625NM中文资料
inconel625制造工艺
名称Incone l625 （NS336/UNSo6625）化学成分Chemical Composition Wt.%% Ni Cr Mo Nb Fe Al Ti C Mn Si Co P S最小min余量20 8.0 3.15最大min余量23 10 4.15 5 0.4 0.4 0.1 0.5 0.5 1 0.0150.015物理性能physicalConstants密度Density.g/cm³8.4g/cm³熔点Melting Range 1290-1350℃Inconel625金相组织结构Inconel625金相组织结构该合金在固溶状态的组织为奥氏体基体和少量的TiN、NbC、和M6C相,经650~900℃长期时效后，所析出的相为γ"、δ、M23C6和M6C。
10、铸造"U"形电阻带11、离心铸管系列12、纳米材料系列产品13、轻比重高温结构材料14、功能材料(膨胀合金、高温高弹性合金、恒弹性合金系列)15、生物医学材料系列产品16、电子工程用靶材系列产品17、动力装置喷嘴系列产品18、司太立合金耐磨片19、超高温抗氧化腐蚀炉辊、辐射管提高强度固溶强化加入与基体金属原子尺寸不同的元素(铬、钨、钼等)引起基体金属点阵的畸变，加入能降低合金基体堆垛层错能的元素(如钴)和加入能减缓基体元素扩散速率的元素(钨、钼等)，以强化基体。
沉淀强化通过时效处理，从过饱和固溶体中析出第二相(γ'、γ"、碳化物等)，以强化合金。
γ'相与基体相同，均为面心立方结构，点阵常数与基体相近，并与晶体共格，因此γ相在基体中能呈细小颗粒状均匀析出，阻碍位错运动，而产生显著的强化作用。
γ'相是A3B型金属间化合物，A代表镍、钴，B代表铝、钛、铌、钽、钒、钨，而铬、钼、铁既可为A又可为B。
镍基合金中典型的γ'相为Ni3(Al,Ti)。
555NM中文资料
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o
C
Storage Temperature
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150
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150
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1200
mA
Power Dissipation
105
75
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mW
Operating Temperature
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LED TECHNICAL DATA
565nm (GaP)
590nm (GaAsP/GaP)
595nm (InGaAlP)
610nm (GaAsP/GaP)
Telephone: 781-935-4442 Fax: 781-938-5867
sales@ Engineering Catalog 169
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85
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镍合金复合管625 证件照项目
镍合金复合管625 证件照项目一、项目背景1.1 镍合金复合管625材料简介镍合金复合管625是一种高强度、耐腐蚀性极强的合金，主要由镍、铬、钼等金属元素组成，具有良好的耐热性和耐腐蚀性，广泛应用于化工、航空航天、海洋工程等领域。
1.2 证件照项目简介随着镍合金复合管625在各个领域的广泛应用，对其质量和性能的要求也越来越高。
开展镍合金复合管625的证件照项目，对于保障产品质量、提高市场竞争力具有重要意义。
二、项目目的2.1 提高产品质量镍合金复合管625作为高端合金材料，其质量和性能直接影响到使用领域的安全和可靠性。
通过开展证件照项目，可以对产品质量进行全面、系统的评估，发现存在的问题并及时改进。
2.2 增强市场竞争力市场对产品质量和性能的要求越来越高，企业如果能够提供详尽的证件照资料，将有利于提升产品的市场竞争力，吸引更多客户和合作伙伴。
三、项目内容3.1 证件材料准备针对镍合金复合管625材料的生产工艺和性能特点，公司需要准备相关的证件资料，包括生产工艺流程、材料成分分析报告、机械性能测试报告、化学成分测试报告等。
3.2 证件照拍摄通过专业的摄影师和设备，对镍合金复合管625的外观、尺寸、表面质量进行高清拍摄，全面展现其外观和工艺。
3.3 证件照审核将拍摄所得的证件照资料进行审核，确保其准确、清晰、完整，符合相关标准和要求。
四、项目步骤4.1 项目启动确定项目的相关人员、时间节点和预算，制定详细的工作计划，明确各项工作任务的分工和责任。
4.2 证件材料准备根据项目计划，组织相关人员收集和整理镍合金复合管625的生产工艺、材料成分、机械性能等相关资料。
4.3 证件照拍摄选择专业的摄影师和拍摄设备，对镍合金复合管625的各项性能进行高清拍摄，并进行后期处理，确保图片质量。
4.4 证件照审核对拍摄的证件照资料进行审核，确保其准确、清晰、完整，符合相关标准和要求。
如有不符合的地方，及时进行整改。
五、项目总结5.1 项目效果通过镍合金复合管625的证件照项目，不仅提升了产品质量和市场竞争力，也为企业树立了良好的品牌形象，获得了客户和合作伙伴的肯定和信任。
inconnel625材料标准
inconnel625材料标准
Inconel 625是一种高温合金，通常用于高温和腐蚀环境中的应用，例如化工、航空航天和核工业。
该材料通常符合多个国家和国际的标准。
以下是一些与Inconel 625相关的主要材料标准：
1.美国标准：
•ASTM B443：这是Inconel 625板、薄片和带材的标准规范。
•ASTM B446：这是Inconel 625杆、棒材和线材的标准规范。
•ASTM B444：这是Inconel 625管和管件的标准规范。
•ASTM B564：这是Inconel 625锻件和锻件合金的标准规范。
•AMS 5599：这是Inconel 625板、薄片和带材的航空和航天应用标准。
•AMS 5666：这是Inconel 625杆、棒材和线材的航空和航天应用标准。
2.欧洲标准：
•EN 2.4856：这是Inconel 625的欧洲标准编号。
3.国际标准：
•ISO 15156：这是用于油气工业中的Inconel 625等材料的标准。
