MOSFET型号大全

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各种MOSFET参数大全

2 2 分立器件分立器件功率 MOSFET1）特性参数功率MOSFET是我们最熟悉的绿色社会开拓者。

它们能帮助我们创建低损耗系统。

我们的最新工艺和小型封装能帮助您提高系统效率，缩小系统尺寸，从而创建终极低功耗驱动。

（通用开关功率MOSFET、汽车功率MOSFET、IPD、电池功率MOSFET、通用放大器功率MOSFET）功率功率 MOSFET 参数介绍参数介绍第一部分最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS 最大漏最大漏--源电压源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。

根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。

关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性.VGS 最大栅源电压最大栅源电压 VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。

设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。

实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。

ID ID -- 连续漏连续漏电流电流电流 ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。

该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。

因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4。

补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。

IDM IDM --脉冲漏极电流脉冲漏极电流该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。

定义IDM的目的在于：线的欧姆区。

对于一定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。

如图所示，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。

场效应管型号资料

常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3PFQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460AFQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3PFQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50EFQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3PFQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3PFQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0. Ω/TO3PFQA5N90 （MOSFET） 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3PFQA9N90C （MOSFET） 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3PFQA11N90C （MOSFET） 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3PFFA30U20DN （快恢复二极管）200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02AFFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560FFA30U60DN （快恢复二极管）600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06AMBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3PISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247FQP44N10 （MOSFET） 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET） 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460KA3162/FAN8800 （Drive IC）单IGBT/MOSFETFET驱动ICRHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO0220 MUR1560RHRP8120 （快恢复二极管） 1200V/8A/75W/TO220RHRP15120 （快恢复二极管） 1200V/15A/TO220RHRP30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/125W/TO220单 DSEI20-10ARHRG30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/T03PSSH45N20B （MOSFET） 200V/45A/TO3P IRFP260FGL40N150D （IGBT） 1500V/40A/TO264快速IGBTFGL60N100BNTD （IGBT） 1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100HGTG10N120BND （IGBT） 1200V/35A/298W/100ns/TO247HGTG11N120CND （IGBT） 1200V/43A/298W/TO247HGTG18N120BND （IGBT） 1200V/54A/390W/90ns/TO247FQP5N50C （MOSFET） 500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35WFQPF5N50C （MOSFET） 500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830，用于35W FQP9N50C （MOSFET） 500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IRF840，用于75W FQPF9N50C （MOSFET） 500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代：IRF840，用于75W FQP13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品FQPF13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W产品FQD5N50C （MOSFET） 500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35WFQA16N50 （MOSFET） 500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到250W的产品FDP15N50 （MOSFET） 500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品FQP18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于250WG到400W的产品FQPF18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的产品FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品FQA24N60 （MOSFET） 600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品IRF740B （MOSFET） 400V/10A/0.55Ω/134W/TO220IRF730B （MOSFET） 400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220IRF830B （MOSFET） 500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220IRF840B （MOSFET） 500V/8A/0.85Ω/134W/TO220IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235WFQPF5N60C （MOSFET） 600V/5A/TO220FFQPF8N60C （MOSFET） 600V/8A/TO220FFQPF10N60C （MOSFET） 600V/10A/TO220FQPF12N60 （MOSFET） 600V/12A/51W/0.65Ω/TO220FFCP11N60 （MOSFET） 650V/11A/125W0.32Ω/TO220RHRD660S （快恢复二极管） 600V/6A/TO-252RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/75W/TO-220RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO-220单2N7002 （三极管）60V/0.12A/SOT-23HUF76629D3S （MOSFET） 100V/20A/110W/TO-252HUF75639S3S （MOSFET） 100V/56A/200W/TO-263ISL9V3040D3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO252ISL9V3040S3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO263ISL9V5036S3S （IGBT） 360V/46A/250W/TO262FQP33N10L （MOSFET） 100V/33A/52MΩ127W/TO220。

mos管参数解读

mos管参数解读MOS管（MOSFET）是一种基础电子元器件，广泛应用于电子线路中。

在使用MOS管时，需要了解它的一些参数，以便正确选择和使用。

第一步：了解MOS管的型号。

MOS管根据其工作方式和内部结构的不同，可以分为N沟道型和P沟道型两种。

常见的MOS管型号有IRF150N、IRFZ44N、IRF540N等。

其中IRF表示国际整流器厂商（International Rectifier），150N是该型号的电流和电压额定值。

第二步：了解MOS管的参数。

1. 额定电流（Continuous Drain Current）：表示MOSFET稳态下最大允许通过电流的值，一般以DC电流为准，单位是安培（A）。

2. 额定电压（Drain-Source Voltage）：表示MOSFET稳态下最大允许的电压值，一般以DC电压为准，单位是伏特（V）。

3. Threshold Voltage：表示MOSFET导通的起始电压，一般以DC电压为准，单位是伏特（V）。

4. 动态电阻（On-Resistance）：表示MOSFET通电时的电路电阻值，单位是欧姆（Ω），这个值越小表示MOSFET的导通能力越好。

5. 最大功率（Maximum Power Dissipation）：表示MOSFET可以承受的最大功率，一般以热阻为参考单位（单位是摄氏度/W）。

6. 端子电容（Input Capacitance）：表示MOSFET内部的电容值，一般以PF为单位，这个参数越小表示MOSFET对高频信号的响应能力越好。

第三步：正确选择MOS管。

根据实际需求来选择适合的MOS管，一般需要考虑电压、电流、功率等参数的匹配，以及MOS管的配置、散热等因素。

总结以上就是关于MOS管参数的解读，通过对MOS管的型号和参数有了更深的了解后，我们可以更加准确地选择和使用MOS管，提高电路的稳定性和可靠性。

mosfet固态继电器型号

mosfet固态继电器型号Mosfet固态继电器（MOSFET Solid State Relay）是一种具有优异电气特性和可靠性的电子开关装置。

它由固态电子器件MOSFET和触发电路组成，能够实现电气信号的放大、开关和隔离等功能。

受到其低功耗、快速开关速度和长寿命等优点的驱动，Mosfet固态继电器被广泛应用于各种领域，包括自动化控制、家电、电力系统以及工业设备。

一、Mosfet固态继电器原理介绍Mosfet固态继电器是基于金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，缩写为MOSFET）的原理工作。

