氮化硼纳米管的制备及应用
课程演讲-氮化硼纳米管的研究现状及展望
四、BNNTs的制备
电弧放电法 激光烧蚀法 激光加热法 电弧熔融法 等离子体法法
1、物理法
2、化学法
3、退火法
五、BNNTs的分散
1、共价功能化 2、π键反应功能化 3、纳米颗粒功能化
六、BNNTs的应用
1、纳米复合材料 2、储氢材料 3、生物材料 4、其它应用
THANKS
三、BNNTs的性质
2、热稳定性
BNNTs 的热稳 定性能 比 CNTs 更为优异，在空气气氛中，BNNTs 至少能在 700 º C 以内保持稳定，而 对于缺陷较少，结晶程度好的纳米 管能达到900 º C。
图2 BNNTs和CNTs在空气中的热重曲线
三、BNNTs的性质
3、热传导性能
BNNTs 也和 CNTs 一样，是一种传热性能极好的材料，理论 研究证明，BNNTs的热导率甚至超过CNTs，达到6000 W/mK。
氮化硼纳米管的研究现状及展望
学 生：粟泽龙 专 业：建材 学 号：20140902059 老 师：刘守平
目录
一 二 三 四
研究背景 结构与性质
制备、分散及应用
展望
一、研究背景
1
1981年 Ishii 等人发现了具有竹 节状氮化硼 (BN) 的一维 纳米结构，即BN晶须。
2
1994年 Rubio 等采用紧束缚分子 动力学在理 论上证实了 BNNTs的存在。
六、BNNTs的应用
2、储氢材料
BNNTs 的热稳定性和化学稳定性均优于 CNTs ，而且 BNNTs 的性能几乎不依赖与直径和手性，使其更有希望成为新的储氢材 料。
图4 SW BNNTs 和 SW CNTs 物理吸附储氢的 293K 吸附等温线
氮化硼纳米管在能源存储领域中的应用研究进展综述
氮化硼纳米管在能源存储领域中的应用研究进展综述氮化硼纳米管（BNNTs）是一种多功能的纳米材料，具有很高的力学强度、热导率和电绝缘性能。
由于其独特的结构和优异的性能，氮化硼纳米管在能源存储领域中具有广泛的应用潜力。
本文将综述氮化硼纳米管在锂离子电池、超级电容器和能量存储领域的应用研究进展。
一、氮化硼纳米管在锂离子电池中的应用锂离子电池是当前最重要的便携式能源存储装置之一。
然而，传统的电极材料存在容量限制和安全隐患等问题。
氮化硼纳米管具有高导电性和高化学稳定性，因此被广泛研究作为锂离子电池的电极材料。
研究表明，氮化硼纳米管作为锂离子电池的负极材料具有良好的电化学性能。
其高的比表面积和孔隙结构有利于锂离子的嵌入和迁移，提高了电池的容量。
同时，氮化硼纳米管还能够提高锂离子电池的循环稳定性和充放电速率能力。
此外，氮化硼纳米管还可以用作锂离子电池的电解质添加剂。
添加氮化硼纳米管可以提高电解质的导电性和稳定性，同时还能够增强电解质对锂离子的保护作用，提高电池的循环寿命和安全性能。
二、氮化硼纳米管在超级电容器中的应用超级电容器是一种高能量密度和高功率密度的能量存储装置，具有快速充放电、长循环寿命和良好的安全性能的优点。
氮化硼纳米管作为电极材料可以显著提高超级电容器的性能。
研究表明，氮化硼纳米管作为超级电容器的电极材料具有很高的比电容和良好的循环稳定性。
其高的比表面积和电导率有助于电荷的储存和传输，提高了超级电容器的能量密度和功率密度。
此外，氮化硼纳米管还可以用作超级电容器的电解质添加剂。
添加氮化硼纳米管可以提高电解质的离子导电性和稳定性，同时还能够增强电解质对电极材料的保护作用，延长超级电容器的循环寿命。
三、氮化硼纳米管在能量存储领域中的其他应用除了在锂离子电池和超级电容器中的应用，氮化硼纳米管还在其他能量存储领域展示了潜在的应用价值。
例如，氮化硼纳米管可以用作燃料电池的催化剂支撑材料。
由于其高的化学稳定性和导电性，氮化硼纳米管可以提供稳定的反应界面和高效的电子传输，从而提高燃料电池的性能。
