MEMS传感器现状及应用

MEMS传感器现状及应用
王淑华
(中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051)
摘要:M EM S传感器种类繁多,发展迅猛,应用广泛。

首先,简单介绍了M EMS传感器的分类和典型应用。

其次,对M EM S压力传感器、加速度计和陀螺仪三种最典型的MEM S传感器进行了详细阐述,包括类别、技术现状和性能指标、最新研究进展、产品,及应用情况。

介绍MEM S压力传感器时,给出了国内外采用新型材料制作用于极端环境下压力传感器的研究情况。

最后,从新材料、加工和组装技术方面对MEM S传感器的发展趋势进行了展望。

关键词:微电子机械系统(M EM S);传感器;加速度计;陀螺仪;压力传感器
中图分类号:TH703文献标识码:A文章编号:1671-4776(2011)08-0516-07
Current Status and Applications of MEMS Sensors
Wang Shuhua
(T he13th Resear ch I ns titute,CE T C,S hij iaz huang050051,China)
Abstract:MEMS sensors feature great varieties,rapid development and w ide applications.Firstly, the catego ries and ty pical applicatio ns of M EM S sensor s are introduced briefly.T hen three typ-i cal M EMS sensors,i1e.the pressure sensor,acceler ometer and g yrosco pe ar e illustrated in de-tail,including the subdiv ision,current technical capability and perfo rmance index,latest resear ch pro gress,products and their applications.Besides that,the research status of the MEM S pr es-sur e sensor using new m aterials for the extreme enviro nm ent at ho me and abro ad is presented. Finally,developm ent trends of M EM S sensors ar e predicted in term s o f new materials,pro ces-sing and assembling technolog y.
Key words:micr oelectr omechanical system(M EM S);sensor;accelerom eter;gyr oscope;pr es-sur e sensor
DOI:10.3969/j.issn.1671-4776.2011.08.008EEACC:2575
0引言
MEM S传感器是采用微机械加工技术制造的新型传感器,是M EMS器件的一个重要分支。

1962年,第一个硅微型压力传感器的问世开创了MEM S技术的先河,M EM S技术的进步和发展促进了传感器性能的提升。

作为M EMS最重要的组成部分,M EMS传感器发展最快,一直受到各发达国家的广泛重视。

美、日、英、俄等世界大国将M EMS传感器技术作为战略性的研究领域之一,纷纷制定发展计划并投入巨资进行专项研究。

随着微电子技术、集成电路技术和加工工艺的发展,MEM S传感器凭借体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、灵敏度高、易于集成以及耐恶劣工
收稿日期:2011-04-06
E-mail:1117sh uhua@
作环境等优势,极大地促进了传感器的微型化、智
能化、多功能化和网络化发展。