MOSFET是一种三端器件，包括门极（G），漏极（D）和源极（S）。

通过改变门极电压，可以实现对漏极-源极电流的控制。

当门极电压超过阈值电压时，MOSFET导通，漏极-源极间出现低电阻状态，形成通路。

相比传统继电器，Mosfet固态继电器具有更低的电阻和电压降。

二、Mosfet固态继电器的型号及特性1.型号一：G3MC系列G3MC系列是一系列具有高可靠性和高精度驱动电路的Mosfet固态继电器。

它采用了欧姆隔离技术，能够在较小的体积中实现大电流传导。

G3MC系列广泛应用于自动化设备、测量仪器以及家电等领域。

其特点包括：- 高继电器寿命：具有高达100万次的机械继电器寿命，可满足长时间运行的需求。

- 快速开关速度：能够在微秒级别内实现开关的快速响应，适用于高频率和精确控制的应用。

- 低功耗：相比传统继电器，G3MC系列的功耗更低，能够节省能源和降低系统成本。

2.型号二：AQV系列AQV系列是另一种常见的Mosfet固态继电器型号，采用了碳化硅功率MOSFET作为核心器件，具有更高的开关电压和电流能力。

AQV系列适用于需要高电流和高电压开关的应用场景，如电力系统和工业控制等。

其特性包括：- 高开关能力：AQV系列能够承受高达100A的电流和600V的电压，适用于大功率负载的控制。

MOSFET器件性能

下降时间
58
84
43
250
65
155
(V)
体二极管
正向压降
1.8
0.916
1.8
1.4
1.0
1.4
(ns)
体二极管
反向恢复时间
570
431
570
520
500
250
选用MOSFET的3个原则
反应时间：反应时间分为开启时间（）和关断时间（），开启时间等于导通延迟时间加上上升时间，即 = + ；关断时间等于关断延迟时间加上下降时间，即 = + 。以上六个型号的MOSFET中，开启时间和关断时间排列
以上六种型号的MOSFET器件的通态漏极电流，等效电阻及热效应值如下：
参数
IR第三代
IRFP460
IR新一代
IRFP460LC
MTW20N50E
(TYP)
FQL
40N50
FQA24N50F
(TYP)
2SK
2370
(A)
20
20
40
24(25 )
20
( )
0.27
0.27
0.2
0.085
0.156
0.32
E(J)
108
108
136
90
128
55
(nC)
总栅电荷
210
100
120
155
65
90
(nC)
栅--源电荷
29
44
32
37
15
23
(nC)
栅--漏Miller
电荷
110
49
78
30

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资1.IRF系列：IRF540N、IRF840、IRF3205等IRF系列是一种N沟道MOS管，具有低电源电流和高开关速度特点，可以工作在高频率下。

常用的封装有TO-220、TO-247、D2-Pak等。

-IRF540N参数：导通电阻：0.077Ω最大耗散功率：150W最大漏电流：50μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：49nC-IRF840参数：导通电阻：0.85Ω最大耗散功率：125W最大漏电流：10μA最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：90nC-IRF3205参数：导通电阻：8mΩ最大耗散功率：110W最大漏电流：250μA最大栅源电压：20V最大漏源电压：55V最大栅极电荷：75nC2.IRFP系列：IRFP250N、IRFP460等IRFP系列是一种P沟道MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合高频率下的应用。

常用的封装有TO-247、TO-3P等。

-IRFP250N参数：导通电阻：0.095Ω最大耗散功率：200W最大漏电流：250μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：200V最大栅极电荷：73nC-IRFP460参数：导通电阻：0.27Ω最大耗散功率：180W最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：123nC3.IRL系列：IRL540N、IRL3713等IRL系列是一种低电平驱动的MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合低电平驱动电路。

常用的封装有TO-220、D2-Pak等。

-IRL540N参数：导通电阻：0.054Ω最大耗散功率：120W最大漏电流：50μA最大栅源电压：55V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：32nC-IRL3713参数：导通电阻：7.5mΩ最大耗散功率：60W最大漏电流：50μA最大栅源电压：20V最大栅极电荷：20nC以上是常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资的介绍，不同型号的MOS管具有不同的特点和适用场景，用户可以根据实际需求选择适合的型号和封装方式。

Din-Tek半导体MOSFET产品选型表

尚晶(SunKing-Group)科技股份有限公司是日本Din-Tek（DT）半导体大中华区授权唯一独家分销商，主营Din-Tek半导体全系列产品：DIODES(二极管)产品，有肖特基二极管，快恢复二极管，超快恢复二极管，稳压二极管，整流二极管等；HallSenor(霍尔)产品，有普通霍尔传感器，风扇马达驱动霍尔传感器等；Power management(电源管理)产品，有AC/DC Converter，DC/DC Converter，LDO等；MOSFET（MOS管）产品，结构类型有：N-MOS，P-MOS，双N-MOS，双P-MOS，N+P MOS；封装形式有：SOT-23，TSOP-6，TO-92，SOT-89，SOT-223，TO-251，TO-252，TSSOP-8，SOP-8，TO-220，TO-263，DFN系列；电压范围：8V~750V；广泛应用于：资讯/通讯/工业电子/家用电器/电力电子等行业。