氮化硼纳米管
氮化硼纳米管
1 硼化氮纳米管简介
硼化氮纳米管是一种尺度小于百分之百米的无定形的固体材料，由硼元素与氮元素组成。
它是一种独特的类金属半导体结构，形状有单壁纳米管、双壁纳米管和多壁纳米管三种，其尺寸可以调节，表面对应的有机或无机物质可以受到调控。
2 硼化氮纳米管的特征
硼化氮纳米管具有电导性、光学特性、电致变色性、分子辨识能力等特点，并由于它可以与大多数有机物或者无机物进行化学接合，因此在化学感应、生物感应、传感、复合材料等方面等具有广泛的应用前景。
此外，这种半导体化的形状特性使其具有优异的电子、电荷输运能力，可以用于各种电子器件，包括生物传感器、储存器件和逻辑电路等。
硼化氮纳米管具有体积小，加工性好，制备成本低，表面电子性可调控，可利用于更多导电、磁导热和光学性质、机械性质、生物相容性等特定技术研究与应用。
3 硼化氮纳米管的应用
由于硼化氮纳米管具有优异的特征，因此在金属材料表面涂覆、聚合物增强复合材料等方面有着潜在的应用前景。
另外，硼化氮纳米管也可以作为电化学气体传感器的工作电极，可以检测出复杂的气体环境变化和有机污染物，用于环境监测和安全预警。
此外，硼化氮纳
米管还可以用于润滑剂、碳化物、生物传感器、液体检测仪器、电子存储器件等的的制备。
4 结论
硼化氮纳米管的独特外形和调节表面可以为特定任务提供有效的物理和化学作用，具有广泛的应用前景。
由于其窄的尺寸和调控的表面电性，因此具有独特的电子、电荷输运能力，在制备复合材料、电子存储器件、传感器、净化水源等方面具有明显的优势。
热界面材料 六方氮化硼 纳米管
热界面材料六方氮化硼纳米管六方氮化硼（hexagonal boron nitride，h-BN）是一种具有特殊结构和性质的热界面材料，近年来备受关注。
本文将介绍六方氮化硼纳米管在热界面应用中的研究进展及其潜在的应用前景。
热界面材料在热管理领域起着至关重要的作用。
随着电子设备的发展，其散热问题也日益突出。
而热界面材料作为热量传递的媒介，对于提高散热效率具有重要意义。
六方氮化硼纳米管作为一种新型热界面材料，具有许多优异的性能。
六方氮化硼纳米管具有优异的热导率。
研究表明，六方氮化硼纳米管的热导率可达到3000 W/mK，远高于其他常见热界面材料。
这使得六方氮化硼纳米管在热管理领域具有巨大的潜力，可以有效地提高热量传递效率。
六方氮化硼纳米管具有良好的化学稳定性和热稳定性。
由于其特殊的结构和化学成分，六方氮化硼纳米管可以在高温和恶劣环境下保持稳定性，不易发生氧化或分解。
这使得它在高温电子设备的散热中具有广泛应用前景。
六方氮化硼纳米管还具有良好的电绝缘性能。
由于其结构中的硼氮键，六方氮化硼纳米管几乎没有自由电子，因此具有优异的绝缘性能。
这使得它可以广泛应用于电子设备的散热中，避免电流泄漏和短路等问题。
研究人员还发现，通过调控六方氮化硼纳米管的结构和形貌，可以进一步改善其热界面性能。
例如，研究者利用化学气相沉积方法制备了六方氮化硼纳米管的阵列结构，发现其热导率较高，并且具有较好的界面接触性能。
这为六方氮化硼纳米管在热界面应用中的进一步优化提供了思路。
六方氮化硼纳米管已经在热管理领域取得了一些应用成果。
研究人员利用六方氮化硼纳米管制备了高效的热导电胶粘剂，用于电子器件的散热。
实验结果表明，与传统的热导电胶相比，六方氮化硼纳米管胶粘剂具有更高的热导率和更好的界面适配性，可以显著提高电子器件的散热效果。
六方氮化硼纳米管还可以应用于热界面填充材料的开发。
研究人员通过将六方氮化硼纳米管与聚合物基质相结合，制备了具有优异热导性能的复合材料。
氮化硼纳米管粉体
氮化硼纳米管粉体摘要：氮化硼纳米管是一种新型纳米材料，具有优异的力学、热学和电学性能。
本文将介绍氮化硼纳米管的制备方法、表征技术以及主要应用领域。