请注意，这只是一些主要的标准，具体的材料标准可能还涵盖其
他方面的规范，如化学成分、物理性能、热处理等。
确保在选择和使用Inconel 625材料时，参考最新版本的相关标准以确保合规性和性能。
如果有特殊应用或行业要求，还可能需要符合其他规范和认证标准。
625镍合金材料介绍
密度 0.305 Ib/in3 8.44 g/cm3
特定重力 8.44
融化范围 2350º-2460ºF 1280º-1350ºC
磁渗透性 75ºF, 200 oersted 1.0006
特定热度 0.098 Btu/lb.-ºF 410 Joules/kg-ºK
电阻系数
华氏
70 100 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
Joules
66 66 60 56 47 47
若材料被置于华氏1200度至1600度(摄 氏649-871度)之间并延长试验时间,其 特性效果可能降低。
这里所提供的技术数据及信息代表我们目前掌 握的最佳知识,但是,由于我们正在不断进行抗腐 蚀等级项目的研究,这些数据和信息有可能会发 生微小变化,因此,我们建议您在发出定单和询问 的时候请与我们核准。另外,实际条件对每一次 应用都有其特殊性。这里所提供的数据仅为描述 之目的,这些数据和信息以我公司作出正式书面 确认为准。
796 834 896 945 986 1137 1238 1307 1413 1510
延长度
%
67.0 58.0 47.5 39.0 31.5 17.0 12.5
8.5 6.5 5.0
缩小范围
%
60.4 58.1 54.6 51.9 50.0 49.3 41.9 38.0 32.7 25.4
机械特性
625合金的强度源于镍铬合金中 所含的钼、铌固溶体强化效应。这 些元素也使该合金具有卓越的耐腐 蚀特性。虽然该合金是为适应高温 环境的强度而设计的,其高度合金 组合使其具有对一般腐蚀的高度耐 受能力以及对广泛氧化和非氧化环 境的耐受能力。铬、钼含量使合金 具有抗氯化物离子产生的蚀损斑的 优良特性,高镍含量增强合金对氯 化物应力腐蚀裂化的抵抗能力。
粗多糖含量测定方法学验证
粗多糖含量测定方法学研究资料一、仪器与试药 (1)二、方法的研究 (2)1.检测波长的测定 (2)2.样品及对照制备方法 (2)三、方法学验证 (3)1.线性 (3)2.精密度实验 (4)3.稳定性实验 (4)4.重复性试验 (5)5.中间精密度实验 (5)6.准确度试验 (6)芪参颗粒粗多糖含量测定方法起草说明标志性成分粗多糖含量测定的方法来源于《保健食品功效成分检测方法》白鸿主编（中国中医药出版社)的第二法，该方法的原理是：多糖经乙醇沉淀分离后，去除其他可溶性糖及杂质的干扰，糖与硫酸在沸水浴中加热脱水生成羟甲基呋喃甲醛（羟甲基呋喃糠醛），再与蒽酮缩合成蓝绿色化合物，其显色强度与溶液中糖的浓度成正比，在625nm波长下比色测定。
主要研究资料如下：一、仪器与试药1、仪器(1) 离心机（湘南湘仪实验室仪器开发有限公司，型号TD25-WS）；(2) 离心管：50ml；(3) 水浴锅（上海精宏实验设备有限公司，型号 DK-S26）；(4) 旋涡混合器（DioCote，SA8）；(5) SHIMADZU UV-1800 紫外可见光分光光度计；(6) JB760-68 石英比色皿（宜兴市伟鑫仪器有限公司）；(7) TU-1901 双光束紫外可见光分光光度计（北京普析通用仪器有限责任公司）；2、试药(1) 葡萄糖：广州化学试剂厂，分析纯，批号为-1；(2) 无水乙醇：西陇化学股份有限公司，分析纯，批号为160802 1；(3) 蒽酮：国药集团化学试剂有限公司，分析纯，批号为；(4) 硫酸：广州化学试剂厂，分析纯，批号为-1；(5) 葡萄糖标准液：标准称取干燥恒重的分析纯级葡萄糖，加水溶解，并定容至50ml，此溶液1ml含10mg葡萄糖，用前稀释100倍为使用液（ml）。
(6) %蒽酮硫酸溶液（W/V）：准确称取蒽酮置于烧杯中，缓缓加入100ml 80%硫酸溶解，溶解后呈黄色透明溶液。
现用现配。
3、试样v1.0 可编辑可修改(1) 样品颗粒：XXXXX 有限公司提供。
APDS-9960 中文资料
I / O 引脚配置
工作空气温度范围内的绝对最大额定值（除非另有说明）*
*超出“绝对最大额定值”列出的值可能会导致设备永久性损坏。 这些仅是压力额定值，并不 意味着在这些或超出“推荐操作条件”之下的任何其他条件下的设备的功能操作。 长时间暴露 于绝对最大额定条件可能会影响器件的可靠性。 注 1.所有电压都相对于 GND。 推荐工作条件
靠近操作 接近检测功能通过光电二极管检测由集成 LED 提供的反射 IR 能量进行距离测量。 以下寄 存器和控制位控制接近操作，操作流程如图 8 所示。 表 1.近程控制
图 8.详细接近图
接近结果受三个基本因素的影响：红外 LED 发射，红外接收和环境因素，包括目标距离和 表面反射率。 IR 接收信号路径从四个[定向手势]光电二极管的 IR 检测开始，并以 PDATA 寄存器中的 8 位 接近结果结束。来自光电二极管的信号被组合，放大和偏移调整以优化性能。相同的四个光 电二极管用于手势操作以及邻近操作。二极管配对形成两个信号路径：UP / RIGHT 和 DOWN / LEFT。不管配对，任何一个光电二极管都可以被掩蔽，以排除其对接近结果的贡献。屏蔽 成对的二极管之一有效地将信号减少一半，并使满量程结果从 255 减少到 127.为了校正全量 程的这种减小，可以设置接近增益补偿位 PCMP，返回 F.S.到 255.使用 PGAIN 控制位，增益 可以从 1x 调整到 8x。通过调整 POFFSET_UR 和 POFSET_DL 寄存器来实现偏移校正或串扰 补偿。器件的模拟电路将偏移值作为减法运算到信号累加中;因此，正偏移值具有降低结果的 效果。 在光学上，IR 发射显示为脉冲串。脉冲数由 PPULSE 位设置，每个脉冲的周期可以使用 PPLEN 位进行调节。使用 LDRIVE 控制位可以选择 IR 发射的强度;对应四个，出厂校准，电流等级。 如果需要更高的强度（例如较长的检测距离或深色玻璃下方的器件放置），则 LEDBOOST 位 可用于将电流升高至额外的 300％。 集成 IR LED 的 LED 占空比和随后的功耗可以使用表 2 所示的下表和等式计算。如果接近事 件按照 AWAIT 和 WLONG 设置的等待时间分隔，那么总的 LED 关闭时间必须增加等待时间。
inconel625制造工艺
