何谓发光二极体
LED发光理论
LED发光理论发光二极体,通常称为LED。
发光二极体只是一个微小的电灯泡。
但不像常见的白炽灯泡,发光二极体没有灯丝,而且又不会特别热,它单单是由半导体材料里的电子移动而使它发光。
因为发光二极体没有灯丝会烧坏,所以寿命就更长。
并且发光二极体的小小塑性灯泡使得发光二极体更持久耐用,再加上LED可以更加容易适合现在的电子电路。
传统白炽灯的发光过程包含了产生大量热量,这完全是浪费能源。
发光二极体所发出的热非常少,相对来说,越多电能直接发光就是越大程度上减少对电能的需求。
光是能量的一种形式,一种可以被原子释放出来。
是由许多有能量和动力但没品质的微小粒子似的小捆组成的。
这些粒子被叫做光子,是光的最基本单位。
光子是因为电子移动才释放出来。
在原子中,电子在原子的四周围以轨道形式移动。
电子在不同的轨函数有着不同等的能量。
通常来说,有着更大能量的电子以轨道移动远离了核子。
当电子从一个更低的轨道跳到一个更高的轨道,能量水准就增高,反过来,当从更高轨函数跌落到更低的轨函数里时电子就会释放能量。
能量是以光子形式释放出来的。
更高能量下降释放更高能量的光子,它的特点在于它的高频率。
自由电子从P型层通过二极体落入空的电子空穴。
这包含从传导带跌落到一个更低的轨函数,所以电子就是以光子形式释放能量。
这在任何二极体里都会发生的,当二极体是由某种物质组成的时候,你只是可以看见光子。
在标准硅二极体的原子,比如说,当电子跌落到相对短距离原子是以这样的方式排列。
结果,由于电子频率这麼低的情况下人的眼睛是无法看得到的。
可见光LED,比如用在数位显示式时鐘的,间隙的大小决定了光子的频率,换句话说就是决定了光的色彩。
当所有二极体都发出光时,大多数都不是很有效的。
在普通二极体里,半导体材料本身吸引大量的光能而结束。
发光二极体是由一个塑性灯泡覆盖集中灯光在一个特定方向。
半导体零件的价格在过去10年中已经大幅度地降低,相信未来发光二极体在更广泛的应用下,是一个更划算的照明选择。
简述LED发光原理
简述LED发光原理LED发光原理:发光二极体是一种将电流顺向通到半导体p-n结处而发光的器件,通常采用双异质结和量子阱结构。
1962年GE(General Electric)公司用GaAsP首次将红色LED商品化。
最初的红色LED的光通量为0.1lm/W,约是普通灯光的1/150,其发光效率大约每10年提高一个数量级。
最近,蓝色、绿色LED已实用化,其发光强度超过AlGaAs类红色LED。
这种LED采用氮化物半导体(InGaN混晶)作活性(发光)层的量子阱结构,其发光强度超过10cd,量子效率超过20%。
此外,还开发了外部量子效率超过50%的AIInGaP红色LED(630nm)和琥珀--LED(595nm)。
InGaN绿色、蓝色LED的量子效率也接近上述值。
坎德拉(cd)是发光强度的单位,用以表示可见光LED发光强度的指标。
发光强度I可用光通量Φ和立体角Ω表示。
I=dΦ/dΩ[cd]Φ=Km∫V(λ)Pλdλ[lm]其中,Km为在波长555nm 范围内的最大可见度(683nm),绿色对人眼是最亮的。
V(λ)是在波长为λ时的相对可见度[V(555nm)=1],Pλ为光谱辐射通量。
白光LED发光原理:是一种由InGaN蓝色LED和萤光体组成的新型LED。
在蓝色LED芯片上涂敷萤光体,最后用环氧树脂将芯片周围密封。
两种方式(单芯片型和多芯片型)可得到色调效果好(Ra 85)的白光。
一是同时点亮红色、绿色、蓝色(R.G.B)或蓝绿色和黄橙色2、3种LED;二是用辐射蓝色或紫外LED作激励光源激励萤光体的方式。
第一种方式不仅在LED的驱动电压或发光输出上有缺陷,而且在温度特徴或器件寿命上也存在问题,因此距实用化还有一段距离。
第二种方式则用一个器件即可,驱动电路,易于设计。
白光LED有三种激励方式:1.用蓝色LED激励发黄光的萤光体。
这种白光构就是将蓝光LED与YAG萤光物质放在一起,用蓝光激发萤光物质,这样它发出的光谱就是白光。
LED简介
●戶外顯示幕
模組化設計應用
模組化應用實例
地面指示燈
戶外照明燈
2009LED行业应用分配:
照明市场 13% 交通信号灯 7% 3C市场/玩具/指 示灯 11% 显示屏 12% 汽车转向灯以及 灯饰 8% 背光市场 48% 其他 1%
全球主要LED厂商
日韩厂商 日亚化工
丰田合成 东芝 松下 夏普 首尔半导体
四:LED封装之原料组成
1. 晶片(三元InGaN/四元晶片AlGaInP) 2. 支架&PCB 板( 基材:铁/铜) 3. 金线&铝线(0.8/0.9/1.0/1.2mil) 4. 银胶或绝缘胶(银胶成分:银粉和环氧树脂) 5. 环氧树脂胶&硅胶(A:环氧树脂 B:硬化剂) 6. 扩散剂 & 色素 7. TPX模条
晶片 擴晶 框晶 固晶 固檢 推力檢查
銀膠 支架/PCB 金線 解凍 攪拌
TPX模 裝模 清模 噴離模劑 預熱 灌膠
離模劑
膠 配膠 攪拌 抽氣
電鍍液/錫粒
入庫
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ烘烤
拉力檢查 銲線 插支架/molding 短烤
QA
包裝 分BIN 後切 外觀
離模
長烤
一次前切
鍍錫
外觀
二次前切
測試
品檢
QA
TKS!