1. 引言氮化硼纳米管是由氮化硼纳米颗粒组成的纳米管状结构，具有极高的比表面积和优异的力学性能。
由于其独特的结构和性能，氮化硼纳米管在能源存储、催化剂、传感器和纳米电子器件等领域具有广泛的应用前景。
2. 制备方法氮化硼纳米管的制备方法主要包括物理法和化学法两种。
2.1 物理法物理法制备氮化硼纳米管主要有溅射法、热蒸发法和热解法等。
•溅射法：通过在基底上溅射氮化硼靶材，形成纳米管状的氮化硼颗粒。
•热蒸发法：将氮化硼样品加热至高温，使其蒸发并在基底上沉积形成纳米管状结构。
•热解法：通过高温热解氮化硼前驱体，生成纳米管状的氮化硼。
2.2 化学法化学法制备氮化硼纳米管主要有溶胶-凝胶法、水热法和气相沉积法等。
•溶胶-凝胶法：将氮化硼前驱体溶解在溶剂中，经过凝胶化处理形成纳米管状的氮化硼。
•水热法：将氮化硼前驱体和溶剂混合，在高温高压条件下反应生成纳米管状的氮化硼。
•气相沉积法：通过气相反应使氮化硼前驱体在基底上沉积形成纳米管状结构。
3. 表征技术为了对氮化硼纳米管进行全面的表征，需要使用多种表征技术。
3.1 透射电子显微镜（TEM）透射电子显微镜是观察纳米管形貌和结构的常用技术。
通过TEM可以观察到氮化硼纳米管的直径、长度、形状等信息。
3.2 扫描电子显微镜（SEM）扫描电子显微镜可以观察到氮化硼纳米管的表面形貌和分布情况。
通过SEM可以获得纳米管的形貌、尺寸和分布密度等信息。
3.3 X射线衍射（XRD）X射线衍射是分析氮化硼纳米管晶体结构的重要方法。
通过XRD可以确定氮化硼纳米管的晶体结构、晶格参数和取向等信息。
3.4 红外光谱（FTIR）红外光谱可以分析氮化硼纳米管的化学组成和官能团。
通过FTIR可以确定氮化硼纳米管的化学键类型、官能团种类和含量等信息。
4. 应用领域氮化硼纳米管由于其优异的性能，在多个领域具有广泛的应用前景。
氧化物辅助生长法合成氮化硼纳米管
氧化物辅助生长法合成氮化硼纳米管氮化硼（BN）纳米管是一种具有很高的热导率和优异的机械性能的纳米材料。
由于其独特的结构和物理特性，氮化硼纳米管在电子器件、能量存储等领域具有巨大的应用前景。
目前，制备氮化硼纳米管的方法主要包括气相沉积、电化学沉积、热解法等。
然而，这些方法存在着制备难度大、反应条件苛刻、产物质量不稳定等问题。
为了解决这些问题，近年来，氧化物辅助生长法逐渐被认为是一种可靠、高效、简单的方法。
该方法所使用的前驱体是氧化硼（B2O3）和氧化铝（Al2O3），通过反应生成氮化硼和气态氧。
在该过程中，氧化铝起到了模板作用，可以在纳米管生长过程中控制纳米管的尺寸和形貌。
同时，氧化铝还可以作为捕捉氧气的载体，提高了氮化硼纳米管的纯度。
具体地，在氧化物辅助生长法中，首先将氧化硼和氧化铝混合，放在石英管中预处理。
然后，在高温（约1100°C）氮气气氛下进行生长。
反应过程中，氧化铝不断地释放氧气，该氧气被氮气气氛中的氮化硼还原为氮气，从而促进了氮化硼纳米管的生长。
最后，通过烧蚀氧化铝，得到高纯度的氮化硼纳米管。
与其他方法相比，氧化物辅助生长法具有以下优点：（1）可控制的尺寸和形貌：通过控制氧化铝的形貌和尺寸，可以实现对氮化硼纳米管生长过程的控制。
（2）简单易操作：与其他方法相比，氧化物辅助生长法不需要太多的设备和复杂的操作步骤。
（3）高纯度：氧化物辅助生长法可以通过选择合适的氧化铝作为载体，提高氮化硼纳米管的纯度。
（4）可批量制备：氧化物辅助生长法可以实现大规模制备，可以满足商业化应用的需要。
综上所述，氧化物辅助生长法是一种有前途的氮化硼纳米管制备方法。
在今后的研究中，我们可以进一步探索该方法的优化和改进，以实现更高质量和更大规模的制备。
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氮化硼(BN)材料制备与应用剖析
