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电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
2.单相调压电路带电阻负载,其导通控制角的移相范围为_0-180O_,随的增大,Uo_降低_,功率因数_降低__。
3.单相交流调压电路带阻感负载,当控制角<(=arctan(L/R) )时,VT1的导通时间_逐渐缩短_,VT2的导通时间__逐渐延长_。
4.根据三相联接形式的不同,三相交流调压电路具有多种形式,TCR属于_支路控制三角形_联结方式,TCR的控制角的移相范围为_90O-180O_,线电流中所含谐波的次数为_6k±1_。
度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路;升压斩波电路;升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200-9,请说明KK快速晶闸管;200表示表示200A,9表示900V。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O_,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_ ;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O_,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ _和__ _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。。

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路;升压斩波电路;升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200-9,请说明KK快速晶闸管;200表示表示200A,9表示900V。
4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波波,输出电流波形为方波波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。
18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR _,属于复合型电力电子器件得有__ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR _。
2.单相调压电路带电阻负载,其导通控制角的移相范围为_0-180O_,随的增大,Uo_降低_,功率因数_降低__。
3.单相交流调压电路带阻感负载,当控制角<(=arctan(L/R) )时,VT1的导通时间_逐渐缩短_,VT2的导通时间__逐渐延长_。

电力电子技术期末测验试题及答案

电力电子技术期末测验试题及答案

电力电子技术期末测验试题及答案————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。

6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。

18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。

2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ;第2章 整流电路1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。

2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O_ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。

(完整版)电力电子技术期末考试试题及答案

(完整版)电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子复习姓名:***电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。

6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。

9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。

15.IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。

16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术期末考试试题及答案电力电子复习姓名:电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。

6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。

9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。

15.IGBT的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET。

16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。

电力电子技术期末考试卷和答案

电力电子技术期末考试卷和答案

一、 填空题(每空1分,共26分)1. 将直流电变为交流电称为逆变。

当交流侧接在电网上,即交流侧接有电源时, 称为 ;当交流侧直接和负载相连时,称为 。

2. PWM 逆变电路根据直流侧电源性质的不同,也可分为 和两种。

目前实际应用的PWM 逆变电路几乎都是 电路。

3. 三相桥式全控整流电路,若整流变压器副边电压2u t ω=V,带反电动势阻感负载,030=α,则整流输出平均电压d U = 。

4. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以将电力电子器件分为以下三类: 、 和 。

5.电力半导体器件由于承受过电压、过电流的能力太差,所以其控制电路必须设有 和 保护电路。

6. 晶闸管导通的条件有二:一是 ,二是 。

7. 电力电子器件驱动电路的任务是将。

驱动电路还要提供 。

8. 若晶闸管电流的有效值是314A ,则其额定电流为 A 。

若该晶闸管 阴、阳极间所加电压为100sin t ωV ,则其额定电压应为 V 。

(不考 虑晶闸管电流、电压的安全裕量。

)9. 电力变换通常可分为四大类,即交流变直流、 、 和 。

10. 电子技术包括 和 两大分支。

11. 在电压型逆变电路的PWM 控制中,同一相上下两个桥臂的驱动信号是 的。

但实际上为了防止上下两个桥臂直通而造成短路,在上下两臂通断切换时要留一小段上下臂都施加关断信号的 。

12. 在三相全控桥整流电路中,触发脉冲可采用 触发与 触发两种方法。

1.有源逆变 无源逆变 2.电压型 电流型 3.11734.半控型器件 不控型器件 全控型器件 5.过电压保护 过电流保护6.有正向阳极电压 门极有足够大的触发电流7.按控制目标的要求施加开通或关断的信号,对半控型器件提供开通控制信号,对全控型器件则既要提供开通控制信号,又要提供关断控制信号。

提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节8. 200A 100V 9. 直流变交流 交流变交流 直流变直流10. 信息电子技术 电力电子技术 11. 互补 死区时间 12. 双窄脉冲 单宽脉冲二、单项选择题 13. c 14. d 15. b 16. b 17. d13. 下列电力半导体器件中,( )最适合用在小功率、高开关频率的电力电子电路中。