P層 發光 -
N層 電子 發光
+
+
+
+ + +
HOLE電洞
說明: 發光二極體的電流一旦由P側流入N側時,P側電極級注入電 洞,N側電極即注入電子,電洞在P層移動(擴散),電子在N層 移動(擴散),達到P-N接合.若電洞與電子的能量達到某定 值(Diffusion電壓,Vd)以上,則電洞即跨越P-N接合進入N 層,而與大量電子再結合、發光。電子也一樣,會跨越P-N 接合進入P層,而與大量電洞再結合、發光。
高亮度发光二极体
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發光二極體之缺點
尚無法由磊晶技術直接成長白光發 二極體
目前由於製作白光發光二極體成本 太高,故尚未大量進入量產階段
目前白光二極體多使用封裝技術配 合螢光粉來使用
19
發光二極體之應用範圍
紅綠燈 大型跑馬燈 第三煞車燈 大型廣告看板 儀表板背光源 手機背光源
Active layer
5
製程目的
Dry etching(RIE) 利用活性離子蝕刻機(Reactive Ion Etching)定義發光區域
SiOx mask
P-TYPE N-TYPE Sapphire
Active layer
6
After RIE (NO mask)
製程目的 將晶片表面作清潔
20
LED 發展趨勢(一)
21
LED 發展趨勢(二)
藍光LED可激發螢光粉產生白光, 可望取代日光燈,為新世代環保光 源,市場商機龐大。
藍紫光雷射二極體可應用在存取資 料的讀寫頭上,使得近幾年來光碟 機的發明與進步大鳴大放,由讀取 到倍速讀取,由錄製到可重複錄製, 而重點發展則是將其推往更大的資 料儲存容量。
化學蝕刻
蒸鍍金屬 TiAlNiAu
第四道光 罩P-PAD
化學蝕刻
第三道光 罩 N-PAD
蒸鍍金屬 TiAlTiAu
化學蝕刻 Lift-off
薄膜沈積
晶粒篩選
Lapping & Cutting
化學蝕刻
第五道光罩 Passivation
4
薄膜沈積 製程目的
對P-TYPE的傷害
SiOx mask
P-TYPE N-TYPE Sapphire
传统发光二极体与有机发光二极体之原理,特性与应用(精)
除了照明外,許多商品都有機會使用有機發光二極體(OLED)何顯示器如電視、電腦螢幕 、掌上型遊樂器、電子字典、音響等需要背光源。
白光照明上,德國歐司朗光電半導體宣布,歷經兩年的開發,白光有機發光二極體效能 已達46 lm /W、光度達到1,000 cd /m2,連續使用時間則達到5,000小時以上。今年 ,美國的UDC公司更宣布已可讓白光元件效能超過100 lm /W,並且在光度達1,000 cd /m2的條件下使用壽命超過20 萬小時。 節能環保,是日趨受重視的議題正影響著我們的生活,LED及OLED不只是新的光源,也 將帶領著地球邁向健康的時代,讓我們期待新的階段,
傳統發光二極體與有機發光二極體 之原理、特性與應用
指導老師:王文峰教授 系所名稱:機械系微奈米組 學生學號:陳炳仁 49514912
大綱
前言
發光二極體LED的原理、特性
有機發光二極體OLED的原理 、特性
發光二極體LED及有機發光二極體
OLED的應用 結語
大綱
前言
發光二極體LED的原理、特性
發光二極體LED及有機發光二極體
OLED的應用 結語
發光二極體LED的原理、特性
電流流經PN界面而發光
典型的發光二極體
封裝體
大綱
前言
發光二極體LED的原理、特性
有機發光二極體OLED的原理 、特性
發光二極體LED及有機發光二極體
OLED的應用 結語
有機發光二極體OLED結構圖
有機發光二極體OLED的原理 、特性
發光二極體LED及有機發光二極體
OLED的應用 結語
結語
發光二極體(LED)在這幾年的發展非常迅速 ,按照美國能源部的預估,白光發光二極體 的發光效率在2010 年將可達到120 lm /W,且製造成本有機會與傳統燈具競爭,許多 日常生活中的燈源都已開始逐漸由LED取代傳統光源 。 根據經濟部工業局的統計,台灣所有的照明用電約占總用電的16 %,若可以全面更換為 LED 燈,大約可節省50 %的能源,估計每年可省下110 億度電,大約是1 座核能發電廠 的年發電量 。
发光二极体
發光二極體發光二極體(Light Emitting Diode,LED ),是一種半導體元件。
1955年,美國無線電公司(Radio Corporation of America )的魯賓·布朗石泰(RubinBraunstein )生首次發現了砷化鎵(GaAs)及其他半導體合金的紅外放射作用。
1962年,通用電氣公司的尼克·何倫亞克(Nick Holonyak Jr.)開發出第一種實際應用的可見光發光二極體。
1960年代,紅光LED 就已經發明,而其他顏色的LED 也相繼出現,但是直到1990年代初期,在藍光LED 發明之後,全彩化的LED 才得以實現。
初時的LED 多用作為指示燈、顯示板等;而現今LED 的應用範圍很廣,從照明、背光、廣告招牌、交通號誌、紅綠燈、手電筒、相機閃光燈、裝飾燈等,皆可看到LED 的蹤跡,隨著白光LED 的出現,也被用作照明。
它是21世紀的新型光源,具有效率高,壽命長,不易破損等傳統光源無法與之比較的優點。
1-1發光二極體的發光原理發光二極體是一種特殊的二極體。
和普通的二極體一樣,發光二極體由半導體晶片組成,它是利用波爾效應定理把電能轉換為光能的一種原件,這些半導體材料會預先摻雜三價或五價雜質以產生P 型或N 型半導體架構。
與其它二極體一樣,發光二極體中電流可以輕易地從P 極(正極)流向N 極(負極),而相反方向則不能。