可完全替代:TOSHIBA (东芝)/ROHM(罗姆)/AOS(万代)/ANPEC(茂达)/SAMHOP(三合微)/CEM(华瑞)/Matsuki(松木电机)/APEC(富鼎)等品牌的相应型号!目前市场上常用型号有：一.单N型MOSFET：SOT-23：DTS2300(替代APM2300/SI2300/AO3400等)，DTS2302（替代SI2302/AO3414/STS2308等），DTS3400（替代AO3404等），DTS2306，DTS2312，DTS2314，DTS2318；SOP-8：DTM4410(替代AO4410/STM4410/FDS6670A等)，DTM4420（替代AO4408/AO4474等）；DTM9410（替代AO4430/NDS9410A等）；DTM4964，DTM6910P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTM4410 SOP-8 Single-N 30 20 1 6.5 4.5 18DTM9410 SOP-8 Single-N 30 20 1.1 45 32 6.8DTM4964 SOP-8 Single-N 60 20 1.5 40 35 7.6DTM6910 SOP-8 Single-N 100 20 2.5 47 40 6.4DTM4420 SOP-8 Single-N 30 20 1.2 12 8.9 13DTM4420B SOP-8 Single-N 30 20 1.5 9 7 15DTP9530 PPak Single-N 30 20 1.2 4.8 6 26DTS2314 SOT-23-3 Single-N 20 12 1.5 33 24 5.2 DTS03K16 SOT-23 Single-N 16 8 1 400 1000 0.42DTS2300S SOT-23 Single-N 20 8 0.4 55 40 3.8DTS2306 SOT-23 Single-N 20 12 0.65 27 22 4.8DTS2300A SOT-23-3 Single-N 20 8 0.4 33 24 5.2DTS2312 SOT-23 Single-N 20 8 1.2 45 33 3.8DTS3400A SOT-23-3 Single-N 30 20 1.2 33 24 6DTS3400 SOT-23-3 Single-N 30 20 1.2 58 4DTS3402 SOT-23 Single-N 30 20 1.2 73 58 3.6DTS4500 SOT-23 Single-N 40 20 1.2 55 40 3.6DTS6400 SOT23-3 Single-N 60 20 1.8 36 26 4.5DTS6504 SOT-23-6 Single-N 30 20 1.2 40 30 6DTS6410 SOT-23 Single-N 60 20 1 89 78 3DTS2300 SOT-23 Single-N 20 8 0.8 38 24 4.5DTC2058 SOT-89 Single-N 20 12 0.6 45 33 6.8DTC3058 SOT-89 Single-N 30 20 0.6 45 33 6.8DTE2312 TO-92 Single-N 20 12 0.6 28 22 4.8DTL9604 TO-220 Single-N 60 20 1 28 22 55DTL9826 TO-220 Single-N 100 20 2 43 32 65DTP0403 TO-220 Single-N 30 20 1.5 4.4 3.8 98DTP4N60 TO-220 Single-N 600 30 2 2200 4DTP75N80 TO-220 Single-N 80 25 3.5 8.8 75DTB3055 SOT-223 Single-N 30 20 1.5 38 25 7DTB6035 SOT-223 Single-N 60 20 1 40 28 7DTL15N03 TO-251 Single-N 30 20 1.2 16.5 13.5 15DTL40N03 TO-251 Single-N 30 20 1 10 7 40DTL2N60 TO-251 Single-N 600 20 2 3900 2DTU40N06 TO-252 Single-N 60 20 2 27 16 40DTU30N02 TO-252 Single-N 20 12 0.6 33 24 30DTU40N03 TO-252 Single-N 30 20 1 28 22 40DTU50N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.4 4.1 50DTU70N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.3 5 70DTU90N03 TO-252 Single-N 30 20 1.8 4.1 3 90DTU40N10 TO-252 Single-N 100 20 2 45 33 40DTU15N10 TO-252 Single-N 100 20 2 100 15DTU09N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.3 5.1 55DTU06N03 TO-252 Single-N 30 20 1.2 5.9 4.1 60DTU2N60 TO-252 Single-N 600 30 2 4400 2DTW2070 TO-263 Single-N 200 20 1.5 90 20DTK0403 TO-263 Single-N 30 20 2 4.4 3.8 98DTU20N20 TO-252 Single-N 200 20 2 80 20DTU50N06 TO-252 Single-N 60 20 2 31 26 50DTP80N10 TO-220 Single-N 100 20 2 5 110DTS2012 SOT323-3 Single-N 20 12 1 60 49 45 4DTP4N65 TO-220 Single-N 650 30 3 2900 4DTP4N65F TO-220F Single-N 650 30 3 2900 4DTU4N65 TO-252 Single-N 650 30 3 2900 4DTL4N65 TO-251 Single-N 650 30 3 2900 4DTU60N02 TO-252 Single-N 20 12 0.8 7.8 5.1 60DTS3406 SOT-23 Single-N 30 20 1.2 33 24 4.8DTP7N65 TO-220 Single-N 650 20 2 1300 7DTU3055 TO-252 Single-N 30 20 1.5 45 58 15DTS1004 SOT-23 Single-N 100 20 1.2 150 1202.3DTC9058SOT-89Single-N100201.7139 126 3.1DTP4N70SJ TO-220 Single-N 700 20 3 1200 4DTP16N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 145 16DTP38N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 416 38DTS2318 SOT-23 Single-N 20 20 0.5 10.5 9.5 12DTS2050 SOT-723 Single-N 20 12 0.6 521 286 0.63DTS2N7002SOT-23Single-N 60 20 1 4 2 0.3DTP4503 TO-220 Single-N 45 25 1.9 3.5 2.4 100DTQ6302DFN5x6Single-N30201.52.22.7100二．单P 型MOSFET ：SOT-23：DTS2301（替代APM2301/AO3413/STS2309等），DTS3401（替代AO3401等），DTS2305，DTS2315，DTS3407； SOP-8：DTM9435（替代APM9435/AO9435/CEM9435等），DTM4435（替代STM4435，SI4435，AO4435等），DTM4407（替代AO4407等），DTM4415，DTM4425，DTM4435；P/NPackage ConfigurationBV (V) VGS (V) Vt (V) RDS(ON) Max (Typ)(m Ω)_Vg_2.5v RDS(ON) Max (Typ)(m Ω)_Vg_4.5vRDS(ON) Max (Typ)(m Ω)_Vg_10vID (A)Data sheetDTM9435 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 60 45 -5.8DTM4435 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 22 16 -8DTM4425 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 10.5 8.8 -15DTM4831SOP-8 Single-P -20 12 -1 65 -8DTM4407 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 18 12.5 -11.2DTM4415 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 12.8 9.2 -13.5DTP9531 PPak Single-P -30 20 -1.5 9.2 7.8 -26DTS2301 SOT-23 Single-P -20 12 -1 95 68 -3.8DTS2305 SOT-23 Single-P -20 12 -16850 -5DTS2301S SOT-23Single-P-20 12 -1.1 130 105 -3DTS2301A SOT-23-3 Single-P -20 12 -1.1 90 65 -4.5DTS3401 SOT-23Single-P-30 20 -1.2 130 88 -2.7DTS3401A SOT-23-3 Single-P -30 20 -1.5 70 53 -5.6DTS4501 SOT-23 Single-P -40 20 -1.5 110 83 -3.6DTS6503 SOT23-6 Single-P -30 20 -1.8 66 53 -5.1DTS7001 SOT-23Single-P-60 20 -1.8 5000 4000 -0.13DTS6401 SOT-23-3 Single-P -60 20 -1.8 48 40 -5.2DTU40P06 TO-252Single-P-60 20 -2 45 36 -40DTS3407 SOT-23-3 Single-P -30 20 -0.854 46 -5.6DTS2315SOT-23-3 Single-P-2012-0.7 90 65-4.5DTC2059 SOT-89 Single-P -20 12 -1.2 90 75 -6.6DTC3059 SOT-89 Single-P -30 20 -1.5 75 60 -7.6DTE2311TO-92 Single-P -20 12 -1 72 45 -4.2DTL9503 TO-220 Single-P -30 20 -1.5 16 13 -80DTP3006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 85 60 -30DTP6006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 28 20 -60DTL15P03TO-251Single-P -30 20 -1.5 70 43 -15DTU15P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 