一种宽输入降压稳压电路的研究与设计

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第3 6卷 第 7期
2 0 1 3年 7月
合肥 工 业 大 学 学报 ( 自然科 学版)
J OURNAL 0F HEF EI UNI VERS I TY OF TE CH NOLOGY
Vo 1 . 3 6 No . 7
J u 1 .2 0 1 3
D o i : 1 0 . 3 9 6 9 / j . i s s n . 1 0 0 3 — 5 0 6 0 . 2 0 1 3 . 0 7 . 0 0 6

种宽输入 降压稳压 电路 的研究 与设计
季翔 宇 , 杨依 忠, 陈 峰
( 合肥工业大学 电子科学 与应用物理学 院, 安徽 合肥 2 3 0 0 0 9 )

要: 文章提 出了一 种用 于大功率 L E D驱动芯片 的宽输入 电压范 围降压稳压 电路 , 由预降压 电路 、 带隙基
平均值分别为 1 . 2 0 6 4 V和 5 . 0 1 2 1 V, 最大变化量分别为 0 . 9 mV和 1 2 . 3 mV。输入 电压 为 4 0 V, 负载电流 为1 ~1 0 0 mA时 , 输 出电压变化量约为 3 . 3 m V。在低频下稳压 电路 的电源抑制 比大于 1 1 2 d B 。 关键词 : 降压稳压 电路 ; 预降压 电路 ; 线性稳压 电路 ; 工艺 角 ; 电源抑制 比 中图分类号 : TN4 3 2 文献标志码 : A 文章编号 : 1 0 0 3 — 5 0 6 0 ( 2 0 1 3 ) 0 7 — 0 7 9 4 — 0 4
Ab s t r a c t : A s t e p — d o wn r e g u l a t o r wi t h wi d e i n p u t v o l t a g e wa s p r o p o s e d, wh i c h wa s u s e d f o r p o we r LED d r i v e r . Th i s c i r c u i t c o n s i s t e d o f p r e - r e g u l a t o r ,b a n d g a p v o l t a g e r e f e r e n c e a n d l i n e a r r e g u l a t o r , a n d t h e ma x i mu m i n p u t v o l t a g e c o u l d r e a c h 4 0 V. Th e c i r c u i t wa s s i mu l a t e d b a s e d o n CS M C 0 . 5 u m B CD p r o c e s s mo d e 1 . Th e r e s u l t s s h o we d t h a t u n d e r d i f f e r e n t p r o c e s s c o r n e r 。wh e n t h e l o a d c u r r e n t wa s 5 mA a n d t h e i n p u t v o l t a g e c h a n g e d f r o m 6 V t o 4 0 V ,t h e a v e r a g e v a l u e o f t h e o u t p u t v o l t a g e o f b a n d g a p v o l t a g e r e f e r e n c e a n d s t e p — d o wn r e g u l a t o r we r e 1 . 2 0 6 4 V a n d 5 . 0 1 2 1 V ,a n d t h e b i g g e s t v a r i a t i o n we r e a b o u t 0 . 9 m V a n d 1 2 . 3 m V. W h e n t h e l o a d c u r r e n t c h a n g e d f r o m 1 mA t o 1 0 0 mA wi t h a n i n p u t v o l t a g e o f 4 0 V ,t h e o u t p u t v o l t a g e c h a n g e d a b o u t 3 . 3 mV.Th i s r e g u l a t o r h a d a p o we r
准电压电路和线性稳压 电路组成 , 最高输入 电压 可达 4 O V。采用 C S MC 0 . 5 m B C D工艺模 型进行 仿真验
证 。仿真结果表明 : 在 负载 电流为 5 mA, 输 入电压为 6 ~4 O V时, 不 同工艺 角下带 隙基 准电压和 稳压输 出的
( Sc h o o l o f El e c t r o n i c S c i e n c e a n d Ap p l i e d Ph y s i c s , He f e i Un i v e r s i t y o f Te c h n o l o g y,He f e i 2 3 0 0 0 9,Chi n a )
Re s e a r c h a n d d e s i g n o f a s t e p— d o wn r e g ul a t o r wi t h wi de i np u t v o l t a g e
Yi — z h onYANG
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