励⼤家做这个决定，⼿握通知书，对未来充满着信念的现在的我尤其这样认为。
当然不是说除了考研就没有了别的出路。
只不过个⼈感觉考研这条路⾛的⽐较⽅便，流程也⽐较清晰。
没有太⼤的不稳定性，顶多是考上，考不上的问题。
⽽考得上考不上这个主观能动性太强了，就是说，⾃⼰决定⾃⼰的前途。
所以下⾯便是我这⼀年来积攒的所有⼲货，希望可以对⼤家有⼀点点⼩⼩的帮助。
由于想讲的实在⽐较多，所以篇幅较长，希望⼤家可以耐⼼看完。
⽂章结尾会附上我⾃⼰的学习资料，⼤家可以⾃取。
辽宁⼯程技术⼤学电⽓⼯程专业初试科⽬：101思想政治理论201英语⼀202俄语203⽇语301数学⼀808电路参考书⽬：《电路》，邱关源（第四版），⾼等教育出版社2004-4（第14次印刷）关于英语其实我的英语基础还是⽐较差的，起码在考研之前，这让我在英语学习中有⼀个⾮常⼤的坎要过，不过好在只要过了这个坎，英语成绩⼀定会有⼀个⼤幅度的提升，为了度过这个坎，我⽤了整整两个⽉的时间去看英语，⽤到的资料就是⽊糖英语的真题和单词，什么娱乐活动都没有，就只是看英语不停的坎，付出了读⽂章读到恶⼼的代价，虽然当时觉得真的很痛苦，但是实际上现在想来还是值得的，毕竟英语的分数已经超乎我的想象。
电力电子技术仿真实验指导
电力电子技术仿真实验指导 主编 金石 龚淑秋 申永山沈阳工业大学电工理论与新技术及生物医学工程系电力电子技术课程组电力电子实验室注意事项1. 学生进入实验室必须遵守实验记律，听从实验室老师的安排。
2. 实验课和课堂教学一样，应按时进入实验室，不得无故迟到和早退。
3. 进入实验室，注意人身安全，不要随意触摸电源及开关，爱护实验仪器设备。
4. 实验前一定要按要求进行预习，了解实验要求及步骤和方法。
5. 实验结束后，请把仪器设备检查好归位，让老师认可后方可离开。
6. 注意实验室卫生，不得随地吐谈，乱仍废纸及杂物。
目录仿真实验一单相桥式全控整流电路 (1)仿真实验二三相桥式全控整流电路 (8)仿真实验三Cuk升降压变换电路 (11)仿真实验四三相电压型SPWM逆变器 (13)仿真实验五单相电流跟踪型逆变器 (16)仿真实验六单相交流调压器 (19)仿真实验七无中线星形联结三相交流调压电路 (22)仿真实验一单相桥式全控整流电路一、仿真实验目的1. 熟悉Matlab仿真软件和Simulink模块库。
2. 掌握单相桥式全控整流电路的工作原理、工作情况和工作波形。
二、仿真实验原理单相桥式全控整流电路如图1-1所示，电路由交流电源u1、整流变压器T、晶闸管VT1~4、负载R以及触发电路组成。
在变压器二次电压u2的正半周触发晶闸管VT1和VT3，在u2的负半周触发晶闸管VT2和VT4，由于晶闸管的单向可控导电性能，在负载上可以得到方向不变的直流电，改变晶闸管的控制角，可以调节输出直流电压和电流的大小。
晶闸管触发电路输出脉冲与电源同步是电路正常工作的重要条件。
图1-1 单相桥式全控整流电路原理图三、仿真实验内容电路的仿真分为建立仿真模型、设置模型参数和仿真参数、观测仿真结果等几个主要步骤，现叙述如下：1. 建立仿真模型（1）打开Simulink仿真平台在Matlab的菜单栏上点击File，选择New，在拉出菜单中选择Model，这时出现一个名为untitled的空白仿真平台，如图1-2所示，在这个平台上可以绘制电路的仿真模型。
辽宁工程技术大学研究生考试参考书目
《电力电子技术》(第4版)，王兆女、 黄俊主编，机械工业出版社，2003-2第
4版
(920)自动控制原理
《自动控制原理》，胡寿松，科学出版社，
2001-2第4版
(921)电磁场与电磁波
《电磁场与电磁波》，杨儒贵，高等教育
出版社，2003-8第1版
(923)电气控制与PLC应用
《电气控制与PLC应用》，范永胜、王岷， 中国电力出版社，2004出版
(812)程序设计
C程序设计(第四版)谭浩强著，清华大 学出版社
(814)结构力学
《结构力学教程》，龙驭球、包世华，高 等教育出版社，2001.1
(815)流体力学B
《流体力学泵与风机》(第四版)，蔡增 基，中国建筑工业出版社，1999.12
(817)现代测绘科学技术与理论
《测绘学概论》，宁津生，武汉大学出版 社，2005;《GPS原理及应用》，李天文， 科学出版社，2004;《遥感概论》，梅安 新，高等教育出版社；《地理信息系统概 论》，黄杏元等，高等教育出版社，2001.12
(911)汽车设计
《汽车设计》，王望予，机械工业出版社，
ห้องสมุดไป่ตู้2000年
(912)泵与风机
《泵与风机》，王喜魁、杨诗成，中国电 力出版社，2004年
(913)传热学
《传热学》(第四版)，杨世铭，高等教 育出版社，2006年
(914)高分子化学
《高分子化学》，潘祖仁主编，化学工业 出版社，2003第三版
(915)金属材料学
固体废弃物处理与资源化技术王丽华等辽宁大学出版社824环境化学环境化学第二版戴树桂等高等教育出版社826植物生态学植物生态学姜汉侨高等教育出版社20046827数据结构数据结构严蔚敏清华大学出版社828运筹学运筹学清华大学出版社2005829经济学西方经济学教程梁小民中国统计出版社830高等代数高等代数第二版北京大学编高等教育出版社841工业工程学基础工业工程易树平郭伏机械工业出版社2006年842质量管理质量管理学龚益鸣复旦大学出版社2008年843人因工程人因工程学郭伏钱省三机械工业出版社2006年844现代制造系统现代制造系统周凯刘成颖清华大学出版社2005年851可编程控制器原理及应用可编程控制器原理及应用第四版钟肇等编著华南理工大学出版社2008年852计算机控制技术计算机控制技术第二版姜学军刘新国李晓静等编著清华大学出版社2009年901力学综合理论力学见801振动理论及应用见902弹性