基于多孔硅的共平面波导制备及传输特性研究

基于多孔硅的共平面波导制备及传输特性研究
游淑珍;石艳玲;忻佩胜;朱自强;赖宗声
【期刊名称】《微电子学》
【年(卷),期】2003(33)3
【摘要】多孔硅被认为是RF应用领域中较有潜力的衬底材料。

文章利用多孔硅作衬底,制备了微型微波共平面波导,采用多线方法计算出该波导在多孔硅上的插入损耗和有效介电常数;提出了通过多孔硅的相对介电常数来确定多孔度的方法。

实验测试结果表明,在20μm多孔硅上的波导,其插入损耗在1～30GHz范围内为1～40dB/cm;而在70μm多孔硅上制备的波导,其插入损耗在整个测试频段内不超过7dB/cm。

通过有效介电常数的计算,推算出实验制备的70μm多孔硅材料的多孔度约为65%。

【总页数】4页(P203-206)
【关键词】多孔硅;共平面波导;传输特性;阳极氧化;插入损耗;有效介电常数
【作者】游淑珍;石艳玲;忻佩胜;朱自强;赖宗声
【作者单位】华东师范大学电子科学技术系
【正文语种】中文
【中图分类】TN304.12;TN814
【相关文献】
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