而順向電流是由兩種不同的載子所產生(電洞流和電子流),電洞和電子在正負不同極性的電壓作用下從電極兩端分別流向PN 接合面,當電洞與電子相遇產生複合的過程,電子會跌落到較低的能階,同時以光子的模式釋放出能量而產生光。
圖(5) 電子電洞對的產生與複合能量(eV)能量(eV)一般二極體主要材料以矽為主,但因為材料矽屬於間接能隙(indirectbandgap)材料,,由於電子經傳導帶往價電帶進行復合時,須加上聲子為維持動量守恆定律,故在過程中電子會消耗多餘的能量,僅釋放極微弱的光能,所以看不到發光。
LED (Light Emitting Diode)发光二极体
LED (Light Emitting Diode)發光二極體一、簡介LED是一個具有二極體的電子特性且會發光的半導體元件,雖然它具有整流二極體的功能,但它的應用是偏重於LED的發光特性而非整流特性,它是一種由半導體技術所製成的光源。
大多數的LED被稱為III-V族或化合物半導體,它是由III族化學元素為:鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In),V族化學元素:為氮(N)、磷(P)、砷(AS) 結合而成的。
摻入III族如硼鋁鎵銦就會變成P型半導體,摻入V族如砷銻磷就會變成N型半導體,LED的發光原理是用半導體III-V族兩種化學元素結合所製成的發光元件,分別在兩極端子間施加電壓(P極接正電壓、N極接負電壓),通入極小電流的順向電壓,電子由N區流向P區,電洞則由P區流向N 區,電子與電洞於PN接面結合而產生光。
DIP型(砲彈型)LED SMT型LED Flip Chip型LED二、LED發光原理利用III族化學元素所產生的電洞與V族所產生的電子相互結合時剩下的能量以光的形式激發釋出而達成發光效果。
由於不同材料其兩極體內電子、電洞所佔的能階不同,兩者間能階的高低差稱為能隙(Gap),影響結合後光子的能量而發出不同波長的光,因此眼睛會看到不同顏色的光,如:紅、橙、黃、綠、藍或不可見光等。
LED是一種藉外加電壓激發電子而放射出光(電能→光)的光電半導體元件。
發光現象屬半導體中的直接發光(沒有第三質點的介入)。
整個發光現象可分為三個過程(直接發光):(a)價電帶的電子受外來的能量(順向偏壓),被激發至導電帶,並同時於價電帶遺留一個電洞,形成電子-電洞對。
(b)受激發的電子於導電帶中,與其它質點碰撞(散射),損失部份能量,而接近導電帶邊緣。
(c)一旦導電帶邊緣的電子於價電帶覓得電洞時,電子即從導電帶邊緣,經由陷阱中心(釋放熱能)或發光中心(釋放光能),回到價電帶與電洞復合,電子-電洞對消失。
LED是利用電能直接轉化為光能的原理,在半導體內正負極2個端子施加電壓,當電流通過,使電子與電洞相結合時,剩餘能量便以光的形式釋放,依其使用的材料的不同,其能階高低使光子能量產生不同波長的光,人眼所能接受到各種顏色的光,如圖橫座標所示,其波長介於400-780nm,在此區間之外則為不可見光,包括紅外光及紫外光(UV)。
发光二极管的简介共11页word资料
它是半导体二极管的一种,可以把电能转化成光能;常简写为LED。
发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具有单向导电性。
当给发光二极管加上正向电压后,从P 区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。
不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。
当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同,释放出的能量越多,则发出的光的波长越短。
常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。
发光二极管的反向击穿电压约5伏。
它的正向伏安特性曲线很陡,使用时必须串联限流电阻以控制通过管子的电流。
限流电阻R可用下式计算:编辑本段公式R=(E-UF)/IF式中E为电源电压,UF为LED的正向压降,IF为LED的一般工作电流发光二极管编辑本段物理特性式中E为电源电压,UF为LED的正向压降,IF为LED的一般工作电流。
发光二极管的两根引线中较长的一根为正极,应按电源正极。
有的发光二极管的两根引线一样长,但管壳上有一凸起的小舌,靠近小舌的引线是正极。
发光二极管与小白炽灯泡和氖灯相比,发光二极管的特点是:工作电压很低(有的仅一点几伏);工作电流很小(有的仅零点几毫安即可发光);抗冲击和抗震性能好,可靠性高,寿命长;通过调制通过的电流强弱可以方便地调制发光的强弱。
由于有这些特点,发光二极管在一些光电控制设备中用作光源,在许多电子设备中用作信号显示器。
把它的管心做成条状,用7条条状的发光管组成7段式半导体数码管,每个数码管可显示0~9十个数目字。
编辑本段发光原理50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,第一个商用二极管产生于1960年。
LED是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写,发光二极管它的基本结构是一块电致发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,起到保护内部芯线的作用,所以LED的抗震性能好。
发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层,称为PN结。
发光二极体介绍