电力电子技术期末复习10套及答案

电力电子技术期末复习10套及答案

电力电子技术期末复习10套及答案考试试卷(1)卷一、填空(这道题有8个小问题,每个空白1分,共20分)1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2.为了降低自身损耗,提高效率,电力电子设备一般工作在开关状态。

当设备的工作频率较高时,开关损耗将成为主要损耗。

3、在pwm控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______,当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。

4.面积等效原则指的是___________________________基本相同。

5.在GTR、GTO、IGBT和MOSFET中,开关速度最快的是MOSFET,最大的单管输出功率是多少6、设三相电源的相电压为u2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其最大正向电压为。

7.如果逆变器电路的负载连接到电源,则称为逆变器。

如果它与负载相连,则称为逆变器。

8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用v1,vd1,v2,vd2表示)。

(1)在从0到T1的时间段内,当前路径为__;(2)在T1~T2时间段内,电流路径为__;(3)t2~t3时间段内,电流的通路为_______;(4)t3~t4时间段内,电流的通路为_______;(5)t4~t5时间段内,电流的通路为_______;二、多项选择题(本题共有10个子题,前4题各得2分,其余各得1分,共计14分)1、单相桥式pwm逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是()a、 V1和V4打开,V2和V3关闭,B和V1正常打开,V2正常关闭,V3和V4交替打开和关闭,C,V1和V4关闭,V2和V3打开d、v1常断,v2常通,v3与v4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是()a、当晶闸管的触发角大于电路的功率因数角时,晶闸管的导通角小于180度b、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作c、晶闸管的触发角小于电路的功率因数角。

电力电子技术期末考试试题与答案

电力电子技术期末考试试题与答案

电力电子技术期末考试试题与答案电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态.2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。

3。

电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__. 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_.6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_.7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ .9。

对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。

10。

晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。

11。

逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件.12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13。

MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__.14。

电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。

15。

IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。

16。

按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

电力电子技术期末考试试题及答案-

电力电子技术期末考试试题及答案-

电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、_双极型器件_ 、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。

6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。

9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。

15.IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。

16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。

电力电子技术期末考试试题及答案(1)

电力电子技术期末考试试题及答案(1)

电力电子技术期末考试试题及答案(1)电力电子技术试题第 1 章电力电子器件1.电力电子器件普通工作在 __开关__状态。

2.在通常事情下,电力电子器件功率损耗要紧为 __通态损耗 __,而当器件开关频率较高时,功率损耗要紧为 __开关损耗 __。

3.电力电子器件组成的系统,普通由 __操纵电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加 _爱护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的事情,电力电子器件可分为 _单极型器件 _ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件 _三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通,承受反相电压截止_。

6.电力二极管的要紧类型有 _一般二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。

7. 肖特基二极管的开关损耗 _小于快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。

9.对同一晶闸管,维持电流 IH与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于__IH 。

10.晶闸管断态别重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为, UDSM_大于 __Ubo。

11.逆导晶闸管是将 _二极管_与晶闸管 _反并联_(怎么连接)在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的__多元集成 __结构是为了便于实现门极操纵关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区 __。

14.电力 MOSFET的通态电阻具有 __正 __温度系数。

15.IGBT 的开启电压 UGE(th )随温度升高而 _略有下落 __,开关速度 __小于__电力 MOSFET。

16.按照驱动电路加在电力电子器件操纵端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型_两类。

电力电子技术期末考试试题与答案

电力电子技术期末考试试题与答案

电力电子技术试题第1章电力电子器件J 电力电子器件一般工作在 —开关— 状态。

冬在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗—,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为—开关损耗—。

3. 电力电子器件组成的系统,一般由—控制电路__、_驱动电路_、 _主电路—三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加 —保护电路.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为 一单极型器件_、 一双极型器件_、一复合型器件_三类。