力学见904流体力学见905902振动理论及应用振动理论及应用方同薛璞著西北工业大学出版社903数值分析数值分析颜庆津北京航空航天大学出版社904弹性力学弹性力学杨桂通高等教育出版社905流体力学流体力学吴望一北京大学出版社906机械制造工程学机械制造工程学张树森东北大学出版社2001年907机械设计机械设计孙志礼等东北大学出版社2000年908控制工程基础控制工程基础赵丽娟谢中宁东北大学出版社2002年909微机原理及应用单片微型计算机原理与应用第二版胡乾斌等华中科技大学出版社2006年910机械系统设计机械系统设计朱龙根黄雨华机械工业出版社1994年911汽车设计汽车设计王望予机械工业出版社2000年912泵与风机泵与风机王喜魁杨诗成中国电力出版社2004年913传热学传热学第四版杨世铭高等教育出版社2006年914高分子化学高分子化学潘祖仁主编化学工业出版社2003第三版915金属材料学金属材料学吴承建主编冶金工业出版社2002第一版916材料分析技术材料分析测试技术周玉主编哈尔滨工业大学出版社2000第二版917材料力学性能工程材料力学性能束德林主编机械工业出版社2004第三版918电机与拖动电机与拖动唐介高等教育出版社20037第1版919电力电子技术电力电子技术第4版王兆女黄俊主编机械工业出版社20032第4版920自动控制原理自动控制原理胡寿松科学出版社20012第4版921电磁场与电磁波电磁场与电磁波杨
导电氧化铋薄膜的逆自旋霍尔效应
㊀第40卷㊀第10期2021年10月中国材料进展MATERIALS CHINAVol.40㊀No.10Oct.2021收稿日期:2021-01-25㊀㊀修回日期:2021-02-10基金项目:国家自然科学基金面上项目(11874098);兴辽英才计划资助项目(XLYC1807156);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20LAB111)第一作者:王孟怡,女,1995年生,硕士研究生通讯作者:邱志勇,男,1978年生,教授,博士生导师,Email:qiuzy@DOI :10.7502/j.issn.1674-3962.202101019导电氧化铋薄膜的逆自旋霍尔效应王孟怡,邱志勇(大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室辽宁省能源材料及器件重点实验室,辽宁大连116000)摘㊀要:自旋霍尔效应及其逆效应作为自旋电子学中实现自旋-电荷转换的核心物理效应,对纯自旋流的产生㊁探测有着重要的应用价值,是自旋电子器件开发与应用的关键技术节点㊂对高自旋-电荷转换效率材料体系的探索与开发是该领域的核心课题㊂以导电氧化铋薄膜为对象,研究其中的逆自旋霍尔效应㊂采用交流磁控溅射系统,使用氧化铋陶瓷靶制备了不同厚度的导电氧化铋薄膜,并与坡莫合金薄膜构成铁磁/非磁双层自旋泵浦器件,在该器件中首次观测并确认了导电氧化铋薄膜中逆自旋霍尔效应所对应的电压信号㊂通过逆自旋霍尔电压对氧化铋薄膜厚度的依存关系,定量地估算了氧化铋薄膜的自旋霍尔角及自旋扩散长度㊂通过提出一种新的具备可观测逆自旋霍尔效应的材料体系,不仅拓展了自旋电子材料的选择空间,也为新型自旋电子器件的设计和应用提供了思路㊂关键词:氧化铋;导电氧化物;逆自旋霍尔效应;自旋霍尔角;自旋扩散长度;自旋泵浦中图分类号:O469㊀㊀文献标识码:A㊀㊀文章编号:1674-3962(2021)10-0756-05Inverse Spin Hall Effect of Conductive Bismuth OxideWANG Mengyi,QIU Zhiyong(Key Laboratory of Energy Materials and Devices (Liaoning Province),Key Laboratory of Materials Modificationby Laser,Ion and Electron Beams,Ministry of Education,School of Materials Science and Engineering,Dalian University of Technology,Dalian 116000,China)Abstract :The direct and inverse spin Hall effect is the key effect for spin-charge conversion in spintronics,which plays avital role in the generation and detection of pure spin currents.It is a core issue to develop and explore materials with high spin-charge conversion efficiency.Here,we demonstrate the inverse spin Hall effect in a conductive bismuth oxide.The bis-muth oxide thin films with different thicknesses were prepared from a sintered bismuth oxide target by an rf-sputtering sys-tem.Then,permalloy /bismuth oxide bilayer spin pumping devices were developed,with which voltage signals corresponding to the inverse spin Hall