氮化硼(boron nitride，BN)是由第三族元素硼(B)和第五族元素氮(N)组成一种重要的III．V族化合物。
氮化硼具有宽带隙、高热导率、抗氧化性等优异的物理化学性能。
氮化硼还在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用前景。
因此，氮化硼纳米材料的制备、纳米结构的测量、纳米器件的组装、氮化硼增韧陶瓷及光、电学性能的测试等成为当今无机纳米材料领域的重要研究方向。
1.氮化硼结构
氮化硼具有宽带隙、高热导率、抗氧化性等优异的物理化学性能。
氮化硼的结构与石墨相似，它常见的有两种杂化方式，sp2和sp3杂化。
sp2杂化的BN主要包括六方相氮化硼（h-BN）和三方相氮化硼（r-BN）：sp3
杂化的BN主要包括立方相氮化硼（c-BN）和纤锌矿结构氮化硼（w-BN）。
图1为氮化硼各晶型结构示意图。
图1 氮化硼各晶型结构示意图
2.氮化硼性质
虽然氮化硼与石墨的结构相似，但是与石墨相比，氮化硼还具有很多优异的物理化学特性：
1. 高耐热性，能耐2000℃的高温，直到3000℃时才升华。
2. 高导热性，氮化硼具有良好导热性，是众多陶瓷材料中导热最火的材料之一。
3. 优异的介电性能，高温绝缘性很好，电阻率在25℃时为104ΩNaN，在2000℃时为104ΩNaN，是陶瓷材料中最好的高温绝缘材料。
介电常数为。
氮化硼纳米管的制备及应用
氮化硼纳米管的制备及应用氮化硼纳米管的制备及气墩特性院系：11级材料与广电物理学院微电子三班姓名：张子珂学号:2011700726摘要:氮化硼纳米管异质结在纳米电子器件中具有较好的应用前景，而氮化硼纳米管异质结的气敏特性是其应用的基础之一，对其进行研究，不仅具有重要的理论意义，而且具有重要的实用价值，也是当前国内外重视的研究领域。
采用密度泛函理论计算研究了氮化硼纳米管及碳掺杂氮化硼纳米管对CH4, C02, H2, H20, N202, N02, F2十余种气体小分子的气敏特性(研究结果表明：氮化硼纳米管对CH4, C02, H2, H20,N2, NH3等气体分子不敏感，而对02, N02, F2等气体分子比较敬感(虽然碳掺杂氮化硼纳米管可以明显地改变其表面的化学反应活性，增强了气体分子与氮化硼纳米管之问的相互作用，但是并不能明显地改变其对所研究气体分子的敬感性。
关键词:氮化硼纳米管的制备；氮化硼纳米管;气体分子;掺杂;气墩传感器;密度泛函理论氮化硼纳米管的制备氮化硼纳米管(Bomn Nitride Nanotubes, BNNTS)的理论研究表明，与碳化[1]硅纳米管相比，它具有更宽的能带间隙，而且其电学性质与纳米管的直径、手[2]性等性质接近无关。
氮化硼纳米管不仅具有高的热传导率和抗氧化性，而且具有高的热稳定性和稳定的化学性质，这使得氮化硼纳米管在高温、高功率等恶劣[3]环境下的电子器件中具有良好的应用前景。
氮化硼纳米管材料的制备是其应用的基础，为此人们在其制备上开展了大量的研究工作。
Chopra等人在1993年采用[4]等离子体电弧放电法首次合成了氮化硼纳米管，经过大量的探索，多种方法都成功的制备了氮化硼纳米管，最常见的制备方法可以分成三类:机械法、物理法和化学法。
机械法主要是指机械球磨法，主要过程为:在室温下，以惰性气体为保护气体，对硼粉和氮化硼粉进行球磨，然后经过适当温度的退火，就可以制备氮化硼纳米管。
用高压蒸汽／冷凝器(PVC)法制取氮化硼纳米管
收 稿 日期 ：０ Ｏ ０ 一 Ｉ ２ｌ一 ６ １
使 用 硅 量 子 颗 粒 的薄 膜 太 阳 电池