70 43 15DTU40P06TO-252Single-P -60 20 -2 45 36 -40DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 9 8 -80DTU40P06 TO-252 Single-P -60 20 -2 45 36 -40DTU15P10 TO-252 Single-P -100 20 -2300 260-15DTS2011 SOT-323 Single-P -20 8 -0.8 100 85 -3.1DTS3411 SOT-23 Single-P -30 20 -1.5 72 59 -4DTL19P10TO-251Single-P-100 20-2160120-19DTU19P10 TO-252 Single-P -100 20 -2 210 195 -19DTM9425 SOP-8 Single-P 20 12 -1 50 40 -6.6DTL50P03 TO-251 Single-P -30 25 -1.2 15 10 -50DTS3419 SOT-23L Single-P -20 8 -1 41 32 -5.9DTU50P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.2 22 16 -50DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -18 9 -80DTS2319 SOT-23 Single-P -20 -12 0.6 26 18 -6DTM4015 SOP-8 Single-P -40 -20 -1.7 13.2 9.4 -18DTU60P04 TO-252 Single-P -40 -20 -1.518 12 -60DTQ2115 DFN2x2 Single-P -12 8 -0.9 26 21 -14.5DTQ2221 DFN2x2 Single-P -20 12 -13828 -12DTQ3115 DFN3x3 Single-P -12 8 -0.9 19 15 -14.5DTQ3221 DFN3x3 Single-P -20 12 -13224 -12DTQ2115 DFN2x2 Single-P -12 8 -0.9 26 21 -14.5DTQ2221 DFN2x2 Single-P -20 12 -13828 -12DTQ3115 DFN3x3 Single-P -12 8 -0.9 27 21 -14.5DTQ3221DFN3x3Single-P-2012-13828-12三．双N 型MOSFET ：TSOP-6：DTS8205（替代STM8205等,电池保护板专用），DTS5440（电池保护板专用）TSSOP-8：DTM8205（替代APM8205/STM8205/CEM8205等），DTM8201SOP-8：DTM9926（替代APM9926/STM9926/CEM9926等），DTM9936（替代APM9945，AO4828等），DTM4946（替代STM6930A等）；DTM4936，DTM4926P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTS5440 SOT-23-6 Dual-N 20 12 0.8 28 22 4.8DTM9936 SOP-8 Dual-N 20 12 0.6 20 14 7DTM9926 SOP-8 Dual-N 20 12 0.6 30 22 6.6DTM4946 SOP-8 Dual-N 60 20 1 40 35 7DTM4936 SOP-8 Dual-N 30 20 1.2 33 26 6.8DTM4830 SOP-8 Dual-N 80 30 3.5 75 3.5DTM4926 SOP-8 Dual-N 30 20 1.5 12 8 8DTM8201 TSSOP-8 Dual-N 20 12 0.6 20 17 6.5DTM8205 TSSOP-8 Dual-N 20 8 1 40 22 6.6DTS8205 SOT23-6 Dual-N 20 12 0.6 40 22 4.6DTS5440 TSOP-6 Dual-N 20 12 1.2 28 22 4.8DTS2212 SOT323-6 Dual-N 20 8 0.4 225 198 1.3DTM8002 TSSOP-8 Dual-N 20 12 0.6 7 5.5 11四．双P型MOSFET：TSOP-6：DTS5441SOP-8：DTM4953（替代APM4953，CEM4953，A04801等），DTM4953BDY（LED屏专用），DTM4925P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTM4925 SOP-8 Dual-P -20 12 -1.5 33 24 -8 DTM4953 SOP-8 Dual-P -30 20 -1.5 78 46 -5.4 DTM4953BDY SOP-8 Dual-P -30 20 -1.5 45 32 -6.6DTS5441 TSOP-6 Dual-P -20 -12 -1.2 90 65 -4五．N+PMOSFTSOP-8: DTM4606(替代AO4606)，DTM4616，DTM9906P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTS3606N SOT-23-6 N+P 30 20 1.5 36 24 3.7DTM4606P SOP-8 N+P -30 20 -1.5 58 48 -6DTM4616N SOP-8 N+P 30 20 1.5 36 34 6.7DTM9906N SOP-8 N+P 60 20 1.8 31 28 5.3 DTM9906P SOP-8 N+P -60 20 -1.8 70 60 -4.9DTM4606BDYN SOP-8 N+P 30 20 1.5 24 18 7DTM4606BDYP SOP-8 N+P -30 20 -1.5 40 36 -6.9DTM4606N SOP-8 N+P 30 20 1.5 36 24 6.7DTM4616P SOP-8 N+P -30 20 -1.5 36 24 -7DTS3606P SOT-23-6 N+P -30 20 -1.5 83 69 -3 六．DFN封装系列（特别推介）P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTQ2115 DFN2x2 Single-P -12 8 -0.9 26 21 -14.5DTQ2221 DFN2x2 Single-P -20 12 -1 38 28 -12 DTQ3115 DFN3x3 Single-P -12 8 -0.9 19 15 -14.5DTQ3221 DFN3x3 Single-P -20 12 -1 32 24 -12DTQ6302 DFN5x6 Single-N 30 20 1.5 2.2 2.7 100七．TO-252系列P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DTU1N60 TO-252 Single-N 600 20 2 7Ω 1.4 DTU40N06 TO-252 Single-N 60 20 1.8 28 20 40 DTU30N02 TO-252 Single-N 20 12 0.65 33 24 30 DTU40N03 TO-252 Single-N 30 20 1.6 28 22 40 DTU50N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.4 4.1 50 DTU70N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.3 5 70 DTU90N03 TO-252 Single-N 30 20 1.8 4.1 3 90 DTU40N10 TO-252 Single-N 100 20 2 45 33 40 DTU15N10 TO-252 Single-N 100 20 2 115 95 15 DTU09N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 10.1 7 55 DTU06N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 5.9 4.1 60 DTU2N60 TO-252 Single-N 600 30 3.6 3900 2 DTU15P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 70 43 15 DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -1 9 8 -80 DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 9 8 -80 DTU40P06 TO-252 Single-P -60 20 -2 45 36 -40 DTU16N25 TO-252 Single-N 250 20 2 165 16 DTU15P10 TO-252 Single-P -100 20 -2 300 260 -15 DTU19P10 TO-252 Single-P -100 20 -2 210 195 -19 DTU20N20 TO-252 Single-N 200 20 2 80 20DTU50P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.2 22 16 -50 DTU4N65 TO-252 Single-N 650 30 3 2900 4 DTU60N02 TO-252 Single-N 20 12 0.8 7.8 5.1 60 DTU3055 TO-252 Single-N 30 20 1.5 45 58 15 DTU60P04 TO-252 Single-P -40 -20 -1.5 18 12 -60八．TO-220系列（广泛应用于逆变器，UPS，LED照明，开关电源等行业）P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTP1N60 TO-220 Single-N 600 20 2 7Ω 1.4DTL9604 TO-220 Single-N 60 20 1 28 22 55DTL9826 TO-220 Single-N 100 20 2 43 32 65DTP0403 TO-220 Single-N 30 20 1.5 4.4 3.8 98DTP4N60 TO-220 Single-N 600 30 2 2200 4DTP75N80 TO-220 Single-N 80 25 3.5 8.8 75DTL9503 TO-220 Single-P -30 20 -1.5 16 13 -80DTP3006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 85 60 -30DTP6006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 28 20 -60 DTP4503 TO-220 Single-N 45 25 1.9 3.5 2.4 100 DTP80N10 TO-220 Single-N 100 20 2 5 110DTP4N65 TO-220 Single-N 650 30 3 2900 4DTP4N65F TO-220F Single-N 650 30 3 2900 4DTP7N65 TO-220 Single-N 650 20 2 1300 7DTP16N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 145 16DTP38N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 416 38。