M EMS传感器正逐步占据传感器市场,并逐渐取代传统机械传感器的主导地位,已得到消费电子产品、汽车工业、航空航天、机械、化工及医药等各领域的青睐。

本文首先介绍了M EM S传感器的产品分类和典型应用。

其次,从类别、工艺技术、性能指标、新型材料、最新产品及应用等方面详细阐述了MEM S压力传感器、加速度计和陀螺仪的研究现状。

最后,对MEM S传感器发展趋势进行了展望。

1M EM S传感器分类及典型应用
M EMS传感器的门类品种繁多,分类方法也很多。

按其工作原理,可分为物理型、化学型和生物型三类[1]。

按照被测的量又可分为加速度、角速度、压力、位移、流量、电量、磁场、红外、温度、气体成分、湿度、pH值、离子浓度、生物浓度及触觉等类型的传感器。

综合两种分类方法的分类体系如图1所示。

M E M S传感器M EM S物理传感器
M EM S力学传感器
M EM S加速度计
M EM S角速度计(陀螺仪)
M EM S惯性测量组合
M EM S压力传感器
M EM S流量传感器
M EM S位移传感器
M EM S电学传感器
M EM S电场传感器
M EM S电场强度传感器
M EM S电流传感器
M EM S磁学传感器
M EM S磁通传感器
M EM S磁场强度传感器
M EM S热学传感器
M EM S温度传感器
M EM S热流传感器
M EM S热导率传感器
M EM S光学传感器
M EM S红外传感器
M EM S可见光传感器
M EM S激光传感器
M EM S声学传感器
M EM S噪声传感器
M EM S声表面波传感器
M EM S超声波传感器
M EM E化学传感器
M EM S气体传感器
可燃性气体传感器
毒性气体传感器
大气污染气体传感器
汽车用传感器
M EM S湿度传感器
M EM S离子传感器
M E M S pH传感器
M E M S离子浓度传感器
M EM S生物传感器
M EM S生理量传感
M EM S生物浓度传感器
M EM S触觉传感器
M EM S生化量传感
图1M EM S传感器的分类
Fig11Classification of M E M S sen sors
王淑华:M EM S传感器现状及应用
其中每种M EM S传感器又有多种细分方法。

如微加速度计,按检测质量的运动方式划分,有角振动式和线振动式加速度计;按检测质量支承方式划分,有扭摆式、悬臂梁式和弹簧支承方式;按信号检测方式划分,有电容式、电阻式和隧道电流式;按控制方式划分,有开环和闭环式。

MEM S传感器不仅种类繁多,而且用途广泛。

作为获取信息的关键器件,MEM S传感器对各种传感装备的微型化发展起着巨大的推动作用,已在太空卫星、运载火箭,航空航天设备、飞机、各种车辆、生物医学及消费电子产品等领域中得到了广泛的应用。

M EM S传感器的典型应用如表1所示。

表1M EMS传感器的典型应用
T able1T ypical applications of M EM S senso rs
应用领域产品或系统所用M EM S 传感器示例
消费电子手机、数码相机、音
乐播放器和笔记本电
脑等
加速度计和陀螺仪及
惯性测量组合(IM U)
等
汽车工业汽车的安全系统、制
动防抱死系统
(ABS)、发动机系统
和动力系统等
压力传感器、加速度
计、微陀螺仪、化学
传感器、气体传感器
和指纹识别传感器等
航空航天、空间应用微型惯性导航系统、
空间姿态测定系统、
动力和推进系统、控
制和监视系统和微型
卫星等
加速度计、陀螺仪、压
力传感器、惯性测量组
合(IM U)、微型太阳
和地球传感器、磁强计
和化学传感器等
生物医疗保健临床化验系统、诊断
和健康检测系统、灵
巧药丸输送系统、心
脏起搏器和计步器等
生物传感器、压力传
感器、集成加速度传
感器和微流体传感器
等
机器人飞行类机器人的姿态
控制系统
加速度计、陀螺仪和
惯性测量组合等
传感网基于M EM S的环境监
测系统等
压力、湿度、温度、生
物、腐蚀、气体和气体
流速等多种传感器
制造技术的日益精进使M EMS传感器的参数指标和性能不断提高,与多种学科的交叉融合又使传感器不断推陈出新,应用领域不断拓宽。

2M EM S压力传感器
M EMS传感器的发展以20世纪60年代霍尼韦尔研究中心和贝尔实验室研制出首个硅隔膜压力传感器和应变计为开端。

压力传感器是影响最为深远且应用最广泛的MEM S传感器,其性能由测量范围、测量精度、非线性和工作温度决定。

从信号检测方式划分,M EM S压力传感器可分为压阻式、电容式和谐振式等;从敏感膜结构划分,可分为圆形、方形、矩形和E形等。

硅压力传感器主要是硅扩散型压阻式压力传感器,其工艺成熟,尺寸较小,且性能优异,性价比较高。

2010年12月,意法半导体公司采用创新的M EMS制造技术开发出压阻式MEM S压力传感器LPS001WP。

LPS001WP通过覆盖在气腔上的柔性硅薄膜检测压力变化,该薄膜包括电阻值随着外部压力改变的微型压电电阻器,压力检测量程为3@ 104~111@105Pa,可检测到最小615Pa的气压变化[2]。