L 电力二极管的工作特性可概括为—承受正向电压导通,承受反相电压截止_。

匚电力二极管的主要类型有 一普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。

7_肖特基二极管的开关损耗 _小于_快恢复二极管的开关损耗。

L 晶闸管的基本工作特性可概括为 —正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止—。

生对同一晶闸管,维持电流IH 与擎住电流IL 在数值大小上有IL__大于—IH 。

10. 晶闸管断态不重复电压 UDSM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为,UDSM 大于__UbOo 11_逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_ (如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。

虫GTO 勺__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13. MOSFET 勺漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的 区对应后者的 — 放大区__、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区—。

14. 电力MOSFET 勺通态电阻具有—正—温度系数。

15J GBT 的开启电压UGE (th )随温度升高而_略有下降—,开关速度—小于—电力MOSFET 。

生按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为 _电压驱动型_和一电流驱动型_两类。

17J GBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有 —负—温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有 —正—温度系数。

《电力电子技术》试卷A及答案

《电力电子技术》试卷A及答案

《电力电子技术》课程期末试卷(A卷)班级:姓名:学号成绩一、填空(每空1分,共30分)1.电力电子技术是一门综合了电子技术、控制技术和电力技术的新兴交叉学科。

2.未来电力电子技术的发展趋势是智能化、高频化、大功率化、模块化。

3.电力电子器件在电力电子电路中功能大致相同,具有开关特性,主要工作在开关状态。

4.PN结是由P型半导体和N型半导体结合构成,其中P型半导体内的多子是空穴,N型半导体内的多子是电子。

5.电力电子器件按器件的开关控制特性可以分为不可控器件、半控型器件和全控型器件,其中,二极管属于不可控器件、晶闸管属于半控型器件、三极管和MOSFET属于全控型器件。

6.电力二极管的导电特性可概括为承受正向电压承受反向电压截止。

7.晶闸管有三个电极,它们是阳极A、阴极K和门极G。

8.晶体管有两个特性,分别是开关特性、放大特性。

9.二极管的英文简称是PD ,电气符号为;晶体管的英文简称是GTR ,电气符号为。

10.按照稳压控制方式分类,直流变换电路可分为脉冲宽度调制和脉冲频率调制两种。

11.按照输入电源的性质,逆变电路分为电压型逆变电路和电流型逆变电路两种。

12.一般情况下,电力电子装置由控制电路、驱动电路、检测电路、主电路四部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加保护电路。

二、单选题(每空2分,共20分)1.可关断晶闸管属于(B)。

A. 不可控器件B. 全控器件C. 半控器件2.晶闸管是由(C)层半导体组成,形成(B)个PN结。

A. 二B. 三C. 四D. 五3.电力晶体管(GTR)一般采用(A)接法。

A. 共射极B. 共阳极C. 共集电极D. 共基极4.只有当阳极电流小于(A)电流时,晶闸管才会由导通转为截止。

A. 维持电流B. 擎住电流C. 通态电流D. 额定电流5.三相桥式逆变电路与单相桥式逆变电路相比,输出电压的谐波系数(B)。

A. 三相比单相的大B. 单相比三相的大C. 一样大6.三相全控桥整流装置中一共用了(B)晶闸管。

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术期末考试试题及答案

¥电力电子复习姓名:杨少航电力电子技术试题]第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。

6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。

9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。

的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。

的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。

16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。

电力电子技术习题与参考答案

电力电子技术习题与参考答案

电力电子技术习题与参考答案一、单选题(共25题,每题1分,共25分)1.三相桥式全控整流电路,电阻性负载时的移相范围为()度。

A、0~120B、0~90C、0~180D、0~150正确答案:A2.电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是()。

A、0°~150°B、0°~120°C、15°~125°D、30°~150°正确答案:A3.电力电子器件一般工作在()状态A、开关B、放大C、开关和放大D、其他正确答案:A4.目前,在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是()。

A、SCRB、GTOC、MOSFETD、IGBT正确答案:D5.在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差()度。

