cmos电平和ttl电平的区别
TTL和CMOS
什么是ttl电平TTL电平信号被利用的最多，是因为通常数据表示，采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。
TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备，内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备，内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备，内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。
TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。
这是由于可靠性和成本两面的原因。
因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响；另外对于并行数据传输，电缆以及连接器的费用比起串行通信方式来也要高一些。
TTL电路的电平就叫TTL 电平，CMOS电路的电平就叫CMOS电平TTL集成电路的全名是晶体管-晶体管逻辑集成电路（Transistor-Transistor Logic),主要有54/74系列标准TTL、高速型TTL（H-TTL）、低功耗型TTL（L-TTL）、肖特基型TTL（S-TTL）、低功耗肖特基型TTL（LS-TTL）五个系列标准TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小2.4V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V，输出低电平最大0.4V，典型值0.2V。
S-TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小Ⅰ类2.5V，Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V，输出低电平最大0.5V。
LS-TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小Ⅰ类2.5V，Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型值3.4V,输入低电平最大Ⅰ类0.7V，Ⅱ、Ⅲ类0.8V，输出低电平最大Ⅰ类0.4V，Ⅱ、Ⅲ类0.5V，典型值0.25V。
ttl与cmos高低电平区别比较
T T L与C M O S高低电平区别比较一．T T LT T L集成电路的主要型式为晶体管－晶体管逻辑门（t r a n s i s t o r-t r a n s i s t o r l o g i c g a t e），TT L大部分都采用5V电源。
1.输出高电平U o h和输出低电平U o lU o h≥2.4V,U o l≤0.4V2.输入高电平和输入低电平U i h≥2.0V，U i l≤0.8V二．C M O SC M O S电路是电压控制器件，输入电阻极大，对于干扰信号十分敏感，因此不用的输入端不应开路，接到地或者电源上。
C M OS电路的优点是噪声容限较宽，静态功耗很小。
1.输出高电平U o h和输出低电平U o lU o h≈V C C，U o l≈G N D2.输入高电平U o h和输入低电平U o lU i h≥0.7V C C,U i l≤0.2V C C（V C C为电源电压，G N D为地）从上面可以看出:在同样5V电源电压情况下，C O M S电路可以直接驱动T T L，因为C M O S的输出高电平大于 2.0V,输出低电平小于0.8V；而T T L电路则不能直接驱动C M O S电路，T T L的输出高电平为大于 2.4V，如果落在 2.4V～3.5V之间，则C M O S电路就不能检测到高电平，低电平小于0.4V满足要求，所以在T T L电路驱动C O M S电路时需要加上拉电阻。
如果出现不同电压电源的情况，也可以通过上面的方法进行判断。
如果电路中出现3.3V的C O M S电路去驱动5V C M O S电路的情况，如 3.3V单片机去驱动74H C,这种情况有以下几种方法解决，最简单的就是直接将74H C换成74H C T（74系列的输入输出在下面有介绍）的芯片，因为 3.3V C M O S可以直接驱动5V的T T L电路；或者加电压转换芯片；还有就是把单片机的I/O口设为开漏，然后加上拉电阻到5V，这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小，以保证信号的上升沿时间。
什么是TTL电平
什么是TTL电平，什么是CMOS电平，他们的区别(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4VCMOS电平Vcc可达到12VCMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
用TTL电平他们就可以兼容(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。
因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。
5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。
(三)TTL电平标准输出 L： <0.8V ； H：>2.4V。
输入 L： <1.2V ； H：>2.0VTTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。
输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。
CMOS电平：输出 L： <0.1*Vcc ； H：>0.9*Vcc。
输入 L： <0.3*Vcc ； H：>0.7*Vcc.一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下，同电压的是可以的，不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值，看是否能够匹配（VOL要小于VIL，VOH 要大于VIH，是指一个连接当中的）。
有些在一般应用中没有问题，但是参数上就是有点不够匹配，在某些情况下可能就不够稳定，或者不同批次的器件就不能运行。
例如：74LS的器件的输出，接入74HC的器件。
在一般情况下都能好好运行，但是，在参数上却是不匹配的，有些情况下就不能运行ttl与coms电平使用起来有什么区别1.电平的上限和下限定义不一样，CMOS具有更大的抗噪区域。
同是5伏供电的话，ttl一般是1.7V和3.5V的样子，CMOS一般是2.2V,2.9V的样子，不准确，仅供参考。
TTL电平和CMOS电平总结
TTL电平和CMOS电平总结1，TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。
