ESD静电二极管SO-08封装产品型号
SOCAY静电二极管SO-08封装SLVU2.8-4产品详情
SOCAY静电二极管SO-08封裝SLVU2.8-4产品详情
硕凯电子（Sylvia）
一、ESD产品说明
ESD是代表英文Electrostatic Discharge即“靜電放電”的意思。
ESD是本世紀中期以來形成的以研究靜電的產生與衰減、靜電放電模型、靜電放電效應如電流熱（火花）效應（如靜電引起的著火與爆炸）和電磁效應（如電磁幹擾）等的學科。
近年來隨著科學技術的飛速發展、微電子技術的廣泛應用及電磁環境越來越複雜，對靜電放電的電磁場效應如電磁幹擾（EMI）及電磁兼容性（EMC）問題越來越重視。
我司ESD保護器件主要是由TVS ARRAY組成，經不同封裝而成的器件。
其優點是體積小，結電容低，反應速度快等。
二、产品图
三、产品电路图
四、产品参数
五、产品特性
1、依据(tp=8/20μs)线路，峰值脉冲功率为400W
2、保护两对线（四线）
3、低电容
4、符合RoHS
5、IEC61000-4-2(ESD)±15kV(空气),±8kV(接触)
6、IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ηs)
7、IEC61000-4-5(Lightning)24A(8/20μs)。
esd二极管符号
esd二极管符号
摘要：
1.ESD 二极管的定义与作用
2.ESD 二极管的符号表示
3.ESD 二极管的种类与选型
4.ESD 二极管的应用场景
正文：
【1.ESD 二极管的定义与作用】
ESD（Electrostatic Discharge）二极管，即静电放电二极管，是一种用于保护电子设备免受静电放电损害的元器件。
静电放电二极管能够在很短的时间内承受高电压，并将电压分散到地面，从而避免设备因静电放电产生的高电压而损坏。
【2.ESD 二极管的符号表示】
ESD 二极管的符号表示通常是一个带有斜线的圆圈，圆圈中间有一个字母“D”，表示二极管。
斜线代表二极管的引脚，用于连接电路。
有时，符号中的字母“D”会被省略，仅使用斜线表示。
【3.ESD 二极管的种类与选型】
根据不同的工作电压、静电放电能力等参数，ESD 二极管有多种类型。
在选型时，需要根据设备的工作电压、静电放电要求等参数进行选择。
常见的ESD 二极管型号有：TVS（Transient Voltage Suppressor）瞬态电压抑制器、SPD（Surge Protective Device）浪涌保护装置等。
【4.ESD 二极管的应用场景】
ESD 二极管广泛应用于各种电子设备中，如：电源供应器、通讯设备、计算机及周边设备、家电产品等。
优恩半导体ESD静电保护器目录表
Part Number (Reference) ESD3.3V52D-A ESD05V52D-A ESD08V52D-A ESD12V52D-A ESD15V52D-A ESD24V52D-A ESD05V52D-C ESD12V52D-CInternal ConfigurationVrwm(V) 3.3 5 8 12 15 24 5 9Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 200 110 70 60 50 25 10 5 450 200 30 100 75 50Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 120 120 120 120 120 120 100 100 320 320 100 320 320 320 200 5 5 5 5 5 1 1 40 10 1 1 1 1SOD-5234 6 8.5 13.3 16.6 26.7 6 10.2 4 6 6 13.3 16.7 26.7SOD-523 ESD03V32D-C ESD05V32D-C ESD0501V32D-C ESD12V32D-C ESD15V32D-C ESD24V32D-C 3 5 5 12 15 24SOD-323ESD3.3V32D-LA ESD05V32D-LA SOD-323 ESD03V32D-LC ESD05V32D-LC ESD08V32D-LC ESD12V32D-LC ESD15V32D-LC ESD24V32D-LC3.3 5.04 60.4 0.4350 35020 5SOD-3233.0 5.0 8.0 12.0 15.0 24.04.0 6.0 8.5 13.3 16.7 26.71.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2350 350 350 350 350 35020 5 2 1 1 1ESD05V14TLC SOT-1435.06.01.23005Part Number (Reference) ESD03V23T-2A ESD05V23T-2A ESD05V23T-2AL ESD08V23T-2A ESD12V23T-2A ESD15V23T-2A ESD24V23T-2A ESD36V23T-2AInternal ConfigurationVrwm(V) 3.3 5.0 5.0 8.0 12.0 15.0 24.0 36.0Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 