2、LED的工作原理发光二极管(LED)是一种能把电能转化为光能的固体器件,它的结构主要由PN结芯片、电极和光学等系统组成。
LED的基本工作原理是一个电光转换的过程,当一个正向偏压施加于PN结两端,由于PN结势垒的降低,P区的正电荷将向N区扩散,N区的电子也向P区扩散,同时在两个区域形成非平衡电荷的积累。
由于电流注入产生的少数载流子相对不稳定,对于PN结系统,注入到价带中的非平衡空穴要与导带中的电子复合,其中多余的能量将以光的形式向外辐射,电子和空穴的能量差越大,产生的光子能量就越高。
能量级差大小不同,产生光的频率和波长就不同,相应的光的颜色就会不同。
LED工作原理如图2所示。
3、LED的光参数3.1 光通量光通量是光源在单位时间内发出的光量,即辐射功率(或辐射通量)能够被人眼视觉系统所感受到的那部分有效当量。
光通量的符号为Φ,单位为流明(Lm)。
根据光谱辐射通量Φ(λ),由下式可确定光通量:Φ=Km■Φ(λ)gV(λ)dλ式中,V(λ)—相对光谱光视效率;Km—辐射的光谱光视效能的最大值,单位为Lm/W。
1977年由国际计量委员会确定Km值为683Lm/W(λm=555nm).3.2 光强度光源在给定方向上的发光强度I是该光源在该方向的立体角元内传输的光通量dΦ除以该立体角元dΩ之商,即:I=■发光强度的单位是坎德拉(cd),1cd=1Lm/1sr。
空间各个方向的光强之和就是光通量。
3.3 光亮度光源发光表面上某一点处的亮度L,是该面元dS在给定方向上的发光强度除以该面元在垂直于给定方向平面上的正投影面积之商,即:L=■单位为坎德拉每平方米(cd/m2)。
当发光表面与测量方向垂直时,则cosθ=1。
3.4 光照度表面上一点的照度E是入射在包含该点面元上的光通量dΦ除以该面元面积dS之商。
即:E=■单位为勒克斯(Lx),1Lx=1Lm/m2。
LED的光参数还包括:光谱、色品坐标、主波长和色纯度、色温和相关色温、显色性和显色指数等。
什么是发光二极管
什么是发光二极管
发光二极管(LED)和普通二极管一样,发光二极管是PN结二极管。
当发光二极管正向导通时能够发光。
特性:发光二极管比普通的灯泡发热小、寿命长,以低功率消耗发出亮光,只需较低电压即可工作。
LED必须始终与一个串联电阻连接在一起。
以便限制经过发光二极管的电流。
一个LED的N层掺杂较多时,P层的掺杂只能较少。
这样二极管接人流通方向时,电流几乎只通过电子运载。
P层内出现空穴与电子结合(复合)的情况时,释放出能量。
根据具体半导体材料,这种能量以可见光或红外辐射形式释放出来。
由于P层非常薄,因此可能有光线溢出。
—1 —。
《发光二极体教材》课件
发光二极体作为背光源,为液晶显示器提供均匀的光线,使得液晶显示器能够清晰地显示文字和图像 。同时,有机发光二极体显示器作为一种自发光显示技术,具有轻薄、可弯曲的优点,广泛应用于智 能手机、电视等领域。
照明领域的应用
总结词
发光二极体具有高效、节能、环保等优点,在照明领域的应用日益广泛。
详细描述
2010年代
4
微型化、智能化和高效化成为LED发展的主要方向。
发光二极体的基本原理
当正向偏置电压施加到LED上时,电子从N区注入P区,空穴从P区注入N区。在PN 结附近,电子和空穴在复合时释放出能量并以光子的形式辐射出来。
LED的波长(颜色)主要由半导体材料的禁带宽度决定。
LED的亮度与电流密度成正比,但过高的电流密度会导致热失效和光衰减。
《发光二极体教材》 PPT课件
• 发光二极体的基础知识 • 发光二极体的种类与特性 • 发光二极体的应用领域 • 发光二极体的制造工艺 • 发光二极体的未来展望
目录
Part
01
发光二极体的基础知识
发光二极体的定义
01
发光二极体(LED):一种固态 的半导体电子器件,能将电能直 接转换为光能。
02
04
发光二极体的制造工艺
外延生长法
总结词
通过在单晶衬底上生长单晶薄膜的方法,制 造出单晶发光二极体。
详细描述
外延生长法是制造发光二极体的常用方法之 一,它是在单晶衬底上通过化学气相沉积或 分子束磊晶法等手段,生长出与衬底晶格匹 配的单晶薄膜,形成发光二极体的有源层。 这种方法能够制造出高品质的发光二极体,
发光二极体由一个正极和一个负 极组成,当正向偏置时,电子和 空穴在PN结结合,释放出能量并 以光子的形式辐射出来。
LED发光二极体原理
cd lm/Sr
lux lm/m2
Sr: 表立體角, 在測試距離100mm時為0.01
lm: Lumen
nit cd/m2
cd: Candela
教育訓練 - LED發光二極體原理
➢ 視感度
• 人眼對555nm波長光(綠色)的感度 最佳, 隨之比它波長越短或越長, 則 感度越差, 此種人眼感度特性, 稱為 視感度 • W與lm的關係即在視感度
• LED適用於電流操作, 而非電壓 • VR或IR的量測方法 VR =5V時, IR =10uA IR =10uA時, VR =5V
教育訓練 - LED發光二極體原理
光電特性
不可見光 可見光
光束 Power
W
光強度 Intensity
W/Sr
照度 W/m2
亮度 W/Sr*m2
可見光
flux
lm
△λ
光強度*視感度係數後所得的
最高強度的波長
• △λ半頻寬值
為最高強度50%時的寬度
教育訓練 - LED發光二極體原理
➢ Iv v.s. IF
Iv 與IF 成正比
➢ IFP v.s. Duty cycle
教育訓練 - LED發光二極體原理
➢ 2θ1/2 Viewing Angle
• LED為指向性元件 • ½表示發光強度50%時的角度 • Flux相同的兩顆LED, 2θ1/2愈 大則Iv愈小