effect were confirmed by the spin pumping technique.Furthermore,by systematical studying of bis-muth-oxide thickness dependence of those spin Hall voltages,the spin Hall angle and spin diffusion length were quantitative-ly estimated.Our results propose a novel system with an observable inverse spin Hall effect,which expands the possibility of spintronic materials and guides a new path for the development of spin-based devices.Key words :bismuth oxide;conductive oxide;inverse spin Hall effect;spin Hall angle;spin diffusion length;spin pumping1㊀前㊀言自旋电子学是以电子的量子自由度自旋为研究核心的新兴科研领域[1]㊂因在电子信息领域中的巨大应用潜力,自旋电子学建立伊始即吸引了众多研究者,现今是凝聚态物理领域不可忽视的科研分支之一㊂凝聚态体系中自旋的产生㊁操纵与检测相关的机理探讨和应用拓展是自旋电子学领域的核心课题[2]㊂本文所讨论的逆自旋霍尔效应即自旋霍尔效应的逆效应,是实现自旋流向电流转换的重要物理效应,其对自旋流特别是纯自旋流的检测有着不可替代的应用价值㊂逆自旋霍尔效应一方面可直接应用于弱自旋流的检测,另一方面也可作为自旋流-电流的转换媒介实现自旋向电荷体系的能量及信息传博看网 . All Rights Reserved.㊀第10期王孟怡等:导电氧化铋薄膜的逆自旋霍尔效应递[3-5]㊂而逆自旋霍尔效应的应用长期受制于自旋流-电流转换效率,即自旋霍尔角[6]㊂因此,新材料体系的探索及高自旋霍尔角材料的开发是逆自旋霍尔效应应用的关键所在㊂由于具有较大的自旋轨道耦合强度,重金属及其合金体系长期以来是高自旋霍尔角材料的研发重点[7-17]㊂其中贵金属Pt和Au的自旋霍尔角在室温附近分别可达11%ʃ8%和11.3%[7,8],是最常用的自旋霍尔材料㊂重金属合金AuW及CuBi报道的自旋霍尔角也达到10%以上[9,10]㊂此外,其它材料如半导体体系也是逆自旋霍尔效应的研究热点㊂2012年,Ando等[18]首次在室温下观测到p型半导体Si中的逆自旋霍尔效应,开拓了半导体中自旋霍尔效应及其逆效应的研究㊂此外,Olejník等[19]在外延的GaAs超薄膜中观测到逆自旋霍尔效应,并估算其自旋霍尔角θSHEʈ0.15%㊂有机聚合物体系中也被发现具有可观测的逆自旋霍尔效应[20,21]㊂Qaid等[20]在导电聚合物PEDOTʒPSS中观测到约2%的自旋霍尔角,进一步拓展了逆自旋霍尔效应的材料空间㊂另一方面,氧化物因其数量庞大的物质群及丰富多变的物理特性,一直以来都是凝聚态物理和材料研究的重点㊂而氧化物具有合成容易㊁性能稳定㊁价格低廉等特点,成为应用型功能材料的优先选项㊂自旋电子学领域的研究者很早就关注并对氧化物中的逆自旋霍尔效应进行了探索㊂在导电氧化物ITO㊁IrO2等材料中先后观测到逆自旋霍尔效应[22-24]㊂其中5d金属氧化物IrO2的自旋霍尔角达到6.5%[24],揭示了重金属氧化物作为自旋功能材料应用的可能,也拓展了氧化物体系中自旋霍尔功能材料的开发方向㊂本工作以导电氧化铋(Bi2O3)薄膜为研究对象,构建并制备了坡莫合金(Py)/Bi2O3的双层自旋泵浦器件㊂并利用自旋泵浦技术对Bi2O3中的逆自旋霍尔效应进行了系统的研究㊂首先在Bi2O3薄膜中观测并确认了逆自旋霍尔效应对应的电压信号;通过对Bi2O3薄膜厚度与信号强度的系统分析,确认该信号与自旋泵浦效应的等效电路模型预测相符;并定量地给出了Bi2O3薄膜的自旋霍尔角和自旋扩散长度㊂2㊀实验原理与方法本工作通过交流磁控溅射由烧结Bi2O3靶材制备了Bi2O3薄膜㊂通过控制成膜时气压(Ar:0.7Pa)及后期真空热处理工艺(<3ˑ10-5Pa,1h@500ħ),在具有热氧化层的硅基板上成功制备了导电Bi2O3薄膜㊂利用四端法确定Bi2O3薄膜的的电导率为2.1ˑ104Ω-1㊃m-1㊂通过改变成膜时间,系统地制备了膜厚范围在12~112nm的Bi2O3薄膜㊂并利用电子束沉积技术将10nm的Py薄膜与Bi2O3膜复合,构建了如图1a所示的Py/Bi2O3双层自旋泵浦器件㊂其中由10nm的Py单层薄膜测得的电导率为1.5ˑ106Ω-1㊃m-1㊂图1b是具有SiO2氧化层的硅基板上沉积的Py/Bi2O3双层膜的X射线衍射图谱,其中Py层与Bi2O3层的厚度分别为10和32nm㊂在2θ=69.1ʎ附近可观测到属于硅基板(400)晶面的强衍射峰;而2θ=27.7ʎ附近可以观测到微弱的特征衍射峰,对比衍射数据库可以判断该衍射峰来源于δ-Bi2O3的(111)晶面;除此之外,无明显可观测的衍射峰,由此判断器件中的Bi2O3为萤石结构的δ-Bi2O3相[25-27],并具备法线方向为[111]的择优取向㊂考虑到测得的薄膜电导率与离子导电的纯δ-Bi2O3的电导率之间存在差异[28],不能排除器件中的Bi2O3薄膜存在氧缺陷或伴生金属铋相从而导致薄膜的电导率上升㊂在衍射图谱中没有明显的氧化硅及Py特征峰,可以归因于氧化硅和Py均为非晶态结构且Py层膜厚过薄㊂图1㊀Py/Bi2O3双层膜器件及自旋泵浦实验设置示意图,H为外加磁场(a);具有SiO2氧化层的硅基板上Py/Bi2O3双层膜的X射线衍射图谱(b)Fig.1㊀Schematic