1名称 Incone l625 （NS336/UNSo6625） 化学成分 Chemical Compositi onWt.%%N iC rMoNbF eA l Ti C M nS iCo PS最小min 余量 20 最大min余量 2310511515物理性能physicalConstants密度cm ³cm ³熔点Melting Range 1290-1350℃23Inconel625金相组织结构 Inconel625金相组织结构 该合金在固溶状态的组织为奥氏体基体和少量的TiN 、NbC 、和M6C 相,经650~900℃长期时效后，所析出的相为γ"、δ、M23C6和M6C 。
410、铸造"U"形电阻带11、离心铸管系列12、纳米材料系列产品13、轻比重高温结构材料14、功能材料(膨胀合金、高温高弹性合金、恒弹性合金系列)15、生物医学材料系列产品16、电子工程用靶材系列产品17、动力装置喷嘴系列产品18、司太立合金耐磨片19、超高温抗氧化腐蚀炉辊、辐射管提高强度固溶强化5加入与基体金属原子尺寸不同的元素(铬、钨、钼等)引起基体金属点阵的畸变，加入能降低合金基体堆垛层错能的元素(如钴)和加入能减缓基体元素扩散速率的元素(钨、钼等)，以强化基体。
沉淀强化通过时效处理，从过饱和固溶体中析出第二相(γ'、γ"、碳化物等)，以强化合金。
γ'相与基体相同，均为面心立方结构，点阵常数与基体相近，并与晶体共格，因此γ相在基体中能呈细小颗粒状均匀析出，阻碍位错运动，而产生显著的强化作用。
γ'相是A3B型金属间化合物，A代表镍、钴，B 代表铝、钛、铌、钽、钒、钨，而铬、钼、铁既可为A又可为B。
镍基合金中典型的γ'相为Ni3(Al,Ti)。
γ'相的强化效应可通过以下途径得到加强:①增加γ'相的数量;②使γ'相与基体有适宜的错配度，以获得共格畸变的强化效应;③加入铌、钽等元素增大γ'相的反相畴界能，以提高其抵抗位错切割的能力;④加入钴、钨、钼等元素提高γ'相的强度。
STW25NM60N中文资料
1/12PRODUCT PREVIEWJune 2005This is preliminary information on a new product now in development. Details are subject to change without notice.STP25NM60N - STF25NM60N STB25NM60N/-1 - STW25NM60NSECOND GENERATION MDmesh™ MOSFETTable 1: General Featuress WORLD’S LOWEST ON RESISTANCE s TYPICAL R DS (on) = 0.140 Ωs HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES s 100% AVALANCHE TESTEDsLOW INPUT CAPACITANCE AND GATE CHARGEsLOW GATE INPUT RESISTANCEDESCRIPTIONThe STP25NM60N is realized with the second generation of MDmesh Technology. This revolu-tionary MOSFET associates a new vertical struc-ture to the Company's strip layout to yield the world's lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high ef-ficiency convertersAPPLICATIONSThe MDmesh™ II family is very suitable for in-crease the power density of high voltage convert-ers allowing system miniaturization and higher efficiencies.Table 2: Order CodeTYPE V DSS (@Tjmax)R DS(on)I D STB25NM60N-1STF25NM60N STP25NM60N STW25NM60N STB25NM60N650 V 650 V 650 V 650 V 650 V< 0.170 Ω< 0.170 Ω< 0.170 Ω< 0.170 Ω< 0.170 Ω20 A 20(*) A 20 A 20 A 20 ASALES TYPE MARKING PACKAGE PACKAGINGSTB25NM60N-1B25NM60N I ²PAK TUBE STF25NM60N F25NM60N TO-220FP TUBE STP25NM60N P25NM60N TO-220TUBE STW25NM60N W25NM60N TO-247TUBE STB25NM60NB25NM60ND ²PAKTAPE & REELRev. 4STP25NM60N - STF25NM60N - STB25NM60N/-1 - STW25NM60N2/12Table 3: Absolute Maximum ratings(*) Limited only by maximum temperature allowed (1) Pulse width limited by safe operating area(2) I SD ≤ 20 A, di/dt ≤ 400 A/µs, V DD =80%V (BR)DSS .Table 4: Thermal DataTable 5: Avalanche CharacteristicsELECTRICAL CHARACTERISTICS (T CASE =25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)Table 6: On /Off(2) Characteristic value at turn off on inductive loadSymbolParameterValueUnitTO-220/I²PAK TO-247/D²PAKTO-220FPV DS Drain-source Voltage (V GS = 0)600V V DGR Drain-gate Voltage (R GS = 20 k Ω)600V V GS Gate- source Voltage± 25V I D Drain Current (continuous) at T C = 25°C 2020 (*)A I D Drain Current (continuous) at T C = 100°C 12.812.8 (*)A I DM (1)Drain