哈哈4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。
否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施：1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭C OMS电路的电源。
6，COMS电路的使用注意事项1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。
TTL电路与CMOS电路的区别
下面是TTL与COMS的区别：什么是ttl电平TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。
TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。
TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。
这是由于可靠性和成本两面的原因。
因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响；另外对于并行数据传输，电缆以及连接器的费用比起串行通信方式来也要高一些。
TTL电路的电平就叫TTL 电平，CMOS电路的电平就叫CMOS电平TTL集成电路的全名是晶体管-晶体管逻辑集成电路（Transistor-Transistor Logic),主要有54/74系列标准TTL、高速型TTL（H-TTL）、低功耗型TTL（L-TTL）、肖特基型TTL（S-TTL）、低功耗肖特基型TTL（LS-TTL）五个系列。
标准TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小,典型值,输入低电平最大，输出低电平最大，典型值。
S-TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小Ⅰ类，Ⅱ、Ⅲ类,典型值,输入低电平最大，输出低电平最大。
LS-TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小Ⅰ类，Ⅱ、Ⅲ类,典型值,输入低电平最大Ⅰ类，Ⅱ、Ⅲ类，输出低电平最大Ⅰ类，Ⅱ、Ⅲ类，典型值。
TTL电路的电源VDD供电只允许在+5V±10%范围内，扇出数为10个以下TTL门电路；COMS集成电路是互补对称金属氧化物半导体（Compiementary symmetry metal oxide semicoductor）集成电路的英文缩写，电路的许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接的，静态功耗很小。
TTL电路与CMOS电路的区别
单片机使用的是TTL电路，请记住，单片机上电和复位所有的引脚输出的都是高平，这一点请注意，所以根据发光二极管的导通特性，如果一端接5V电平，那么要让P2。
0口输出低电压才能发光，如果是接地，那么一上电，发光二极管就会亮，两种接法的区别在于：前者的驱动能力大，使发光二极管的亮度加强，不至后者那么微弱，因为单片机输出的功率不是很大，单片机因采用TTL电路，输出的高代电平相对来说固定，要么是5V，要么是0V。
下面是TTL与COMS的区别：什么是ttl电平TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。
TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。
TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。
这是由于可靠性和成本两面的原因。
因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响；另外对于并行数据传输，电缆以及连接器的费用比起串行通信方式来也要高一些。
TTL电路的电平就叫TTL 电平，CMOS电路的电平就叫CMOS电平TTL集成电路的全名是晶体管-晶体管逻辑集成电路（Transistor-Transistor Logic),主要有54/74系列标准TTL、高速型TTL（H-TTL）、低功耗型TTL（L-TTL）、肖特基型TTL（S-TTL）、低功耗肖特基型TTL（LS-TTL）五个系列。
TTL电平与CMOS电平，RS232电平的区别
TTL电平与CMOS电平，RS232电平的区别关于电平，是日常电气电子技术工作中经常遇到的问题，那么TTL电平、CMOS电平、RS232电平到底有哪些区别？TTL电平(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4VCMOS电平Vcc可达到12VCMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
用TTL电平他们就可以兼容(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。
TTL电路电源电压Vcc是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。
5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。
(三)TTL电平标准输出 L： <0.4V ； H：>2.4V。
输入 L： <0.8V ； H：>2.0VTTL器件输出低电平要小于0.4V，高电平要大于2.4V。
输入，低于0.8V就认为是0，高于2.0就认为是1。
CMOS电平：输出 L： <0.1*Vcc ； H：>0.9*Vcc输入 L： <0.3*Vcc ； H：>0.7*Vcc.RS232电平标准逻辑1的电平为-3～-15V，逻辑0的电平为+3～+15V，注意电平的定义反相了一次。
TTL和CMOS的逻辑电平转换CMOS电平能驱动TTL电平。
TTL电平不能驱动CMOS电平，需加上拉电阻。
#自动化#plc#电气。
CMOS和TTL电路的区别
CMOS和TTL电路的区别CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成S的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）5.CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。
1,TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。
哈哈4，驱动门电路OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。
否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施：1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
ttl和cmos的电平范围
ttl和cmos的电平范围