• 依P型層及N型層的位置, 分為兩種: P型層在上, 則為P-type N型層在上, 則為N-type • 基層一般為GaAs, GaP,…等
教育訓練 - LED發光二極體原理
➢ 晶片的結構( II ) 一般基層(Substrate)的材料, 如GaAs, 有吸收光之特性,
传统发光二极体与有机发光二极体之原理特性与应用
太陽光光譜圖
不同材料LED 對應的發光波長
InxGa1-xN
長腳炮彈型的LED
(AlxGa1-x)yIn1-yP AlGaAs
GaP GaAsP
大綱
前言 發光二極體LED的原理、特性 有機發光二極體OLED的原理 、特性 發光二極體LED及有機發光二極體
OLED的應用 結語
發光二極體LED的原理、特性
電流流經ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱN界面而發光
典型的發光二極體
封裝體
大綱
前言 發光二極體LED的原理、特性 有機發光二極體OLED的原理 、特性 發光二極體LED及有機發光二極體
OLED的應用 結語
有機發光二極體OLED結構圖
電子電洞傳輸材料
N
N
NPB 常見的電洞傳輸材料
ON
N Al O O N
OLED的應用 結語
結語
發光二極體(LED)在這幾年的發展非常迅速 ,按照美國能源部的預估,白光發光二極體 的發光效率在2010 年將可達到120 lm /W,且製造成本有機會與傳統燈具競爭,許多 日常生活中的燈源都已開始逐漸由LED取代傳統光源 。
根據經濟部工業局的統計,台灣所有的照明用電約占總用電的16 %,若可以全面更換為 LED 燈,大約可節省50 %的能源,估計每年可省下110 億度電,大約是1 座核能發電廠 的年發電量 。
節能環保,是日趨受重視的議題正影響著我們的生活,LED及OLED不只是新的光源,也
新的光明! 將帶領著地球邁向健康的時代,讓我們期待新的階段,
為了解決『能源短缺』 、降低『全球暖化』
請節能省碳,愛惜地球
發光二極體LED應用產品
發光二極體LED應用產品(續)
发光二极体LightEmittingDiodesLED
<例3.3> 10V 的稽納二極體流過 50mA <例3.4> 對於 1W、6.2V 的稽納二極體,
的電流,求其功率消耗。
求所容許的最大電流。
PZ = VZ ×IZ = 10V ×50mA = 500mW = 0.5W
PZM = 1W VZ = 6.2V 設計時,PZ = VZ ×IZ < PZM
6.2V ×IZ <1W
<例3.1> 計算圖中 LED 的電流值
<例3.2>若要提供 25mA 的 LED 電流, 選擇電阻 R 的值
VLED = 2V Vin = ILED ×R + VLED
24V = ILED ×2kW + 2V
ILED
24V 2V 2kW
11mA
ILED = 25mA VLED = 2V Vin = ILED ×R + VLED
稽納二極體:
最佳操作區在逆向崩潰區,主要 功能為穩定電壓(穩壓)。
電路符號:
電壓電流特性曲線:
順向偏壓時,稽納二極體的特性 如同矽質整流二極體,其障壁電 壓約 0.7V。
逆向偏壓時,其崩潰電壓通常較整流二極體小,其大小視型號而定。 而且崩潰後不會損壞,一旦崩潰後,無論逆向電流的大小,其電壓會 保持在 VZ。因此,稽納二極體常被用來穩定電壓。
IZ
1W 6.2V
161mA
最大容許電流 161mA
稽納二極體的使用與分析方法:
使用方法:
將稽納二極體與欲穩壓的負載並聯,只要稽納二極體崩潰,其電壓會保持在 VZ, 與其並聯的負載,電壓也會維持在 VZ。
只要崩潰 VL = VZ
而
IL
VL RL
RS 的電壓為 Vin - VZ
因此電流
可见光区之发光二极体(LED)与半导体雷射简介.doc-郭艳光
老師:郭艷光班級:物四乙學號:8522056姓名:王堯民前言由於體積小、耗電少、亮度高等優點,發光二極體自1968年問世以來早已成為日常生活中不可或缺的光電元件。
近年來由於材料科技的突飛猛進,使得發光二極體多彩化和價格降低,故其應用領域愈來愈廣,不再侷限於室內,進而也邁向戶外顯示器的發展。
由於發光二極體的多項優點,未來以發光二極體為主的產品必將大增。
而雷射二極體自從1960年代發明至今,也已發展成為光資訊與光通訊不可或缺的重要光電元件,目前已有應用於光資訊儲存、條碼掃描、影像紀錄與雷射醫療等用途。
不管是發光二極體或雷射二極體皆會因其材料的不同而發出可見光與非可見光,現在本文將針對此兩種光電元件中能發出可見光(波長為400nm至700nm)的材料作元件結構、發光特性、結晶成長技術和其應用方面的初步介紹。
發光二極體(Light Emitting Diode)----簡稱LED 由於體積小、耗電少,發光二極體(LED)早已成為日常生活中不可或缺的光電元件。
在高度資訊化的時代裡,人類除了期望滿足〝知〞的渴望外,也希望能有賞心悅目的視覺效果。
而發光二極體自1968年問世以來,初期主要適用於室內的應用,如家電產品、儀器指示等。
近年來由於材料科技的突飛猛進,使得LED的亮度不斷升高、多彩化及價格降低,故其應用領域也愈來愈廣,不再侷限於室內,進而邁向戶外顯示器的發展,如第三煞車燈、交通號誌及戶外看板等。
LED之所以被廣泛使用,主要的優勢在於他比一般燈泡更加輕量化、壽命長、省電、切換速度快、單色性及可靠度高等優點,所以未來以LED 為主的產品必將大增。
因為不同材料的LED會發出不同顏色的光,包括了可見光和非可見光兩種,接下來就來介紹幾種能發出可見光的材料。