illustration of the Py/Bi2O3bilayer system and spin-pumping set-up,H is the external magnetic field(a);XRD patterns of the Py/Bi2O3bilayer film on an oxidizedsilicon substrate(b)图1a还给出了自旋泵浦实验设置的示意图㊂实验样品置于TE011微波谐振腔中心,微波谐振腔特征频率为9.444GHz,此时样品处微波的电场分量取最小,而磁场分量取最大㊂同时在样品膜面方向上施加外磁场H㊂在微波的交变磁场与外磁场的共同作用下,当微波频率f 与外磁场大小H满足共振条件:757博看网 . All Rights Reserved.中国材料进展第40卷2πf =μ0γH FMR (H FMR +4πM s )(1)Py 中的铁磁共振被激发,其中γ和4πM s 分别是Py 薄膜的有效旋磁比和饱和磁化强度[29]㊂由自旋泵浦模型可知,此时Py 与Bi 2O 3薄膜界面产生自旋积累,纯自旋流J s 将通过界面注入到Bi 2O 3层中[20-22,29-36]㊂由于Bi 2O 3中的逆自旋霍尔效应,该自旋流将被转换为电流,并以电场E ISHE 的形式被检测㊂这里E ISHE :E ISHE ɖJ s ˑσ(2)其中,σ为磁性层的自旋极化矢量,E ISHE ,J s 与σ互为正交矢量时E ISHE 取最大值㊂E ISHE 可以通过Bi 2O 3表面两端的电极测量㊂3㊀结果与讨论图2a 给出了Py /Bi 2O 3双层膜器件中测得的典型铁磁共振微分吸收谱d I (H )/d H ㊂其中I 为微波吸收强度,H 为外磁场强度㊂由共振微分吸收谱可知,在H FMR ʈ99mT时,d I (H )/d H=0,即该磁场强度处微波吸收强度I 达到最大值,为Py 的铁磁共振场㊂图中正负峰值的间距对应图2㊀Py /Bi 2O 3双层膜铁磁共振微分吸收谱d I (H )/d H 和外加磁场H 的依存关系,I 为微波吸收强度(a);Py /Bi 2O 3双层膜中测得的电压信号V 与磁场强度H 的关系图,其微波功率为200mW(图中空心圆为实测数据,红色虚线为Lorentz 及其微分函数的拟合结果,蓝绿虚线分别为拟合曲线中的对称和反对称分量)(b)Fig.2㊀External magnetic field H dependence of the FMR signal d I (H )/d H for the Py /Bi 2O 3bilayer film,I denotes the microwave ab-sorption intensity (a);external magnetic field H dependence of the voltage signal V for the Py /Bi 2O 3bilayer film excited by mi-crowave with a power of 200mW (open circles are the experimen-tal data,the dash curves are the fitting results)(b)铁磁共振线宽W ,对比单层10nm 的Py 薄膜,Py /Bi 2O 3双层膜的铁磁共振线宽W 明显增大,表明在双层膜器件中由于铁磁共振的激发,产生了基于自旋泵浦效应的自旋流[31]㊂该自旋流通过Py /Bi 2O 3界面被注入到Bi 2O 3层㊂如图2b 所示,当固定微波功率为200mW 时,Py /Bi 2O 3双层膜在垂直于外磁场方向上可以测得与铁磁共振相对应的电压信号,其电压峰值对应的磁场基本与铁磁共振场H FMR 相符㊂利用Lorentz 及其微分函数拟合,可以很好地再现电压V 与磁场H 的依存关系(图2b)㊂其中,Lorentz 微分函数的反对称分量通常归因于自旋整流及其他效应的贡献[29,32-34]㊂从拟合参数可知反对称分量在整个电压信号中的占比小于5%㊂而Lorentz 函数的对称分量V s 主要归因于自旋泵浦产生的自旋流所对应的电压,其峰位与铁磁共振场H FMR 完全对应㊂同时考虑到无法排除对称信号中自旋整流效应的贡献,将电压信号中对称分量V s 定义为[28]:V s =V ISHE +V sr ㊂其中V ISHE 为逆自旋霍尔效应对应的电压信号,V sr 对应自旋整流效应的电压信号㊂图3a 和3b 分别给出了在外磁场方向不同的情况下测得的铁磁共振微分吸收谱d I (H )/d H 与电压信号V 对外磁场强度H 与铁磁共振场H FMR 的差值的依存关系图,其中外磁场方向角θH 的定义如图3c 中的插图所示㊂在改变外磁场方向角θH 的情况下,微波微分吸收谱的形状与线宽基本没有发生改变(图3a)㊂而电压信号V 随θH 的变化产生了较大的差异(图3b),当外磁场平行于膜面,即θH =ʃ90ʎ时,电压峰值取最大值,符号相反;当外磁场垂直于膜面,即θH =0ʎ时,电压峰信号消失㊂由式(2)可知,在自旋泵浦实验中逆自旋霍尔效应的信号大小与磁性层中的自旋极化方向相关,即E ISHE ɖsin θM ㊂这里θM 对应铁磁薄膜磁化方向与薄膜法线方向的夹角,可以根据铁磁共振场数据及外磁场方向角θH 计算获得[22,31,35]㊂考虑到薄膜样品中退磁场的影响,当且仅当磁场方向与膜面平行或在法线方向(即θH =ʃ90ʎ,0ʎ)时,铁磁薄膜的磁化方向与外磁场方向相同,此时E ISHE 取正负最大值和零㊂在Py /Bi 2O 3双层膜器件中测得的电压信号很好地符合了该实验模型㊂对所有外磁场方向角θH 下测得的电压数据进行Lorentz 及其微分函数拟合,分离出的电压信号对称分量V s 与外磁场方向角θH 的关系如图3c 所示㊂铁磁层Py 磁化强度M //H eff =H +H M ,这里H 为外加磁场,H M 为Py 薄膜的退磁场㊂V s 的磁场方向角θH 依存可以很好地基于自旋泵浦的动力学模型拟合[22,31,35,36],从而验证了V s中逆自旋霍尔效应的贡献占主导地位㊂857博看网 . All Rights Reserved.