日本 东 京 工 业 大 学 开 发 成 功 一 种 采 用 了硅 量 子 颗 粒 （ ｏ ） 小 品粒 的薄 膜 太 阳 电池 。这 种 太 阳 电池 当受 到 光 线 照 射 时所 ｄ ｔ微 显 示 的 电压 （ 放 电压 ） 到 了 ５ ８ ｍ 这 是 当 前 世 界 最 高 值 。现 在 所 制 得 的元 件 可 将 光 转 换 成 电能 的 转 换 效 率 高 达 ０ １ 开 达 １ Ｖｃｉ ａ — ｑ ｅｍｅＪ ｔ １ Ｊ ．Ｍ ｉ ｏ ｌ ｔｏ ，２ ０ ） ｄ ｉ ９ ａｒ ｔｎＲｉｕ ｌ ，ｅ ．［］ ｓ ａ ｃ ｅｅ ｒｎＪ （０ ８ ，ｏ： ｒ ｃ
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《 业材 料 》 ２ １ ５ （ ） ６ ） 工 ，０ ０， ８ ５ ： ３
用 高 压 蒸 汽／ 凝 器 （ Ｖ 法 制 取 氮化 硼 纳 米 管 冷 Ｐ Ｃ）
美 国 的 ＮＡ Ａ 兰 勒 研 究 中心 和 国家 宇 航 研 究 所 的研 究 人 员共 同协 作 研 究 成 功 运 用 高 压 蒸 汽 ／ 凝 器 法 （ ＶＣ法 ） 取 高 Ｓ 冷 Ｐ 制
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氮化硼纳米管的制备及应用
氮化硼纳米管的制备及气敏特性
院系:11级材料与广电物理学院微电子三班
姓名:张子珣
学号:2011700726
摘要:氮化硼纳米管异质结在纳米电子器件中具有较好的应用前景，而氮化硼纳米管异质结的气敏特性是其应用的基础之一，对其进行研究，不仅具有重要的理论意义，而且具有重要的实用价值，也是当前国内外重视的研究领域。
采用密度泛函理论计算研究了氮化硼纳米管及碳掺杂氮化硼纳米管对CH4，C02，H2，H20，
N202，N02，F2十余种气体小分子的气敏特性(研究结果表明:氮化硼纳米管对
CH4，C02，H2，H20，N2，NH3等气体分子不敏感，而对02，N02，F2等气体分子比较敏感(虽然碳掺杂氮化硼纳米管可以明显地改变其表面的化学反应活性，增强了气体分子与氮化硼纳米管之问的相互作用，但是并不能明显地改变其对所研究气体分子的敏感性。
关键词:氮化硼纳米管的制备;氮化硼纳米管;气体分子;掺杂;气敏传感器;密度泛函理论
氮化硼纳米管的制备
氮化硼纳米管(Bomn Nitride Nanotubes，BNNTS)的理论研究表明，与碳化
[1]硅纳米管相比，它具有更宽的能带间隙，而且其电学性质与纳米管的直径、手
[2]性等性质接近无关。
氮化硼纳米管不仅具有高的热传导率和抗氧化性，而且具有高的热稳定性和稳定的化学性质，这使得氮化硼纳米管在高温、高功率等恶劣
[3]环境下的电子器件中具有良好的应用前景。
氮化硼纳米管材料的制备是其应用的基础，为此人们在其制备上开展了大量的研究工作。
Chopra等人在1995年采用
[4]等离子体电弧放电法首次合成了氮化硼纳米管，经过大量的探索，多种方法都成功的制备了氮化硼纳米管，最常见的制备方法可以分成三类:机械法、物理法和化学法。
机械法
主要是指机械球磨法，主要过程为:在室温下，以惰性气体为保护气体，对硼粉和氮化硼粉进行球磨，然后经过适当温度的退火，就可以制备氮化硼纳米管。
这些制备的氮化硼纳米管在结构上难免存在缺陷，对其工艺的改进具有重要的意义。
物理法
这类方法主要包括电弧放电法、电弧熔融法和激光烧蚀法。
电弧放电法与碳纳米管制备的设备相似，不同的是电极材料和保护气体。
电弧熔融法就是将氮化硼粉(或硼粉)与金属或金属氧化物压片，然后在氮气中用电弧熔融就可以制备氮化硼纳米管，在该方法制备的纳米管中通常包含有金属粒子。
激光烧蚀法利用一定频率和波长的激光在氩气或氮气的载体下，对氮化硼、镍等的粉末烧结靶进行烧蚀。
化学法
该方法主要有两种:碳纳米管取代反应法和化学反应法。