Visible LED【一】G aAsP----磷砷化鎵LED(Ⅲ-Ⅴ族)1、元件構造與發光特性GaAs1-x P x可以作為紅色(X=0.4,655nm)及黃(X=0.85,590nm)、橙(X=0.75,610nm)、綠色(X=1,555-565nm)發光二極體,其結構剖面圖分別如圖一及圖二所示,最大不同在於紅色LED係使用GaAs做基板,而黃、橙、綠色LED則以GaP為基板。
发光二极体的原理与应用
大綱(Outline)
☆半導體(Semiconductor) ☆二極體(Diode)
☆發光二極體(Light Emitting Diode ,LED)原理 ☆發光二極體(LED)-應用 ☆發光二極體(LED)-特性 ☆結論(Summary)
半導體(Semiconductor)
成本高
Summary-人類未來照明的夢想
★白光發光二極體是二十一 世紀照明新革命 白熾 燈泡 ★白光 LED 照明的目標日光 燈 防止溫室效應、保護地球環境
優點 缺點 效率低 高耗電 壽命短 易碎 有汞汙染 易碎
價格便宜
發光效率佳 壽命長、低耗 電量、低發熱 量、環保、高 防震性、耐衝 擊不易破
發光 二極 體
發光二極體在電路圖上的符號 Nhomakorabea發光二極體(LED)-應用
• 電視機、錄影機的遙控器,使用了紅外線 發光二極體。
• 交通標誌
• 位移探測器,例如︰光學滑鼠。
發光二極體(LED)-應用
• 液晶顯示器、攜帶式電子產品(行動電話)背光源。
• 照明:手電筒、車頭燈、室內照明等等。
發光二極體(LED)-特性
• • • • • • 壽命長 (十萬小時,日光燈的10倍) 低耗電量(低電壓、低電流起動) 低發熱量(熱輻射少) 環保(無汞汙染) 高防震性、耐衝擊不易破 體積小和易開發成輕薄短小的產品,應用面廣
接面 P N
發 光 二 極 體
太 陽 能 電 池
發光二極體 (Light Emitting Diode ,LED)
★1955年,美國無線電公司的魯賓· 布朗石泰首次發 現了砷化鎵(GaAs)及其他半導體合金的紅外光放 射作用。1962年,通用電氣公司的尼克· 何倫亞克 開發出第一種實際應用的可見光發光二極體。 ★發光二極體(LED):當有電流流通過時,會發光的 二極體,即將電子信號轉變成光信號的元件。 ★發光原理:當二極體加上順向偏壓時,在P與N之 各領域會有少數載子在結合處附近會再度結合而 消滅,而少數載子所具有的能量會形成光而放射 出。
LED安全人机工程学设计
•
双电极(蓝,绿,紫光)
•
按发光类型分:
•
表面发光型: 光线大部分从晶片表面发出
•
五面发光型: 表面,侧面都有较多的光线射出
•
1.4按发光颜色分:
•
红,橙,黄,黄绿,纯绿,蓝绿, 蓝,紫光
•
1.5按晶片的大小尺寸分:
•
8mil 9mil 10mil 12mil (红,橙,黄,黄绿)12mil 14mil (蓝,绿,紫光)
橙色(chénɡ sè)(Orange) 紅色(Red)
第十一页,共35页。
•紅橙黃綠藍靛紫,為人眼可見之光, 是一般人類所能察覺光的波長,介於 380~780nm之間。
•紫色光波以下的波長稱為紫外線,大 約介於100nm~380nm。
•紅色光波以上的波長稱為紅外線,大 約介於780nm~1mm。
• c. △ λ:(半波寬)
• Peak Wavelength λp:610nm(峰值(fēnɡ zhí)波長)1.0
• Dominant Wavelength λd:624nm(主波長) 0.8
• △ λ:22nm(半波寬)
0.6
Spectral Radiance (Peak @ 610nm)
0.4
4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0
0
20 40 60 80 100 120
Forward Current IF(mA)
第二十四页,共35页。
LED光电参数(cānshù)定义
四,发光角度(2θ1/2 Viewing Angle) LED為指向性元件 ½表示發光強度50%時的角度 LED亮度(liàngdù)与角度成反比, 亮度(liàngdù)相同的兩顆LED, 2θ1/2愈大則Iv愈小
何谓发光二极体
何謂發光二極體一個典型的發光二極體,包含晶粒、封裝體、金線、支架等,主要發光的部分則是封裝體裡面的晶粒。
封裝體的主要成分是環氧樹酯,用來固定支架,且可以把封裝體的頂端製成可聚光的透鏡,以控制LED 的發光角度。
金線是把電流由支架導入發光晶粒,聚光碗杯則是把LED 發出的光線反射至上方出光,以增加發光效率。
隨著應用的不同,封裝體可以任意改變成為不同的型態。
一顆LED 的主要發光源是晶粒,而晶粒依材料不同會發出不同波長,也就是不同顏色的光。
可見光的波長範圍從400 奈米到700 奈米,依序是紫、靛、藍、綠、黃、橙、紅。
以氮化鎵LED 為例,它可以發出藍光或綠光,鋁銦鎵磷LED 則可以發出紅光、綠光或黃光。
諸如此類,可以利用材料的選擇製作出不同色光的發光二極體。
LED的發光原理LED是利用電能轉化為光能的方式發光。
發光二極體晶粒的組成材料是半導體,其中含有帶正電的電洞比率較高的稱為P 型半導體,含有帶負電的電子比率較高的稱為N 型半導體。
P 型半導體與N 型半導體相接處的接面稱作PN 接面。
在發光二極體的正負極兩端施予電壓,當電流通過時,會使得電子與電洞結合,結合的能量便以光的形式發出,依使用材料的能階高低決定發光的波長,因此就會發出不同顏色的光。
大多數的發光二極體歸類於三五族半導體,因為它們的組成元素屬於周期表中的三族及五族,三族元素如鋁、鎵、銦等,五族元素如砷、氮、磷等。
磷化鎵與鋁砷化鎵,因為亮度低,開發時間早,且內含2種或3 種元素,多稱為傳統二元或三元LED。