场效应管参数大全2【范本模板】

型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im（A)耗散功率(W)代换型号2SK2518-01MR FUJI N—MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大200 20 502SK2519-01 FUJI N—MOSFET，用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大200 10 402SK2520-01MR FUJI N-MOSFET，用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大200 10 302SK2521—01 FUJI N—MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大200 18 502SK2522—01MR FUJI N—MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大300 18 402SK2523-01 FUJI N-MOSFET，用于开关整流、UPS电源、DC—DC转换、一般功率放大450 9 602SK2524-01MR FUJI N-MOSFET，用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 9 402SK2525—01 FUJI N—MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC—DC转换、一般功率放大450 9 802SK2526—01 FUJI N—MOSFET，用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 5 602SK2527-01MR FUJI N-MOSFET，用于开关整流、UPS电源、DC—DC转换、一般功率放大900 5 402SK2528-01 FUJI N-MOSFET，用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 4 802SK2529 HITACHI N—MOSFET，用于高速功率开关60 50 352SK2530 SANYO N—MOSFET，用于高速开关250 2 20 2SK2532 SANYO N-MOSFET，通用开关应用250 10 402SK2533 SANYO N—MOSFET，用于高速开关250 2 20 2SK2534 SANYO N—MOSFET，通用开关应用250 16 502SK2538 PANASONIC N-MOSFET，用于高速开关、高频功率放大250 2 302SK2539 PANASONIC N-MOSFET，用于高频功率放大、模拟开关15 0。