Current (pulsed)8080 (*)A P TOT Total Dissipation at T C = 25°C 16040W Derating Factor1.280.32W/°C dv/dt (2)Peak Diode Recovery voltage slope TBD V/ns T stg Storage Temperature– 55 to 150°C T jMax. Operating Junction Temperature150°C TO-220/I²PAK TO-247/D²PAKTO-220FPRthj-case Thermal Resistance Junction-case Max 0.783.1°C/W Rthj-ambThermal Resistance Junction-ambient Max62.5°C/W T lMaximum Lead Temperature For Soldering Purpose300°CSymbol ParameterMax Value Unit I AS Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive (pulse width limited by T j max)TBD A E ASSingle Pulse Avalanche Energy(starting T j = 25 °C, I D = I AS , V DD = 50 V)TBDmJSymbol ParameterTest ConditionsValue UnitMin.Typ.Max.V (BR)DSS Drain-source Breakdown VoltageI D = 1 mA, V GS = 0600V dv/dt(2)Drain Source Voltage SlopeVdd=TBD, Id=TBD, Vgs=TBD TBDV/ns I DSS Zero Gate VoltageDrain Current (V GS = 0)V DS = Max RatingV DS = Max Rating, T C = 125°C 110µA µA I GSS Gate-body Leakage Current (V DS = 0)V GS = ± 20 V100nA V GS(th)Gate Threshold Voltage V DS = V GS , I D = 250 µA 234V R DS(onStatic Drain-source On ResistanceV GS = 10 V, I D = 10 A0.1400.170Ω3/12STP25NM60N - STF25NM60N - STB25NM60N/-1 - STW25NM60NELECTRICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)Table 7: DynamicTable 8: Source Drain Diode(1) Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %.(2) Pulse width limited by safe operating area.(3) C oss eq. is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C oss when V DS increases from 0 to 80% V DSS .Symbol ParameterTest Conditions Min.Typ.Max.Unit g fs (1)Forward Transconductance V DS = 15V , I D = 10A 17S C iss C oss C rss Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance V DS = 25 V, f = 1 MHz, V GS = 0256551177pF pF pF C OSS eq (3).Equivalent Output CapacitanceV GS = 0 V, V DS = 0 to 480 V TBD pF R GGate Input Resistancef=1 MHz Gate DC Bias = 0Test Signal Level = 20mV Open Drain2Ωt d(on)t r t d(off)t f Turn-on Delay Time Rise TimeTurn-off-Delay Time Fall TimeV DD = 300 V, I D = 10 A, R G = 4.7 Ω, V GS = 10 V (see Figure 4)TBD TBD TBD TBD ns ns ns ns Q g Q gs Q gdTotal Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain ChargeV DD = 480 V, I D = 20 A,V GS = 10 V (see Figure 7)93TBD TBDnC nC nCSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit I SD I SDM (2)Source-drain CurrentSource-drain Current (pulsed)2080A A V SD (1)Forward On Voltage I SD = 20 A, V GS = 0 1.3V t rr Q rr I RRM Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery Current I SD = 25 A, di/dt = 100 A/µs V DD = 100V (see Figure 5)TBD TBD TBD ns µC A t rr Q rr I RRMReverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery CurrentI SD = 25 A, di/dt = 100 A/µs V DD = 100V, T j = 150°C (see Figure 5)TBD TBD TBDns µC ASTP25NM60N - STF25NM60N - STB25NM60N/-1 - STW25NM60NFigure 3: Unclamped Inductive Load Test Cir-cuitFigure 