㊀第10期王孟怡等:导电氧化铋薄膜的逆自旋霍尔效应图3㊀不同外磁场方向角θH 下Py /Bi 2O 3双层膜的铁磁共振微分吸收谱d I (H )/d H (a)和电压信号V (b)与外磁场强度H 和铁磁共振场H FMR 差值的关系图;电压信号对称分量V s 与外磁场方向角θH 的关系图(实验数据表示为空心菱形,红色实线为拟合结果,插图中定义了外磁场方向角θH )(c)Fig.3㊀H -H FMR dependence of FMR signals d I (H )/d H (a)and voltagesignals V (b)for the Py /Bi 2O 3bilayer film at various out-planemagnetic field angles θH ;the out-plane magnetic field angle θHdependence of V s (the out-plane magnetic field angle θH is deter-mined in the insert)(c)㊀㊀图4a 中给出了在不同微波功率P MW 下的电压信号V 与外磁场H 的依存关系㊂与自旋泵浦模型的预期相符,电压峰值随着P MW 的增加而增大㊂图4b 为电压信号的对称分量V s 与微波功率P MW 的关系㊂由图可见,在微波功率为0~200mW 范围内,V s 与P MW 呈线性关系,与直流自旋泵浦模型的预测一致[22,30,35]㊂图5给出了Py /Bi 2O 3器件中的V s 对Bi 2O 3层厚度d N的依存关系㊂V s 随Bi 2O 3层厚度d N 的增大而减小,这基本可以归因于随Bi 2O 3层厚度d N 增加所导致的器件整体电阻的减小㊂该结果明显区别于Py /Bi 自旋泵浦器件中自旋泵浦信号随Bi层厚度的增加而先增加后减小的结图4㊀不同微波功率P MW 下的Py /Bi 2O 3双层膜的电压信号V 与磁场H 的关系图(a),电压信号对称分量V s 与微波功率P MW 的依存关系图(b)Fig.4㊀External magnetic field H dependence of voltage signals V for thePy /Bi 2O 3bilayer film at various microwave powers P MW (a),the P MW dependence of the voltage signal V s (b)果[37]㊂因此,在这里忽略可能存在的Rashba-Edelstein 效应等界面效应的影响,根据等效电路模型[29,31],同时考虑到Py 层中自旋整流效应的可能贡献,将V s 表示为[29]:V s =V ISHE +V sr=ωθSHE λtanh(d N /2λ)d N σN +d F σF 2e ћ()j 0s +j srd N σN +d F σF(3)其中,d N ㊁d F ㊁σN 和σF 分别表示Bi 2O 3层和Py 层的厚度d 和电导率σ;j 0s 是Py /Bi 2O 3界面处的自旋流密度,可以通过Py 层中铁磁共振线宽W 的变化量计算获得;j sr表示自旋整流效应对应的等效电流㊂利用式(3)对V s 与Bi 2O 3层厚度d N 依存关系的实验数据进行拟合,可以获得Bi 2O 3薄膜中的自旋霍尔角θSHE 及自旋扩散长度λ㊂如图5所示,拟合所得的θSHE 和λ的上限分别为0.7%和6.5nm,而θSHE 和λ的最佳估测值分别为0.5%和3.5nm㊂4㊀结㊀论本工作利用自旋泵浦效应首次在导电Bi 2O 3薄膜中观测并确认了逆自旋霍尔效应㊂在Py /Bi 2O 3双层膜中探测到的电压信号与逆自旋霍尔效应和自旋泵浦效应的模型相符㊂通过系统探讨逆自旋霍尔电压与Bi 2O 3薄膜厚度的关系,定量地给出了导电Bi 2O 3薄膜中的逆自旋霍尔角约为0.5%,自旋扩散长度约为3.5nm㊂导电Bi 2O 3中逆自旋霍尔效应的发现,不仅拓宽了逆自旋霍尔效应957博看网 . All Rights Reserved.中国材料进展第40卷图5㊀Py/Bi2O3双层膜中Bi2O3厚度d N与电压信号对称分量V s的依存关系(实验数据表示为空心圆,实线为式(3)的拟合结果,插图为Py/Bi2O3双层膜系统中考虑了逆自旋霍尔效应和自旋整流效应的等效电路图)Fig.5㊀The experimental and fitting results of Bi2O3thickness d N dependence of V s for the Py/Bi2O3bilayer films(the insert is theequivalent circuit of the Py/Bi2O3bilayer system,in which inversespin Hall effect and spin-rectification effect are both considered)材料的选择范围,也为新型自旋电子器件的设计和应用提供了新的选择㊂参考文献㊀References[1]㊀FLATTE M E.IEEE Transactions on Electron Devices[J],2007,54(5):907-920.