碳纳米管取代反应法是用碳纳米管作为模板，用硼原子、氮原子取代碳原子，用这种方法不但可以制得氮化硼纳米管，而且也可以制得C-B-N纳米倒。
化学反应法是用CO(NH)和22CBO 作为原料，加入AgN0后溶于水，然后将水蒸干得到一种混合物，在700?下333 用氢对这种混合物进行还原，就可以得到氮化硼纳米管。
对碳纳米管研究取得的巨大成功吸引了人们对于纳米管材料研究的极大热情，不仅成功的合成了碳化硅
纳米管和氮化硼纳米管，而且成功的制备了其它纳米管，主要有氧化锰纳米管、氧化铝纳米管、氧化钛纳米管、氧化锡纳米管、硫化钨纳米管、硫化铜纳米管等。
这些纳米管的制备成功不仅为纳米管材料的制备积累了宝贵的经验而且为其应用的研究提供了材料基础。
氮化硼纳米管气敏特性
氮化硼纳米管是继实验上合成CNT之后成功合成的复合材料纳米管之一(其电子学特性与CNT有明显的不同，它是一种宽带隙半导体纳米管，其带隙宽度与直径、螺旋度等结构参数几乎无关，这使其成为制造纳米电子器件的重要材料之一，引起了人们广泛的关注(最近，Schmidt课题组采用密度泛函理论(DFT)计算研究了CO和NO在BNNT和碳掺杂C-BNNT表面的吸附(结果表明，BNNT对CO和NO不敏感，而碳掺杂BNNT之后，增强了其与C0和NO之间的相互作用，明显地改变了C-BNNT的导电特性，因此，C-BNNT可以用做制造CO和NO气敏传感器的原材料(然而，BNNT与大多数常见气体分子，特别是一些易燃易爆气体分子(如C地，H等)之间相互作用的研究报道很少。
而对这些气体分子的检测具有重要的2 意义(为此，本文采
用DFT方法研究了BNNT及C-BNNT与CH，C0，H，H0，N，NH，N0，0，
F422223222等若干气体小分子之间的相互作用，试图揭示其对不同气体分子的气敏特性，为BNNT在气敏传感器方面的应用提供理论指导。
[5]胡承忠等提出，BNNT和C—BNNT不适合作为CH，C0，H，H20，N和NH等气42223
体分子的气敏传感器(0，N0和F与BNNT之间的相互作用比较强，对BNNT的电子222
结构影响也比较大(碳掺杂BNNT以后，0，N0和F非常容易化学吸附在碳掺杂位，222
形成不同电子学特性的复合体系(因此，BNNT和C-BNNT可以作为0，N0和F的新222
型气敏传感器。
[1] Wirtz L,Marini A，and Rubio A( Excitons in boron nitride nanotubes:
Dimensionality effects(Phys(Rev(Lett(2006，3，96(12)(126104
[2] Arenal R，Stephan O，Kociak M，et a1(Electron Energy Loss Spectroscopy MeaSurement of the Optical Gaps on IndiVidual Boron Nitride Single-Walled and
MuItiWalled Nanotubes(Phys(Rev(Lett(2005，9，95(12)(12760l
[3] Wu X，An W，and Zeng X C(Chemjcal Functionalization of Boron-Nitride Nanotubes with NH3 and Amino Functional
Groups(J(Am(Chem(Soc(2006，9，1 28
12001-12006 (36)(
[4] Chopra N G，Luyken R J，Cherrey K，et a1(Boron nitride
nanotubes(Science( 1995，8，269(5226)(966—967
[5] 胡承忠，化学学报，2008.V01(66:164l-1646。