4: Switching Times Test Circuit For Re-sistive Load Figure 5: Test Circuit For Inductive Load Switching and Diode Recovery TimesFigure 6: Unclamped Inductive WafeformFigure 7: Gate Charge Test CircuitSTP25NM60N - STF25NM60N - STB25NM60N/-1 - STW25NM60N5/12STP25NM60N - STF25NM60N - STB25NM60N/-1 - STW25NM60N6/12STP25NM60N - STF25NM60N - STB25NM60N/-1 - STW25NM60N7/12STP25NM60N - STF25NM60N - STB25NM60N/-1 - STW25NM60N8/12STP25NM60N - STF25NM60N - STB25NM60N/-1 - STW25NM60N9/12STP25NM60N - STF25NM60N - STB25NM60N/-1 - STW25NM60N10/12TAPE AND REEL SHIPMENTD2PAK FOOTPRINT* on sales typeDIM.mm inchMIN.MAX.MIN.MAX.A33012.992B 1.50.059C12.813.20.5040.520D20.20795G24.426.40.960 1.039N100 3.937T30.4 1.197BASE QTY BULK QTY10001000REEL MECHANICAL DATA DIM.mm inchMIN.MAX.MIN.MAX.A010.510.70.4130.421B015.715.90.6180.626D 1.5 1.60.0590.063D1 1.59 1.610.0620.063E 1.65 1.850.0650.073F11.411.60.4490.456K0 4.8 5.00.1890.197P0 3.9 4.10.1530.161P111.912.10.4680.476P2 1.9 2.10.0750.082R50 1.574T0.250.350.00980.0137W23.724.30.9330.956TAPE MECHANICAL DATASTP25NM60N - STF25NM60N - STB25NM60N/-1 - STW25NM60N Table 9: Revision HistoryDate Revision Description of Changes 30-Nov-20041First Release.22-Mar-20052Modified title23-May-20053Inserted some values in Tab708-Jun-20054Inserted new row in table 611/12STP25NM60N - STF25NM60N - STB25NM60N/-1 - STW25NM60NInformation furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specifications mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. 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inconel625是什么材料国产牌号
inconel625耐腐蚀性及主要使用环境
1. 耐腐蚀性及主要使用环境： 2. INCONEL 625是一种以镍为主要成分的奥氏体超耐热合金。源于镍铬合金中所含的钼、铌固溶体强化效应，在 低温至1093℃，具有超高强度、非凡的抗疲劳特性，被广泛用于航空事业。虽然该合金是为适应高温环境的强度而设 计，但该合金铬、钼的高含量对众多腐蚀媒介，从高度氧化环境到一般腐蚀环境，均具有高度抗蚀损斑、抗裂变腐蚀 能力，表现出卓越的耐腐蚀特性。对氯化物污染的媒介如海水、地热水、中性盐以及盐水，INCONEL 625也有超强 的抗腐蚀作用。
3. 配套焊接材料及焊接工艺：Inconel625合金的焊接建议采用AWS A5.14焊丝ERNiCrMo-3或AWS A5.11焊条 ENiCrMo-3，焊材尺寸有Φ1.0、1.2、2.4、3.2、4.0,产地为：美国哈氏、美国SMC和德镍，焊接工艺及指导书欢迎来 电索取。
4.① ⑧ ⑨ ⒍ ⒋⒍⒏② ⑥ ⑧ ⑦库存情况：625合金板库存现货尺寸有0.5mm-10mm,棒材库存现货尺寸有Φ12mmΦ220mm,管材管件及其他可根据客户要求定做。材料产地主要有美国哈氏haynes、美国SMC、美国冶联科技ATI、 德国蒂森克虏伯VDM。提供原厂材质证明书、报关单及原产地证明文件。应用领域有：含氯化物的有机化学流程工艺 的部件，尤其是在使用酸性氯化物催化剂的场合；用于制造纸浆和造纸工业的蒸煮器和漂白池；烟气脱硫系统中的吸 收塔、再加热器、烟气进口挡板、风扇（潮湿）、搅拌器、导流板以及烟道等；用于制造应用于酸性气体环境的设备 和部件；乙酸和乙酐反应发生器；硫酸冷凝器；制药设备；波纹管膨胀节等行业和产品。
产品名称：
01
Inconel625/UNS N06625
国际通称：Inconel Alloy 625、NS336、NAS 625、W.Nr.2.4856、UNS NO6625、 Nicrofer S 6020-FM 625、ATI 625
E211资料
2
E232
Clear
A
3
E291
Clear
A
4
E292
White Diffused
A
B
C
D
T-1¾ Bi-Color LEDs (Two Leads)
Line No. Part No. E210 Lens White Diffused White Diffused White Diffused Luminous Intensity Viewing at 20mA Angle Minimum Maximum 2θ½ θ 20.0mcd 12.5mcd 20mcd 5mcd 12.5mcd 5.0mcd 50mcd 40mcd 50mcd 20mcd 40mcd 20mcd 60° 60° 60° 60° 60° 60° Forward Voltage at 20mA Typical Maximum 2.0V 2.2V 2.0V 2.1V 2.2V 2.2V 2.5V 2.5V 2.5V 2.5V 2.5V 2.5V Peak Wave Length at 20mA 625nm 565nm 625nm 590nm 565nm 590nm Drawing B