2009年3月举行的慕尼黑上海电子展上,爱普科斯公司推出了业界封装较小的用于测量大气压力的压阻式M EM S传感器T5000/ABS1200E,尺寸仅为117mm@117m m@019m m,可用于便携式电子产品测量气压和海拔高度[3]。

极端环境下的压力测量是石化生产、航空航天和汽车电子等领域必须突破和掌握的基础科学技术之一。

恶劣环境通常包括热侵蚀,主要指高温环境;机械侵蚀,主要指高负载、振动和冲击等;化学侵蚀,主要指有腐蚀媒介的环境等。

硅压阻式压力传感器受p-n结耐温限制,超过120e时,传感器的性能会严重退化甚至失效;在600e时会发生塑性变形和电流泄漏,远不能满足航空航天和石油化工等领域高温环境下的压力测量。

为满足对极端环境下压力测量的迫切要求,国内外开展了恶劣环境用压力传感器的研究。

各研究机构的研究材料各不相同,其中SiC材料、SOI材料、金刚石和光纤等新型压力传感器已成为国内外研究的重点。

美国Kulite传感器公司采用6H-SiC材料制作了压阻式压力传感器,可工作于600e的高温,输入电压为5V[4]。

该公司还采用BESOI技术开发出超高温压力传感器XT EH-10LAC-190(M)
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系列,工作温度为-55~482e[5]。

M1R1Werner 等人[6]研制的金刚石膜压力传感器样件,可在300e环境下工作。

Y1H ezar jaribi等人[7]于2009年采用SiC材料制作出了一种接触式MEM S电容式压力传感器,其膜片的直径为150~360L m,板间的间隙深度为015~6L m,当压力为0105~10M Pa时该传感器具有良好的线性度。

由于SiC具有优良的电稳定性、机械强度和化学稳定性,故该传感器可用于汽车工业、航天、石油钻探及核电站等恶劣环境。

利用光纤传感技术实现温度、压力多参数组合测量是M EMS传感器发展的重要方向之一。

Opsens有限公司于2009年推出了生命科学和医学器件业内较小的M EM S光纤压力传感器OPP-M25,导管外直径仅为0125mm,可对心脏血管的压力进行精确而可靠的测量,并可用于其他微小型化应用领域[8]。

随着新型半导体材料和M EM S加工工艺、敏感元件集成设计和传感器结构设计的不断突破,新型MEM S压力传感器不断推出。

开发新型材料用于制作恶劣环境下的MEM S压力传感器是今后的重要研究内容。

MEM S压力传感器可用于汽车工业、生物医学及工业控制等领域。

汽车工业采用各种压力传感器测量气囊压力、燃油压力、发动机机油压力、进气管道压力及轮胎压力。

在生物和医学领域,压力传感器可用于诊断和检测系统以及颅内压力检测系统等。

在航天领域,MEM S压力传感器可用于宇宙飞船和航天飞行器的姿态控制、高速飞行器、喷气发动机、火箭、卫星等耐热腔体和表面各部分压力的测量。

3M EM S加速度计
MEM S加速度计用于测量载体的加速度,并提供相关的速度和位移信息。

M EMS加速度计的主要性能指标包括测量范围、分辨率、标度因数稳定性、标度因数非线性、噪声、零偏稳定性和带宽等[9]。

MEM S加速度计的分类方式在前文已述,电容式、压电式和压阻式MEM S加速度计的性能比较如表2[10]所示。

表2电容式、压电式和压阻式加速度计
的性能比较
T able2Char acter istics co mpa rison of capacit ive,pier oelec-t ric and pier or esistive accelero meters
技术指标电容式压电式压阻式尺寸大小中等温度范围非常宽宽中等
线形度误差高中等低
直流响应有无有
灵敏度高中等中等冲击造成的零位漂移无有无电路复杂程度高中等低成本高高低
压阻式加速度计通过压敏电阻阻值变化来实现加速度的测量,其具有结构、制作工艺和检测电路都相对简单的特点。