而鋁銦鎵磷因發光亮度較高,且由4種元素組成,多稱為四元LED。
氮化鎵材料則因為可以發出以上材料不能發出的藍光,一般另稱為氮化物LED。
LED的製作方法發光二極體主要由晶粒發光,在此以氮化鎵LED 為例,簡介其中晶粒的製作方法發光二極體是半導體材料,需要先進行磊晶成長,也就是在基板上成長P型及N型半導體。
氮化鎵LED 多成長在藍寶石基板上,成長的方法以有機金屬化學氣相沉積法(metal organic chemical -vapor deposition,MOCVD)為大宗。
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何謂發光二極體一個典型的發光二極體,包含晶粒、封裝體、金線、支架等,主要發光的部分則是封裝體裡面的晶粒。
封裝體的主要成分是環氧樹酯,用來固定支架,且可以把封裝體的頂端製成可聚光的透鏡,以控制LED 的發光角度。
金線是把電流由支架導入發光晶粒,聚光碗杯則是把LED 發出的光線反射至上方出光,以增加發光效率。
隨著應用的不同,封裝體可以任意改變成為不同的型態。
一顆LED 的主要發光源是晶粒,而晶粒依材料不同會發出不同波長,也就是不同顏色的光。
可見光的波長範圍從400 奈米到700 奈米,依序是紫、靛、藍、綠、黃、橙、紅。
以氮化鎵LED 為例,它可以發出藍光或綠光,鋁銦鎵磷LED 則可以發出紅光、綠光或黃光。
諸如此類,可以利用材料的選擇製作出不同色光的發光二極體。
LED的發光原理LED是利用電能轉化為光能的方式發光。
發光二極體晶粒的組成材料是半導體,其中含有帶正電的電洞比率較高的稱為P 型半導體,含有帶負電的電子比率較高的稱為N 型半導體。
P 型半導體與N 型半導體相接處的接面稱作PN 接面。
在發光二極體的正負極兩端施予電壓,當電流通過時,會使得電子與電洞結合,結合的能量便以光的形式發出,依使用材料的能階高低決定發光的波長,因此就會發出不同顏色的光。
大多數的發光二極體歸類於三五族半導體,因為它們的組成元素屬於周期表中的三族及五族,三族元素如鋁、鎵、銦等,五族元素如砷、氮、磷等。
磷化鎵與鋁砷化鎵,因為亮度低,開發時間早,且內含2種或3 種元素,多稱為傳統二元或三元LED。
而鋁銦鎵磷因發光亮度較高,且由4種元素組成,多稱為四元LED。
氮化鎵材料則因為可以發出以上材料不能發出的藍光,一般另稱為氮化物LED。
LED的製作方法發光二極體主要由晶粒發光,在此以氮化鎵LED 為例,簡介其中晶粒的製作方法發光二極體是半導體材料,需要先進行磊晶成長,也就是在基板上成長P型及N型半導體。
氮化鎵LED 多成長在藍寶石基板上,成長的方法以有機金屬化學氣相沉積法(metal organic chemical -vapor deposition,MOCVD)為大宗。
MOCVD是用來沉積出薄膜的技術,這薄膜可能是介電材料(絕緣體)、導體或半導體。
在進行化學氣相沉積時,把含有被沉積材料的氣體,導入受到嚴密控制的反應室內。
當這些氣體在受熱的基板表面上起化學反應時,會在基板表面產生一層固態薄膜。
成長完氮化鎵磊晶片後,需要進行晶粒製程,把磊晶片製成一顆顆的發光二極體晶粒供下游封裝。
晶粒製程可分為電極製作的前段製程,以及把磊晶片分割為獨立晶粒的後段製程兩部分。
前段製程包含許多黃光、蒸鍍、蝕刻、剝離等製程,因此需要在無塵室等級的環境下製作。
而後段製程需要避免製作過程中的靜電損傷元件,因此特別注重靜電防護的問題。
晶粒製程流程圖(1)中的磊晶結構圖(2)中的高台(或高原mesa)蝕刻,再如圖(3)所示鍍上透明電極,其中TCL 是透明導電層(transparent conductor layer)的縮寫,最後如圖(4)所示加上保護膜和金屬接墊。
製作完成的發光二極體晶粒由於體積相當小,無法單獨拿取保存,因此多使用膠膜做為晶粒的承載物氮化鎵LED 使用的基板材料是藍寶石,因為藍寶石不導電,無法在上面製作電極,必須利用較複雜的技巧把正負兩電極製作在同一平面上,使得製程較為繁雜。
一般做法是使用乾式蝕刻機把表面的P型半導體部分區域挖除,露出底下的N 型半導體,再在P及N型半導體上製作電極,使得電流可以導通而發光。
氮化鎵發光二極體磊晶片成長流程,圖中MQW是multiple quantum well(多量子井)的縮寫,PL(photo luminescene)是光激發光譜儀,用來量測待測材料結構的發光光譜。
片成長完畢進行測試的氮化鎵磊晶片用氮化鎵(GaN)形成的藍光LEDLED製程在LED工廠生產中主要步驟是:清洗-裝架-壓焊-封裝-銲接-切膜-裝配-測試-包裝。
其中封裝工藝尤為重要一、晶片檢驗鏡檢:材料表面是否有機械損傷及細微的坑洞。
二、擴片由於LED晶片在劃片後依然排列緊密間距很小(約0.1mm),不利於後工序的操作。
我們採用擴片機對黏結晶片的膜進行擴張,是LED晶片的間距拉伸到約0.6mm。
也可以採用手工擴張,但很容易造成晶片掉落浪費等不良問題。
三、點膠在LED支架的相應位置點上銀膠或絕緣膠。
(對於GaAs、SiC導電襯底,具有背面電極的紅光、黃光、黃綠晶片,採用銀膠。
對於藍寶石絕緣襯底的藍光、綠光LED晶片,採用絕緣膠來固定晶片。
)製程難點在於點膠量的控制,在膠體高度、點膠位置均有詳細的製程要求。
四、備膠和點膠相反,備膠是用備膠機先把銀膠塗在LED背面電極上,然後把背部帶銀膠的LED 安裝在LED支架上。
備膠的效率遠高於點膠,但不是所有產品均適用備膠製程。
五、手工刺片將擴張後LED晶片(備膠或未備膠)安置在刺片台的夾具上,LED支架放在夾具底下,在顯微鏡下用針將LED晶片一個一個刺到相應的位置上。