常用MOS管型号参数

场效应管分‎类型号‎简介封装‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T 2N‎7000 ‎60V,0‎.115A‎TO-9‎2 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET 2‎N7002‎60V,‎0.2A ‎S OT-2‎3 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F510‎A 100‎V,5.6‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRF5‎20A 1‎00V,9‎.2A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F530A‎100V‎,14A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F540‎A 100‎V,28A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RF61‎0A 20‎0V,3.‎3A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎620A ‎200V,‎5A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎630A ‎200V,‎9A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎634A ‎250V,‎8.1A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F640‎A 200‎V,18A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RF64‎4A 25‎0V,14‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRF6‎50A 2‎00V,2‎8A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎654A ‎250V,‎21A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F720A‎400V‎,3.3A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RF73‎0A 40‎0V,5.‎5A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎740A ‎400V,‎10A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F750A‎400V‎,15A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F820‎A 500‎V,2.5‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRF8‎30A 5‎00V,4‎.5A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F840A‎500V‎,8A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F9520‎-100‎V,-6A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EDISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F9610‎-200‎V,-1.‎8A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎9620 ‎-200V‎,-3.5‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFP‎150A ‎100V,‎43A T‎O-3P‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎P250A‎200V‎,32A ‎T O-3P‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F P450‎A 500‎V,14A‎TO-3‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FR02‎4A 60‎V,15A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FR12‎0A 10‎0V,8.‎4A D-‎P AK D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFR‎214A ‎250V,‎2.2A ‎D-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F R220‎A 200‎V,4.6‎A D-P‎A K DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFR2‎24A 2‎50V,3‎.8A D‎-PAK ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎R310A‎400V‎,1.7A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FR90‎20 -5‎0V,-9‎.9A D‎-PAK ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎S540A‎100V‎,17A ‎T O-22‎0F DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFS6‎30A 2‎00V,6‎.5A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FS63‎4A 25‎0V,5.‎8A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F S640‎A 200‎V,9.8‎A TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎S644A‎250V‎,7.9A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFS‎730A ‎400V,‎3.9A ‎T O-22‎0F DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFS7‎40A 4‎00V,5‎.7A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FS83‎0A 50‎0V,3.‎1A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F S840‎A 500‎V,4.6‎A TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎S9Z34‎-60V‎,-12A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EDISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F SZ34‎A 60V‎,20A ‎T O-22‎0FDI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFU1‎10A 1‎00V,4‎.7A I‎-PAK‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎U120A‎100V‎,8.4A‎I-PA‎KDIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FU22‎0A 20‎0V,4.‎6A I-‎P AKD‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFU‎230A ‎200V,‎7.5A ‎I-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F U410‎A 500‎V ,1.‎2A I-‎P AKD‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFU‎420A ‎500V,‎2.3A ‎I-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F Z20A‎50V,‎15A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F Z24A‎60V,‎17A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F Z30 ‎50V,3‎0A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎Z34A ‎60V,3‎0A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎Z40 5‎0V,50‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFZ‎44A 6‎0V,50‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRLS‎530A ‎100V,‎10.7A‎,Logi‎c TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRL‎S Z14A‎60V,‎8A,Lo‎g ic T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R LZ24‎A 60V‎,17A,‎L ogic‎TO-2‎20DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RLZ4‎4A 60‎V,50A‎,Logi‎c TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SFP3‎6N03 ‎30V,3‎6A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SFP‎65N06‎60V,‎65A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SF‎P9540‎-100‎V,-17‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SFP9‎634 -‎250V,‎-5A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SF‎P9644‎-250‎V,-8.‎6A TO‎-220‎D ISCR‎E TEDIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F R921‎4 -25‎0V,-1‎.53A ‎D-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SF‎R9224‎-250‎V,-2.‎5A D-‎P AK D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SFR9‎310 -‎400V,‎-1.5A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F S963‎0 -20‎0V,-4‎.4A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F S963‎4 -25‎0V,-3‎.4A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F U922‎0 -20‎0V,-3‎.1A I‎-PAK‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSD‎2002 ‎25V N‎/P Du‎a l 8S‎O P DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SD20‎19 20‎V P-c‎h Dua‎l 8SO‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S D210‎1 30V‎N-ch‎Sing‎l e 8S‎O P DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SH10‎N80A ‎800V,‎10A T‎O-3P ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSH‎10N90‎A 900‎V,10A‎TO-3‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S H5N9‎0A 90‎0V,5A‎TO-3‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S H60N‎10 10‎0V,60‎A TO-‎3PDI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SH6N‎80A 8‎00V,6‎A TO-‎3PDI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SH70‎N10A ‎100V,‎70A T‎O-3P ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSH‎7N90A‎900V‎,7A T‎O-3P‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSH‎9N80A‎800V‎,9A T‎O-3P‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎10N60‎A 600‎V,9A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S P1N6‎0A 60‎0V,1A‎TO-2‎20DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SP2N‎90A 9‎00V,2‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP3‎5N03 ‎30V,3‎5A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎3N90A‎900V‎,3A T‎O-220‎DISC‎R ETEDIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S P4N6‎0AS 6‎00V,4‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP4‎N90AS‎900V‎,4.5A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SP5N‎90A 9‎00V,5‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP6‎0N06 ‎60V,6‎0A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎6N60A‎600V‎,6A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎P70N1‎0A 10‎0V,55‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP7‎N60A ‎600V,‎7A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎7N80A‎800V‎,7A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎P80N0‎6A 60‎V,80A‎TO-2‎20DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SR1N‎60A 6‎00V,0‎.9A D‎-PAK‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSR‎2N60A‎600V‎,1.8A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S R305‎5A 60‎V,8A ‎D-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎S10N6‎0A 60‎0V,5.‎1A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎S2N60‎A 600‎V,1.3‎A TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSS‎3N80A‎800V‎,2A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S S3N9‎0A 90‎0V,2A‎TO-2‎20FD‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSS4‎N60AS‎600V‎,2.3A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSS4‎N90AS‎900V‎,2.8A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSS5‎N80A ‎800V,‎3A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎S6N60‎600V‎, 3.2‎A TO-‎220(F‎/P) ‎。