[2]㊀TAKAHASHI S,MAEKAWA S.Science Technology Advanced Materi-als[J],2008,9(1):014105.[3]㊀SCHLIEMANN J.International Journal of Modern Physics B[J],2006,20:1015-1036.[4]㊀JUNGWIRTHT,WUNDERLICH J,OLEJNIK K.Nature Materials[J],2012,11(5):382-390.[5]㊀NIIMI Y,OTANI Y.Reports on Progress in Physics[J],2015,78(12):124501.[6]㊀SINOVA J,VALENZUELA S,WUNDERLICH J,et al.Reviews ofModern Physics[J],2015,87(4):1213-1260.[7]㊀SEKI T,HASEGAWA Y,MITANI S,et al.Nature Materials[J],2008,7(2):125-129.[8]㊀ALTHAMMER M,MEYER S,NAKAYAMA H,et al.Physical Re-view B[J],2013,87(22):224401.[9]㊀LACZKOWSKI P,ROJAS-SÁNCHEZ J C,SAVERO-TORRES M,etal.Applied Physics Letters[J],2014,104(14):142403. 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All Rights Reserved.㊀第10期中国材料进展特约编辑王聪特约编辑雷娜特约编辑刘恩克特约撰稿人方梅特约撰稿人魏大海王㊀聪:北京航空航天大学集成电路科学与工程学院教授,博士生导师㊂1995年在中国科学院物理研究所获得博士学位,曾先后在德国㊁法国㊁美国短期工作㊂长期从事反钙钛矿磁性功能材料㊁反铁磁自旋电子学材料,太阳能光热转换涂层㊁辐射致冷薄膜以及太阳能集热器等的研究㊂在Adv Mater,Phys Rev系列等刊物上发表论文近240篇,SCI他引超过3500次,2020年被评为爱思唯尔(Elsevier)中国被高引学者;授权国家发明专利13项,2012年获得教育部高等学校科学研究优秀成果自然科学二等奖;2020年获得中国材料研究学会科学技术二等奖㊂现兼任中国物理学会理事㊁中国晶体学会理事㊁中国物理学会粉末衍射专业委员会副主任㊁中国材料学会环境材料委员会副主任㊁国家能源太阳能热发电技术研发中心技术委员会委员㊁国际衍射数据中心(ICDD)委员㊁中国物理学会相图委员会委员㊁IEEE PES储能技术委员会(中国)储能材料与器件分委会委员㊂Journal of Solar EnergyResearch Updates主编㊂‘北京航空航天大学学报“‘硅酸盐学报“‘中国材料进展“等杂志编委㊂承担国家 863 项目,国家基金委重点项目等20余项,培养博士㊁硕士研究生近50名㊂雷㊀娜:女,1981年生,北京航空航天大学集成电路科学与工程学院副教授,博士生导师㊂主要研究方向为低维磁性材料的自旋调控,围绕电控磁的低功耗自旋存储与自旋逻辑器件方面取得一定成果,发表相关SCI论文30余篇,包括Nat Commun3篇,Phys Rev Lett,Phys RevAppl,Nanoscale各1篇等㊂其中1篇Nat Com-mun文章为ESI高被引论文;Phys Rev Appl上文章被编辑选为推荐文章㊂刘恩克:男,1980年生,中国科学院物理研究所研究员,博士生导师㊂2012年于中国科学院物理研究所获得博士学位,获中科院院长奖学金特别奖㊁中科院百篇优秀博士论文奖㊂2016~2018年作为 洪堡学者 赴德国马普所进行研究访问,合作导师为Claudia Felser和StuartParkin教授㊂主要从事磁性相变材料㊁磁性拓扑材料㊁磁性拓扑电/热输运等研究㊂在国际上首次实现了磁性外尔费米子拓扑物态,提出了全过渡族Heusler合金新家族,发现了 居里温度窗口 效应,提出了等结构合金化 方法等㊂已在Science,NatPhys,Nat Commun,SciAdv,PRL等期刊上发表学术论文200篇㊂曾获国家基金委 优青 基金㊁中科院青促会优秀会员基金㊁国家自然科学二等奖(4/5)等㊂方㊀梅:女,1984年生,中南大学物理与电子学院副教授,硕士生导师㊂长期从事功能薄膜㊁自旋电子器件的设计㊁制备与表征的研究工作,探索自旋电子学相关机理㊂以第一作者/通讯作者在Nature Com-munications(2篇)㊁Physical Review Applied,APL Materials,AppliedPhysics Letters等国际期刊上发表学术论文20余篇,获得国家授权发明专利1项㊂主持国家自然科学基金青年项目㊁湖南省自然基金面上项目㊁中国博士后科学基金一等资助和特别资助㊁中南大学 猎英计划 等项目多项㊂兼任PhysicalReview Letters,PhysicalReview Applied等10余个国际期刊审稿人㊂魏大海:男,1982年生,2009年博士毕业于复旦大学物理系,现任中国科学院半导体研究所研究员,博士生导师㊂2010~2015年先后在日本东京大学物性研究所㊁德国雷根斯堡大学开展博士后研究㊂主要致力于半导体自旋电子学的物理与器件研究,基于新型自旋电子材料开展注入㊁探测以及调控,通过自旋霍尔效应㊁自旋轨道矩等自旋相关输运现象,探索自旋流的各种新奇特性及其可能的应用㊂在Nature Com-munications㊁Phys RevLett,等期刊上发表40余篇论文㊂曾获 国家海外高层次青年人才 ㊁德国洪堡 学者奖金㊁亚洲磁学联盟青年学者奖,作为负责人入选首批中特约撰稿人邱志勇科院稳定支持基础研究领域青年团队 ,承担十三五 国家重点研发计划 量子调控与量子信息 专项青年项目㊂邱志勇:男,1978年生,大连理工大学材料科学与工程学院教授,博士生导师㊂长期从事功能材料与自旋电子学融合领域的研究工作,近年来在Nature Materi-als,Nature Comm,PRL,ACTA Mater等知名杂志上发表论文60余篇,H因子25,引用2200余次㊂依托材料开发背景,在自旋电子材料及自旋物理方向进行了长期研究,近两年以推进新一代磁存储器技术为目标,致力于反铁磁自旋电子学领域的开拓,取得了基于反铁磁材料的自旋物理及应用相关的一系列先驱性成果㊂167博看网 . 