随着技术的不断提高和新材料的引用,压阻式加速度计的性能提升很快。

2009年,R1Amarasinghe等人[11]制作了一个超小型M EMS/NEM S三轴压阻式加速度计,其由纳米级压阻传感元件和读出电路构成。

该加速度计制作在n型SOI晶圆上,采用EB光刻和离子注入工艺制作纳米级压电阻,并用DRIE工艺精细制作梁和振动质量块。

该加速度计可在480H z的频率带宽下测量?20g的加速度,x,y和z轴的平均测量精度为01416,01412和01482mV/V/g,具有高性能、低功耗、抗振动和耐冲击的特性。

电容式加速度计利用惯性质量块在加速度作用下引起悬臂梁变形,通过检测其电容的变化就可获得加速度的大小。

2010年,Kistler North A merica 公司采用硅M EM S可变电容传感元件制作了8315A系列高灵敏度、低噪声的电容式M EMS单轴加速度计。

其中8315A2D0型加速度计的灵敏度达4000mV/g,工作温度-55~125e,工作电压6~50V,可测量沿主轴方向的加速度和低频振动,具有良好的热稳定性和可靠性[12]。

电容式M EMS加速度计因灵敏度高、噪声低及漂移小等优势在汽车和工业领域中应用广泛。

压电式MEM S加速度计运用采用压电效应,运动时内置的质量块会产生压力,使支撑的刚体发生应变,最终把加速度转变成电信号输出。

它具有
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尺寸小、重量轻和结构较简单的优点。

此外,谐振式加速度计易于实现高精度测量,也成为微传感器的一个重要发展方向。

它利用振梁的力频特性,通过检测谐振频率变化获得输入加速度的大小。

Draper实验室在谐振式加速度计技术上处于世界领先地位,主要应用于对稳定性要求较高的领域。

其研制的加速度计采用差分式结构,基频为20kH z,标度因数为100H z/g,标度因数稳定性为3@10-6,零偏稳定性为5L g,品质因数Q的典型值大于1@105[13]。

MEMS加速度传感器除了向高精度、高灵敏度和高集成度方向发展,在低功耗和小尺寸方面也表现出了巨大优势。

超低功耗的代表产品为2009年模拟器件公司推出的三轴、数字加速度计ADXL346,采用117~2175V单电源供电,100H z下供电电流为140L A,10H z下为30L A,待机模式下为012L A[14]。

R1Amarasinghe等人[11]制作的MEM S/ NEMS压阻式加速计是超小尺寸的代表,尺寸为700L m@700L m@550L m,完全能满足生物医药和其他小型化应用对空间和重量的要求。

MEM S加速度计可用于消费电子产品,如Thinkpad笔记本电脑采用M EMS加速度计防止振动引起的硬盘损坏使信息丢失。

苹果公司的iPhone利用M EMS加速度计提升用户体验,使人机界面变得更加简单、直观,通过手的动作就可操作界面。

MEMS加速度计还可用于汽车的安全气囊系统、防滑系统、ABS系统、导航系统和防盗系统,如ADI公司的ADX105和ADXL50系列单片集成电容式加速度计及摩托罗拉公司批量生产的MMAS40G电容式加速度计。

MEMS加速度计在医疗保健、航空航天等方面也有用武之地,如计步器利用三轴MEM S传感器实现健身和健康监测功能。

4M EM S陀螺仪
MEM S陀螺仪是一种振动式角速率传感器,其特点是几何结构复杂和精准度较高。

M EM S陀螺仪的关键性能指标包括灵敏度、满量程输出、噪声、带宽、分辨率、随机漂移和动态范围等。

性能指标又可分为低精度、中精度和高精度。

其中低精度主要用于机器人和汽车导航等对精度要求不高的场合,中精度M EMS陀螺仪主要用于飞机的姿态航向参考系统(AH RS)等,而高精度M EM S陀螺仪主要用于船舶导航和航天与空间的定位等,具体级别的参数要求如表3[9]所示。