MOSFET场效应管的应用及主要型号

MOSFET场效应管的应用及主要型号:型号封装主要参数应用领域PTP50N06 TO-220 50A/60V，RDS(on)=22mΩ 电动车充电器，控制器，工业控制、机箱电源、逆变器、（VGS=10V，ID=25A）PTP830 TO-220 5A/500V，RDS(on)=1.5Ω UPS电源、电源控制器.电动车控制器,转换器.充电器、小家电、智能麻将机控制（VGS=10V，ID=2.5A）PTP840 TO-220 9A/500V，RDS(on)=0.8Ω（VGS=10V，ID=4A）PTD2N60 TO-252 1.9A/600V，RDS(on)=4.7Ω 节能灯、充电器、开关电源、LCD显示器、电子镇流器（VGS=10V，ID=0.95A）PTU2N60 TO-251 1.9A/600V，RDS(on)=4.7Ω（VGS=10V，ID=0.95A）PTF2N60 TO-220F 2A/600V，RDS(on)=4.7Ω（VGS=10V，ID=1.0A）PTP2N60 TO-220 2A/600V，RDS(on)=4.7Ω（VGS=10V，ID=1.0A）PTF5N60 TO-220F 4.5A/600V，RDS(on)=2.5Ω 风扇控制板，控制电源，LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、逆变器、（VGS=10V，ID=2.25A）PTP5N60 TO-220 4.5A/600V，RDS(on)=2.5Ω（VGS=10V，ID=2.25A）PTF8N60 TO-220F 7.5A/600V，RDS(on)=1.2Ω 电动车控制器,电源工具,汽车调压器、机箱电源、逆变器、（VGS=10V，ID=3.75A）PTP8N60 TO-220 7.5A/600V，R DS(on)=1.2Ω（VGS=10V，ID=3.75A）PTD5N50 TO-252 4A/500V，RDS(on)=0.8Ω HID电子镇流器，节能灯，开关电源、（VGS=10V，ID=4.0A）PTP630 TO-220 9A/200V，RDS(on)=0.4Ω 风扇控制板，控制电源，LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、逆变器、（VGS=5V，ID=5.4A）PTP640 TO-220 18A/200V，RDS(on)=0.18Ω（VGS=5V，ID=9.0A）PTP9N20 TO-220 电动车控制器,电源工具,汽车调压器、机箱电源、逆变器、PTF9N20 TO-220FPTP10N40 TO-220 18A/200V，RDS(on)=0.18Ω HID电子镇流器，节能灯，开关电源、（VGS=5V，ID=9.0A）PTF10N40 TO-220F 工控设备，电动车控制器,电源工具,汽车调压器、机箱电源、逆变器、PTP10N60 TO-220 9.5/600V，RDS(on)=0.73Ω（VGS=5V，ID=4.75A）PTF10N60 TO-220F 9.5/600V，RDS(on)=0.73Ω 工业电源，HID电子镇流器，节能灯，开关电源、（VGS=5V，ID=4.75A）PTP12N60 TO-220 12A/600V，RDS(on)=0.65Ω 风扇控制板，控制电源，LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、逆变器、（VGS=10V，ID=6.0A）PTF12N60 TO-220F 12A/600V，RDS(on)=0.65Ω（VGS=10V，ID=6.0A）PTP18N20 TO-220 18A/600V，RDS(on)=0.145Ω 电动车控制器,电源工具,汽车调压器、机箱电源、逆变器、（VGS=10V，ID=9.0A）PTF18N20 TO-220F 18A/600V，RDS(on)=0.145Ω（VGS=10V，ID=9.0A）SI2300 SOT-23 2.3A/20V，RDS(on)=70mΩ 可作电源管理、电池保护，负载开关等（VGS=10V，ID=3.0A）用途。

常用高压MOSFET型号

场效应管分类型号简介封装DISCRETEMOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9520 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9540 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9610 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9620 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR9020TF D-PAK DISCRETEMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DISCRETEDISCRETEMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU410A 500V I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFZ20A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ30 TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ40 TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220 DISCRETEMOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK DISCRETEMOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP DISCRETEMOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P) DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P) DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P)。