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辽宁工业大学2019年硕士研究生复试科目及参考书
080804
081000
通信原理
电子与信 息工程学 院
081200
1.C语言程序设 计算机科学 王珊 萨师煊 数据库系统概 计 数据库原理 与技术 论，高教出版社，2006 2.计算机组成 原理 电子与通信 工程 (专业学位) 1.数字信号处 樊昌信，通信原理，国防工 理 业出版社 2.高频电子线 路
080502 材料科学 与工程学 院
材料学
0416-4199650学 与工程学 院
080503
1.《冲压工艺学》华中理工大 学 肖景容，武汉工学院 姜奎 《铸件形成理论基础》，李 材料加工工 材料成型原 1.冲压工艺学 华主编 机械工业版社 庆春编，哈尔滨工业大学出 程 理 2.铸造工艺学 2.《铸造工艺学》王文清编， 版社。 清华大学出版社
081405
085213
1.建筑环境学（第三版），朱 《暖通空调》第三版 陆亚 颖心主编，中国建筑工业出版 俊等主编， 中国建筑工业 1.建筑环境学 社 出版社，2015 2.流体力学 2.流体力学（第二版），龙天 渝，蔡增机主编，中国建筑工 业出版社 1.《混凝土结构设计原理》， 第四版，东南大学、同济大学 《混凝土结构设计原理》， 防灾减灾工 1.混凝土结构 、天津大学合编，中国建筑工 混凝土结构 第六版，东南大学、同济大 程及防护工 设计原理 业出版社 设计原理 学、天津大学合编，中国建 程 2.材料力学 2.《材料力学》（第四版）， 筑工业出版社 孙训芳 主编，高等教育出版 社 混凝土结构 设计原理 1.《结构力学I》-基本教程 （市政工程 《混凝土结构设计原理》， （第2版），龙驭球、包世华 建筑与土木 、供热、供 第六版，东南大学、同济大 1.结构力学 主编，高等教育出版社 工程(专业学 燃气、通风 学、天津大学合编，中国建 2.材料力学 2.《材料力学》（第四版）， 位) 及空调工程 筑工业出版社 孙训芳 主编，高等教育出版 考生考本方 社 向专业课） 供热、供燃 气、通风及 空调工程 暖通空调 1.《互换性与测量技术基础》 《机械制造技术基础》，熊 1.互换性与测 机械制造及 机械制造基 王伯平主编,机械工业出版社 良山主编，华中科技大学出 量技术基础 其自动化 础 2.《机械原理》，孙恒主编， 版社 2.机械原理 高等教育出版社 1.《互换性与测量技术基础》 《机械制造技术基础》，熊 1.互换性与测 机械电子工 机械制造基 王伯平主编,机械工业出版社 良山主编，华中科技大学出 量技术基础 程 础 2.《机械原理》，孙恒主编， 版社 2.机械原理 高等教育出版社
电工电子技术教案(封皮第一章)
罗定职业技术学院教案2009 ~ 2010学年第 1 学期课程名称电工电子技术授课对象 09级数控技术、09数控设备主讲教师符特教师系室机电工程系数控教研室选用教材《电工电子技术基础》第1版谷立新西南师范大学出版社学时/学分 60学时 / 3学分罗定职业技术学院2009年8月一、课程的性质与任务本课程是高等工科学校非电类专业的一门技术基础课。
电工电子技术发展非常迅速，应用极为广泛，并且日益渗透到其它各学科领域，在我国社会主义现代化建设中占有重要的地位。
通过本课程的实习实训，使学生能在学习理论知识的基础上掌握交直流电路、模拟电路和数字电路的实践操作过程，掌握简单电路的构成和分析方法，为学习后续课程的学习以及从事本专业的工程技术工作和科学研究打下必要的基础。
二、课程教学目标通过本课程的教学，应使学生达到下列基本要求：1、使学生获得电工电子技术的基本理论、基本知识和基本技能；2、使学生了解电工电子技术发展概况和应用前景；3、培养学生分析、解决问题的能力和实践技能。
三、学时分配表四、教材《电工电子技术基础》第1版．谷立新．西南师范大学出版社五、几点说明1、课堂讲授：在多媒体课室利用实物及实物投影仪、多媒体课件和课堂板书等授课。
根据专业特点，理论联系实际，采用简洁、直观、形象的教学方式。
2、考核方式：采用平时考查和期末考试相结合的方式。
3、能力培养要求：着重培养学生的自学能力、分析问题及解决问题的能力。
使学生通过本课程的学习，获得电工电子技术的基本理论、基本知识和基本技能，了解电工电子技术发展概况和应用前景。
罗定职业技术学院教案罗定职业技术学院教案图1-1．平行板电容器：由两块相互平行、靠得很近、彼此绝缘的金属板所组成的电容器，平行板电容器。
是一种最简单的电容器。
右图为平板电容器的示意图。
（二）电容C结合平行板电容器说明：当电容器极板上所带的电量Q增加或减少时，两极板间的电压U也随之增加或减少，但Q与U的比值是一个恒量，不同的电容器，Q/U的值不同。
电力电子课程设计
一、 过电压的产生及抑制方法1． 过电压产生的原因对于IGBT 开关速度较高，IGBT 关断时，产生很高的di/dt ，由于模块周围的接线的电感，于是产生了L di/dt 电压（关断浪涌电压）。