Line No. Part No. E231 Lens White Diffused Luminous Intensity at 20mA Minimum Maximum 100mcd 40mcd 300mcd 80mcd 300mcd 80mcd 100mcd 40mcd 300mcd 80mcd 700mcd 200mcd 700mcd 200mcd 300mcd 80mcd Viewing Angle 2θ½ θ 60° 60° 30° 30° 24° 24° 24° 24° Forward Voltage at 20mA Typical Maximum 1.85V 2.20V 1.85V 2.20V 1.85V 2.20V 1.85V 2.20V 2.5V 2.5V 2.5V 2.5V 2.5V 2.5V 2.5V 2.5V Peak Wave Length at 20mA 660nm 565nm 660nm 565nm 660nm 565nm 660nm 565nm Leads Drawing A
625nm吸光度
625nm吸光度
在625nm的波长下，吸光度通常用于表示物质对光的吸收能力。
吸光度的大小与物质的浓度、吸收截面和光强等因素有关。
在光谱分析中，吸光度是用来定量分析物质的一个重要参数。
在具体应用中，通常需要根据实验条件和测量标准来选择合适的波长和吸光度范围。
一般来说，吸光度应该在一定的范围内，以获得准确和可靠的测量结果。
同时，实验操作质量、测量工具的精度和质控标准等因素也需要考虑。
例如，在麦氏比浊标准的配制中，需要将浊度标准管置于旋转混匀器上剧烈振动，目测其外观浊度应均匀一致。
若有大颗粒出现，此标准管应更换。
使用前核实其正确浓度，每个月都应证实或更换。
浊度标准的正确浓度应使用分光光度计测定吸光度核实。
该分光光度计光径为1cm，并配有合适的比色杯。
0.5号麦氏标准管在625nm处的吸光度值应为0.08-0.10。
按这个配出来的麦氏浊度标准625nm吸光度为0.28。
E206资料
• RED & • GREEN • RED & • YELLOW • GREEN & • YELLOW
5
6
E211
C
7
E212
D
70
Telephone: 781-935-4442 Fax: 781-938-5867
sales@ Engineering Catalog 169
• RED & • GREEN • RED & • GREEN • RED & • GREEN • RED & • GREEN
1
1. Red Anode 2. Cathode 3. Green Anode 1. Red Anode 2. Cathode 3. Green Anode 1. Red Cathode 2. Anode 3. Green Cathode 1. Red Cathode 2. Anode 3. Green Cathode
565nm 590nm
C
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A
T-1¾ Bi-Color Ultra Bright LEDs
• RED & • GREEN • RED & • GREEN • RED & • YELLOW • GREEN & • YELLOW
10
11
E204
C
12
E205
C
13
E206
White Diffused
20.0mcd 20.0mcd
70.0mcd 60.0mcd
EN中文版
铁路应用——具有特殊防火性能铁路机车车辆电力和控制电缆第2-2部分：多芯交联橡胶绝缘电缆简介EN50264涉及到用于铁路车辆的系列电缆，该系列电缆属于采用无卤材料的护套以及无护套电缆。
该标准分为5部分:第1部分一般要求；第2-1部分单芯交联橡胶绝缘电缆；第2-2部分多芯交联橡胶绝缘电缆；第3-1部分小尺寸单芯交联橡胶绝缘电缆；第3-2部分小尺寸多芯交联橡胶绝缘电缆。
电缆选型和安装（包括额定电流）见EN50355和EN50343。
电缆截面积选择（包括减少环境温度和安装类型因素）见EN50343。
EN50264中涉及的特殊测试方法见EN50305。
第1部分“一般要求”对EN50264做出了更详尽的介绍，因此应与第2-2部分一起使用。
1.范围EN50264-2-2规定了对下列型号及额定电压下的单芯电缆的要求、结构及尺寸。
●300/500V屏蔽或无屏蔽电缆（1mm2、1.5mm2和2.5mm2，2芯到40芯）；●0.6/1kV屏蔽或无屏蔽电缆（1.5mm2到50mm2，2芯、3芯和4芯）。
注：并非每个类型都规定了导线尺寸或线芯数目所有的电缆采用5类镀锡铜线，符合EN60228的规定，且为无卤绝缘和无卤护套。
这些电缆用于铁路机车固定布线，或者操作时会碰到极限挠度的布线。
要求连续导线温度不超过90℃，在5秒内，短路条件下最大温度为200℃。
发生火灾时，电缆在最大允许火焰传播（火焰蔓延），最大允许烟雾及有毒气体释放等方面具有特殊的性能。
EN50264-2-2应与第1部分“一般要求”一起使用。
2.引用标准以下引用的文件对于实施本文件是必不可少的。
凡注日期的引用文件，最新版不适用于本标准。
不注日期的引用文件，其最新版（包括任何修订）适用于本标准。
EN10002-1金属材料—拉伸测试—室温条件下试验方法EN50264-1铁路应用—具有特殊防火性能铁路机车车辆动力和控制电缆第1部分：一般要求EN50266-2-4电缆在火焰条件下的通用试验方法—垂直安装的成束电线或电缆的垂直火焰蔓延试验第2-4部分：试验步骤—C类EN50266-2-5电缆在火焰条件下的通用试验方法—垂直安装的成束电线或电缆的垂直火焰蔓延试验第2-5部分：试验步骤—小电缆—D类EN50305:2002铁路应用-具有特殊防火性能铁路机车车辆电缆-测试方法EN50334电缆芯线识别用符号标记EN60228电缆的导体（IEC60228）EN60332-1-2电缆和光缆在火焰条件下的试验方法第1-2部分：单根绝缘电线电缆垂直火焰蔓延试验—1kW预混合火焰（IEC660332-1-2）EN60811-1-1:1995电缆和光缆绝缘和护套材料的—通用试验方法第1-1部分：一般应用—厚度和外形尺寸测量—机械性能试验（IEC60811-1-1:1993）EN60811-1-2:1995电缆绝缘和护套材料的—通用试验方法第1-2部分：一般应用—热老化试验（IEC60811-1-2:1985+A1：1989+corr.May1986）EN60811-1-3:1995电缆和光缆绝缘和护套材料的—通用试验方法第1-3部分：一般应用—密度测定方法—吸水试验—回缩试验（IEC60811-1-3:1993）EN60811-1-4:1995电缆和光缆绝缘和护套材料的—通用试验方法第1-4部分：一般应用—低温试验（IEC60811-1-4:1985+A11993+corr.May1986）EN60811-2-1:1998电缆和光缆绝缘和护套材料的—通用试验方法第2-1部分：一般应用—橡胶混合物测试方法—耐臭氧试验、热延伸试验和浸矿物油试验（IEC60811-2-1:1998）EN61034-2电缆在特定条件下燃烧的烟密度测定第2部分：试验步骤和要求（IEC61034-2）HD308电缆与软线的芯线标记3.定义EN50264-1的定义适用于本标准。