A、180度B、60度C、120度D、360度正确答案:A6.为了防止逆变失败,最小逆变角限制为(),单位为度。

A、40~45B、20~25C、10~15D、30~35正确答案:D7.三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态的条件是()A、α=л/4B、α<л/2C、α>л/2D、α=л/3正确答案:C8.可实现有源逆变的电路为()。

A、单相半控桥整流电路B、三相半控桥整流桥电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、三相半波可控整流电路正确答案:D9.三相半波可控整流电路的自然换相点是()A、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处C、交流相电压的过零点D、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°正确答案:B10.α为()度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。

A、120度,B、60度C、0度D、30度正确答案:D11.具有自关断能力的电力半导体器件称为()A、不控型器件B、半控型器件C、全控型器件D、触发型器件正确答案:C12.电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是()A、15°~125°B、30°~150C、0°~150°D、0°~120°正确答案:C13.在晶闸管应用电路中,为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是()A、触发电压信号B、触发电流信号C、干扰信号和触发信号D、干扰信号正确答案:D14.三相桥式全控整流电路,大电感负载,当α=()时整流平均电压Ud=0。

电力电子技术期末习题和答案

电力电子技术期末习题和答案

第一章复习题1.使晶闸管导通的条件是什么?答:当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。

2.维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:(1)维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。

(2)若要使已导通的晶闸管关断,只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。

3.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?答:(1)GTO在设计时,a2较大,这样晶体管v2控制灵敏,易于GTO关断;(2)GTO导通时a1+a2的更接近于1,普通晶闸管a1+a2≥1.5,而GTO则为约等于1.05,GTO的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制提供了有利条件;(3)多元集成结构每个GTO元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,使得p2极区所谓的横向电阻很小,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。

4.如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏?答:(1)一般在不用时将其三个电极短接;(2)装配时人体,工作台,电烙铁必须接地,测试时所有仪器外壳必须接地;(3)电路中,栅,源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高。

(4)漏,源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。

5.IGBT,GTR,GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?答:IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT 的驱动多采用专用的混合集成驱动器。

GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。

GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路,关断驱动电路和门极反偏电路三部分。

电力电子技术期末考试试题及答案-

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电力电子技术试题第1章电力电子器件1. 电力电子器件一般工作在开关状态。

_______________2. 在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为通态损耗, 而当 器件开关频率较 ----------------- 高时,功率损耗主要为开关损耗。

3. 电力电子器件组成的系统,一般由控制电路、 主电路_三部分 __________________________________ 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况, 电力电子器件 可分为_单极型 --------------- 器件_、_双极型器件_、_复合型 器件_三类。

______________________________________________5. 电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通,承受反相电压截止。

--------------------------------------------------------6. 电力二极管的主要类型有—普通二极管_、_快恢复二极管_、 肖特基二极管_。

------------------------------------------------- -----------------7.肖特基二极管的开关损耗 _小于_快恢复二极 管的开关损耗。

----------驱动电路_、_____ 组成,保护电路。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则截------------------------------------------------------- ---- 一丨止。

9.对同一晶闸管,维持电流与擎住电流在数值大小上有大于。

----- ---10.晶闸管断态不重复电压与转折电压数值大小上应为,大于。

----- -----11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_ (如何连接)在同一管芯上的功 ------------------------------- 率集成器件。