手工刺片和自動裝架相比有一個好處,便於隨時更換不同的晶片,適用於需要安裝多種晶片的產品。
六、自動裝架自動裝架其實是結合了沾膠(點膠)和安裝晶片兩大步驟,先在LED支架上點上銀膠(絕緣膠),然後用真空吸嘴將LED晶片吸起移動位置,再安置在相應的支架位置上。
自動裝架在工藝上主要要熟悉設備操作編程,同時對設備的沾膠及安裝精度進行調整。
在吸嘴的選用上儘量選用膠木吸嘴,因為鋼嘴會劃傷晶片表面的電流擴散層。
七、燒結燒結的目的是使銀膠固化,燒結要求對溫度進行監控,防止批次性不良。
銀膠燒結的溫度一般控制在150℃,燒結時間2小時。
根據實際情況可以調整到170℃,1小時。
絕緣膠一般150℃,1小時。
銀膠燒結烘箱的必須按工藝要求隔2小時(或1小時)打開更換燒結的產品,中間不得隨意打開。
燒結烘箱不得再其他用途,防止污染。
八、壓焊壓焊的目的將電極引到LED晶片上,完成產品內外引線的連接工作。
LED的壓焊工藝有金絲球焊和鋁絲壓焊兩種。
壓焊是LED封裝技術中的關鍵環節,工藝上主要需要監控的是壓焊金絲(鋁絲)拱絲形狀,焊點形狀,拉力。
九、封膠LED的封裝主要有點膠、灌封、模壓三種。
基本上工藝控制的難點是氣泡、多缺料、黑點。
設計上主要是對材料的選型,選用結合良好的環氧和支架。
1.點膠:TOP-LED和Side-LED適用點膠封裝。
手動點膠封裝對操作水準要求很高,主要難點是對點膠量的控制,因為環氧在使用過程中會變稠。
白光LED的點膠還存在螢光粉沉澱導致出光色差的問題。
2.灌膠封裝Lamp-LED的封裝採用灌封的形式。
灌封的過程是先在LED成型模腔內注入液態環氧,然後插入壓焊好的LED支架,放入烘箱讓環氧固化後,將LED從模腔中脫出即成型。
3.模壓封裝將壓焊好的LED支架放入模具中,將上下兩副模具用液壓機合模並抽真空,將固態環氧放入注膠道的入口加熱用液壓頂桿壓入模具膠道中,環氧順著膠道進入各個LED成型槽中並固化。
十、固化與後固化固化是指封裝環氧的固化,一般環氧固化條件在135℃,1小時。
模壓封裝一般在150℃,4分鍾。
後固化是為了讓環氧充分固化,同時對LED進行熱老化。
後固化對於提高環氧與支架(PCB)的粘接強度非常重要。
一般條件為120℃,4小時。
十一、切筋和劃片由於LED在生產中是連在一起的(不是單個),Lamp封裝LED採用切筋切斷LED支架的連筋。
SMD-LED則是在一片PCB板上,需要劃片機來完成分離工作。
十二、測試測試LED的光電參數、檢驗外形尺寸,同時根據客戶要求對LED產品進行分選。
十三、包裝將成品進行計數包裝。
超高亮LED需要防靜電包裝。
藍光與白光發光二極體自LED面世後,相隔多年仍未能製造出能產生藍光的LED,由於藍色是三原色之一,以當時其他LED所能產生的光波長較藍光長,因此未能以其他已有的LED間接製造出藍光來,缺少了藍光LED也導致不能製造出同白光LED。
藍光LED1993年,當時在日本日亞化工(Nichia Corporation)工作的中村修二(Shuji Nakamura)發明了基於寬禁帶半導體材料氮化鎵(GaN)和銦氮化鎵(InGaN)的具有商業應用價值的藍光LED,這類LED在1990年代後期得到廣泛應用。
白光LED紅綠藍系統(RGB system)有了藍光LED之後,結合原有的紅光LED和綠光LED便可產生白光,這樣產生的白光LED有很廣的色域,但由於成本相當高,大部份白光LED很少採用這方法,現在只有只有在高檔次、有高要求的產品中使用。
磷光劑白光LED現在大部份的白光LED都採用單一發光單元發出較短波長的光,再用磷光劑把部份或全部光轉化成一或多種其他顏色的光(波長較長的光),當所有光混合起來後,看起來便像白光。
這種光波波長轉化作用稱為螢光,原理是短波長的光子(如藍光或紫外光)被螢光物質(如磷光劑)中的電子吸收後,電子被激發(跳)至較高能量、不穩定的激發狀態,之後電子在返回原位時,一部份能量散失成熱能,一部份以光子形式放出,由於放出的光子能量比之前的小,所以波長較長。
由於轉化過程中有部份能量化成熱能,造成能量損耗,因此這類白光LED的效率型都較低。
發光單元有採用藍光LED的,也有採用紫外光LED的。
日亞化工開發並從1996年開始生產的白光LED採用藍光LED作發光單元,波長450 nm 至470 nm,磷光劑通常是摻雜了鈰的釔-鋁-鎵(Ce3+:YAG)(實際上單晶的摻鈰(Ce)的YAG被視為閃爍器多於磷光體。
)。
LED發出的部份藍光由螢光劑轉換成黃光為主的較寬光譜(光譜中心約為580nm),由於黃光能刺激人眼中的紅光和綠光受體,加上原有餘下的藍光刺激人眼中的藍光受體,看起看起來就像白色光,而其所呈現的色澤常被稱作「月光的白色」。
若要調校淡黃色光的顏色,可以把摻雜在Ce3+:YAG 中的鈰(Ce)換作其他稀釋金屬,例如鋱或釓,甚至可以以取代YAG中的部份或全部鋁的模式做到。
而基於其光譜的特性,紅色和綠色的物件在這種LED照射下看起來會不及闊譜光源照射時那麼鮮明。
另外由於生產工藝的波動,這種LED的成品的色溫並不統一,從暖黃色的到冷的藍色都有,所以在生產過程中會以其出來的特性作出區分。
而這種LED的結構是把藍光LED封進混入了磷光劑的環氧樹脂中而造成,但也有較複雜的方法,由Philips Lumileds取得專利的方法便是把磷光劑塗在LED 上,值由控制磷光劑的厚度增加效率。
另一種白光LED的發光原理跟螢光燈是一樣的。
發光單元是紫外光LED,外面包著兩種磷光劑混合物,一種是發紅光和藍光的銪,另一種磷光劑是發綠光的銅和鋁摻雜了硫化鋅(ZnS)。
內裡的紫外光LED發出的紫外光被外層的磷光劑轉換成紅、藍、綠三色光,混合後就成了白光。