400 300 30 250 150 100 88 60Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 300 300 100 300 300 300 300 300 100 10 0.1 1 1 1 1 1SOT-234.0 6.0 6.0 8.5 13.3 16.7 26.7 40.0ESD05V23T-2L SOT-23 Pin 3 to Pin1/Pin2 SM712 Pin 3 to Pin1/Pin2 ESD3.3V23T-1A ESD05V23T-1A ESD08V23T-1A ESD12V23T-1A ESD15V23T-1A ESD24V23T-1A ESD36V23T-1A SOT-235.06.01350177.555400107 3.3 5.0 8.0 12.0 15.0 24.0 36.013.3 4.0 6.0 8.5 13.3 16.7 24.0 40.055 5 5 5 5 5 5 5400 500 500 500 500 500 500 5001 40 5 5 1 1 1 1SOT-23SLVU2.8 SOT-232.83.034001ESD05V26T-4 SOT-265.06.01.23501Part Number (Reference) ESD05V26T-4L ESD12V26T-4L ESD15V26T-4L ESD24V26T-4LInternal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 200 90 70 50Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 350 350 350 350 5 1 1 15.0 12.0 15.0 24.0 SOT-266.0 13.3 16.7 26.7ESD05V26T-5L ESD12V26T-5L ESD15V26T-5L ESD24V26T-5L SOT-265.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.7200 90 70 50350 350 350 3505 1 1 1ESD05V36T-4L SOT-3635.06.021501ESD05V36T-5L SOT-3635.06.0501001ESD05V56T-2L SOT-5635.06.00.9501ESD05V56T-4L SOT-5635.06.0301001ESD05V56T-5L SOT-5635.06.0301001Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)ESD12V56T-2C SOT-5639.010.031001SLVU2.8-4 SO-082.83.024005SLVU2.8-8 SO-08 ESD06V08S-4L SO-082.83.0560056.06.825200020ESD05V08S-4L SO-08 LCDA05C-4 LCDA12C-4 LCDA15C-4 LCDA24C-45.06.0550010SO-085.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.75 5 5 5500 500 500 50020 1 1 1LCDA05C-8 LCDA12C-8 LCDA15C-8 LCDA24C-8 SO-165.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.75 5 5 5500 500 500 50020 1 1 1Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)ESD05VDFN-C DFN10065.06.0101001ULC0524P DSON-105.06.00.81501ULC0528P5.06.50.52000.5MSOP-08ESD05V10S-4L MSOP-105.06.00.51251Cell Phone CCD Camera LinesEE0504K LWSON-085.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5Cell Phone CCD Camera LinesESD0506K5.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5LWSON-12Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)Cell Phone CCD Camera LinesEE0508K5.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5LWSON-16EE0508DFN5.06.0171DFN3014Differential Mode vs. Common Mode4345256162 of 211232011/3/31Curves of CharacterizationBAV99 vs TVS ARRAYS直接將突波導入到 Vcc -- 這種方式非 非 常不安全, 易導致 Vcc損害.