20级《电力电子技术》学习通超星期末考试答案章节答案2024年

20级《电力电子技术》学习通超星期末考试答案章节答案2024年

20级《电力电子技术》学习通超星期末考试章节答案2024年1.或逻辑中,Y=1+1=()。

答案:12.1的非等于()。

答案:03.在决定某事件的条件中,只要任一条件具备,事件就会发生,这种因果关系叫做()逻辑。

答案:或4.当决定某事件的全部条件同时具备时,事件才会发生,这种因果关系叫做()逻辑。

答案:与5.异或逻辑的逻辑表达式为()。

答案:Y=A⊕B6.将十进制数37.48转换为二进制数为(),小数点后保留3位。

答案:100101.0117.将二进制数1001101.01转换为十六进制数为()。

答案:4D.48.将二进制数1001101.01转换为八进制数为()。

答案:115.29.将八进制数123.4转换为十进制数为()。

答案:83.510.一位十六进制数可以用()位二进制数来表示。

答案:411.数字信号的特点是()。

答案:在时间上和幅值上都是离散的12.与半桥逆变电路相比,全桥逆变电路的电压、电流的幅值均增加了一倍。

答案:对13.半桥电路常用于几千瓦以下的小功率逆变器。

答案:对14.全桥电路中,两对导电臂交替导通()度。

答案:18015.当交流侧接有电源时,称为()逆变。

答案:有源16.逆变电路是将()转换为()的电路。

答案:直流电;直流;交流电;交流17.以相数分类,整流电路可以分为单相整流电路和三相整流电路。

答案:对18.在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路出故障时会出现失控现象。

答案:对19.晶闸管在一个周期内导通的电角度,称为()。

答案:导通角20.从晶闸管开始承受正向电压到施加触发脉冲导通为止的电角度,称为()或()。

答案:控制角;触发角21.相控整流电路按其组成器件可分为()和()两种形式。

答案:半控;全控22.整流电路是一种把()转换成()或()的电路。

答案:交流电压;直流电压;可调直流电压23.GBT综合了()和()两种电力电子器件的优点,因而具有良好的特性。

答案:MOSFET;GTR;MOSFET;GTR24.IGBT的电极分别是()、()、()。

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10.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合;
SPWM脉宽调制型变频电路的基本原理是:对逆变电路中开关器件的通断进行有规律的调制,使输出端得到等高不等宽脉冲列来等效正弦波。
第4章 交流—交流电力变换电路
1.改变频率的电路称为_变频电路_,变频电路有交交变频电路和_交直交变频_电路两种形式,前者又称为_直接变频电路__,后者也称为_间接变频电路_。
43、有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量后送给电网的装置。
44、给晶闸管阳极加上一定的正向电压;在门极加上正向门极电压,并形成足够的门极触发电流,晶闸管才能导通。
45、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时单相桥式半控整流桥,,与三相桥式半控整流桥电路会出现失控现象。
2、根据对输出电压平均值进行控制的方法不同,直流斩波电路可有哪三种控制方式?并简述其控制原理。
答:(1)第一种调制方式为:保持开关周期不变,改变开关导通时间ton称为脉宽调制。简称“PWM”调制。
(2)第二种调制方式为:保持开关导通时间ton不变,改变开关周期,称为频率调制。简称为“PFM”调制。
(3)第三种调制方式为:同时改变周期T与导通时间ton。使占空比改变,称为混合调制。。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200-9,请说明KK快速晶闸管;200表示表示200A,9表示900V。
15、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲;主要用于驱动小功率的晶闸管;锯齿波同步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲;可以触发大功率的晶闸管。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O_,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_ ;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O_,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ _和__ _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。)
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路;升压斩波电路;升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR _,属于复合型电力电子器件得有__ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是;电力场效应晶体管的图形符号是
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于__ _,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连续的条件为__ __(U2为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o_,当它带阻感负载时,的移相范围为__0-90o_。