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目录
1.TTL 和 CMOS 的定义与特点
2.TTL 的电平范围
3.CMOS 的电平范围
4.TTL 与 CMOS 电平范围的比较
正文
1.TTL 和 CMOS 的定义与特点
TTL（Transistor-Transistor Logic）即晶体管 - 晶体管逻辑，是一种数字电路技术，主要应用于计算机和数字电路中。
TTL 电路速度快、噪声低、功耗小，但缺点是电源电压范围有限。
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）即互补金属氧化物半导体，是另一种数字电路技术，具有低功耗、高噪声抑制能力、电源电压范围宽等特点。
2.TTL 的电平范围
TTL 电路的电平范围通常为 5V，即输出低电平（0）为 0.8V，输出高电平（1）为 2.4V。
3.CMOS 的电平范围
CMOS 电路的电平范围较宽，通常为 3.3V、5V、12V 等，输出低电平（0）为 0.1V，输出高电平（1）为 1.9V（3.3V 电源时），或输出低电平（0）为 0.4V，输出高电平（1）为 3.2V（5V 电源时），或输出低电平（0）为 1.2V，输出高电平（1）为 7.8V（12V 电源时）。
4.TTL 与 CMOS 电平范围的比较
总的来说，TTL 的电平范围较窄，限定在 5V 范围内，而 CMOS 的电平范围较宽，可以根据需要选择不同的电源电压。
TTL电平和CMOS电平的区别
TTL电平和CMOS电平的区别1.TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平=2.0V，输入低电平1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
3.电平转换电路：因为TTL和COMS的高低电平的值不一样,所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压!4.TTL和COMS电路比较：（1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
（2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
（3）COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施：（1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
（2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
（3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
（4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS5.兼容性：CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
所以，用TTL电平在条件允许下他们就可以兼容。
要注意到他们的驱动能力是不一样的，CMOS的驱动能力会大一些，有时候TTL的低电平触发不了CMOS电路，有时CMOS的高电平会损坏TTL电路，在兼容性上需注意。
注：1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成S的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作3.CMOS的高低电平之间相差比较大、。
TTL和CMOS电平总结
TTL和CMOS电平总结1.TTL电平：TTL是早期使用广泛的数字电平标准，其电平定义如下：- 高电平 (logic 1)：大约2.4V到5V之间。
- 低电平 (logic 0)：大约0V到0.4V之间。
-高电平噪声容限：1.3V。
-低电平噪声容限：0.8V。
-输出电流：约为-0.4mA至+16mA。
TTL电平的优点包括：速度较快、抗噪声能力较好、成本较低。
然而，TTL电平的缺点是功耗较高，因为它使用了较高的供电电压和较大的电流来驱动逻辑门。
此外，TTL信号电平的电压范围相对较窄，容易受到电源电压波动的影响。
2.CMOS电平：CMOS是现代数字电路中使用较多的电平标准，其电平定义如下：- 高电平 (logic 1)：大约0.7V到VDD（供电电压）之间。
- 低电平 (logic 0)：大约0V到0.3V之间。
-高电平噪声容限：VDDx0.7-低电平噪声容限：0.3V。
-输出电流：接近0mA。
CMOS电平的优点包括：功耗较低、较高的噪声容限、较宽的电压范围和较大的输入输出电阻。
CMOS因其低功耗特性而广泛应用于便携式设备和低功耗电子设备。
此外，它对电源电压波动的容忍度更高，因此在电源电压不稳定的环境下工作更可靠。
然而，CMOS电平的缺点是速度相对较慢，尤其在大容量的负载下。
此外，由于其输入输出电阻较大，CMOS信号对于电磁干扰更敏感。
总之，TTL和CMOS是两种常见的数字电平标准。
TTL电平使用高电流和较高的电压，速度较快但功耗较高；CMOS电平使用较低的电压和电流，功耗较低但速度相对较慢。
选择哪种电平标准取决于具体的应用要求和设计约束。
TTL和CMOS区别及应用特点
TTL和CMOS的区别什么是TTL电平，什么是CMOS电平，他们的区别(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4VCMOS电平Vcc可达到12VCMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
用TTL电平他们就可以兼容(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。
因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。
5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。
(三)TTL电平标准输出L：<0.8V ；H：>2.4V。
输入L：<1.2V ；H：>2.0VTTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。
输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。
CMOS电平：输出L：<0.1*Vcc ；H：>0.9*Vcc。
输入L：<0.3*Vcc ；H：>0.7*Vcc.一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下，同电压的是可以的，不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值，看是否能够匹配（VOL要小于VIL，VOH要大于VIH，是指一个连接当中的）。
有些在一般应用中没有问题，但是参数上就是有点不够匹配，在某些情况下可能就不够稳定，或者不同批次的器件就不能运行。