直接將突波導入到 GND -- 這種方式非 非 常安全. 因為接地 區域有較大阻抗可 以分散突波.4 of 212011/3/31Parasitic InductanceESD ProtectorESD Protector不妥當的方式 : 無法將保護元件直接貼 在信號線上. 會產生寄 生電感. 造成保護能力 被寄生的電感減弱.安全的方式 : 將保護元件直接貼在信 號線上. 讓保護能力全 力發揮.Fine Layout vs Parasitic InductanceFine Layout -- Without Parasitic InductanceNOT recommation -- Parasitic Inductance7 of 212011/3/31Anti-Parasitic Inductance直接將保護ESD保護能力元件貼在信號線上--不會產生寄生電感問題.可以完全發揮8 of 212011/3/31Anti-Parasitic Inductance3-PIN產品的應用9 of 212011/3/31USB 3.0 Interface ProtectionMSOP-0810 of 212011/3/31HDMI Interface ProtectionSLP2510P8(2.5x1.0x0.5mm)11 of 212011/3/31USB 3.0 Interface Protection12 of 212011/3/31GR-1089 Lighting Protection for T-Carrier Interface13 of 212011/3/3110/1000 Gigabit Ethernet Protection14 of 212011/3/31。
ESD保护管
IC网络超市www.ic-
静电保护器件
ESD保护管
LRC ESD保护管满足的行业标准
IEC 61000-4-2 (ESD) ±15KV (空气放电)
IEC 61000-4-2 (ESD) ± 8 KV (接触放电) IEC 61000-4-4 (EFT) IEC 61000-4-5 (雷电) 40A (5/50ns)
漏极
栅极 栅极
漏极
源极
源极
N-Channel
P-ChanLeabharlann elIC网络超市www.ic-
MOSFET
MOSFET的放大原理：MOSFET的放大原理同三极管的放大原理类似，所不同的 是，MOSFET是电压控制型器件，靠栅-源的电压VGS变化来控制漏极电流ID的 变化；三极管是电流控制型器件，靠基极电流IB的变化来控制集电极电流IC 的变化。通过这种效应，我们可以在栅-源极加入微弱的信号，通过VGS控制 ID加强信号，从而实现信号的放大。
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静电保护器件
ESD保护管
VRWM (Reverse Peak Working Voltage) ：指 ESD保护管最大连续工作的直流 或脉冲电压。当这个反向电压加在 ESD保护管的两极间时，它处于反向关断 状态，流过它的电流应小于或等于最大反向漏电流；当 ESD保护管两端的电 压继续上升，但还没有到达击穿电压 VBR 时， ESD保护管可能继续呈现高 阻状态。使用时 VRWM 不低于被保护电路的正常工作电压。设计时可选 VRWM ＝ 0.9VBR 。 VBR (Reverse Breakdown Voltage): 在指定测试电流下 ESD保护管发生雪崩 击穿时的电压，它是 ESD保护管最小的击穿电压。在该状态发生时， ESD保 护管的阻抗将变得很小。 VBR 会受到结温的影响而有所变化。
esd静电二极管符号
esd静电二极管符号【实用版】目录1.ESD 静电二极管的概念与作用2.ESD 静电二极管的符号表示3.ESD 静电二极管的应用领域4.ESD 静电二极管的发展前景正文一、ESD 静电二极管的概念与作用ESD（Electrostatic Discharge）静电二极管，又称为静电放电二极管，是一种半导体器件，用于保护电子设备免受静电放电（ESD）的影响。
静电放电是指在接触、摩擦、分离等过程中，由于电荷的转移而产生的瞬间电压。
当电子设备暴露在静电放电环境中时，可能会受到损害，导致设备性能下降或失效。
因此，ESD 静电二极管在微电子和半导体制造行业中具有重要作用。
二、ESD 静电二极管的符号表示ESD 静电二极管的符号表示为一个带有箭头的圆形，箭头表示正极，圆形代表负极。
在电路图中，ESD 静电二极管通常用这个符号来表示。
当需要表示多个 ESD 静电二极管时，可以在圆形符号上添加数字，表示不同的二极管。
三、ESD 静电二极管的应用领域ESD 静电二极管广泛应用于以下领域：1.微电子和半导体制造行业：在半导体器件制造过程中，需要对设备进行静电防护，以确保生产出的半导体器件性能稳定。
2.通讯设备：如 RS-485 接口等，需要使用 ESD 静电二极管进行静电防护。
3.消费电子产品：如手机、电视、电脑等，都需要进行静电防护，以提高产品稳定性和可靠性。
4.医疗设备：在医疗设备中，ESD 静电二极管可以防止静电放电对设备造成损害，保证设备的正常运行。
四、ESD 静电二极管的发展前景随着科技的发展，微电子和半导体制造行业对静电防护的要求越来越高。
因此，ESD 静电二极管在技术上将不断改进，以适应行业的发展需求。
防静电ESDTVS二极管的关键参数详解