超高速开关mos管型号

超高速开关MOS管型号引言随着电子设备的日益普及和发展，对于高性能、高速度的开关元件的需求越来越大。

超高速开关MOS管是一种关键器件，它能够实现高速开关操作，被广泛应用于电源管理、通信设备、嵌入式系统等领域。

本文将对超高速开关MOS管的型号进行探讨，以提供一些常见的型号和其特点。

传统超高速开关MOS管型号1. IRF540•极限参数:–Vdss：100V–Rds(on)：0.077Ω–Id：33A•特点：–最大导通电流较大–导通电阻较小–适用于高电压、大电流开关应用2. IRL540•极限参数：–Vdss：100V–Rds(on)：0.27Ω–Id：18A•特点：–接口阻抗更低–驱动电路要求更低–应用于由低电平信号驱动的电路新型超高速开关MOS管型号1. SiC MOSFET•极限参数：–Vdss：1200V–Rds(on)：3.5mΩ–Id：100A•特点：–具有更高的开关频率–较低的导通和开关损耗–在高温和高电压应用场景中表现出色2. GaN HEMT•极限参数：–Vdss：650V–Rds(on)：40mΩ–Id：60A•特点：–快速的开关速度–高助推效率–用于高频率、高效率的功率转换和放大器应用超高速开关MOS管的应用领域1. 电源管理•DC-DC转换器•逆变器•预热器开关电源2. 通信设备•放大器•滤波器•基站天线匹配网络3. 嵌入式系统•电机驱动•电源开关•反激开关电源超高速开关MOS管的选型要点1.电压和电流需求：根据具体应用场景确定所需的最大工作电压和电流。

2.导通电阻：低导通电阻能够减少功耗和热量，提高效率。

3.开关速度：选择适合应用场景的开关速度，以满足信号传输和反应速度的要求。

4.温度特性：超高速开关MOS管在高温环境下的表现是重要考量指标之一。

结论超高速开关MOS管作为一种重要的开关元件，其型号的选择对于特定应用领域的性能和效率影响很大。

本文介绍了一些传统和新型的超高速开关MOS管型号，并讨论了其特点和适用领域。

MOSFET、IGBT参数表

100V
70
300W
23mΩ
TO-3P
GP802功放
22
MOSFET-N
STPP80NF10
100V
38
45W
15mΩ
TO-220NP
1K3N升压
23
MOSFET-N
HUF76139P3
30
75
165
65mΩ
TO-220AB
TG500B升压
24
MOSFET-N
BUK455
200
14
125
23mΩ
TO-220AB
85mΩ
TO-3P
3CKS升压
9
MOSFET-N
HRF3205
55
150
175
8mΩ
TO-220AB
GT500A升压，YDK1000R逆变
10
MOSFET-N
IRF3710
100
57
200
23mΩ
TO-220AB
3C15KS风扇控制
11
MOSFET-N
IRF620
200
5.2
50
0.8Ω
TO-220
600
200
模块
SU6KSL功放
11
IGBT
TOSHIBA
MG200J2YS50
500
200
2.70
模块
3C15KS升压，EA806功放
12
IGBT
TOSHIBA
MG300Q2YS61
1200
300
2700
2.6V
模块
3C15KS逆变
表8：本书所用IGBT器件参数表
表9：本书所用单向可控硅(SCR)参数表

mosfet常用型号

mosfet常用型号常用的MOSFET型号有IRF3205、IRF540、IRF740、IRF840等。

MOSFET是一种常用的场效应管，具有控制电流的优势，广泛应用于电子设备中。

我们来了解一下IRF3205型号的MOSFET。

IRF3205是一种N沟道MOSFET，具有低导通电阻和高电流承载能力的特点。

它的主要应用领域包括电源、电机驱动、逆变器和电动工具等。

IRF3205具有低开关损耗和高开关速度，能够实现高效率的功率转换。

此外，IRF3205还具有较高的耐压能力，能够承受高达55V的电压。

接下来，我们介绍一下IRF540型号的MOSFET。

IRF540是一种N 沟道MOSFET，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。

它适用于电源、逆变器、马达驱动器、照明设备等领域。

IRF540的主要特点是具有较高的耐压能力，能够承受100V的电压。

此外，IRF540还具有较高的电流承载能力，能够实现高功率输出。

再来看一下IRF740型号的MOSFET。

IRF740是一种N沟道MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点。

它适用于电源、电动工具、逆变器等领域。

IRF740具有较高的耐压能力，能够承受400V的电压。

此外，IRF740还具有较高的电流承载能力，能够实现高功率输出。

我们介绍一下IRF840型号的MOSFET。

IRF840也是一种N沟道MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度。

它适用于电源、电机驱动、逆变器等领域。

IRF840具有较高的耐压能力，能够承受500V 的电压。

此外，IRF840还具有较高的电流承载能力，能够实现高功率输出。

IRF3205、IRF540、IRF740和IRF840都是常用的MOSFET型号，具有低导通电阻、高开关速度和较高的耐压能力。

它们在电源、电机驱动、逆变器等领域都有广泛的应用。

选择合适的MOSFET型号可以提高电子设备的性能和效率。

大功率 mosfet

大功率 mosfet
大功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种用于高功率应用的场效应晶体管。

它具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于需要处理大电流和高电压的电路。

以下是一些常见的大功率 MOSFET：
1. Infineon Technologies IRFP4006PBF：这是一款N沟道增强型功率 MOSFET，额定电流为195安培，额定电压为600伏特。

2. STMicroelectronics STW75N60DM2：这是一款N沟道增强型功率 MOSFET，额定电流为75安培，额定电压为600伏特。

3. Fairchild Semiconductor FQA9N90C：这是一款N沟道增强型功率 MOSFET，额定电流为9安培，额定电压为900伏特。

4. International Rectifier IRFB7430PBF：这是一款N 沟道增强型功率 MOSFET，额定电流为195安培，额定电压为300伏特。

这些大功率 MOSFET 在不同的应用中具有不同的特性和参数。

选择适合特定应用的大功率 MOSFET 需要考虑电流和电压需求、开关速度、导通电阻、温度特性等因素。

在选
择时，建议参考厂商提供的数据手册和应用指南，以确保选取合适的器件。