各种波长及其颜色
1、芯片发光颜色（COLW）红（Red）：R（610nm-640nm）黄（Yellow）：Y（580nm-595nm）兰（Blue）：B（455nm-490nm）兰绿（Cyan）：C（490nm-515nm）绿（Green）：G（501nm-540nm）紫（Purple）：P（380nm-410nm）琥珀（Amber）：A（590nm-610nm）白（White）：W2黄绿（Kelly）：K（560nm-580nm）暖白（Warm white）W32、颜色波长★红：R1：610nm-615nm R2：615nm-620nm R3：620nm-625nm R4：625nm-630nm R5：630nm-635nm R6：635nm-640nm ★黄：Y1：580nm-585nm Y2：585nm-590nm Y3：590nm-595nm ★琥珀色：A1：600nm-605nm A2：605nm-610nm ★兰绿：G1：515nm-517.5nm G2：517.5-520nmG3：520nm-525nm G4：525nm-530nm G5：530nm-535nm G6：535nm-540nm ★兰：B1：455nm-460nm B2：460nm-462.5nm B3：462.5nm-465nm B4：460nm-465nm B5：465nm-470nm B6：470nm-475nm B7：475nm-480nm B8：480nm-485nm B9：485nm-490nm ★黄绿：K1：560nm-565nm K2：565nm-570nm K3：570nm-575nm K4：575nm-580nm ★纯绿：C1：490nm-495nm C2：495nm-500nm C3：500nm-515nm图文：颜色的度量──CIE1931色度图明度、色调和饱和度称为颜色视觉三特性。
明度就是明亮的程度；色调是由波长决定的色别，如700nm光的色调是红色，579nm光的色调是黄色，510nm光的色调是绿色等等；饱和度就是纯度，没有混入白色的窄带单色，在视觉上就是高饱和度的颜色。
n06625化学成分n06625是什么材质
A1a3a1a6a6a3a6a8a1a9a9aN066251. 特性该合金属于镍铬钼铌系镍基耐蚀，耐热固溶强化变形合金。
在650°C 以下具有优良的持久性能，疲劳性能，和抗氧化性能。
由于含有较高的合金元素，能耐各种各样的腐蚀环境，能抗氯离子应力腐蚀裂纹。
该合金具有优良的耐点腐蚀性能和耐间隙腐蚀性能。
2. s （%）Ni Nb(+Ta) Si Cr C S Mo Mn Fe Al Ti P Co》58.0 3.15/4.15 《0.50 20.0-23.0 《0.10 《0.015 8.0-10.0 《0.5 《5.0 《0.40 《0.40 《0.015 《1.03. 机械性能屈服强度Mpa 抗拉强度Mpa 延长率（％）》380 》830 》304. 物理性能密度：8.44 g/cm3熔点：1219-1350 °C比热：410 J/kg · °C 电阻率： 1.29 µΩ· m5. 应用软化退火后的低碳合金625的应用于化工流程工业，较好的性和高强度使之能作为较薄的结构部件。
625合金可以应用于接触海水并承受高机械应力的场合。
典型应用领域：1.含氯化物的有机化学流程工艺的部件，尤其是在使用酸性氯化物催化剂的场合2.用于制造纸浆和造纸工业的蒸煮器和漂白池3.烟气脱硫系统中的吸收塔、再加热器、烟气进口挡板、风扇（潮湿）、搅拌器、导流板以及烟道等4.用于制造应用于酸性气体环境的设备和部件5.乙酸和乙酐反应发生器6.硫酸冷凝器现降低趋势。
实际生产时一般以断面收缩率≥50%为其热塑性临界值，数据显示UNS N 06625合金在应变速率为5s时断面收缩率拐点温度为1100℃。
在950℃时该材料的断面收缩率在40%左右，不能满足热加工要求；温度升高至975℃时断面收缩率达到55%以上，随温度升高断面收缩率增加，1100℃时78%，超过1100℃以后断面收缩率开始降低，但在1180℃时断面收缩率仍保持在60%以上，可以满足热加工要求。
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84
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85
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LED TECHNICAL DATA
Absolute Maximum Ratings
(TA=25 C)
°
610nm (GaAsP/ GaP)
620nm (InGaAlP)
-20 to +80
-30 to +85
-40 to +85
-30 to +85
-40 to +85
-40 to +85
-40 to +85
o
C
Storage Temperature
-30 to +100 -40 to +100
-40 to +85
-40 to +100 -40 to +85
-40 to +85
5
5
5
5
5
5
5
V
Forward Current
30
30
25
30
25
30
25
mA
Forward Current (Peak)
t ≤10us
100
100
150
100
150
150
150
mA
Power Dissipation
105
120
105
120
105
105
105
mW
Operating Temperature
150
150
150
150
150
1200
1200
mA
Power Dissipation
105
75
105
100
120
100
100
mW
Operating Temperature
-40 to +85
-40 to +85
-40 to +85
-40 to +85
-40 to +85
