电子从不同晶向Si隧穿快速热氮化SiO_2膜的电流增强及模型解释

电子从不同晶向Si隧穿快速热氮化SiO_2膜的电流增强及模
型解释
冯文修;陈蒲生;田浦延;刘剑
【期刊名称】《半导体学报：英文版》
【年(卷),期】2001(22)11
【摘要】用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) 10 nm Si O2 膜 ,制备了〈10 0〉和〈111〉晶向 Si衬底上的 Si- Si Ox Ny-Al电容结构 .研究了电子从〈10 0〉和〈111〉不同晶向 N型硅积累层到 RTN后 Si O2 膜 (或原始 Si O2 膜 )的漏电流和高场 F- N隧穿电流 .研究结果表明 :经 RTN Si O2 膜比原始 Si O2 膜从低场到隧穿电场范围都明显地看到电导增强现象 .比较 RTN后两种不同晶向样品 ,低场漏电流没有多大的差别而在高场从〈10 0〉晶向比从〈111〉晶向 Si隧穿Si Ox Ny 膜的 F- N电流却明显增加。

【总页数】5页(P1411-1415)
【关键词】电子隧穿;快速热氮化;晶向硅;薄膜;二氧化碳;模型解释
【作者】冯文修;陈蒲生;田浦延;刘剑
【作者单位】华南理工大学应用物理系
【正文语种】中文
【中图分类】TN304.21;TN304.055
【相关文献】
1.从Si到快速热氮化SiO2膜的雪崩热电子注入 [J], 杨光月;陈蒲生
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4.快速热氮化超薄SiO_2膜的氮分布和氮化机理的研究 [J], 冯文修;陈蒲生;黄世平
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