47、造成逆变失败的原因有逆变桥晶闸管或元件损坏,供电电源缺相,逆变角太小,触发脉冲丢失或未按时到达,等几种。
49、对三相桥式全控变流电路实施触发时,如采用单宽脉冲触发,单宽脉冲的宽度一般
取90º度较合适;如采用双窄脉冲触发时,双窄脉冲的间隔应为60º度。
50、三相半波可控整流电路电阻性负载时,电路的移相范围0º--150º,三相全控桥电阻性负载时,电路的移相范围0º--120º,三相半控桥电阻性负载时,电路的移相范围0º--150。
2、实现有源逆变必须满足哪两个必不可少的条件?
直流侧必需外接与直流电流Id同方向的直流电源E,其数值要稍大于逆变器输出平均电压Ud,才能提供逆变能量。
逆变器必需工作在β<90º(α>90º)区域,使Ud< 0,才能把直流功率逆变为交流功率返送电网。
2、PWM逆变电路的控制方法主要有哪几种?简述异步调制与同步调制各有哪些优点?
答:(1)PWM逆变电路的常用控制方法有两种,一是计算法;二是调制法。其中调制法又可分为两种,一是异步调制法;二是同步调制法。
(2)通常异步调制法是保持载波频率不变,信号频率根据需要而改变时,载波比是变化的。优点是:信号频率较低时载波比较大,一周期内脉冲数较多,输出较接近正弦波。
(3)同步调制时,保持载波比为常数,并在变频时使载波和信号波保持同步变化。优点是:信号波一周内输出的脉冲数是固定的,脉冲相位也是固定的,对称性好。
18、直流斩波电路在改变负载的直流电压时,常用的控制方式有等频调宽控制;等宽调频控制;脉宽与频率同时控制三种。
19、由波形系数可知,晶闸管在额定情况下的有效值电流为ITn等于1.57倍IT(AV),如果IT(AV)=100安培,则它允许的有效电流为157安培。通常在选择晶闸管时还要留出1.5—2倍的裕量。
1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。
51、锯齿波触发电路的主要环节是由同步环节;锯齿波形成;脉冲形成;整形放大;强触发及输出环节组成。交流电力控制电路包括交流调压电路,即在没半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制,调节输出电压有效值的电路,调功电路即以交流电的周期为单位控制晶闸管的通断,改变通态周期数和断态周期数的比,调节输出功率平均值的电路,交流电力电子开关即控制串入电路中晶闸管根据需要接通或断开的电路。
31、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 。三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 。(电源相电压为U2)
32、要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用
大于60º小于120º的宽脉冲,触发;二是用脉冲前沿相差60º的双窄脉冲触发。
37、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角角,用α表示。
7.Sepic斩波电路和Zeta斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta斩波电路_的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。
2.单相调压电路带电阻负载,其导通控制角的移相范围为_0-180O_,随的增大, Uo_降低_,功率因数_降低__。
3.单相交流调压电路带阻感负载,当控制角<(=arctan(L/R) )时,VT1的导通时间_逐渐缩短_,VT2的导通时间__逐渐延长_。
6.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为__交交变频电路_。
52、单相桥式可控整流电路带电阻性负载,在控制角为a时,其输出的直流电压为 。
电力电子技术问答分析题
1、晶闸管两端并联R、C吸收回路的主要作用有哪些?其中电阻R的作用是什么?
R、C回路的作用是:吸收晶闸管瞬间过电压,限制电流上升率,动态均压作用。R的作用为:使L、C形成阻尼振荡,不会产生振荡过电压,减小晶闸管的开通电流上升率,降低开通损耗。、
40、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管管、它的额定电压为800V、伏、额定电流为100A安。
41、实现有源逆为的条件为要有一个直流逆变电源,它的极性方向与晶闸管的导通方向一致,其幅极应稍大于逆变桥直流侧输出的平均电压;逆变桥必须工作在β<90º(即α>90º)区间,使输出电压极性与整流时相反,才能把直流能量逆变成交流能量反送到交流电网。
20、通常变流电路实现换流的方式有器件换流,电网换流,负载换流,强迫换流四种。
21、在单相交流调压电路中,负载为电阻性时移相范围是 ,负载是阻感性时移相范围是 。
25、普通晶闸管的图形符号是,三个电极分别是阳极A,阴极K和门极G晶闸管的导通条件是阳极加正电压,阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通;关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流IH时,导通的晶闸管关断。.。
电力电子技术试题
第1章 电力电子器件
1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
绝缘栅双极晶体管的图形符号是;电力晶体管的图形符号是;
第2章 整流电路
1.电阻负载Βιβλιοθήκη 特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。
2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O_,其承受的最大正反向电压均为_ __,续流二极管承受的最大反向电压为__ _(设U2为相电压有效值)。
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