表3各应用级别对陀螺仪的性能要求
T able3Perfo rmance requirements of g yro sco pes for diffe-rent applications
参数指标低精度中精度高精度量程/(b#s-1)50~1000>500>400
角度随机游走/(b#h1/2)>0.50.5~0.05<0.001
零偏稳定性/(b#h-1)10~10000.1~10<0.01
标度因子重复性/%0.1~10.01~0.1<0.001带宽/Hz>70约100约100抗震性/(g#ms-1)10001000~100001000
M EMS陀螺仪基本都是谐振式陀螺仪,主要部件有支撑框架、谐振质量块及激励和测量单元。

按谐振结构可分为音叉式结构、谐振梁、圆形谐振器、平衡架(双框架)、平面对称结构和梁岛结构等;按驱动方式可分为静电式、电磁式和压电式等;按检测方式又可分为压阻、压电、隧道、光学和电容式等。

已研制成功的MEM S陀螺仪主要有音叉式、谐振梁式和双框架式几种。

AD公司推出的ADXRS系列谐振梁式陀螺仪通过测量电容的变化来获得加速度值,ADXRS把传感器元件与其他必要处理电路元件集成在同一芯片上,功能比较完整,具有较高的电容和位移测量精度,可用于工业和航空航天[15]。

AD公司在2010年推出了多款ADXRS系列产品,其中ADXRS652的测量范围为?250b/s,灵敏度为7mV/(b)/s,带宽为0101~2500H z,测量范围为?250b/s,抗冲击能力达2000g。

其采用了表面微加工工艺,具有高性价比、功能完整、低功耗、抗振动和冲击的优点[16]。

ADXRS450iM EMS o R陀螺仪[17]和ADXRS453 iM EM S o R陀螺仪为AD公司的低功耗、抗振动和冲击的代表产品,功耗都仅为6mA,采用先进的差分四传感器设计,可在强烈冲击和振动状态下精确工作。

ADXRS450的线性加速度灵敏度为0103b/s/g,加速校正仅为01003b/s/g2。

ADXRS453是目前业界较为稳定的抗振动MEM S 陀螺仪,在线性加速期间能实现0101b/s/g的灵
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敏度,可检测?300b/s的角速率[18]。

音叉式陀螺仪的优点是工作中心稳定,能够补偿片内力和力矩,无需特殊处理就可固定敏感元件。

Z1Y1Guo等人[19]于2009年采用体加工技术制作出一款横轴谐振音叉结构的陀螺仪(TFG),采用新型的驱动梳状电容器把机械耦合从传感模式解耦到驱动模式。

该T FG在大气环境下的测试表明,灵敏度为1718mV/(b)/s,非线性为016%,零偏稳定性为0105b/s(1R),可用于组合低成本的单片微型IM U,无需真空封装。

MEMS陀螺仪发展较快,小尺寸、高性能和低功耗的新产品不断涌现。

业界已知较高精度的陀螺仪为2010年Sensonor Technologies AS推出的多轴MEMS陀螺仪STIM202,其零偏稳定性仅为015b/h,量程范围?400b/s,随机游走012b/s/h1/2,灵敏度精度?1%。

STIM202精度高、可靠性高且成本低廉,性价比优于同精度等级的FOG光纤陀螺仪[20]。

小尺寸的代表产品为Silicon Sensing公司于2010年11月推出的PinPoint o R单轴陀螺仪,其尺寸为6mm@ 5m m@112m m,重0108g[21]。

当前MEM S陀螺仪的发展速度比MM ES加速度计更快。

虽然有大量资料论述如何采用各种先进的制作技术,如SOI技术来提升MEM S陀螺仪的特性,但二轴M EMS陀螺仪的性能已满足精度要求较低的应用场合。

而用于导航和空间定位的高分辨率三轴M EMS陀螺仪目前正处于研究阶段。

其他非谐振式新型M EMS陀螺仪有悬浮转子式MEM S陀螺仪、M EMS集成光学陀螺仪和微原子陀螺仪等。

悬浮转子式微陀螺仪是一种静电力悬浮支承并高速旋转的扁平微转子,具有微小型化、低功耗及惯性导航级精度。

微集成光学陀螺仪具有无运动部件、灵敏度高、无需真空封装、动态响应范围较大、抗电磁干扰能力较强及可在恶劣环境下使用等特点。

MEM S陀螺仪相比传统的陀螺仪具有体积小、重量轻、可靠性高、功耗低、易于数字化和智能化等一系列优点,已在航空、航天、航海、汽车、生物医学和环境监控等领域得到了应用。

