新型电流微调CMOS带隙基准源的设计

新型电流微调CMOS带隙基准源的设计
吴日新;戴庆元;谢芳
【期刊名称】《半导体技术》
【年(卷),期】2009(34)9
【摘要】介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。

该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。

仿真结果显示,在输出基准为1.24V 的情况下,带隙基准源在-40～125℃,所有工艺角下的最大误差为23.07mV,其中tt 工艺角下的温度系数为21×10-6/℃。

电源电压为1.8V时,电源电流为63μA;关断模式下电流为93pA。

10kHz的电源抑制比为44dB。

【总页数】4页(P919-922)
【关键词】CMOS带隙基准;电流微调;关断模式
【作者】吴日新;戴庆元;谢芳
【作者单位】上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室
【正文语种】中文
【中图分类】TN432
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