这里，以IGBT 关断时的电压波形为例，介绍产生原因和抑制方法，以具体电路（均适用IGBT/FWD ）为例加以说明。
为了能观测关断浪涌电压的简单电路，在图1中以斩波电路为例，在图2中示出了IGBT 关断时的动作波形。
图1-1 斩波电路关断浪涌电压是因IGBT 关断时，主电路电流急剧变化，在主电路分布电感上就会产生较高的电压。
关断浪涌电压的峰值可用下式求出：V CESP =E d ＋(-L dI c /dt)式中dl c /dt 为关断时的集电极电流变化率的最大值；V CESP 为超过IGBT 的C-E 间耐压(V CES )以至损坏时的电压值。
V CE :IGBT 的C-E 间电压 V CESP ：关断浪涌电压尖峰值 2C ：IGBT 的集成极电流 图1-2 关断时动作波形2．过电压抑制方法作为过电压产生主要因素的关断浪涌电压的抑制方法有如下几种：（1）在IGBT中装有保护电路（=缓冲电路）可吸浪涌电压。
缓冲电路的电容采用薄膜电容，并靠近IGBT配置，可使高频浪涌电压旁路。
（2）调整IGBT的驱动电路的V CE或R C，使di/dt最小。
（3）尽量将电件电容靠近IGBT安装，以减小分布电感，采用低阻抗型的电容效果更佳。
（4）为降低主电路及缓冲电路的分布电感，接线越短越粗越好，用铜片作接线效果更佳。
图1-1为过电压抑制措施及配置位置。
图1-1 过电压抑制措施及配置位置F—避雷针D—变压器静电屏蔽层C—静电感应过电压抑制电容RC1—阀侧浪涌过电压抑制用RC电路RC2—阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路RV—压敏电阻过电压抑制器RC3—阀器件换相过电压抑制用RC电路RC4—直流侧RC抑制电路RCD—阀器件关断过电压抑制用RCD电路二、缓冲电路的种类和特点1、个别缓冲电路（1）RC缓冲电路RC缓冲电路的关断浪涌电压抑制效果好，最适合于斩波电路。
辽宁工业大学高频课设插入载波包络检波解调电路设计
高频电子线路课程设计(论文)插入载波包络检波解调电路设计院（系）名称电子与信息工程学院专业班级学号学生姓名指导教师起止时间：课程设计（论文）任务及评语注：平时成绩占20%，答辩成绩占40%，论文成绩占40%。
摘要本课程设计主要介绍单边带调制解调电路的设计。
学习和掌握电路设计的方法和仿真软件，并综合运用所学知识完成常规调幅的设计。
本设计的技术指标是采用乘法器来实现DSB的调制，然后经过带通滤波器滤除一个边带，得到单边带调幅波，解调时采用同步检波法实现。
同步检波器用于对载波被抑止的双边带或单这带信号进行解调。
它的特点是必须外加一个频率和相位部与被抑止的载波相同的电压。
同步检波的名称即由比而来，外加载波信号电压加入周步检波器可以有两种方式：一种是将它与接收信号在检波器中相乘，经低通滤波器后，检出原调制信号，另一种是权巳与接收信号相加，经包络检波器后取出原调制信号。
包络检波是一个解调的过程，它与调制过程相反，检波器的作用是从振幅受调制的高频信号中还原出原调制信号。
还原所得的信号与高频调幅信号的包络变化规律一致。
本次课程设计为插入载波的包络检波解调电路的设计，实现对单边带信号的解调。
本设计主要是载波信号和调制信号通过一个乘法器，再通过一定频率的低通滤波器产生单边信号，再经过包络检波电路得到解调后的输出波形。
本次课程设计的目的是一方面使我们能够进一步理解课程内容，基本掌握数字系统设计和调试的方法，增加集成电路应用知识，培养我们分析、解决问题的能力，掌握了使用MULTISIM软件的仿真及应用。
另一方面也可使我们更好地巩固和加深对基础知识的理解，学会设计中小型高频电子线路的方法，独立完成调试过程，增强我们理论联系实际的能力，提高电路分析和设计能力。
通过实践引导我们在理论指导下有所创新，为专业课的学习和日后工程实践奠定基础，通过设计，一方面可以加深我们的理论知识，另一方面也可以提高我们考虑问题的全面性，将理论知识上升到一个实践的阶段。
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电力电子技术课程设计——三相交流调压电路的设计
姓名：
班级：
学号：
指导教师：刘春喜
李国华
张继华
完成日期：
《电力电子技术》课程设计基本要求
纸型：A4、纵向、单面打印
页边距：上2.5 cm 下2. 5cm 左2.5 cm 右2cm
页眉1.5cm (设计名称：宋体小五，居中) 页脚1.75cm（页码）左侧装订，顺序如下：
（1）封皮
要求包括如下各项：（见模版）
（2）教务科下发的《课程设计成绩评定表》（有模版）
（3）设计任务书（有模版）
（4）摘要
用300字以内概述你选择设计题目的特点，设计的重点，得出的结论等。
（5）目录
（6）正文
章题序要求黑体小二号、编号左顶格、编号后空一个字距。
节题序要求黑体小三号。
三级题序要求黑体四号。
各级标题左顶格，章与章之间不作接续，另起页。
字体：正文全部宋体，小四号，标准字符间距。
西文、数字等符号采用Times New Roman字体，小四号。
行距：单倍。
图表用计算机绘制，图表标题按章编号，如图3-1，表3-6等。
图表标题居中，图名置图下方，表名置表上方，单倍行距、宋体5号。
（7）结论
结论是正文中的一部分，独占一页（结论不得写成心得体会或收获、感想，应是对本设计内容的总结）。
（8）本设计的体会（独占一页）。
（9）参考文献（独占一页）。
注:1、绝对不能出现雷同设计，否则都按“不合格”处理。
2、直接从网上下载未经修改的论文将被评定为“不合格”。
3、图表必须本人用计算机绘制，否则将被评定为“不合格”。
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辽宁工程技术大学
课程设计成绩评定表。