-40 to +85
-40 to +85
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TECHNICAL DATA 5V/12V LED WITH INTERNAL RESISTANCE
Absolute Maximum Ratings
(TA=25 C)
o
565nm (GaP)
590nm (GaAsP/GaP)
625nm (GaAsP/GaP)
RECOMMENDED SOLDERING PATTERN FOR SMT LEDs
1 2 3
4
5
6
7
8
9
10
SOLDERING INSTRUCTIONS FOR SMT LEDs
Surface Mount LEDs are temperature sensitive and must be handled with extreme care. IR Reflow Soldering and Vapor Phase Reflow Soldering are recommended. Wave Soldering is not recommended for surface mount LEDs. Please request our SMT LED Soldering Notes 155-1209.
45
20
45
50
50
nm
Capacitance
VF=0V, f=1MHz
15
40
12 LEDs
95
40
90
90
pF
86
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V mA mA mW
o
Derating linear from 50oC Power Dissipation Operating/Storage Temperature
C
Operating Characteristics
(TA=25 C)
o
565nm (GaP)
590nm (GaAsP/GaP)
625nm (GaAsP/GaP)
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LED TECHNICAL DATA
565nm (GaP)
590nm (GaAsP/GaP)
595nm (InGaAlP)
610nm (GaAsP/GaP)
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2.6
2.5
2.5
2.5
2.5
1.7
1.5
V
Reverse Current
VR=5V
10
10
10
10
10
10
10
uA
Wavelength at Peak Emmission
IF=20mA
610
620
625
660
700
880
940
nm
Spectral line half-width
IF=20mA
35
15
87
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LED TECHNICAL DATA
430nm (GaN)
470nm (GaN)
525nm (GaN)
555nm (GaP)
88
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o
C
Storage Temperature
-40 to +85
-40 to +85
-40 to +85
-40 to +85
-40 to +85
-40 to +85
-40 to +85
o
C
Operating Characteristics
(TA=25oC)
610nm (GaAsP/ GaP) 2.0
620nm (InGaAlP)
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SOLDERING INSTRUCTIONS FOR THROUGH HOLE LEDs
DIP AND WAVE SOLDERING Temperature Maximum of the Soldering Soldering Bath Time ≤260oC ≤260oC 3s 5s Distance from Solder Joint to Case >2mm >4mm IRON SOLDERING (with 1.5mm IRON TIP) Temperature of the Soldering Iron ≤260oC ≤260oC Maximum Soldering Time 3s 5s Distance From Solder Joint to Case >2mm >4mm
91
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LED TECHNICAL DATA
Lead Forming Guidelines
Custom Lead Options
Contact us with your requirements and specifications.
Custom lead forming
LED Cleaning
• • •
We recommend using isopropyl alcohol to clean our LEDs. Avoid using any unspecified chemical solvent such as Trichlororethylene, Chlorosen or Acetone. If cleaning is required, perform in one minute or less under normal temperature conditions.
430
470
525
555
565
590
595
nm
Spectral line half-width
IF=20mA
65
30
40
30
30
35
15
nm
Capacitance
VF=0V, f=1MHz
100
50
50
45
45
10
33
pF
Telephone: 781-935-4442 Fax: 781-938-5867
625nm (GaAsP/ GaP) 2.0
660nm (GaAlAs)
700nm (GaP)
880nm (GaAlAs)
940nm (GaAs)
Unit
Forward Voltage (typ.)
IF=20mA
1.95
1.85
2.0
1.4
1.2
V
Forward Voltage (max.)
IF=20mA
LED TECHNICAL DATA
Absolute Maximum Ratings