M EM S陀螺仪可为各种消费类电子产品,如手机、照/摄相机增值,增加图像稳定性、提供步行导航并改进用户界面。

MEM S陀螺仪的研究主要集中于汽车和导航级应用,在汽车工业中可用于GPS导航、汽车底盘控制系统和安全制动系统。

此外,微型低功率导航集成微陀螺可满足小型平台,包括微型无人机、水下无人潜航器和微型机器人进行无GPS导航的技术要求。

5结语
进入21世纪以来,在市场引导、科技推动、风险投资和政府介入等多重作用下,M EM S传感器技术发展迅速,新原理、新材料和新技术的研究不断深入,M EM S传感器的新产品不断涌现。

目前,M EMS传感器正向高精度、高可靠性、多功能集成化、智能化、微型化和微功耗方向发展。

借助新型材料,如SiC、蓝宝石、金刚石及SOI开发出的各种新型高可靠MEM S传感器,如温度传感器、气体传感器和压力传感器具有耐高温、耐腐蚀和防辐照等性能,进一步提高了M EMS传感器的精度和可靠性。

纳米管、纳米线、纳米光纤、光导、超导和智能材料也将成为制作纳米传感器的材料。

MEM S传感器向纳米级发展将产生多种传感器,如气体、生物和化学传感器,使M EMS传感器的种类更加多样化。

新的加工技术,如先进的M EMS制作和组装技术使M EMS传感器体积更小、功耗更低且性能更高,如具有耐振动和抗冲击的能力。

利用专门的集成设计和工艺,如与CM OS兼容的MEM S加工技术和芯片上集成系统(SoC)技术可把构成传感器的敏感元件和电路元件制作在同一芯片上,能够完成信号检测和信号处理,构成功能强大的智能传感器,满足传感器微型化和集成化的要求。