例如：74LS的器件的输出，接入74HC的器件。
在一般情况下都能好好运行，但是，在参数上却是不匹配的，有些情况下就不能运行。
74LS和54系列是TTL电路，74HC是CMOS电路。
如果它们的序号相同，则逻辑功能一样，但电气性能和动态性能略有不同。
如，TTL的逻辑高电平为> 2.7V,CMOS为> 3.6V。
TTL和CMOS的区别(全面-自己整理)
TTL和CMOS的区别TTL和COMS电平比较：(一)TTL高电平~5V，低电平0V~CMOS电平Vcc可达到12VTTL电路不使用的输入端悬空为高电平另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。
因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。
5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。
(三)TTL电平标准输出L：< ；H：>。
输入L：< ；H：>TTL器件输出低电平要小于，高电平要大于。
输入，低于就认为是0，高于就认为是1。
CMOS电平：输出L：<*Vcc ；H：>*Vcc。
输入L：<*Vcc ；H：>*Vcc.TTL和COMS电路比较：TTL CMOSTTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25--50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象总体特性比较：是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。
3、COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施：(1)、在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
(2)、芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
TTL电平与CMOS电平的区别
TTL电平与CMOS电平的区别
TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V 等价于逻辑1，0V等价于逻辑0，这被称做TTL(晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。
TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路;再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。
TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。
这是由于可靠性和成本两面的原因。
因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响;另外对于并行数据传输，电缆以及连接器的费用比起串行通信方式来也要高一些。
什幺是TTL电平，什幺是CMOS电平，他们的区别
(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V
CMOS电平Vcc可达到12V
CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为。
什么是ttl电平 CMOS电平以及它们的区别
什么是ttl电平TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。
TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。
TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。
这是由于可靠性和成本两面的原因。
因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响；另外对于并行数据传输，电缆以及连接器的费用比起串行通信方式来也要高一些。
TTL电路的电平就叫TTL 电平，CMOS电路的电平就叫CMOS电平TTL集成电路的全名是晶体管-晶体管逻辑集成电路（Transistor-Transistor Logic),主要有54/74系列标准TTL、高速型TTL（H-TTL）、低功耗型TTL（L-TTL）、肖特基型TTL（S-TTL）、低功耗肖特基型TTL（LS-TTL）五个系列。
标准TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小2.4V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V，输出低电平最大0.4V，典型值0.2V。
S-TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小Ⅰ类2.5V，Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V，输出低电平最大0.5V。
LS-TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小Ⅰ类2.5V，Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型值3.4V,输入低电平最大Ⅰ类0.7V，Ⅱ、Ⅲ类0.8V，输出低电平最大Ⅰ类0.4V，Ⅱ、Ⅲ类0.5V，典型值0.25V。
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1.TTL电平：输出高电平>
2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下，一般输出高电平是
3.5V，输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2.CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
注意
1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成
S的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差
4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）
5.CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。
注释：
1、什么是噪声容限？
噪声容限（noise margin）是指在前一极输出为最坏的情况下，为保证后一极正常工作，所允许的最大噪声幅度。
在数字电路中，一般常以“1”态上（下）限噪声容限和“0”
态上（下）限噪声容限中的最小值来表示电路（或元件）的噪声容限。