用于电子电路保护的元件较多，先和大家分享一下瞬变电压抑制器（TVS）的关键参数：TVS二极管以其卓越的钳位功能、极低的击穿电压，极小的封装，电气特性在生命周期内比较稳定而得到越来越广泛的应用。
它最显著的特点一是反应迅速，使瞬时脉冲在没有对线路或器件造成损伤之前就被有效地遏制，二是截止电压比较低，更适用于低电压回路环境。
另外对TVS二极管设计的改进使其具有更低的漏电流和结电容，因而在处理高速率传导回路的静电冲击时有更理想的性能表现。
最小击穿电压VBR：VBR是TVS最小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS是不会发生雪崩的。
当TVS流过规定的1mA电流(IR)时，加于TVS两极的电压为其最小击穿电压VBR。
按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5%和10%两种。
额定反向关断电压VWM： VWM这是二极管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二极管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。
最大箝位电压VC：当持续时间为20mS的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两端出现的最大峰值电压为VC。
电容量：电容量是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。
大小与TVS的电流承受能力成正比，太大将使信号衰减。
因此，结电容是数据接口电路选用TVS的重要参数。
注：TVS二极管的选型最大箝位电压VC要小于电路允许的最大安全电压。
截止电压VRWM大于电路的最大工作电压，一般可以选择VRWM等于或者略大于电路的最大工作电压。
额定的最大脉冲功率（TVS参数中给出） PM要大于最大瞬态浪涌功率。
-------浪拓电子技术防雷保护事业部FAE供稿。
esd静电二极管符号
esd静电二极管符号
摘要：
1.什么是ESD静电二极管
2.ESD静电二极管的作用
3.ESD静电二极管的符号表示
4.ESD静电二极管与其他类型二极管的比较
5.ESD静电二极管的应用领域
正文：
ESD静电二极管是一种用于保护电子设备免受静电放电（ESD）损害的元件。
它可以在短时间内承受极高的电压脉冲，并将其引导到地面，从而保护其他电路元件不受损害。
ESD静电二极管的主要作用是在设备遭受静电放电时，快速地将放电电流引导至地面，以避免损害设备中的其他敏感电路元件。
这种二极管通常具有较低的正向电压降和较高的反向击穿电压，使其能够在需要时快速导通并承受大量电流。
在电路图中，ESD静电二极管的符号通常为一个带有箭头的直线，箭头表示二极管的方向。
在二极管符号的旁边，可能会标注其额定电压和容差等参数。
与其他类型的二极管相比，ESD静电二极管具有更快的响应速度和更高的击穿电压。
这使得它们能够更好地保护电路免受ESD事件的损害。
另外，ESD 静电二极管的漏电流通常较小，因此它们对于低电流应用也是理想的选择。
ESD静电二极管广泛应用于各种电子设备中，特别是在便携式设备、计算机、通信设备和消费电子产品中。
它们的主要应用场景包括：数据线保护、USB端口保护、LCD显示器保护、触摸屏保护等。
ESD防护及设计
ESD防护及设计一、ESD产生静电的产生无处不在，可分类为：1.摩擦、剥离起电2.感应起电感应起电是物体在静电场的作用下，发生了的电荷上再分布的现象。
比如：一个设备加电工作的过程中，产生了一定的电磁场，外围的物体受场的作用会感应出部分电荷，如显示器的屏幕带电现象。
而容性起电就比较复杂了，它是由于已经具有一定电荷的带电体在与另一物体靠近、分离时。
根据平行板电容公式c= εS/4πkd（S为金属片的正对面积，d为两金属片间的距离）。
系统电容发生改变，由Q=CV（C为电容，V为电压）可知，携带一定电量的物体或人体上的静电电位将发生变化，这就会导致集成块等微电子器件的损坏。
利用静电感应原理，使导体带电的过程。
A球原不带电，带电的B球使A球电荷发生转移，在接地情况下，经c、e、f等过程使A球带上电荷，谓之感应起电。
lV=Q/C;lC=εA/d二、ESD的特点1.干燥环境更易产生静电：2.人体对静电的感知:在3kV时，你能通过皮肤感知；在5kV时，你能听见；在10kV时，你能看见；3.静电放电的特点高电位：数百至数千伏，甚至高达数万至数十万伏；（人体对3kV以下的静电不易感觉到）低电量：静电多为微安级；（尖端瞬间放电除外）放电时间短：一般为微秒级；一个ESD瞬态感应电流在小于1ns的时间内就能达到峰值(依据IEC 61000-4-2标准)受环境影响大：特别是湿度；湿度上升则静电积累减少，静电压下降；三、ESD的危害ESD失效：仿真人体带8kV静电放电，放电3次；放大3000倍；硬损伤和软损伤人体静电可以摧毁任何一个常用半导体器件。
（以前实验室发现有人裸手拿板，就发一块坏板，让他维修。
）四、ESD控制静电不能被消除，只能被控制控制ESD的方法：1.堵：从机构上做好静电的防护，用绝缘的材料把PCB板密封在外壳内，不论有多少静电都不能到释放到PCB上。
2.导：有了ESD，迅速让静电导到PCB板的主GND上，可以消除一定能力的静电。