传感器集成化是实现传感器小型化、智能化和多功能的重要保证。

M EMS传感器一直是研究的热点和重点,是各国大力发展的核心和前沿技术,引起了各国研究机构、大学和公司的高度重视,欧美和日本等国显示出了明显的领先优势。

国内的一些高校和研究机构已着手MEM S传感器技术的开发和研究,但在灵敏度、可靠性及新技术能力提升方面与国外相比还存在较大差距。

许多M EMS传感器品种尚未具备批量生产的能力,离产品的实用化和产业化还很远,有待于进一步提高和完善。

王淑华:M EM S传感器现状及应用
参考文献:
[1] 余瑞芬1传感器原理[M ].北京:航空工业出版社,1995.[2] EDN China.LPS 001W P:意法半导体推出M EM S 传感器适
用于便携设备、汽车和工业[EB/OL ].(2010-12-02)[2011-03-22].H ttp://w w /public/art/artinfo/id/80008757.
[3] Yole Development SA.MEM S technology:w orld 's smallest baro -metric pressu re sensor [J].M icron ew s,2009,78:1.[4] NED A A,OKOJIE R S,KURTZ A D,et al.6H-SiC pres -su re sensor operation at 600b C [C ]//Proceedings of H igh
T em perature Electronics Conference.Albuquerque,NM ,
U SA,1998:257-260.
[5] 张冬至,胡国清,陈昌伟.M EM S 高温压力传感器研究与进
展[J ].仪表技术与传感器,2009,11:4-6.
[6] W ERNER M R,FAHRNER W R.Review on materials,m-i
crosen sors,sys tems,and devices for high -tem perature and h ars h -environm ent applications [J ].IE EE T ran saction on
electronics ,2001,48(2):249-257.
[7] HE ZARJARIBI Y,H AM IDON M N,S IDEK R M ,et al.
Analytical and sim ulation evaluation for diaphragm .
s deflec -tion and its application s to touch m ode m ems capacitive pres -sure s ens ors [J ].Journ al of Baaic and Applied Sciences,2009,3(4):4281-4292.
[8] Yole Developpment S A.Opsens launch es new miniatu re pres -su re sensor for life s cien ces an d medical devices [J ].M icro -n ew s,2009,78:19.
[9] 总装备部电子信息基础部.军用电子元器件[M ].北京:国
防工业出版社,2009.
[10]微机电系统[EB/OL].(2011-03-12)[2011-03-20].Ht -tp://w /view /635deb 2a 3169a 4517723a 301.html.[11]AM ARASINGH E R,DAO D V,DAU V T ,et al.Ultra
m iniatu re noval th ree -axis m icro acceler om eter [C ]//Pro -ceedin gs of IEEE S ens or s Conference.Christchurch,New Zea -land,2009:1305-1308.
[12]Yole Development SA.Kistler North America introduces high -sensitivity,single axis K -Beam o R M EM S capacitive accelerom e -
ter [J].M icronew s,2010,103:10.[13]柯小路.谐振式微加速度计综述[EB/OL].
(2010-08-22)
[2011-3-20]./vi ew/e 60ddfd 528ea 81
c 758f 5788c.html.
[14] Anolog Devices.ADXL 346:3-Ax is,?2g/?4g/?8g/
?16g ultralow pow er di gital accelerometer [EB/OL].
(2010-12-20)[2011-03-22].h ttp://w w /zh /sen -sors/inertia-l s ens or s/adxl 346/products/pr odu ct.html.
[15] 王喆垚.微系统设计与制造[M ].北京:清华大学出版社,
2008.
[16] Anolog Devices.ADXRS 652:?250b /s yaw rate gyro [EB/
OL].(2010-07-12)[2011-03-22].H ttp://ww w.an -alog 1com/zh/sensors/inertia -l sensors/adxrs 652/products/product.html.
[17] Anolog Devices.ADXRS 450:?300b /s 角速率传感器[EB/
OL].(2010-06-22)[2011-03-23].Http://w w w.
analog 1com/zh/sensors/inertia -l sensors/adxrs 450/products/pro -
duc t.html.
[18] Anolog Devi ces.ADXRS 453:?300b /s angular rate sensor [EB/
OL]1(2011-01-14)[2011-03-18].H ttp://w w w.ana -log 1com/zh/sensors/i nerti a-l sensors/adxrs 450/produc ts/product.html.
[19] GUO Z Y,LIN LT,ZH AO Q C,et al.An electrically de -coupled latera-l ax is tunin g fork gyroscope op eratin g at atmos -pheric pres sure [C ]//Proceedings of th e 22nd M icro Elec -tron ic M echan ical S ystem s International Conferen ce.S orren -to,Italy,2009:104-107.
[20] Sensonor T echnologies AS.S TIM 202:mu lt-i axis gyroscope
[EB/OL].
(2010-08-12)[2011-03-12].H ttp://
ww w 1globalspec 1
com/FeaturedProducts /Detail/SensonorTech-nologiesAS/ST IM 202_M ultiAxis _Gyroscope/112604/0.
[21] Yole Development SA.New class of small pr ecis ion M EM S
gyros now available from s ilicon s ens ing [J ].M icronew s ,2010,103:9.
5微纳电子技术6征稿
5微纳电子技术6于2002年创刊(月刊),在短短的几年里,已成为中文核心期刊、中国科技核心期刊,并被国内外多家知名数据库收录。

栏目分为:技术论坛,器件与技术,材料与结构,M EMS 与传感器,加工、测量与设备,国际视点。

主要内容包括:纳电子学、微系统与纳系统、纳电子器件与技术、纳米材料与结构、功能材料与新材料、
纳米测试与显微技术、M EM S 与传感器、微细加工技术与设备、纳米技术应用等领域国内外的最新进展,并兼顾微电子领域的最新研究成果。

欢迎本领域的专家、学者和研究人员踊跃投稿,欢迎英文稿件!
王淑华:M EM S 传感器现状及应用。